專利名稱：液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，特別是涉及一種 廣視角液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著市場(chǎng)上對(duì)于薄型平面顯示器的需求不斷增加，液晶顯示器已成為目前 顯示器的主流商品，而其中廣視角液晶顯示器更是現(xiàn)今業(yè)界研發(fā)的重點(diǎn)技術(shù)。
請(qǐng)參考圖1與圖2。圖1與圖2為公知液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖，其中 圖1為像素結(jié)構(gòu)的上視圖，圖2為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿切線AA'的剖面示意圖。 如圖1與圖2所示，公知液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包括一基板10，其上定義 有一開(kāi)關(guān)組件區(qū)12、 一顯示區(qū)13與一周邊區(qū)14。開(kāi)關(guān)組件區(qū)12內(nèi)設(shè)置有一 薄膜晶體管，其包含有一半導(dǎo)體層，且半導(dǎo)體層包括一通道區(qū)16、 一源極區(qū) 18與一漏極區(qū)20分別設(shè)置于通道區(qū)16的兩側(cè)，以及二輕度摻雜漏極(LDD)22 分別設(shè)置于源極區(qū)18與通道區(qū)16之間，以及漏極區(qū)20與通道區(qū)16之間。
半導(dǎo)體層上覆蓋有一第一絕緣層24，且第一絕緣層24上設(shè)置有一第-一圖 案化導(dǎo)電層，其中第一圖案化導(dǎo)電層包括一掃描線26設(shè)置于周邊區(qū)14內(nèi)，以 及一柵極28設(shè)置于開(kāi)關(guān)組件區(qū)12內(nèi)并與掃描線26電性連接。第一絕緣層24 與第一圖案化導(dǎo)電層上設(shè)置有一第二絕緣層30，而第二絕緣層30上設(shè)置有一 第二圖案化導(dǎo)電層。第二圖案化導(dǎo)電層包含有一數(shù)據(jù)線32設(shè)置于周邊區(qū)14 內(nèi)，以及一漏極連接墊34設(shè)置于開(kāi)關(guān)組件區(qū)12內(nèi)。第二絕緣層30與第一絕 緣層24對(duì)應(yīng)源極區(qū)18與漏極區(qū)20曝露出源極區(qū)18與漏極區(qū)20，借此數(shù)據(jù) 線32可與源極區(qū)18電性連接，而漏極連接墊34則與漏極區(qū)20電性連接。
公知像素結(jié)構(gòu)還包含有一第三絕緣層36設(shè)置于第二絕緣層30、數(shù)據(jù)線32 與漏極連接墊34上， 一共通電極38設(shè)置于第三絕緣層36上、 一第四絕緣層 40設(shè)置于共通電極38與第三絕緣層36上，以及一像素電極42設(shè)置于第四絕 緣層40上并與漏極連接墊34電性連接。然而，公知液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)具有如下缺點(diǎn)。由于共通電極38與
數(shù)據(jù)線32由不同層材料構(gòu)成，兩者之間必須借助厚度相當(dāng)大的第三絕緣層36 加以隔絕以避免短路，因此使得基板10上必須額外形成一層絕緣層，因而增
加了制作過(guò)程復(fù)雜度并影響透光率。
若直接省去第三絕緣層36，則在第二圖案化導(dǎo)電層(包括數(shù)據(jù)線32)形成 后，接續(xù)形成的透明圖案化共通電極38會(huì)與共通電極38位在同一平面，如此一 來(lái)數(shù)據(jù)線32與共通電極38之間必須間隔一定的距離避免短路(short)，但是相 對(duì)地間隔距離過(guò)大則會(huì)犧牲開(kāi)口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，以簡(jiǎn) 化像素結(jié)構(gòu)及其制作流程。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其形成 于一基板上，該基板包括一開(kāi)關(guān)組件區(qū)、 一顯示區(qū)與一周邊區(qū)。上述像素結(jié)構(gòu) 包括一半導(dǎo)體層、 一第一絕緣層設(shè)置于該基板上且位于該開(kāi)關(guān)組件區(qū)內(nèi)、 一第 一圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于該第一絕緣層上、 一第二絕緣層設(shè)置于該第一絕緣層、 該柵極與該數(shù)據(jù)線上，以及一液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于該顯示區(qū)。該半導(dǎo)體層 包括一通道區(qū)，以及一源極區(qū)與一漏極區(qū)分別設(shè)置于該通道區(qū)的兩側(cè)。該第一 絕緣層具有兩開(kāi)口分別曝露出該源極區(qū)與該漏極區(qū)。該第一圖案化導(dǎo)電層包括 一柵極設(shè)置于該開(kāi)關(guān)組件區(qū)的該第一絕緣層上并對(duì)應(yīng)該半導(dǎo)體層的該通道區(qū)， 以及一數(shù)據(jù)線設(shè)置于該周邊區(qū)的該第一絕緣層上，其中該柵極的表面具有一掃 描線連接區(qū)，而該數(shù)據(jù)線的表面具有一源極連接區(qū)。該第二絕緣層具有四開(kāi)口 分別曝露出該源極區(qū)、該漏極區(qū)、該柵極的該掃描線連接區(qū)，以及該數(shù)據(jù)線的 該源極連接區(qū)。該第二圖案化導(dǎo)電層包括一數(shù)據(jù)線連接電極經(jīng)由該第一絕緣層 與該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該源極區(qū)與該數(shù)據(jù)線的該源極連接區(qū)、 一掃 描線經(jīng)由該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該柵極的該掃描線連接區(qū)，以及一漏 極連接墊經(jīng)由該第一絕緣層與該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該半導(dǎo)體層的 該漏極區(qū)。該液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)包括一共通電極、 一像素電極以及一第三絕緣 層，設(shè)置該第二絕緣層上，其中該像素電極延伸至該開(kāi)關(guān)組件區(qū)并借助該漏極 連接墊與該漏極區(qū)電性連接。為達(dá)上述目的，本發(fā)明還提供-種制作液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法， 其包括
提供一基板，其上定義有一開(kāi)關(guān)組件區(qū)、 一顯示區(qū)與-周邊區(qū)，該基板包
括
一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上且位于該開(kāi)關(guān)組件區(qū)內(nèi)； 一源極區(qū)與一漏極區(qū)，分別設(shè)置于該半導(dǎo)體層的兩側(cè)；
一第一絕緣層，設(shè)置于該基板上且覆蓋該半導(dǎo)體層，該第一絕緣層具有兩 開(kāi)口分別曝露出該源極區(qū)與該漏極區(qū)；
在該第一絕緣層上形成一第一圖案化導(dǎo)電層，該第一圖案化導(dǎo)電層包括-一 柵極設(shè)置于該開(kāi)關(guān)組件區(qū)的該第一絕緣層上并對(duì)應(yīng)該半導(dǎo)體層，以及一數(shù)據(jù)線 設(shè)置于一周邊區(qū)的該第一絕緣層上，其中該柵極的表面具有一掃描線連接區(qū)，
而該數(shù)據(jù)線的表面具有一源極連接區(qū)；
在該第一絕緣層、該柵極與該數(shù)據(jù)在線形成-一第二絕緣層，并在該第二絕 緣層中形成四開(kāi)口分別曝露出該源極區(qū)、該柵極、該柵極的該掃描線連接區(qū)， 以及該數(shù)據(jù)線的該源極連接區(qū)；
在該第二絕緣層上形成一第二圖案化導(dǎo)電層，包括一數(shù)據(jù)線連接電極經(jīng)由 該第一絕緣層與該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該源極區(qū)與該數(shù)據(jù)線的該源 極連接區(qū)、 一掃描線經(jīng)由該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該柵極的該掃描線連 接區(qū)，以及一漏極連接墊經(jīng)由該第一絕緣層與該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接 該漏極區(qū)；以及
在該第二絕緣層上的該顯示區(qū)內(nèi)形成一液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)，該液晶驅(qū)動(dòng)電 極結(jié)構(gòu)包括一共通電極、 一像素電極以及一第三絕緣層，并使該像素電極延伸 至該開(kāi)關(guān)組件區(qū)而與該漏極連接墊電性連接。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)利用第一圖案化導(dǎo)電層作為數(shù)據(jù)線、第二圖案化導(dǎo)電層 作為掃描線，并將共通電極設(shè)置于基板上，但僅需使用三層絕緣層，因此具有 結(jié)構(gòu)與制作過(guò)程簡(jiǎn)化的優(yōu)點(diǎn)，并可提升透光率。


圖1與圖2為公知液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖3與圖4為本發(fā)明液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的一較佳實(shí)施例的示意圖；圖5至圖12為本發(fā)明制作上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的方法示意圖13與圖14為本發(fā)明液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的另一較佳實(shí)施例的示意
圖15至圖17為本發(fā)明制作上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的方法示意其中，附圖標(biāo)記
10基板12開(kāi)關(guān)組件區(qū)
13顯示區(qū)14周邊區(qū)
16通道區(qū)18源極區(qū)
20漏極區(qū)22輕度摻雜漏極
24第一絕緣層26掃描線
28柵極30第二絕緣層
32數(shù)據(jù)線34漏極連接墊
36第三絕緣層38共通電極
40第四絕緣層42像素電極
50基板52開(kāi)關(guān)組件區(qū)
54顯示區(qū)56周邊區(qū)
58半導(dǎo)體層60通道區(qū)
61光阻圖案62源極區(qū)
64漏極區(qū)66輕度摻雜漏極
68第一絕緣層70柵極
70A掃描線連接區(qū)72數(shù)據(jù)線
72A源極連接區(qū)74第二絕緣層
76數(shù)據(jù)線連接電極78掃描線
80漏極連接墊82共通電極
82A狹縫84第三絕緣層
86像素電極86A狹縫
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合本發(fā)明的數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例，并配合所附圖標(biāo)、組件符號(hào)等，詳細(xì) 說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所要達(dá)成的功效，其中下述各實(shí)施例以邊緣電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)模式(fringe-field switching, FFS)液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)為例說(shuō)明本 發(fā)明的特征，但本發(fā)明的應(yīng)用并不局限于此而可應(yīng)用于各類型的顯示面板。另 外，在下述各實(shí)施例的說(shuō)明中，為比較各實(shí)施例的異同處，在各實(shí)施例中相同 的組件使用相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)注。
請(qǐng)參考圖3與圖4。圖3與圖4為本發(fā)明液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的一較 佳實(shí)施例的示意圖，其中圖3為像素結(jié)構(gòu)的上視圖，而圖4為沿圖3的剖線 f3B'與CC'的剖面示意圖。如圖3與圖4所示，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)形成于 基板50之上，且基板50上定義有開(kāi)關(guān)組件區(qū)52、顯示區(qū)54與周邊區(qū)56。上 述像素結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體層58，設(shè)置于基板50上且位于開(kāi)關(guān)組件區(qū)52內(nèi)。 半導(dǎo)體層58包括--通道區(qū)60，以及一源極區(qū)62與一漏極區(qū)64分別設(shè)置于通 道區(qū)60的兩側(cè)。另外，源極區(qū)62與通道區(qū)60之間，以及漏極區(qū)64與通道區(qū) 60之間分別具有輕度摻雜漏極66。另外，基板50上設(shè)置有第一絕緣層68， 第一絕緣層68覆蓋半導(dǎo)體層58及基板50，且其具有兩開(kāi)口分別曝露出源極 區(qū)62與漏極區(qū)64。
第一絕緣層68上設(shè)置有第一圖案化導(dǎo)電層，其包括柵極70設(shè)置于開(kāi)關(guān)組 件區(qū)52并對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層58的通道區(qū)60，以及數(shù)據(jù)線72設(shè)置于周邊區(qū)56。柵 極70的表面具有一掃描線連接區(qū)70A，用以電性連接掃描線，而數(shù)據(jù)線72的 表面則具有一源極連接區(qū)72A，用以電性連接源極。第一絕緣層68，以及第--圖案化導(dǎo)電層的柵極70與數(shù)據(jù)線72上設(shè)置有第二絕緣層74，其中第二絕緣 層74具有四開(kāi)口分別曝露出源極區(qū)62、漏極區(qū)64、柵極70的掃描線連接區(qū) 70A，以及數(shù)據(jù)線72的源極連接區(qū)72A。此外，第二絕緣層74上具有第二圖 案化導(dǎo)電層，第二圖案化導(dǎo)電層包括一數(shù)據(jù)線連接電極76位于開(kāi)關(guān)組件區(qū)52、 一掃描線78位于周邊區(qū)56，以及一漏極連接墊80位于開(kāi)關(guān)組件區(qū)52。數(shù)據(jù) 線連接電極76經(jīng)由第一絕緣層68與第二絕緣層74的開(kāi)口電性連接源極區(qū)62 與數(shù)據(jù)線72的源極連接區(qū)72A，使得數(shù)據(jù)線72能夠與源極區(qū)62電性連接。 掃描線78經(jīng)由第二絕緣層74的開(kāi)口直接搭接于柵極70的掃描線連接區(qū)70A， 借此與柵極70電性連接。漏極連接墊80則填入第一絕緣層68與第二絕緣層 74的開(kāi)口內(nèi)并設(shè)置于漏極區(qū)64上，并與漏極區(qū)64電性連接。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)還包括一液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于顯示區(qū)54，其中本 實(shí)施例的液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)包括一共通電極82設(shè)置于第二絕緣層74上、 一第三絕緣層84設(shè)置于共通電極82與第二絕緣層74上，以及一像素電極86設(shè)置 于第三絕緣層84上，其中共通電極82與像素電極86皆為透明電極，例如氧 化銦錫(IT0)電極。第三絕緣層84具有一開(kāi)口曝露出漏極連接墊80，且像素 電極86延伸至開(kāi)關(guān)組件區(qū)52并搭接于漏極連接墊80上，借此與漏極區(qū)64 電性連接。此外，像素電極86包括數(shù)條狹縫(slit)86A，且像素電極86未與 數(shù)據(jù)線72重疊。共通電極82在顯示區(qū)54內(nèi)則具有完整平面，且共通電極82 與像素電極86部分重疊，借此共通電極82、像素電極86與設(shè)置于其間的第 三絕緣層84形成一儲(chǔ)存電容。另外，由于共通電極82系橫跨于數(shù)據(jù)線72之 上，因此共通電極82與數(shù)據(jù)線72部分重疊。
請(qǐng)參考第5圖至第12圖。第5圖至第12圖繪示本發(fā)明制作上述實(shí)施例之 像素結(jié)構(gòu)的方法示意圖。如第5圖所示，首先提供一基板50，并于基板50上 定義出一開(kāi)關(guān)組件區(qū)52、 一顯示區(qū)54與一周邊區(qū)56。接著，于基板50表面 形成一半導(dǎo)體層58，例如一低溫多晶硅層，并利用光刻暨蝕刻技術(shù)于開(kāi)關(guān)組 件區(qū)52內(nèi)定義出半導(dǎo)體層58之圖案。
如圖6所示，接著于基板50與半導(dǎo)體層58上形成一第一絕緣層68，例 如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅層，再于第一絕緣層68上形成一第一導(dǎo)電層(圖 中未示)，例如一金屬層。隨后于第一導(dǎo)電層上形成一光阻圖案61，并利用光 阻圖案61作為蝕刻屏蔽進(jìn)行一蝕刻工藝去除部分第一導(dǎo)電層，以定義出一第 一圖案化導(dǎo)電層，其中第--圖案化導(dǎo)電層包括--柵極70位于開(kāi)關(guān)組件區(qū)52 內(nèi)，以及一數(shù)據(jù)線72位于周邊區(qū)56內(nèi)，且柵極70的表面定義有一掃描線連 接區(qū)70A，而數(shù)據(jù)線72的表面定義有一源極連接區(qū)72A。另外，對(duì)應(yīng)于柵極 70的半導(dǎo)體層58作為通道區(qū)60，且位于柵極70與通道區(qū)60之間的第一絕緣 層68作為柵極絕緣層。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管具有輕度摻雜漏極設(shè)計(jì)， 因此在蝕刻第一導(dǎo)電層時(shí)可借助調(diào)整制作過(guò)程參數(shù)產(chǎn)生側(cè)向蝕刻效果，使柵極 70的尺寸略小于光阻圖案61的尺寸，隨后利用光阻圖案61為屏蔽進(jìn)行一高 濃度離子布植，以在柵極70兩側(cè)的半導(dǎo)體層58內(nèi)分別形成一源極區(qū)62與一 漏極區(qū)64，但本發(fā)明的方法并不限于此。
如圖7所示，接著去除光阻圖案61，并進(jìn)行一低濃度離子布植，以于源 極區(qū)62與通道區(qū)60之間，以及漏極區(qū)64與通道區(qū)60之間形成輕度摻雜漏極66。如圖8所示，在第一絕緣層68、柵極70與數(shù)據(jù)線72上形成一第二絕緣 層74，并利用光刻和蝕刻技術(shù)去除部分第二絕緣層74，以于第二絕緣層74 中形成四個(gè)幵口分別曝露出源極區(qū)62、柵極70、柵極70的掃描線連接區(qū)70A， 以及數(shù)據(jù)線72的源極連接區(qū)72A。
如圖9所示，接著于第二絕緣層74上形成一第二導(dǎo)電層(圖未示)例如一 金屬層，并利用光刻和蝕刻技術(shù)定義第二導(dǎo)電層以形成一第二圖案化導(dǎo)電層。 第二圖案化導(dǎo)電層包括一數(shù)據(jù)線連接電極76位于開(kāi)關(guān)組件區(qū)52與周邊區(qū)56、 一掃描線78位于周邊區(qū)56，以及 -漏極連接墊80位于開(kāi)關(guān)組件區(qū)52。數(shù)據(jù) 線連接電極76經(jīng)由第一絕緣層68與第二絕緣層74的開(kāi)口電性連接源極區(qū)62 與數(shù)據(jù)線72的源極連接區(qū)72A,掃描線78經(jīng)由第二絕緣層74的開(kāi)口電性連 接?xùn)艠O70的掃描線連接區(qū)70A,而漏極連接墊80則填入第一絕緣層68與第 二絕緣層74的開(kāi)口設(shè)置于漏極區(qū)64上并與漏極區(qū)64電性連接。
接著進(jìn)行液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)的制作。如圖10所示，在顯示區(qū)54的第二絕 緣層74上形成一共通電極82，其中共通電極82的材料為透明導(dǎo)電材質(zhì)，例 如氧化銦錫(IT0)。如圖11所示，隨后在第二絕緣層74與共通電極82上形成 一第三絕緣層84，并于第三絕緣層84對(duì)應(yīng)漏極連接墊80的位置形成一開(kāi)口 以曝露出漏極連接墊80。如圖12所示，于第三絕緣層84上形成一像素電極 86，使像素電極86經(jīng)由第三絕緣層84的開(kāi)口與漏極連接墊80電性連接，并 利用光刻和蝕刻技術(shù)蝕刻掉部分像素電極86使其具有數(shù)條狹縫86A，其中像 素電極86的材料為透明導(dǎo)電材質(zhì)，例如ITO。
請(qǐng)參考圖13與圖14。圖13與圖14為本發(fā)明液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的 另一較佳實(shí)施例的示意圖，其中圖13為像素結(jié)構(gòu)的上視圖，而圖14為沿圖 13的剖線DD'與EE'的剖面示意圖。為強(qiáng)調(diào)本實(shí)施例與前述實(shí)施例的差異， 以下說(shuō)明僅針對(duì)兩實(shí)施例的相異處進(jìn)行說(shuō)明，而不再對(duì)相同部分進(jìn)行重復(fù)贅 述。如圖13與圖14所示，本實(shí)施例與前述實(shí)施例不同之處在于液晶驅(qū)動(dòng)電極 結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。本實(shí)施例的液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)的像素電極86位于第二絕緣層74 與第三絕緣層84之間，而共通電極82則位于第三絕緣層84之間，換言之像 素電極86位于共通電極82的下方。另外，像素電極86直接搭接于漏極連接 墊80上，且像素電極86于顯示區(qū)54內(nèi)則具有完整平面。共通電極82包括有 數(shù)條狹縫82A，且共通電極82橫跨于數(shù)據(jù)線72之上，因此共通電極82與數(shù)據(jù)線72部分重疊。
請(qǐng)參考圖15至圖17。圖15至圖17為本發(fā)明制作上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu) 的方法示意圖，其中由于本實(shí)施例的制作方法前段制作過(guò)程與前述實(shí)施例相 同，因此請(qǐng)接續(xù)圖5至圖9參考圖15至圖17。如圖15所示，不同于前述實(shí) 施例，在本實(shí)施例中于第二絕緣層74形成后，先在第二絕緣層74上形成像素 電極86，像素電極86于顯示區(qū)54內(nèi)具有完整平面，并搭接于漏極連接墊80 上借此以其電性連接，但像素電極86未與數(shù)據(jù)線72重疊。如圖16所示，接 著于第二絕緣層74與像素電極86上形成一第三絕緣層84。如圖17所示，最 后于第三絕緣層84上形成一共通電極82，并利用光刻和蝕刻技術(shù)蝕刻掉部分 共通電極84使共通電極82位于顯示區(qū)54內(nèi)，并具有數(shù)條狹縫82A。
綜上所述，相比于公知像素結(jié)構(gòu)，本發(fā)明可減少一道絕緣層制程步驟，而 且不會(huì)犧牲開(kāi)口率，因此具有結(jié)構(gòu)與制作過(guò)程簡(jiǎn)化的優(yōu)點(diǎn)，并可提升透光率。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精祌及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這 些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，形成于一基板上，該基板包括一開(kāi)關(guān)組件區(qū)、一顯示區(qū)與一周邊區(qū)，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上且位于該開(kāi)關(guān)組件區(qū)內(nèi)，該半導(dǎo)體層包括一通道區(qū)，以及一源極區(qū)與一漏極區(qū)分別設(shè)置于該通道區(qū)的兩側(cè)；一第一絕緣層，設(shè)置于該基板上且覆蓋該半導(dǎo)體層，該第一絕緣層具有兩開(kāi)口分別曝露出該源極區(qū)與該漏極區(qū)；一第一圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于該第一絕緣層上，該第一圖案化導(dǎo)電層包括一柵極設(shè)置于該開(kāi)關(guān)組件區(qū)的該第一絕緣層上并對(duì)應(yīng)該半導(dǎo)體層的該通道區(qū)，以及一數(shù)據(jù)線設(shè)置于該周邊區(qū)的該第一絕緣層上，其中該柵極的表面具有一掃描線連接區(qū)，而該數(shù)據(jù)線的表面具有一源極連接區(qū)；一第二絕緣層設(shè)置于該第一絕緣層、該柵極與該數(shù)據(jù)在線，該第二絕緣層具有四開(kāi)口分別曝露出該源極區(qū)、該漏極區(qū)、該柵極的該掃描線連接區(qū)，以及該數(shù)據(jù)線的該源極連接區(qū)；一第二圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于該第二絕緣層上，包括一數(shù)據(jù)線連接電極經(jīng)由該第一絕緣層與該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該源極區(qū)與該數(shù)據(jù)線的該源極連接區(qū)、一掃描線經(jīng)由該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該柵極的該掃描線連接區(qū)，以及一漏極連接墊經(jīng)由該第一絕緣層與該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該半導(dǎo)體層的該漏極區(qū)；以及一液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于該顯示區(qū)，包括一共通電極、一像素電極以及一第三絕緣層，設(shè)置該第二絕緣層上，其中該像素電極延伸至該開(kāi)關(guān)組件區(qū)并借助該漏極連接墊與該漏極區(qū)電性連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共 通電極、該第三絕緣層與該像素電極由下而上依序設(shè)置于該第二絕緣層上，且 該第三絕緣層于對(duì)應(yīng)該漏極連接墊的位置具有一開(kāi)口以曝露出該漏極連接墊， 借此該像素電極能夠與該漏極連接墊電性連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像 素電極包括數(shù)條狹縫。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極、該第三絕緣層與該共通電極由下而上依序設(shè)置于該第二絕緣層上。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共 通電極包括數(shù)條狹縫。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共 通電極包括透明電極。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共通電極與該數(shù)據(jù)線部分重疊。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共通電極與該像素電極部分重疊，且與設(shè)置于其間的該第三絕緣層形成一儲(chǔ)存電容。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像 素電極未與該數(shù)據(jù)線重疊。
10、 一種制作液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括提供一基板，其上定義有一開(kāi)關(guān)組件區(qū)、 一顯示區(qū)與一周邊區(qū)，該基板包括一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上且位于該開(kāi)關(guān)組件區(qū)內(nèi)； 一源極區(qū)與一漏極區(qū)，分別設(shè)置于該半導(dǎo)體層的兩側(cè)； 一第一絕緣層，設(shè)置于該基板上且覆蓋該半導(dǎo)體層，該第一絕緣層具有 兩開(kāi)口分別曝露出該源極區(qū)與該漏極區(qū)；在該第一絕緣層上形成一第一圖案化導(dǎo)電層，該第一圖案化導(dǎo)電層包括一 柵極設(shè)置于該開(kāi)關(guān)組件區(qū)的該第一絕緣層上并對(duì)應(yīng)該半導(dǎo)體層，以及一數(shù)據(jù)線 設(shè)置于一周邊區(qū)的該第一絕緣層上，其中該柵極的表面具有一掃描線連接區(qū)， 而該數(shù)據(jù)線的表面具有一源極連接區(qū)；在該第一絕緣層、該柵極與該數(shù)據(jù)在線形成一第二絕緣層，并于該第二絕 緣層中形成四開(kāi)口分別曝露出該源極區(qū)、該柵極、該柵極的該掃描線連接區(qū)， 以及該數(shù)據(jù)線的該源極連接區(qū)；在該第二絕緣層上形成一第二圖案化導(dǎo)電層，包括一數(shù)據(jù)線連接電極經(jīng)由 該第一絕緣層與該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該源極區(qū)與該數(shù)據(jù)線的該源 極連接區(qū)、 一掃描線經(jīng)由該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該柵極的該掃描線連 接區(qū)，以及一漏極連接墊經(jīng)由該第一絕緣層與該第二絕緣層的該開(kāi)口電性連接該漏極區(qū)；以及在該第二絕緣層上的該顯示區(qū)內(nèi)形成一液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)，該液晶驅(qū)動(dòng)電 極結(jié)構(gòu)包括一共通電極、 一像素電極以及一第三絕緣層，并使該像素電極延伸 至該開(kāi)關(guān)組件區(qū)而與該漏極連接墊電性連接。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成該液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié) 構(gòu)的步驟包括在該第二絕緣層上形成該共通電極；在該共通電極與該第二絕緣層上形成該第三絕緣層，并于該第三絕緣層對(duì) 應(yīng)該漏極連接墊的位置形成一開(kāi)口以曝露出該漏極連接墊；以及在該第三絕緣層上形成該像素電極，并使該像素電極經(jīng)由該第三絕緣層的 該開(kāi)口與該漏極連接墊電性連接。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，形成該像素電極的歩驟 還包括去除部分該像素電極以形成數(shù)條狹縫。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成該液晶驅(qū)動(dòng)電極結(jié) 構(gòu)包括在該第二絕緣層上形成該像素電極，并使該像素電極與該漏極連接墊電性 連接；在該像素電極與該第二絕緣層上形成該第三絕緣層；以及 在該第三絕緣層上形成該共通電極。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，形成該共通電極的歩驟 還包括去除部分該共通電極以形成數(shù)條狹縫。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，像素結(jié)構(gòu)的柵極與數(shù)據(jù)線由第一圖案化導(dǎo)電層形成、其掃描線由第二圖案化導(dǎo)電層形成，且其共通電極與像素電極形成于基板上，共通電極與像素電極之間具有一絕緣層，并形成一儲(chǔ)存電容，且像素電極或共通電極的其中之一具有梳狀狹縫。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101295114SQ200810094619
公開(kāi)日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2008年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月24日
發(fā)明者林祥麟 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司