專利名稱：帶粘接劑芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在芯片的一個表面上設(shè)有粘接劑的帶粘接劑芯片的制 造方法，尤其涉及利用研磨成極薄的晶片無損傷地制造單片帶粘接劑芯片 的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置用基板上裝設(shè)半導(dǎo)體芯片時，將膜狀粘接劑作為芯片鍵 合用粘接劑來使用。預(yù)先將膜狀粘接劑粘貼在半導(dǎo)體晶片上，并將其與半 導(dǎo)體晶片一起切割來制造帶粘接劑芯片。由于膜狀粘接劑與糊狀粘接劑不 同，不會從芯片溢出且不會因涂布不均而使芯片傾斜，因此特別作為將多 個半導(dǎo)體芯片堆積的芯片堆棧型半導(dǎo)體裝置的芯片間使用的粘接劑來使 用。此外，隨著便攜式電子設(shè)備和ic卡等的普及，人們希望半導(dǎo)體器件進一步薄型化。因此，便產(chǎn)生了將現(xiàn)有的厚度為35(Hira左右的半導(dǎo)體芯片減 薄到50 100拜的厚度或其以下的必要。當(dāng)然，即使是這種極薄的半導(dǎo)體 芯片，也希望是帶有膜狀粘接劑的帶粘接劑芯片。但是，為了切割晶片，膜狀粘接劑有時以與切割片材層疊的形態(tài)使用。 此時，切割片材的粘著劑層和膜狀粘接劑層成為拾取時的剝離界面。為了 用拾取針來拾取與剝離界面粘接的芯片，必須要較平時有更強的上頂，在 芯片極薄時可能會造成芯片破損。此外，上述膜狀粘接劑通過加熱壓接與 晶片粘接。由于在加熱和加壓、或?qū)盈B后經(jīng)過時間后，切割片材的粘著劑 層與膜狀粘接劑層間的界面的粘接力有上升的趨勢，因此會更難安全地拾 取芯片。另一方面，也有這樣的粘接片材上市其不額外使用切割片材，具有4與基材能剝離地層疊的粘接劑層，可兼用于切割和芯片鍵合。在上述粘接 片材中，雖然沒有因粘著劑層與粘接劑層層疊而引起的界面上的粘接力上 升的問題，但是會有必須將可使用期間設(shè)定得較短以得到穩(wěn)定的拾取力的 問題。這樣，在拾取力較大時，即使芯片在外觀上沒有破損，在其內(nèi)部也會 產(chǎn)生損傷，使用了這種芯片的半導(dǎo)體裝置會因為經(jīng)歷熱過程而產(chǎn)生封裝開 裂等，品質(zhì)缺乏可靠性。因此，為解決上述問題，曾討論了不進行細針上頂?shù)膸д辰觿┑氖叭?方法。(參照專利文獻l)這些方法采用多孔原材料的吸附工作臺來代替粘著 片材，在拾取芯片時停止吸附工作臺的吸附，消除芯片的保持力。但是， 在上述方法中，芯片間的縫隙不封閉而存在空氣滲漏，而且每次拾取芯片 滲漏量會增大。據(jù)此，會產(chǎn)生對未被拾取而留下的芯片的保持力降低、因 振動而使芯片的位置發(fā)生偏移以及夾頭無法夾住芯片等的問題。專利文獻1:日本專利特開2003-179126號公報 發(fā)明的公開發(fā)明所要解決的技術(shù)問題根據(jù)上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種帶粘接劑芯片的制造方法， 其不需要對芯片上頂，且在拾取進行中不會發(fā)生未被拾取的芯片的保持力 變動。解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為達成上述目的，本發(fā)明的帶粘接劑芯片的制造方法是一種具有在固 定夾具的緊貼層上層疊有芯片鍵合粘接劑層及晶片的狀態(tài)下將上述晶片及上述芯片鍵合粘接劑層完全切斷以形成芯片，并通過使上述固定夾具的上 述緊貼層變形將上述芯片與上述芯片鍵合粘接劑層一起從上述固定夾具拾 取的特征的帶粘接劑芯片的制造方法，其特征是，上述固定夾具包括上述 緊貼層和夾具基臺，在該夾具基臺的一個表面上有多個突起物且在該一個 表面的外周部有高度與該突起物的高度大致相同的側(cè)壁，上述緊貼層在上述夾具基臺的有上述突起物的表面上層疊并在上述側(cè)壁的上表面粘接，在 上述夾具基臺的有上述突起物的表面形成有由上述緊貼層、上述突起物及 上述側(cè)壁構(gòu)成的劃分空間，上述基臺設(shè)有至少一個使外部和上述劃分空間 貫通的貫通孔，并能通過經(jīng)由上述固定夾具的上述貫通孔抽吸上述劃分空 間內(nèi)的空氣而使上述緊貼層變形。在此，本發(fā)明較好的是在上述固定夾具的上述緊貼層上隔著剝離片材 形成按照上述芯片鍵合粘接劑層及上述晶片的順序?qū)盈B的狀態(tài)。此外，本發(fā)明也可以在上述固定夾具的上述緊貼層上隔著保護用粘著 片材形成按照上述晶片及上述芯片鍵合粘接劑層的順序?qū)盈B的狀態(tài)。而且，本發(fā)明也可以在上述固定夾具的上述緊貼層上形成按照上述晶 片、上述芯片鍵合粘接劑層以及用于保護上述芯片鍵合粘接劑層的剝離片 材的順序?qū)盈B的狀態(tài)。在上述的本發(fā)明中也能應(yīng)用于將晶片在固定夾具上完全切斷并形成芯 片的情形。此外，本發(fā)明是一種具有在固定夾具的緊貼層上層疊有芯片鍵合粘接 劑層及單片化后的晶片的狀態(tài)下將上述芯片鍵合粘接劑層按照芯片的外形 完全切斷，并通過使上述固定夾具的上述緊貼層變形將上述芯片與上述芯 片鍵合粘接劑層一起從上述固定夾具拾取的特征的帶粘接劑芯片的制造方 法，其特征是，上述固定夾具包括上述緊貼層和夾具基臺，在該夾具基臺 的一個表面有多個突起物且在該一個表面的外周部有高度與該突起物的高 度大致相同的側(cè)壁，上述緊貼層在上述夾具基臺的有上述突起物的表面上 層疊并在上述側(cè)壁的上表面粘接，在上述夾具基臺的有上述突起物的表面 形成有由上述緊貼層、上述突起物及上述側(cè)壁構(gòu)成的劃分空間，上述基臺 設(shè)有至少一個使外部和上述劃分空間貫通的貫通孔，并能通過經(jīng)由上述固 定夾具的上述貫通孔抽吸上述劃分空間內(nèi)的空氣使上述緊貼層變形。在此，本發(fā)明較好的是在上述固定夾具的上述緊貼層上隔著剝離片材 形成按照上述芯片鍵合粘接劑層及單片化后的晶片的順序?qū)盈B的狀態(tài)。而且，本發(fā)明也可以在上述固定夾具的上述緊貼層上隔著保護用粘著片材形成按照單片化后的晶片及上述芯片鍵合粘接劑層的順序?qū)盈B的狀 態(tài)。此外，本發(fā)明也可以在上述固定夾具的上述緊貼層上形成按照單片化 后的晶片、上述芯片鍵合粘接劑層以及用于保護上述芯片鍵合粘接劑層的 剝離片材的順序?qū)盈B的狀態(tài)。這樣在本發(fā)明中也能應(yīng)用于將預(yù)先經(jīng)其他工序單片化成許多芯片后的 晶片載置在固定夾具上的情形。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的帶粘接劑芯片的制造方法，由于不需要通過細針對芯片 上頂，只靠吸附夾頭的抽吸力就能拾取芯片，因此不會對芯片帶來損傷。 此外，即使不斷拾取芯片，在固定夾具上留下的芯片的緊貼狀態(tài)也不會變 化，因此在拾取的后半階段不需要為防止芯片位置發(fā)生偏移而進行調(diào)整吸 附力這樣的作業(yè)。因此，即使是加工得非常薄的芯片也能進行芯片的拾取，并能安全地 向芯片鍵合工序移送。


圖1是在本發(fā)明的帶粘接劑芯片的制造方法中使用的固定夾具的概略 剖視圖。圖2是構(gòu)成圖1所示的固定夾具的夾具基臺的概略平面圖。圖3(A)是表示第一實施方式的工序1A的狀態(tài)的概略剖視圖，圖3(B) 是表示第一實施方式的工序1B的狀態(tài)的概略剖視圖，圖3(C)是表示第一實 施方式的工序1C的狀態(tài)的概略剖視圖。圖4是在本發(fā)明中使用的切割前的半導(dǎo)體晶片的概略平面圖。圖5是在晶片上粘貼保護用粘著片材時的粘貼工序的概略剖視圖。圖6是背面研磨工序的概略剖視圖。圖9是在本發(fā)明的第一實施方式中在固定夾具上拾取時的概略剖視圖。圖IO(A)是表示第二實施方式的工序2A的概略剖視圖，圖IO(B)是表 示第二實施方式的工序2B的概略剖視圖，圖IO(C)是表示第二實施方式的 工序2C的概略剖視圖。圖ll(A)是表示第三實施方式的工序3A的概略剖視圖，圖ll(B)是表 示第三實施方式的工序3B的概略剖視圖，圖ll(C)是表示第三實施方式的 工序3C的概略剖視圖。圖12是從晶片上將保護用粘著片材剝離時的剝離工序的概略剖視圖。圖13(A)是表示第四實施方式的工序4A的概略剖視圖，圖13(B)是表 示第四實施方式的工序4B的概略剖視圖，圖13(C)是表示第四實施方式的 工序4C的概略剖視圖。(符號說明)1晶片3固定夾具4真空裝置13芯片20粘接片材22剝離片材24芯片鍵合粘接劑層25保護用粘著片材30夾具基臺31緊貼層35側(cè)壁36突起物37劃分空間38貫通孔70吸附夾頭80作為切斷后的芯片的集合體的單片化晶片
100拾取裝置
具體實施例方式
以下參照附圖對本發(fā)明的實施例進行說明。 [固定夾具]
圖1表示在本發(fā)明中使用的固定夾具，圖1的固定夾具是在本發(fā)明的 帶粘接劑芯片的制造方法中使用的。
如圖1所示，在本發(fā)明中使用的固定夾具3由夾具基臺30和緊貼層 31組成。作為夾具基臺30的形狀，例如有近似圓形、近似橢圓形、近似 矩形、近似多邊形，其中較好為近似圓形。如圖1及圖2所示，在夾具基 臺30的一側(cè)的表面上，多個突起物36空開間隔地向上方突出形成。突起 物36的形狀沒有特別的限定，但較好為圓柱形或圓錐臺形。此外，在有上 述突起物36的表面的外周部形成有高度與突起物36的高度大致相同的側(cè) 壁35。此外，在夾具基臺30的有突起物36的表面上層疊有緊貼層31。上 述緊貼層31粘接在側(cè)壁35的上表面，此外緊貼層31既可以與突起物36 的上表面粘接也可以不與其粘接。在夾具基臺30的有突起物36的表面形 成有由突起物36、側(cè)壁35及緊貼層31構(gòu)成的劃分空間37。這些劃分空間 37全部都是連通的。
另一方面，在夾具基臺30的沒有突起物36的表面沿夾具基臺30的厚 度方向設(shè)有將上述表面?zhèn)鹊耐獠亢蛣澐挚臻g37貫通的貫通孔38。貫通孔 38既可以在夾具基臺30上至少設(shè)置一個，也可以在夾具基臺30上設(shè)置多 個。此外，也可以在夾具基臺30的水平方向上設(shè)置貫通孔38并在側(cè)壁35 上設(shè)置開口部來代替夾具基臺30的沒有突起物36的表面的貫通孔38。通 過在上述貫通孔38的開口部中連接能自由裝卸的真空裝置，能使劃分空間 37內(nèi)的氣體被排出而使緊貼層31變形成為凹凸?fàn)睢?br> 夾具基臺30的材質(zhì)只要機械強度好并不作特別限定，例如有聚碳酸 酯、聚丙烯、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯
9等熱塑性樹脂；鋁合金、鎂合金、不銹鋼等金屬材料；玻璃等無機材料； 玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂等有機無機復(fù)合材料等。夾具基臺30的彎曲彈性模 量較好為lGPa以上。若具有上述的彎曲彈性模量，則不需要過度增厚夾具 基臺30的厚度就能賦予其剛性。通過采用上述材料，能使芯片在緊貼于固 定夾具3后到裝載于拾取裝置為止的搬運過程中都不會彎曲，且不會發(fā)生 芯片位置的偏移和芯片脫離。
夾具基臺30的外徑較好的是與半導(dǎo)體晶片的外徑大致相同或比半導(dǎo) 體晶片的外徑大。若夾具基臺30具有能對應(yīng)半導(dǎo)體晶片的規(guī)格尺寸的最大 直徑(例如直徑300mm)的外徑，則能在比該直徑小的全部半導(dǎo)體晶片上應(yīng) 用。此外，夾具基臺30的厚度較好為0. 5 2. Omm，更好的是0. 5 0. 8mm。 若夾具基臺30的厚度在上述范圍內(nèi)，則在晶片的背面研磨后不會使晶片彎 曲并能充分支承。
突起物36及側(cè)壁35的高度更好的是0. 05 0. 5mm。此外，突起物36 的上表面的直徑較好為0. 05 1.0mm。而且突起物的間隔(突起物中心之間 的距離)較好為0.2 2.0rnm。若突起物36的大小以及突起物的間隔在上述 范圍內(nèi)，則通過劃分空間37內(nèi)的抽氣能使緊貼層31充分變形成為凹凸?fàn)睿?并且能將半導(dǎo)體芯片容易地從緊貼層31上取下。而且，即使重復(fù)進行多次 緊貼層31的凹凸變形，也能不斷回復(fù)到原來的平坦?fàn)顟B(tài)。
貫通孔38的直徑并沒有特別的限定，但較好為2mm以下。 上述夾具基臺30例如可以由熱塑性的樹脂材料用模具進行加熱成形， 將夾具基臺的底部、側(cè)壁35和突起物36 —體制造，也可以在平面圓形板 上形成側(cè)壁35及突出物36進行制造，或者也可以在凹型圓板的凹部內(nèi)表 面上形成突起物36進行制造。作為突起物36的形成方法，例如有通過 電鑄法使金屬以規(guī)定形狀析出的方法，通過絲網(wǎng)印刷形成突起物的方法， 在平面圓形板上層疊光致抗蝕膜并曝光、顯影而形成突起物的方法等。此 外，還能通過用蝕刻侵蝕除去金屬制平面圓形板的表面以留下突起物形成 部分的方法、用噴砂除去平面圓形板的表面以留下突起物形成部分的方法 等來制造夾具基臺30。另外，貫通孔38既可以在突起物36形成前預(yù)先形成，也可以在突起物36形成后形成。此外，也可以在夾具基臺成型的同時 形成。
作為夾具基臺30上配置的緊貼層31的材質(zhì)，例如有可彎性、柔軟性、 耐熱性、彈性、粘著性等良好的聚氨酯類、丙烯酸類、氟類或硅酮類的彈 性體。在上述彈性體中也可以根據(jù)需要添加加強性填料和疏水性二氧化硅 等各種添加劑。
緊貼層31較好為形狀與夾具基臺30的形狀大致相同的平板，緊貼層 31的外徑較好為與夾具基臺30的外徑大致相同，厚度較好為20 200|im。 若緊貼層31的厚度不足20inm，則會對反復(fù)抽吸缺乏機械上的耐久性。另一 方面，若緊貼層31的厚度超過20(^m，則會在通過抽吸進行剝離時很費時 間，不好。
此外，緊貼層31的拉伸斷裂強度較好為5MPa以上，拉伸延伸率較好 為500%以上。若拉伸斷裂強度和拉伸延伸率在上述范圍內(nèi)，則即使重復(fù)進 行多次緊貼層31的變形，也不會發(fā)生緊貼層31的斷裂和松弛而能回復(fù)到 原來的平坦?fàn)顟B(tài)。
此外，緊貼層31的彎曲彈性模量較好為在10 100MPa的范圍內(nèi)。若 緊貼層31的彎曲彈性模量不足lOMPa，則緊貼層31的與突起部36接觸的 接點部以外的部分會因重力而撓曲，會發(fā)生緊貼層31不能與芯片緊貼的情 形。另一方面，若超過100MPa，則很難通過抽吸發(fā)生變形，會發(fā)生不能容 易地將芯片剝離的情形。
此外，緊貼層31的與半導(dǎo)體晶片接觸的一側(cè)的表面的抗剪粘附力較好 為35N以上。本發(fā)明中的抗剪粘附力是指在緊貼層31和硅片的鏡面之間測 定的值，是在大小為縱30mmX橫30mmX厚3mm的眾所周知的玻璃板上粘貼 緊貼層31并配置在由硅構(gòu)成的鏡面晶圓(mirror wafer)上，對玻璃板和緊 貼層31的整體施加900g的負荷5秒種，對玻璃板施加與鏡面晶圓平行的 負荷并擠壓時測定的剛開始移動時的負荷。
而且，緊貼層31的粘附力較好為2N/25mm以下。若超過上述值，則緊 貼層31和在緊貼層31上配置的芯片的粘附過大而形成阻滯狀態(tài)，可能無
11法通過抽吸剝離芯片。另外，本發(fā)明中的粘附力是指將緊貼層31粘貼在晶 片的鏡面并將其剝離時的剝離強度。
可以通過例如壓延法、沖壓法、涂覆法或印刷法等預(yù)先制作由上述彈
性體構(gòu)成的膜、并將上述彈性體膜粘接在夾具基臺30的至少側(cè)壁35的上 表面來形成上述緊貼層31，據(jù)此，形成劃分空間37。作為粘接上述緊貼層 31的方法，例如有通過由丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂
或彈性樹脂(日文工，7卜7—樹脂)構(gòu)成的粘接劑進行粘接的方法，緊
貼層31為熱封性時通過熱封進行粘接的方法。
在緊貼層31的表面上也可以進行非粘著處理，特別地，較好的是只對 凹凸?fàn)钭冃螘r與半導(dǎo)體芯片接觸的突起物36上部的緊貼層表面進行非粘著 處理。若進行上述處理，則緊貼層31在變形前會在緊貼層表面的未進行非 粘著處理的部分上與半導(dǎo)體芯片粘附，凹凸?fàn)钭冃魏蟮木o貼層31僅在突起 物36上部的表面、即非粘著性的凸部表面與半導(dǎo)體芯片接觸，因此，能更 容易地將半導(dǎo)體芯片從緊貼層31上取下。作為非粘著處理方法，例如有 通過真空裝置抽吸劃分空間37內(nèi)的空氣而使緊貼層31凹凸?fàn)钭冃巍⒉?凸部尖端通過砂輪輥(日文砥石口 一 ， 一)等進行物理上的粗糙化的方法， 紫外處理的方法，層疊非粘著性橡膠的方法，涂覆非粘著性涂料的方法等。 非粘著部的表面粗糙度的算術(shù)平均粗糙度Ra較好為1.6|Lim以上，更好為 1.6 12.5pm。通過將非粘著部按照上述范圍內(nèi)的表面粗糙度進行粗糙化， 則緊貼層31不會發(fā)生劣化，而且半導(dǎo)體芯片能容易地從緊貼層31上取下。
在本發(fā)明中，預(yù)先準(zhǔn)備按上述方法形成的固定夾具3。
如圖3(A) (C)所示，在本發(fā)明中，最終與芯片13—起被拾取的芯片 鍵合粘接劑層24較好的是由粘接片材20提供。g卩，粘接片材20具有層結(jié) 構(gòu)，在具有硅酮等的剝離層的剝離片材22上層疊有能剝離的芯片鍵合粘接 劑層24。為了保管粘接片材20和保護露出面，也可以在與芯片鍵合粘接劑 層24相反的表面上層疊其他的剝離片材。
芯片鍵合粘接劑層24由熱固性或熱塑性的樹脂組成物構(gòu)成，通過將該樹脂組成物的涂布液在剝離片材22或其他的剝離片材上涂布來形成層并制
造粘接片材20。
在本發(fā)明中使用的由熱固性的樹脂組成物構(gòu)成的芯片鍵合粘接劑層24 例如有粘結(jié)性樹脂和熱固性樹脂的混合物。
作為構(gòu)成熱固性樹脂組成物的粘結(jié)性樹脂，例如有丙烯酸樹脂、聚
酯樹脂、聚乙烯醚樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰胺樹脂等。作為熱固性樹脂， 例如可采用環(huán)氧樹脂、乙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、 密胺樹脂、間苯二酚樹脂等，其中較好的是采用環(huán)氧樹脂。而且，也可以
使用固化劑使熱固性樹脂固化。此外，為了控制與剝離片材22的剝離性， 較好的是在常溫下呈粘著性的芯片鍵合粘接劑層24中摻入聚氨酯類丙烯酸 酯低聚物等紫外線固化性樹脂。若摻入紫外線固化性樹脂，則剝離片材22 在紫外線照射前可與芯片鍵合粘接劑層24很好地粘附，且在紫外線照射后 容易剝離。
在本發(fā)明中使用的由熱固性樹脂組成物構(gòu)成的芯片鍵合粘接劑層24 在常溫下既可以是粘著性粘接劑層也可以是非粘著性粘接劑層。常溫下呈 粘著性的芯片鍵合粘接劑層24可通過芯片鍵合過程中進行到臨時粘接為止 的溫度為室溫或較低的溫度的加熱處理來粘接，這與使芯片鍵合粘接劑層 24完全熱固化的條件相差很大，因此容易進行溫度管理。此外，常溫下呈 非粘接性的芯片鍵合粘接劑層24在芯片鍵合的瞬間由于臨時粘接還沒有結(jié) 束而很難巻入空氣。大體上，若使用的粘結(jié)性樹脂是粘著性，則芯片鍵合 粘接劑層24是粘著性的，若使用的粘結(jié)性樹脂是非粘著性，則芯片鍵合粘 接劑層24是非粘著性的。
芯片鍵合粘接劑層24的厚度根據(jù)通過配線基板等的芯片鍵合而粘接 的對象物的表面形狀的不同而不同，但通常為3 100pra，較好為10 5(Him。
作為剝離片材22，例如可采用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁 二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚氨酯膜、乙烯 乙酸乙烯酯膜、離子鍵樹脂、乙烯一(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯一(甲基) 丙烯酸酯共聚物膜、氟樹脂膜等較軟質(zhì)的樹脂制膜，聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸 酯膜、聚酰亞胺膜等較硬質(zhì)的樹脂制膜。
作為在剝離片材22中使用的樹脂制膜，既可以是選自上述膜的單層
膜，也可以是層疊膜。此外還能使用它們的交聯(lián)膜。在將剝離片材22層疊 于芯片鍵合粘接劑層24的狀態(tài)下層疊于固定夾具3的緊貼層31使用時， 剝離片材22采用較軟質(zhì)的樹脂制膜，以便與緊貼層31同樣通過抽吸而變 形。剝離片材22不層疊于固定夾具3的緊貼層31時，也可以使用較硬質(zhì) 的樹脂制膜。
由于剝離片材22能與芯片鍵合粘接劑層24剝離，因此較好的是在與 芯片鍵合粘接劑層24相接的表面上的表面張力小，例如較好為40raN/ra以 下。表面張力小的樹脂制膜不但能適當(dāng)?shù)剡x擇材質(zhì)得到，此外也能通過在 樹脂制膜的表面上涂布硅酮樹脂等的剝離劑并進行剝離處理得到。
剝離片材22的膜厚通常為10 50(Vra，較好為15 300拜，特好為20 250]um左右。
作為在本發(fā)明中使用的晶片1，例如有由硅酮、化合物半導(dǎo)體構(gòu)成 的半導(dǎo)體晶片，由玻璃、陶瓷等絕緣材料構(gòu)成的晶片。在作為晶片1使用 半導(dǎo)體晶片時，例如使用表面?zhèn)刃纬捎须娐范趁鎮(zhèn)缺谎心ゼ庸さ?、如圖4 所示尚未經(jīng)過切割等而單片化的晶片。就晶片1而言，由于例如100nm以 下的極薄厚度的晶片僅在自身重力下就容易破損，因此能特別享有本發(fā)明 的效果。
此外，在本發(fā)明中，將在保持切割前的晶片的輪廓形狀的狀態(tài)下按每 個電路切斷而形成的芯片13的集合體的狀態(tài)稱為單片化后的晶片(單片化 晶片80)。
在本發(fā)明的實施方式中使用的保護用粘著片材25可由實施者適當(dāng)選 擇并使用在市場上販賣的晶片研磨用粘著帶(BG膠帶)。具體地說，粘著片 材是以樹脂制膜為基材并在基材的單側(cè)具有紫外線固化型等的再剝離性好的粘著劑層。
將保護用粘著片材25夾在固定夾具3的緊貼層31與晶片1之間層疊
使用時，保護用粘著片材25采用較軟質(zhì)的樹脂制膜作為基材，以便與緊貼 層31同樣通過抽吸而變形。保護用粘著片材25不層疊于固定夾具3的緊 貼層31時，也可以將較硬質(zhì)的樹脂制膜作為基材使用。
本發(fā)明的第一實施方式由如圖3(A)所示的在固定夾具3的緊貼層31 上夾著剝離片材22形成按照芯片鍵合粘接劑層24及晶片1的順序?qū)盈B的 狀態(tài)的工序(工序1A)、如圖3(B)所示的將上述晶片l及上述芯片鍵合粘接 劑層24完全切斷以形成芯片13的工序(工序1B)、以及如圖3(C)所示的通 過使上述固定夾具3的上述緊貼層31變形而將上述芯片13與上述芯片鍵 合粘接劑層24 —起從上述固定夾具3中拾取的工序(工序1C)組成。
本實施方式中提供的晶片1是在表面上形成電路后進行背面研磨的晶 片。在進行背面研磨工序時，如圖5所示，在晶片1的電路表面la上粘貼 用于保護回路的保護用粘著片材25，并如圖6所示，通過反向研磨裝置26 硏磨晶片l的背面，將晶片l調(diào)整成極薄的厚度、例如50拜左右。接著， 如圖7所示，在晶片1的研磨面上層疊粘接片材20的芯片鍵合粘接劑層24 側(cè)，并將保護用粘著片材25從晶片1的電路表面la上剝離除去。然后， 使晶片1上的剝離片材22側(cè)和固定夾具3與緊貼層31相向接觸，就能形 成如圖3(A)所示的工序1A中的層疊順序的狀態(tài)。
接著，如圖3B所示，進行將晶片1及芯片鍵合粘接劑層24完全切斷 以形成芯片13的工序(工序1B)，形成芯片13。切斷既可以通過通常的刀 片切割法進行，也可以通過激光切割法進行。此外，還可以將晶片1和芯 片鍵合粘接劑層24通過用專用的刀片進行的雙重切割法進行切斷。
將在固定夾具3上固定的晶片1以固定夾具3作為下表面的形態(tài)裝載 于切片機等切斷裝置的處理臺。若是為防止晶片1脫落而不從固定夾具3 的貫通孔38進行抽吸的構(gòu)造，則能照搬使用包括采用通常的晶片固定方式 的以往所使用的處理臺的切斷裝置。處理臺由多孔原材料構(gòu)成時，只需屏
15蔽與貫通孔38抵接的那部分進行抽吸即可。這樣就能用與現(xiàn)有方法大致相 同的方式和方法進行切斷工序。另外，由于芯片鍵合粘接劑層24和緊貼層
31隔著剝離片材22層疊，因此能切入到剝離片材22那層，為提高生產(chǎn)性， 可以降低切入深度的精度來加快速度。
接著，如圖3(C)所示，通過使固定夾具3的緊貼層31變形來進行將 芯片13與芯片鍵合粘接劑層24 —起從固定夾具3中拾取的工序(工序1C)。
固定芯片13的固定夾具3從切斷裝置轉(zhuǎn)裝到拾取裝置，進行拾取工序 (工序1C)。在本實施方式中使用的拾取裝置是用于處理固定夾具3的專用 裝置，具體地說，采用由本發(fā)明申請人申請的日本專利特愿2006-283983 中披露的拾取裝置。如圖8所示，該申請的拾取裝置100包括將固定夾具3 固定的工作臺51和將芯片13抽吸保持的吸附夾頭70，工作臺51具有將固 定夾具3本體固定的吸附部50和用于與固定夾具3的貫通孔38連接并抽 吸劃分空間37的抽吸部52開口并能分別獨立地進行吸附的構(gòu)造。
固定夾具3以在拾取裝置100的工作臺51上使貫通孔38與抽吸部52 對齊并由吸附部50吸附固定夾具3本體的方式固定。若將由真空裝置4等 產(chǎn)生的負壓通過抽吸部52和貫通孔38施加到劃分空間37，則緊貼層31 朝劃分空間37側(cè)變形。在此，由于使用較軟質(zhì)的樹脂制膜作為剝離片材22， 因此如圖3(C)所示，剝離片材22也會隨著緊貼層31—起變形。由于在芯 片13上粘接的芯片鍵合粘接劑層24不能變形，因此如圖9所示，在剝離 片材22與芯片鍵合粘接劑層24間的界面上，以僅在突起物36的位置上點 接觸的狀態(tài)剝離。
在此，隨著拾取的進行，即使固定夾具3上的存在芯片13的面積的比 例發(fā)生很大的變化，芯片13的保持力也與所接觸的緊貼層31的面積成比 例。由于與每塊芯片13點接觸的緊貼層31的面積不會隨著拾取的進行而 發(fā)生變化，因此上述保持力到最后都是恒定的。
接著，吸附夾頭70移動到規(guī)定的那一塊芯片13的位置并與芯片表面 相對，通過對吸附夾頭70施加負壓，芯片13以層疊有芯片鍵合粘接劑層 24的狀態(tài)由吸附夾頭70吸附抓住(拾取)。拾取后的芯片13既可以在引線框等的電路基板上直接進行芯片鍵合， 也可以暫時用芯片分選帶(日文夕'< V—卜亍一7)等載片材料保持，再 進行保管輸送并進行芯片鍵合。
另外，在上述實施方式中，表示了在將固定夾具3和芯片鍵合粘接劑
層24隔著剝離片材22層疊的狀態(tài)下的方法，但也可以是在不隔著剝離片 材22而直接層疊的狀態(tài)下的方法。此時，只需將粘接片材20粘貼于晶片1 后將剝離片材22剝離即可。此時，精密地進行切割，以使切入深度達到晶 片1與緊貼層31間的界面。
此外，在上述實施方式中，將保護用粘著片材25在工序進行中剝離， 以露出晶片1的電路表面la的狀態(tài)進行切斷，但也可以不將保護用粘著片 材25剝離而在拾取工序前后或者是進行芯片鍵合后剝離保護用粘著片材 25。此時，保護用粘著片材25在切斷工序中與晶片l和芯片鍵合粘接劑層 24相同地被切斷，但能防止切屑和刀片破損時的碎片等對晶片1的電路表 面造成的損傷。切斷后的保護用粘著片材25可另行利用剝離用粘著帶進行 剝離。
而且，在上述實施方式中，表示了在晶片1的背面研磨面上設(shè)有芯片 鍵合粘接劑層24的結(jié)構(gòu)，但也可以按照將芯片鍵合粘接劑層24粘貼在晶 片1的電路表面la上的結(jié)構(gòu)的方法。此時，芯片鍵合工序采用將電路基板 與芯片13的電路表面相對的倒裝芯片粘結(jié)法，芯片鍵合粘接劑層24起到 底層填料的作用。
此外，在上述實施方式中，采用晶片1側(cè)在先粘貼芯片鍵合粘接劑層 24后再與固定夾具3層疊的方法，但也可以是將芯片鍵合粘接劑層24先與 固定夾具3層疊后再在芯片鍵合粘接劑層24的表面上層疊晶片1。
接著對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。
本發(fā)明的第二實施方式由如圖IO(A)所示的在固定夾具3的緊貼層31 上通過保護用粘著片材25形成按照晶片1及粘接劑層24的順序?qū)盈B的狀 態(tài)的工序(工序2A)、如圖IO(B)所示的將上述晶片1及上述芯片鍵合粘接
17劑層24完全切斷以形成芯片13的工序(工序2B)、以及如圖IO(C)所示的 通過使上述固定夾具3的上述緊貼層31變形而將上述芯片13與上述芯片 鍵合粘接劑層24 —起從上述固定夾具3中拾取的工序(工序2C)組成。
在本實施方式中也通過與第一實施方式相同的方式準(zhǔn)備采用保護用粘 著片材25且研磨成極薄的晶片1，并且在背面研磨面上粘貼粘接片材20。 接著，使晶片的粘貼在電路表面la上的保護用粘著片材25側(cè)和固定夾具3 與緊貼層31相向接觸，并能形成在工序2A(圖IO(A))中的層疊順序的狀態(tài)。 另外，不剝離粘接片材20的剝離片材22。
接著，進行將晶片1及芯片鍵合粘接劑層24完全切斷以形成芯片13 的工序(工序2B)，形成芯片13。本實施方式中進行的切斷能照搬使用上述 第一實施方式中的切斷方式和方法。而且，由于在芯片鍵合粘接劑層24上 層疊有剝離片材22，因此剝離片材22也被切斷。剝離片材22在切斷工序 中起到保護芯片鍵合粘接劑層24免受切屑污染等的作用。
此外，由于晶片1和緊貼層31隔著保護用粘著片材25層疊，因此能 切入到保護用粘著片材25那層，為提高生產(chǎn)性，可以降低切入深度的精度 來加快速度。切斷工序結(jié)束后，使用剝離用的粘著帶等剝離除去芯片鍵合 粘接劑層24上的剝離片材22。
接著，通過使固定夾具3的緊貼層31變形來進行將芯片13與芯片鍵 合粘接劑層24 —起從固定夾具3中拾取的工序(工序2C)。在本實施方式中 使用的拾取裝置也可以使用與在第一實施方式中使用的裝置相同的裝置。
固定夾具3以在拾取裝置100的工作臺51上使貫通孔38與抽吸部52 對齊并由吸附部50吸附固定夾具3本體的方式固定。若將由真空裝置4等 產(chǎn)生的負壓通過抽吸部52和貫通孔38施加到劃分空間37，則緊貼層31 朝劃分空間側(cè)變形。在此，由于保護用粘接片材25采用一般的軟質(zhì)的樹脂 制膜作為其原材料，因此保護用粘著片材25也會隨著緊貼層31 —起變形。 由于芯片13自身不能變形，因此保護用粘著片材25以僅在突起物36的位 置上點接觸的狀態(tài)剝離(圖IO(C))。
接著，將吸附夾頭70移動到規(guī)定的那一塊芯片的位置并與芯片上的芯片鍵合粘接劑層24的表面相對，通過對附夾頭70施加負壓，芯片13以層 疊有芯片鍵合粘接劑層24的狀態(tài)由吸附夾頭70吸附抓住(拾取)。
拾取后的芯片13既可以在引線框等的電路基板上直接進行芯片鍵合， 也可以暫時用芯片分選帶等載片材料保持后，再進行保管輸送并進行芯片 鍵合。
另外，在上述第二實施方式中，表示了在將固定夾具3和晶片1隔著 保護用粘著片材25層疊的狀態(tài)下的方法，但也可以是在不隔著保護用粘著 片材25而直接層疊的狀態(tài)下的方法。此時，只需將粘接片材20粘貼于晶 片1后將保護用粘著片材25剝離即可。此時，精密地進行切割，以使切入 深度達到晶片1與緊貼層31間的界面。此外，在上述第二實施方式中，在 切斷工序后將剝離片材22剝離，但也可以在向固定夾具3層疊前、切斷工 序前或拾取工序后將剝離片材22剝離。
而且，在上述第二實施方式中，表示了在晶片1的背面研磨面上設(shè)有 芯片鍵合粘接劑層24的結(jié)構(gòu)，但也可以按照將芯片鍵合粘接劑層24粘貼 在晶片1的電路表面上的結(jié)構(gòu)的方法。此時，芯片鍵合工序采用將電路基 板與芯片13的電路表面相對的倒裝芯片粘結(jié)法，芯片鍵合粘接劑層24起 到底層填料的作用。
此外，在上述第二實施方式中，采用晶片l側(cè)在先粘貼粘接片材20后 再與固定夾具3層疊的方法，但也可以是將芯片1先與固定夾具3層疊后 再在粘接片材20的芯片鍵合粘接劑層24上層疊晶片1。
接著對本發(fā)明的第三實施方式進行說明。
本發(fā)明的第三實施方式由如圖ll(A)所示的在固定夾具3的緊貼層31 上隔著剝離片材22形成按照粘接劑層24及單片化后的晶片80順序?qū)盈B的 狀態(tài)的工序(工序3A)、如圖11(B)所示的將上述芯片鍵合粘接劑層24按照 芯片的外形完全切斷的工序(工序3B)、以及如圖ll(C)所示的通過使上述 固定夾具3的上述緊貼層31變形來將上述芯片13與上述芯片鍵合粘接劑 層24 —起從上述固定夾具3中拾取的工序(工序3C)組成。本實施方式中提供的單片化后的晶片80是通過先切割法制得的。具體 地說，是對晶片1的電路表面?zhèn)冗M行深度超過目標(biāo)芯片厚度的半切割，在
電路表面粘貼保護用粘著片材25并對背面?zhèn)冗M行研磨以達到目標(biāo)厚度，通
過同時進行薄片化和晶片1的單片化制得的。由先切割法制得的芯片不容 易發(fā)生芯片缺失，此外與由通常方法制得的芯片相比抗彎強度要強，因此， 能得到可靠性更高的半導(dǎo)體裝置。
接著，在單片化后的晶片so的背面研磨面上粘貼粘接片材20的芯片 鍵合粘接劑層24側(cè)，再使粘接片材20的剝離片材22側(cè)和固定夾具3與緊 貼層31相向接觸。在此，如圖12所示，保護用粘著片材25從晶片80的 電路表面上剝離除去，能形成在工序3A(圖ll(A))中的層疊順序的狀態(tài)。
接著，進行將芯片鍵合粘接劑層24按照單片化后的各芯片的外形完全 切斷的工序(工序3B)。切斷既可以通過通常的刀片切割法進行，也可以通 過激光切割法進行。另外，由于芯片鍵合粘接劑層24和緊貼層31隔著剝 離片材22層疊，因此能切割到剝離片材22那層，為提高生產(chǎn)性，可以降 低切入深度的精度來加快速度。
接著，通過使固定夾具3的緊貼層31變形來進行將芯片13與芯片鍵 合粘接劑層24 —起從固定夾具3中拾取的工序(工序3C)。在本實施方式中 使用的拾取裝置也可以使用與在第一實施方式中使用的裝置相同的裝置。
固定夾具3以在拾取裝置100的工作臺51上使貫通孔38與抽吸部52 對齊并由吸附部50吸附固定夾具3本體的方式固定。若將由真空裝置4等 產(chǎn)生的負壓通過抽吸部52和貫通孔38施加到劃分空間37，則緊貼層31 朝劃分空間側(cè)變形。在此，由于使用較軟質(zhì)的樹脂制膜作為剝離片材22， 因此剝離片材22也會隨著緊貼層31 —起變形。由于在芯片13上粘接的芯 片鍵合粘接劑層24不能變形，因此在剝離片材22與芯片鍵合粘接劑層24 間的界面上，以僅在突起物36的位置上點接觸的狀態(tài)剝離(圖ll(C))。
接著，將吸附夾頭70移動到規(guī)定的那一塊芯片13的位置并與芯片表 面相對，通過對吸附夾頭70施加的負壓，芯片13以層疊有芯片鍵合粘接 劑層24的狀態(tài)由吸附夾頭70吸附抓住(拾取)。拾取后的芯片13既可以在引線框等的電路基板上直接進行芯片鍵合， 也可以暫時用芯片分選帶等載片材料保持后，再進行保管輸送并進行芯片 鍵合。
另外，在上述第三實施方式中，通過先切割法準(zhǔn)備單片化后的晶片80， 但也可以使用通過其他方法準(zhǔn)備的單片化后的晶片80。具體地說，在晶片 1的電路表面粘貼保護用粘著片材25并進行背面研磨，接著固定保護用粘 著片材25側(cè)并從晶片1的研磨面?zhèn)冗M行切割，接著在單片化后的晶片80 的背面研磨面上粘貼粘接片材20的芯片鍵合粘接劑層24，再使粘接片材 20的剝離片材22側(cè)和固定夾具3與緊貼層31相向接觸，此后通過將保護 用粘著片材25從晶片80的電路表面上剝離除去，便能形成第三實施方式 的層疊順序的狀態(tài)。
此外，在上述第三實施方式中，表示了在將固定夾具3和芯片鍵合粘 接劑層24隔著剝離片材22層疊的狀態(tài)下的方法，但也可以是在不隔著剝 離片材22而直接層疊的狀態(tài)下的方法。此時，只需將粘接片材20粘貼于 晶片l后將剝離片材22剝離即可。此時，精密地進行切割，以使切入深度 達到芯片鍵合粘接劑層24與緊貼層31間的界面。
而且，在上述第三實施方式中，在固定夾具3上層疊晶片80后剝離保 護用粘著片材25，但也可以在將粘接片材20粘貼于晶片80后剝離保護用 粘著片材25，此外還可以在切斷工序完成后在芯片鍵合前后剝離保護用粘 著片材25。在切斷工序完成后進行剝離時，在切斷工程中保護用粘著片材 25也與芯片鍵合粘接劑層24相同通過切斷工序被切斷，但能防止切屑和刀 片破損時的破片等對芯片13的電路表面造成的損傷。切斷后的保護用粘著 片材25可另行利用剝離用粘著帶進行剝離。
此外，在上述第三實施方式中，表示了在單片化晶片80的背面研磨面 上設(shè)有芯片鍵合粘接劑層24的結(jié)構(gòu)，但也可以按照將芯片鍵合粘接劑層24 粘貼在單片化晶片80的電路表面上的結(jié)構(gòu)的方法。此時，芯片鍵合工序采 用將電路基板與芯片13的電路表面相對的倒裝芯片粘結(jié)法，芯片鍵合粘接 劑層24起到底層填料的作用。而且，在上述第三實施方式中，采用單片化晶片80側(cè)在先粘貼芯片鍵
合粘接劑層24后再與固定夾具3層疊的方法，但也可以是將芯片鍵合粘接 劑層24先與固定夾具3層疊后再在芯片鍵合粘接劑層24的表面上層疊單 片化晶片80。
接著對本發(fā)明的第四實施方式進行說明。
本發(fā)明的第四實施方式由如圖13(A)所示的在固定夾具3的緊貼層31 上隔著保護用粘著片材25形成按照單片化后的晶片80及粘接劑層24的順 序?qū)盈B的狀態(tài)的工序(工序4A)、如圖13(B)所示的將上述芯片鍵合粘接劑 層24按照芯片的外形完全切斷的工序(工序4B)、以及如圖13(C)所示的通 過使上述固定夾具3的上述緊貼層31變形來將上述芯片13與上述芯片鍵 合粘接劑層24 —起從上述固定夾具3中拾取的工序(工序4C)組成。
本實施方式中提供的單片化晶片80是與第三實施方式用同樣方式制 得，較好的是由先切割法制得。接著，在單片化晶片80的背面研磨面上粘 貼粘接片材20的芯片鍵合粘接劑層24偵ij，再使單片化晶片80上的保護用 粘著片材25和固定夾具3與緊貼層31相向接觸，形成在工序4A(圖13(A)) 中的層疊順序的狀態(tài)。
接著，進行將芯片鍵合粘接劑層24按照單片化后的各芯片的外形完全 切斷的工序(工序4B)。切斷既可以通過通常的刀片切割法進行，也可以通 過激光切割法進行。由于在芯片鍵合粘接劑層24上層疊有剝離片材22，因 此一起進行切斷。剝離片材22在切斷工序中起到保護芯片鍵合粘接劑層24 免受切屑污染等的作用。切斷工序結(jié)束后，使用剝離用的粘著帶等剝離除 去芯片鍵合粘接劑層24上的剝離片材22。
接著，通過使固定夾具3的緊貼層31變形來進行將芯片13與芯片鍵 合粘接劑層24 —起從固定夾具3中拾取的工序(工序4C)。在本實施方式中 使用的拾取裝置也可以使用與在第一實施方式中使用的裝置相同的裝置。
固定夾具3以在拾取裝置100的工作臺51上使貫通孔38與抽吸部52 對齊并由吸附部50吸附固定夾具3本體的方式固定。若將由真空裝置4等
22產(chǎn)生的負壓通過抽吸部52和貫通孔38施加到劃分空間37，則緊貼層31 朝劃分空間側(cè)變形。在此，由于保護用粘著片材25采用一般的軟質(zhì)的樹脂 制膜作為其原材料，因此保護用粘著片材25也會隨著緊貼層31 —起變形。 由于芯片13自身不能變形，因此保護用粘著片材25以僅在突起物36的位 置上點接觸的狀態(tài)剝離(圖13(C))。
接著，將吸附夾頭70移動到規(guī)定的那一塊芯片的位置并與芯片上的芯 片鍵合粘接劑層24的表面相對，通過對吸附夾頭70施加負壓，芯片13以 層疊有芯片鍵合粘接劑層24的狀態(tài)由吸附夾頭70吸附抓住(拾取)。
拾取后的芯片13既可以在引線框等的電路基板上直接進行芯片鍵合， 也可以暫時用芯片分選帶等載片材料保持后，再進行保管輸送并進行芯片 鍵合。
另外，在上述第四實施方式中，表示了在將固定夾具3和芯片鍵合粘 接劑層24隔著保護用粘著片材25層疊的狀態(tài)下的方法，但也可以是在不 隔著保護用粘著片材25而直接層疊的狀態(tài)下的方法。此時，只需將粘接片 材20粘貼于單片化晶片80后將保護用粘著片材25剝離即可。此外，在上 述第四實施方式中，將剝離片材22在切斷工序進行后剝離，但也可以在將 粘接片材20粘貼于單片化晶片80后將剝離片材22剝離，此外也可以在切 斷工序結(jié)束后進行芯片鍵合前后將剝離片材22剝離。
而且，在上述第四實施方式中，表示了在單片化晶片80的背面研磨面 上設(shè)有芯片鍵合粘接劑層24的結(jié)構(gòu)，但也可以按照將芯片鍵合粘接劑層24 粘貼在單片化晶片80的電路表面上的結(jié)構(gòu)的方法。此時，芯片鍵合工序采 用將電路基板與芯片13的電路表面相對的倒裝芯片粘結(jié)法，芯片鍵合粘接 劑層24起到底層填料的作用。
此外，在上述第四實施方式中，采用單片化晶片80側(cè)在先粘貼芯片鍵 合粘接劑層24后再與固定夾具3層疊的方法，但也可以是將芯片鍵合粘接 劑層24先與固定夾具3層疊后再在芯片鍵合粘接劑層24的表面上層疊晶 片80。
在本發(fā)明的任一實施方式中都只需利用吸附夾頭70的抽吸力便能拾
23取芯片13，不存在由細針上頂芯片時產(chǎn)生的芯片13的損傷。此外，即使不
斷拾取芯片13，在固定夾具3上留下的芯片13的緊貼狀態(tài)也不會變化，因此，在拾取的后半階段不需要為了防止芯片13位置發(fā)生偏移而進行調(diào)整吸附力這樣的作業(yè)。因此，即使是加工得非常薄的芯片13也能進行帶粘接劑的芯片13的拾取，能安全地向芯片鍵合工序移送。
權(quán)利要求
1.一種帶粘接劑芯片的制造方法，在固定夾具的緊貼層上層疊有芯片鍵合粘接劑層及晶片的狀態(tài)下，將所述晶片及所述芯片鍵合粘接劑層完全切斷以形成芯片，并通過使所述固定夾具的所述緊貼層變形將所述芯片與所述芯片鍵合粘接劑層一起從所述固定夾具拾取，其特征在于，所述固定夾具包括所述緊貼層；以及夾具基臺，在該夾具基臺的一個表面上有多個突起物且在該一個表面的外周部有高度與該突起物的高度大致相同的側(cè)壁，所述緊貼層在所述夾具基臺的有所述突起物的表面上層疊并在所述側(cè)壁的上表面粘接，在所述夾具基臺的有所述突起物的表面形成有由所述緊貼層、所述突起物及所述側(cè)壁構(gòu)成的劃分空間，所述夾具基臺設(shè)有至少一個使外部和所述劃分空間貫通的貫通孔，并能通過經(jīng)由所述固定夾具的所述貫通孔抽吸所述劃分空間內(nèi)的空氣使所述緊貼層變形。
2. 如權(quán)利要求l所述的帶粘接劑芯片的制造方法，其特征在于， 在所述固定夾具的所述緊貼層上隔著剝離片材形成按照所述芯片鍵合粘接劑層及所述晶片的順序?qū)盈B的狀態(tài)。
3. 如權(quán)利要求l所述的帶粘接劑芯片的制造方法，其特征在于， 在所述固定夾具的所述緊貼層上隔著保護用粘著片材形成按照所述晶片及所述芯片鍵合粘接劑層的順序?qū)盈B的狀態(tài)。
4. 如權(quán)利要求l或3所述的帶粘接劑芯片的制造方法，其特征在于， 在所述固定夾具的所述緊貼層上形成按照所述晶片、所述芯片鍵合粘接劑層以及用于保護所述芯片鍵合粘接劑層的剝離片材的順序?qū)盈B的狀 態(tài)。
5. —種帶粘接劑芯片的制造方法，在固定夾具的緊貼層上層疊有芯片鍵合粘接劑層及單片化后的晶片的狀態(tài)下，將所述芯片鍵合粘接劑層按照 芯片的外形完全切斷，并通過使所述固定夾具的所述緊貼層變形將所述芯 片與所述芯片鍵合粘接劑層一起從所述固定夾具拾取，其特征在于，所述固定夾具包括所述緊貼層；以及夾具基臺，在該夾具基臺的一個表面上有多個突起物且在該一個表面 的外周部有高度與該突起物的高度大致相同的側(cè)壁，所述緊貼層在所述夾具基臺的有所述突起物的表面上層疊并在所述側(cè) 壁的上表面粘接，在所述夾具基臺的有所述突起物的表面形成有由所述緊貼層、所述突 起物及所述側(cè)壁構(gòu)成的劃分空間，所述夾具基臺設(shè)有至少一個使外部和所述劃分空間貫通的貫通孔，并 能通過經(jīng)由所述固定夾具的所述貫通孔抽吸所述劃分空間內(nèi)的空氣使所述 緊貼層變形。
6. 如權(quán)利要求5所述的帶粘接劑芯片的制造方法，其特征在于， 在所述固定夾具的所述緊貼層上隔著剝離片材形成按照所述芯片鍵合粘接劑層及單片化后的晶片的順序?qū)盈B的狀態(tài)。
7. 如權(quán)利要求5所述的帶粘接劑芯片的制造方法，其特征在于，在所述固定夾具的所述緊貼層上隔著保護用粘著片材形成按照單片化 后的晶片及所述芯片鍵合粘接劑層的順序?qū)盈B的狀態(tài)。
8. 如權(quán)利要求5或7所述的帶粘接劑芯片的制造方法，其特征在于， 在所述固定夾具的所述緊貼層上形成按照單片化后的所述晶片、所述芯片鍵合粘接劑層以及用于保護所述芯片鍵合粘接劑層的剝離片材的順序 層疊的狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種帶粘接劑芯片的制造方法，其不需要對芯片上頂，且在拾取進行中不會發(fā)生未被拾取的芯片的保持力的變動。本發(fā)明的帶粘接劑芯片的制造方法具有在固定夾具(3)的緊貼層(31)上層疊有芯片鍵合粘接劑層(24)及晶片(1)的狀態(tài)下，將晶片(1)及芯片鍵合粘接劑層(24)完全切斷以形成芯片(13)，并通過使固定夾具(3)的緊貼層(31)變形將芯片(13)與芯片鍵合粘接劑層(24)一起從固定模具(3)拾取的特征，其特征是，固定夾具(3)包括緊貼層(31)和在一個表面上有多個突起物且在外周部有側(cè)壁(35)的夾具基臺(30)，緊貼層(31)層疊在夾具基臺(30)的有突起物的表面上并在側(cè)壁(35)的上表面粘接，在夾具基臺(30)的有突起物的表面上形成有由緊貼層(31)、突起物及側(cè)壁(35)構(gòu)成的劃分空間(37)，在夾具基臺(30)上設(shè)置有使外部和劃分空間(37)貫通的至少一個貫通孔(38)，通過經(jīng)由固定夾具(3)的貫通孔抽吸劃分空間(37)內(nèi)的空氣能使緊貼層(31)變形。
文檔編號H01L21/52GK101657890SQ200880012228
公開日2010年2月24日 申請日期2008年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月17日
發(fā)明者泉直史, 瀨川丈士 申請人:琳得科株式會社