專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，圖像傳感器是將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電信號的半導(dǎo)體器件并 被主要劃分為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器和互補金屬氧化硅 (complementary metal oxide silicon ) ( CMOS )圖^f象4專感器(CIS )。 CMOS圖像傳感器具有形成在單位像素內(nèi)的光電二極管和MOS晶 體管，并JU吏用開關(guān)方法(switching method )來順序4企測單位4象素 的電信號，從而實現(xiàn)成像。CMOS圖像傳感器可以具有在其中光電 二極管相對于晶體管水平布置的結(jié)構(gòu)。
雖然通過這樣的水平型CMOS圖像傳感器減少了 CCD圖像傳 感器的缺點，但是水平型CMOS圖像傳感器仍然有問題。具體地， 在水平型CMOS圖像傳感器中，光電二極管和晶體管在襯底上和/ 或上方彼此相鄰地水平構(gòu)造。因此，對于光電二極管來說需要額外 的區(qū)i或。所以，由于》真充系凄t分布區(qū)(fill factor area )減少以及分 辨率質(zhì)量受限，從而出現(xiàn)問題。此外，在水平型CMOS圖像傳感器 中，纟艮難優(yōu)化同時構(gòu)造光電二極管和晶體管的過程。換句話i兌，在 'l"夬速晶體管工藝(rapid transistor process )中，寸氐壓薄層電阻(lowsheet resistance )需要淺結(jié)，但是該淺結(jié)可能不適合光電二極管。而 且，水平型CMOS圖像傳感器可能對圖像傳感器需要附加的片上功 能(on-chip function )。因此，為了保持圖像傳感器的感光度 (sensitivity),則必須增大單位像素的尺寸，或者為了保持像素尺 寸，必須減小用于光電二極管的區(qū)域。然而，如果4象素尺寸增大， 則圖像傳感器的分辨率降低。此外，因為如果光電二極管的區(qū)域減 小，圖像傳感器的感光度就降低，所以問題就產(chǎn)生了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，該圖l象傳感 器及其制造方法提供了電路和光電二極管新的集成。
本發(fā)明實施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，在該圖像傳 感器及其制造方法中，可以同時將分辨率和感光度最大化。
本發(fā)明實施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，在該圖像傳 感器及其制造方法中，當(dāng)采用垂直型光電二才及管時可以避免光電二 極管內(nèi)的缺陷。
本發(fā)明實施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，該圖像傳感 器及其制造方法使得采用垂直型光電二極管的圖像傳感器的制造 更容易。
一種才艮據(jù)本發(fā)明實施例的圖 <象傳感器可以包括下列中的至少 之一在其中形成了下吾卩布線(wiring line )和電3各(circuitry )的 第一襯底；形成在第一襯底上和/或上方的聯(lián)結(jié)層(bonding layer ); 晶狀半導(dǎo)體層(crystalline semiconductor layer )， 當(dāng)與聯(lián)結(jié)層接觸時 該晶狀半導(dǎo)體層被聯(lián)結(jié)至第 一襯底；形成在晶狀半導(dǎo)體層中的光電二極管；以及形成在光電二極管和聯(lián)結(jié)層中并電連接至下部布線的 接觸插塞(contact plug )。
一種4艮據(jù)本發(fā)明實施例的圖i象傳感器可以包4舌下列中的至少 一個第一襯底，具有形成在其中的下部布線和電^各；形成在第一 襯底上方的聯(lián)結(jié)層；通過聯(lián)結(jié)層聯(lián)結(jié)至第一襯底的晶狀半導(dǎo)體層； 形成在晶狀半導(dǎo)體層中的垂直型光電二極管；以及形成在光電二極 管和if關(guān)結(jié)層中并電連4妄至下部布線的接觸插塞。
一種根據(jù)本發(fā)明實施例的制造圖像傳感器的方法包括下列中 的至少之一制備在其中形成了下部布線和電路的第一襯底，在第 一襯底上和/或上方形成聯(lián)結(jié)層，制備在其中形成了光電二極管的第 二襯底，將第二襯底和第一襯底聯(lián)結(jié)在一起以便使光電二極管和聯(lián) 結(jié)層接觸，以及然后去除被聯(lián)結(jié)的第二襯底的下側(cè)，從而暴露光電 二極管。
一種根據(jù)本發(fā)明實施例的制造圖像傳感器的方法可以包括下 列中的至少之一設(shè)置第一襯底，該第一襯底具有形成在其中的下 部布線和電3各；在第一襯底上方形成聯(lián)結(jié)層；設(shè)置第二襯底，該第 二襯底具有形成在其中的光電二才及管；在聯(lián)結(jié)層實施聯(lián)結(jié)工藝 (bonding process )以在第二 4于底和第 一 一于底之間形成耳關(guān)結(jié) (attachment);以及然后通過去除部分第二襯底來暴露光電二極管。
置第一襯底，該第一襯底具有形成在其中的下部布線和至少一個晶 體管；設(shè)置第二襯底；在第二襯底中形成外延層；通過在第二襯底 中注入氫離子來在第二4于底和外延層之間的界面處形成氫離子注 入層；在外延層中形成光電二極管；在第二襯底和第一襯底之間的 界面處形成if關(guān)結(jié)(bond);在第二襯底上實施退火工藝以將氬離子注入層轉(zhuǎn)換為氬氣層；去除在氫氣層處的部分第二襯底以暴露光電 二才及管；以及然后形成電連4妻至下部布線的4妄觸^l塞。
才艮據(jù)本發(fā)明實施例， 一種圖像傳感器及其制造方法可以獲得電 ^^和光電二極管的垂直型集成。
才艮據(jù)本發(fā)明實施例，當(dāng)采用布置在電^各上方的垂直型光電二極 管時，光電二極管在晶狀半導(dǎo)體層中形成。因此，可以避免光電二 極管內(nèi)的缺陷。在第一襯底諸如包含下部布線的邏輯襯底(logic substrate)上和/或上方形成聯(lián)結(jié)層。因此，保證了與在其中形成了 光電二極管的晶狀半導(dǎo)體層進行聯(lián)結(jié)?？梢孕纬蛇B接至下部布線的 接觸插塞，從而最大化圖像傳感器的性能并且能夠制造出具有優(yōu)良 性能的圖像傳感器。電路和光電二極管的垂直型集成使得填充系數(shù) (fill factor )接近100%。而且，通過垂直型集成可以在相同的像素 尺寸中提供最大化的感光度，并還可以降低全部的成本。每個單位 像素可以實現(xiàn)更復(fù)雜的電路而不降低感光度?？梢员患傻母郊悠?上電路(on-chip circuitry)使圖像傳感器的整體性能最佳化，并且 還實現(xiàn)了小型化以及減少了半導(dǎo)體器件的制造成本。


實例圖1到圖10示出了4艮據(jù)本發(fā)明實施例的圖^f象傳感器及其 制造方法。
具體實施例方式
在下文中，參照附圖詳細地描述根據(jù)本發(fā)明實施例的圖像傳感 器及其制造方法。照CMOS圖〗象傳感器(CIS)的結(jié)構(gòu) 附圖來給出描述。然而，本發(fā)明實施例并不限于CMOS圖<象傳感器， 而是可以應(yīng)用于所有的圖l象傳感器，例如CCD圖〗象傳感器。
如實例圖1中所示，4艮據(jù)本發(fā)明實施例的圖像傳感器可以包括 第一襯底100，在該第一襯底100中形成了下部布線110和電^各。 在第一襯底100上和/或上方形成聯(lián)結(jié)層120,而當(dāng)與聯(lián)結(jié)層120接 觸時，晶狀半導(dǎo)體層210a可以纟皮:眹結(jié)(bond)至第一4于底100?？?以在晶狀半導(dǎo)體層210a中形成光電二極管210，并可以在光電二極 管210和耳關(guān)結(jié)層120中形成4妄觸插塞220，以這種方式形成與下部 布線110的電連4妻。
才艮據(jù)本發(fā)明實施例，當(dāng)采用在形成于襯底100中的電^各上方布 置的垂直型光電二極管時，光電二極管210形成在晶狀半導(dǎo)體層中。 因此，可以避免光電二極管中的缺陷。在第一襯底100諸如包含下 部布線110的邏輯襯底上和/或上方使用耳關(guān)結(jié)層120能夠耳關(guān)結(jié)在其中 形成了光電二極管210的晶狀半導(dǎo)體層。形成連4妾至下部布線110 的接觸插塞220以便可以容易地制造具有優(yōu)良性能的圖像傳感器。
根據(jù)本發(fā)明實施例，晶狀半導(dǎo)體層可以是單晶半導(dǎo)體層，但并 不限于此。晶狀半導(dǎo)體層可以是多晶半導(dǎo)體層。聯(lián)結(jié)層可以和晶狀 半導(dǎo)體層具有相同的晶體結(jié)構(gòu)，但并不限于此。第一襯底100的電 ; 各在CIS的情況下可以包含四個晶體管(4 Tr CIS )，或也可以^皮應(yīng) 用于lTrCIS、 3TrCIS、 5 Tr CIS或1.5TrCIS(共用CIS的晶體 管)等。此外，形成在第一襯底100中的下部布線110可以包含下 部金屬線和下部插塞。下部布線110的上部可以用作光電二才及管的 下^5電才及。
光電二極管210可以包含諸如P-N結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)。光電二極 管可以包含形成在晶狀半導(dǎo)體層210a中的第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層(conduction type conductive layer ) 214和在第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層214 上和/或上方的晶狀半導(dǎo)體層210a中形成的第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層216。 例如，光電二極管210可以包含形成在晶狀半導(dǎo)體層210a中的{氐 濃度N型導(dǎo)電層214和在^f氐濃度N型導(dǎo)電層214上和/或上方的晶 狀半導(dǎo)體層210a中形成的高濃度P型導(dǎo)電層216, zf旦并不限于此。 ^:句話i兌，第一導(dǎo)電型不限于N型，而可以是P型。
如實例圖2中所示，光電二才及管210可以進一步包4舌在第一導(dǎo) 電型導(dǎo)電層214下方的晶狀半導(dǎo)體層中形成的高濃度第一導(dǎo)電型導(dǎo) 電層212。高濃度第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層212可以:故形成用于歐姆4妾觸 (ohmic contact)。光電二才及管210可以進一步包4舌在N型導(dǎo)電層 214下方的晶狀半導(dǎo)體層中形成的高濃度N型導(dǎo)電層212?？梢栽?與^妄觸插塞220的側(cè)面相鄰的晶狀半導(dǎo)體層210a中形成隔離層 230。為了防止^f象素之間的串護L，可以形成具有淺溝^f曹隔離(STI) 結(jié)構(gòu)的隔離層230?？梢栽诠怆姸偶肮?10上和/或上方形成上部金 屬層和濾色器(color filter )。
如實例圖3中所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的制造圖像傳感器的方 法可以包括設(shè)置第一襯底100,該第一村底100具有形成在其中的 下部布線110和電路。第一襯底100的電路在CIS情況下可以包含 四個晶體管(4TrCIS)，或也可以一皮應(yīng)用于1 TrCIS、 3TrCIS、 5 Tr CIS或1.5 Tr CIS (共用CIS的晶體管)等。形成在第一襯底100 中的下部布線110可以包4舌下部金屬線和連4妄至下部布線的下部4翁 塞。在包含下部布線110的第一襯底100上和/或上方形成聯(lián)結(jié)層 120。耳關(guān)結(jié)層120由氧化層形成并起到增加第一4于底100和第二沖于 底200之間的結(jié)合力(bonding force)的作用。然而，聯(lián)結(jié)層的材 料并不限于氧化層。在進行聯(lián)結(jié)之前進一步在晶狀半導(dǎo)體層210a 中形成隔離層230的情況下，第一4于底100的耳關(guān)結(jié)層120和第二4于 底200的隔離層230由相同的氧化層材料形成，從而增加了襯底之間的結(jié)合力。在第一襯底100也就是包含下部布線110的邏輯村底
上和/或上方形成聯(lián)結(jié)層，而確保與其中形成了光電二才及管的晶狀
半導(dǎo)體層聯(lián)結(jié)。隨后，形成連接至下部布線的接觸件，以便可以容 易地制造具有優(yōu)良性能的圖像傳感器。
如實例圖4和圖5中所示，在晶狀半導(dǎo)體層中形成光電二才及管。 如實例圖4和圖5中所示，在進4亍襯底耳關(guān)結(jié)之前通過注入氫離子來 在第二襯底200中形成諸如晶狀半導(dǎo)體層210a的外延層以便為了 去除第二襯底200的下側(cè)。然后，在if關(guān)結(jié)之后實施退火。然而，本 發(fā)明實施例并不限于上述實施例?？梢允褂弥T如絕緣體上硅 (silicon-on-insulator ) ( SOI)的掩i里纟色纟彖層(buried insulating layer ) 作為晶狀半導(dǎo)體層210a。如實例圖4中所示，通過外延法在第二襯 底200上和/或上方形成晶狀半導(dǎo)體層210a。然后，在第二坤于底200 和晶狀半導(dǎo)體層210a之間的邊界中注入氫離子，乂人而形成氬離子 注入層207a。
如實例圖5中所示，然后通過離子注入來在晶狀半導(dǎo)體層210a 中形成光電二極管210。例如，可以在晶狀半導(dǎo)體層210a的下側(cè)上 和/或上方形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層216。例如，可以通過4吏用不用掩 膜的毯式離子注入將離子注入到第二襯底200的整個表面中來在晶 狀半導(dǎo)體層210a的下側(cè)上和/或上方形成高濃度P型導(dǎo)電層216。 然后在第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層216上和/或上方形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層 214。例如，可以通過使用不用掩膜的毯式離子注入將離子注入到 第二襯底200的整個表面中來在第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層216上和/或上方 形成〗氐濃度N型導(dǎo)電層214。
在圖2所示的實施例的情況下，高濃度第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層212 形成在第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層214下和/或下方。這意p未著，在圖5中可 以在第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層214上和/或上方形成高濃度第一導(dǎo)電型導(dǎo) 電層212,這是因為在圖2和圖5之間，高濃度第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層212和第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層214之間的上/下關(guān)系不同。例如，可以通 過使用不用掩膜的毯式離子注入將離子注入到第二襯底200的整個 表面中來在第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層214上和/或上方形成高濃度N型導(dǎo) 電層212。
在進行聯(lián)結(jié)之前進一步在晶狀半導(dǎo)體層210a中形成隔離層 230的情況下，由于耳關(guān)結(jié)層120和隔離層230由相同的氧化層材剩-制成，所以可以增大第一襯底100的聯(lián)結(jié)層120和第二襯底的隔離 層230之間的結(jié)合力。然而，甚至可以在聯(lián)結(jié)之后形成隔離層230。
如實例6中所示，然后實施聯(lián)結(jié)工藝以便將第二襯底200和第 一襯底100聯(lián)結(jié)在一起從而使得第二襯底200的光電二極管210接 觸第一襯底100的聯(lián)結(jié)層120。例如，在將第一襯底100和第二襯 底200 ^皮此^姿觸之后，可以 <吏用等離子活4匕(plasma activation )爿夸 第一襯底100和第二襯底200聯(lián)結(jié)在一起，4旦是本發(fā)明實施例并不 限于此。
如實例圖7中所示，然后在第二襯底200上實施退火工藝，因 而氫離子注入層207a改變狀態(tài)成為氫氣層207。如實例圖8中所示， 在氫氣層207處去除第二襯底200的一側(cè)以暴露光電二極管210。 在隔離層230形成在聯(lián)結(jié)工藝之后的情況下，可以在暴露光電二極 管210之后形成隔離層230。如實例圖9中所示，選4奪性地刻蝕光 電二極管210和聯(lián)結(jié)層120以從而形成4妄觸孔H,通過該4妻觸孔H 暴露下部布線110。如實例圖10中所示，在4妻觸孔H中形成4妻觸 插塞220，該4妄觸插塞220凈皮連4妄(coupled)至所暴露的下部布線 110?？梢允褂螟o(W)、鈥(Ti)、氮化鈦(TiN)和鋁(Al)中的 至少一種來形成4妄觸^l塞220。其后，可以在光電二才及管210上和/ 或上方形成上部金屬層，并且然后可以實施《屯〗匕工藝。然后可以在 光電二一及管210上和/或上方進一步形成濾色器，以及然后還可以在 濾色器上和/或上方形成孩t透4竟或樣吏透4竟陣列。根據(jù)本發(fā)明實施例，制造圖像傳感器的方法包括當(dāng)采用垂直型 光電二極管結(jié)構(gòu)時，在晶狀半導(dǎo)體層中形成光電二極管，其中，在 該垂直型光電二極管結(jié)構(gòu)中光電二極管放置在電路上和/或上方。因 此，可以避免光電二才及管內(nèi)的缺陷。而且，才艮據(jù)本發(fā)明實施例，在 第一襯底諸如包含下部布線的邏輯襯底上和/或上方形成聯(lián)結(jié)層，從 而確保與在其中形成了光電二極管的晶狀半導(dǎo)體層聯(lián)結(jié)。然后形成 連接至下部布線的接觸件以便可以容易地制造具有優(yōu)良性能的圖 像傳感器。
盡管本文中描述了多個實施例，^f旦是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域^支術(shù)人 員可以想到多種其他修改和實施例，它們都將落入本公開的原則的 精神和范圍內(nèi)。更特別地，在本公開、附圖、以及所附權(quán)利要求的 范圍內(nèi)，可以在主題結(jié)合排列的排列方式和/或組成部分方面進行各
種》務(wù)改和改變。除了ia成部分和/或4非列方面的》f改和改變以外，可 選的使用對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是顯而易見的選才奪。
權(quán)利要求
1. 一種圖像傳感器，包括第一襯底，具有形成在其中的下部布線和電路；聯(lián)結(jié)層，形成在所述第一襯底上方；第二襯底，通過所述聯(lián)結(jié)層聯(lián)結(jié)至所述第一襯底；垂直型光電二極管，形成在所述第二襯底中；以及接觸插塞，形成在所述光電二極管和所述聯(lián)結(jié)層中并且電連接至所述下部布線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第二襯底包含 外延層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中，所述外延層包含晶 狀半導(dǎo)體層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中，所述光電二極管包 括第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在所述晶狀半導(dǎo)體層中；以及第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在所述第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層上方 的所述晶狀半導(dǎo)體層中并與所述第 一導(dǎo)電型導(dǎo)電層接觸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述光電二極管包 括第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在所述晶狀半導(dǎo)體層中；第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在所述第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層上方 的所述晶狀半導(dǎo)體層中并與所述第 一導(dǎo)電型導(dǎo)電層接觸；以及高濃度第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在所述第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層 下方的所述晶狀半導(dǎo)體層中并與所述第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層接觸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，使用鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)和鋁(Al)中的至少一種來形成所述接 觸插塞。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述電路包括至少 一個晶體管。
8. —種制造圖像傳感器的方法，包括:沒置第一襯底，所述第一襯底具有形成在其中的下部布 線和電路；在所述第一襯底上方形成聯(lián)結(jié)層；設(shè)置第二襯底，所述第二襯底具有形成在其中的光電二 極管；在所述聯(lián)結(jié)層實施耳關(guān)結(jié)工藝以在所述第二襯底和所述第 一襯底之間形成l關(guān)結(jié)；以及然后通過去除部分所述第二襯底來暴露所述光電二極管。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，在暴露所述光電二極管之后，進 一步包括通過選擇性刻蝕所述光電二極管和所述聯(lián)結(jié)層來形成接 觸孔以暴露所述下部布線；以及然后在所述4妄觸孔中形成4妻觸插塞并將所述4妾觸插塞連4妻至 所述下部布線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，提供所述第二襯底包括在所述第二襯底上方形成晶狀半導(dǎo)體層；以及然后 在所述晶狀半導(dǎo)體層中形成所述光電二極管。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，設(shè)置所述第二襯底包括 將氫離子注入到所述第二襯底與所述晶狀半導(dǎo)體層的邊界中。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述聯(lián)結(jié)層包含氧化層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述聯(lián)結(jié)工藝包括等離子 活化。
14. 一種方法，包4舌設(shè)置第一襯底，所述第一襯底具有形成在其中的下部布 線和至少一個晶體管；設(shè)置第二襯底；在所述第二襯底中形成外延層；通過將氫離子注入到所述第二襯底中來在所述第二襯底 與所述外延層之間的界面處形成氫離子注入層；在所述外延層中形成光電二極管；在所述第二襯底和所述第 一 襯底之間的界面處形成聯(lián):結(jié)；在第二襯底上實施退火工藝以將所述氫離子注入層轉(zhuǎn)換 為氫氣層；去除在所述氬氣層處的部分所述第二襯底以暴露所述光電二4及管；以及然后形成電連纟妻至所述下部布線的4妄觸 一翁塞。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在所述第二襯底和所述 第 一襯底之間的界面處形成所述聯(lián)結(jié)包4舌在設(shè)置所述第一襯底之后，在包含所述下部布線的所述 第一襯底上方形成聯(lián)結(jié)層并使所述4關(guān)結(jié)層與所述第一襯底接 觸；以及然后實施等離子活化工藝。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述接觸插塞包括通過刻蝕所述光電二極管和所述耳關(guān)結(jié)層來形成暴露所述 下部布線的4妄觸孑L;以及然后在所述接觸孔中形成金屬層并使所述金屬層與所述下部 布線-接觸。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述金屬層包括在 所述接觸孔中形成鵠(W )、鈥(Ti )、氮化鈦(TiN )和鋁(Al) 中的至少 一種。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述光電二極管包 括在所述氫離子注入層上方形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層；以及然后在所述第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層上方形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層并 使所述第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層接觸。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，形成所述光電二極管進 一步包4舌在所述第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層上方形成高濃度第一導(dǎo)電型導(dǎo) 電層并使所述高濃度第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電型導(dǎo) 電層4妄觸。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括，在實施所述聯(lián)結(jié) 工藝之前，在所述外延層中形成淺溝槽隔離層。
全文摘要
一種圖像傳感器包括第一襯底，該第一襯底具有形成在其中的下部布線和電路；形成在第一襯底上方的聯(lián)結(jié)層；通過聯(lián)結(jié)層聯(lián)結(jié)至第一襯底的第二襯底；形成在第二襯底中的垂直型光電二極管；以及形成在光電二極管和聯(lián)結(jié)層中并被電連接至下部布線的接觸插塞。
文檔編號H01L21/70GK101431091SQ200810175820
公開日2009年5月13日 申請日期2008年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月5日
發(fā)明者韓昌勛 申請人:東部高科股份有限公司