專利名稱：疊層片式磁珠的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
疊層片式石茲J朱
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種疊層片式磁珠，尤其涉及一種大功率疊層片式磁珠。背景技術(shù)：
如圖i所示，常用的疊層片式磁珠r為單個(gè)線圈2'結(jié)構(gòu)，-茲珠r額定電 流受制于磁珠導(dǎo)線截面積的尺寸，不能達(dá)到很高。在電路設(shè)計(jì)中常常為滿足 電源部位的大功率要求，釆用多個(gè)磁珠r并4關(guān)的方式，導(dǎo)致線路板空間的減 小和元件采用量的增加。
為提高磁珠的額定電流需要增加導(dǎo)線截面積。但是增加導(dǎo)線截面積容易
造成層與層之間的不匹配，形成層間開裂或者層間絕緣層的損壞，從而形成
層裂開路或短路，成品率較低，尤其對于濕法疊層工藝。因此，這種設(shè)計(jì)不
能適用于所有工藝，而且不能完全解決問題。 《實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種疊層片式磁珠，其可減小 層間不匹配造成的層裂或短路。
為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是提供一種疊層片式磁
珠，包括多個(gè)相隔離的線圈，所述多個(gè)線圈共同一個(gè)端電極；所述多組線圈
并聯(lián)集成在;茲3朱內(nèi)部。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，上述疊層片式磁珠采用并聯(lián)集成結(jié)構(gòu)，將多組線圈 集成在磁珠內(nèi)部，整體電阻降低，極大的提高了；茲珠的額定電流，不需多個(gè)磁珠并聯(lián)，可有效避免導(dǎo)線截面積過大造成的層間不匹配問題，減小了因此 造成的層裂或短路的幾率。

圖l是現(xiàn)有技術(shù)具單個(gè)線圈的疊層片式磁珠的示意圖。
圖2是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中線圏垂直并聯(lián)方式的立體示意圖。
圖3是圖2所示實(shí)施例的另一種線圏垂直并聯(lián)方式的立體示意圖。
圖4是圖2所示實(shí)施例的線圈水平并聯(lián)方式的立體示意圖。
圖5是圖2所示實(shí)施例的線圈組合并聯(lián)方式的立體示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚 明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理 解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí) 用新型。
請參閱圖2至圖5，是本實(shí)用新型疊層片式磁珠的一較佳實(shí)施例，所述 磁珠1包括多組線圏2，所述多組線圏2并耳關(guān)集成在^茲珠1的內(nèi)部，可極大 的提高了整個(gè)磁珠1的額定電流。所述多組線圈2共用一個(gè)端電極(圖中未 示出)，所述線圈2之間相隔離。
所述多組線圏2之間的并聯(lián)方式有垂直并聯(lián)、水平并耳關(guān)或組合并聯(lián)方式 三種。
請?jiān)俅螀㈤唸D2及圖3，所述垂直并聯(lián)方式是指多組線圏1上下排列， 并通過疊層工藝在垂直方向?qū)⒍嘟M線圏2上下堆疊并聯(lián)，所述線圈2之間以絕緣層(圖中未示出)完全隔離或不完全隔離。若單個(gè)線圈2的直流電阻記
為Rl,采用這種并聯(lián)結(jié)構(gòu)可以使磁珠的直流電阻降低至1/2Rl，相對提高了 產(chǎn)品的額定電流。
請?jiān)俅螀㈤唸D4，所述水平并聯(lián)方式是指多組線圈1水平排列，并通過 疊層工藝在水平方向?qū)⒍嘟M線圈水平并聯(lián)，所述線圏2之間以絕緣層完全隔 離或不完全隔離。多組線圈2在水平方向并聯(lián)，磁珠的直流電阻降低至1/2RL， 相對提高了產(chǎn)品的額定電流。
請?jiān)俅螀㈤唸D5，所述組合并聯(lián)方式是指將垂直并聯(lián)方式和水平并聯(lián)方 式結(jié)合在一起，在垂直方向?qū)⒍嘟M線圏2上下堆疊并聯(lián)，并在水平方向?qū)⒍?組線圈2上下堆疊并聯(lián)。水平和垂直并聯(lián)結(jié)構(gòu)組合集成的磁珠，主要特點(diǎn)是 多組線圈2分別在水平及垂直方向并聯(lián)，可較容易的達(dá)到所需要的額定電流。
上述疊層片式磁珠采用并聯(lián)集成結(jié)構(gòu)，將多組線圈2集成在磁珠1內(nèi)部， 整體電阻降低，極大的提高了磁珠1的額定電流，不需多個(gè)^f茲珠并聯(lián)，可有 效避免導(dǎo)線截面積過大造成的層間不匹配問題，減小了因此造成的層裂或短 路的幾率。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型， 凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均 應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種疊層片式磁珠，包括多個(gè)相隔離的線圈，所述多個(gè)線圈共同一個(gè)端電極；其特征在于所述多組線圈并聯(lián)集成在磁珠內(nèi)部。
2. 如權(quán)利要求1所述的疊層片式磁珠，其特征在于所述多組線圏為上下 設(shè)置，所述多組線圈在垂直方向并聯(lián)。
3. 如權(quán)利要求1所述的疊層片式磁珠，其特征在于所述多組線圏為水平 設(shè)置，所述多組線圏在水平方向并聯(lián)。
4. 如權(quán)利要求1所述的疊層片式磁珠，其特征在于所述多組線圈為上下 及水平設(shè)置，所述多組線圏在垂直及水平方向并聯(lián)。
5. 如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的疊層片式磁珠，其特征在于所述 線圈之間設(shè)有絕緣層。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種疊層片式磁珠，包括多個(gè)相隔離的線圈，所述多個(gè)線圈共同一個(gè)端電極；所述多組線圈并聯(lián)集成在磁珠內(nèi)部。上述疊層片式磁珠采用并聯(lián)集成結(jié)構(gòu)，將多組線圈集成在磁珠內(nèi)部，整體電阻降低，極大的提高了磁珠的額定電流，不需多個(gè)磁珠并聯(lián)，可有效避免導(dǎo)線截面積過大造成的層間不匹配問題，減小了因此造成的層裂或短路的幾率。
文檔編號H01F41/02GK201138593SQ200820091429
公開日2008年10月22日 申請日期2008年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月4日
發(fā)明者丁曉鴻, 樊應(yīng)縣, 王裕凡, 倩 肖, 許楊生, 高永毅 申請人:深圳振華富電子有限公司