專(zhuān)利名稱(chēng)：一種腔內(nèi)倍頻微片激光器的制作方法
一種腔內(nèi)倍頻微片激光器方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激光器，尤其涉及一種高消光比偏振輸出倍頻光的腔內(nèi) 倍頻微片激光器。背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體泵浦激光器中，微片結(jié)構(gòu)的腔內(nèi)倍頻激光器具有高效率，結(jié)構(gòu)緊湊等優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)有的典型的一種^f殷片激光器結(jié)構(gòu)如圖l所示包括半導(dǎo)體泵 浦源1 (LD)、準(zhǔn)直透鏡2、聚焦透鏡3、雙折射型激光晶體4及II類(lèi)相位匹 配倍頻晶體5。 S!和S2為微片激光器的兩個(gè)鍍膜面。通常S面鍍對(duì)泵浦光增 透，對(duì)基頻光、和倍頻光人2w高反的膜，S2面鍍對(duì)基頻光、高反和對(duì)倍頻光 M。高透的膜，由這兩個(gè)面形成激光諧振腔。由于雙折射激光晶體與II類(lèi)相位 匹配倍頻晶體通常光軸夾角為45°，根據(jù)II類(lèi)相位匹配條件、(e)+^(o)—〉 入2co(e)或、(e)+;u:o) —〉入2co(0)，從II類(lèi)相位匹配倍頻晶體5出射的倍頻光為 線偏光，.其光軸方向平行或垂直于倍頻晶體的光軸，因此倍頻光偏振方向與 雙折射型激光晶體4的夾角也為45°，雙折射型激光晶體4相對(duì)II類(lèi)相位匹配 倍頻晶體5的反向倍頻光為一波片。使得從II類(lèi)相位匹配倍頻晶體5出射反 向倍頻光往返兩次穿過(guò)雙折射型激光晶體4后，II類(lèi)相位匹配倍頻晶體5反 向倍頻光偏振方向處于不確定的狀態(tài)，這樣從S2面輸出的倍頻光偏振消光比 也為不確定的狀態(tài)，因而不符合在需要高消光比偏振激光輸出的應(yīng)用場(chǎng)合。為了實(shí)現(xiàn)高消光比偏振倍頻光輸出，通常的辦法是將圖1中前腔鏡S,面 膜層設(shè)計(jì)成對(duì)泵浦光增透，對(duì)基頻光高反和對(duì)倍頻光增透的方式，使由II類(lèi) 相位匹配倍頻晶體產(chǎn)生的倍頻光經(jīng)過(guò)雙折射型激光晶體后直接透過(guò)，不再返 回到倍頻晶體中，從而提高了偏振倍頻光輸出的消光比。但這種方法提高了 消光比的同時(shí)，由于倍頻光在兩個(gè)面輸出，降低了倍頻光功率。另一種辦法 是在激光晶體與倍頻晶體之間加上對(duì)倍頻光高反及對(duì)基頻光高透的膜層，阻 止倍頻光往返于激光晶體，從而獲得具有較高消光比的偏振倍頻光輸出。但這種方法因?yàn)樵诩す饩w與倍頻晶體之間插入膜層，增大了腔內(nèi)損耗，降低效率。其它的方法如中國(guó)專(zhuān)利第ZL200520068583.8號(hào)所述，在激光晶體和倍 頻晶體之間插入波長(zhǎng)相對(duì)于倍頻光波長(zhǎng)1/2的波片，并且波片光軸方向與激光晶體光軸方向夾角為0/2,其中e為激光晶體光軸與返岡的倍頻光偏振方向的夾角。這種方法雖然可以提高消光比，但因波片與激光晶體角度特殊，加 工裝配不易。還有的方法是直接將激光晶體加工成倍頻光的全波片或半波片, 但這種方法需要很高的加工精度，在工藝上很難實(shí)現(xiàn)，并且其相位延遲量隨 溫度變化而變化，導(dǎo)致消光比也隨溫度變化而變化。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種在較寬溫度范圍內(nèi)獲得高消光 比偏振倍頻光輸出的腔內(nèi)倍頻微片激光器。本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案 一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，包括泵浦源、準(zhǔn)直 透鏡、聚焦透鏡、激光晶體及倍頻晶體，并按通光方向上依次排列，其特征 在于將所述激光晶體粘接一相位補(bǔ)償片，形成一復(fù)合激光晶體，該復(fù)合激 光晶體相位延遲等效于倍頻光波長(zhǎng)的半波片或全波片，且所述復(fù)合激光晶體 沿通光方向的前端面鍍有對(duì)泵浦光增透而對(duì)基頻光和倍頻光高反的膜，倍頻 晶體后端面4度有對(duì)基頻光高反及對(duì)倍頻光高透的膜；所述激光晶體、相位補(bǔ) 償片、倍頻晶體的光軸與通光方向垂直，且激光晶體與倍頻晶體二者的光軸 成45。夾角；所述的激光晶體與相位補(bǔ)償片的光軸平行或垂直，且激光晶體對(duì) 倍頻光的相位延遲角為e！與相位補(bǔ)償片對(duì)倍頻光的相位延遲角為92有如下關(guān) 系e,+e產(chǎn)K兀，K為整數(shù)。其中，所述復(fù)合激光晶體在通光方向上，其中所述相位補(bǔ)償片是在激光 晶體前排列粘接，或者在激光晶體后排列粘接。其中，所述的激光晶體、相位補(bǔ)償片是雙折射晶體，倍頻晶體是n類(lèi)相 位匹配倍頻晶體。所述的相位補(bǔ)償片進(jìn)一步為雙折射型激光晶體。本發(fā)明另一種實(shí)現(xiàn)方案即在通光方向上，當(dāng)倍頻晶體排列在復(fù)合激光晶體前面，并在倍頻晶體前端面鍍對(duì)泵浦光增透，對(duì)倍頻光和基頻光高反的 膜，在復(fù)合激光晶體后端面鍍對(duì)倍頻光高透和對(duì)基頻光高反的膜時(shí)，只要復(fù)合激光晶體滿(mǎn)足以上所述的其它條件時(shí)，同樣可實(shí)現(xiàn)相同的目的。本發(fā)明采用以上兩種方案，具有如下有益效果由激光晶體和相位補(bǔ)償 片粘接而成的復(fù)合激光晶體對(duì)于倍頻光為級(jí)數(shù)很低的半波片或全波片，并滿(mǎn) 足上述其它條件時(shí)，從而實(shí)現(xiàn)當(dāng)從倍頻晶體反向出射的倍頻光往返經(jīng)過(guò)復(fù)合 激光晶體時(shí)，不再發(fā)生退偏現(xiàn)象，并且因級(jí)數(shù)低，復(fù)合激光晶體相位延遲量 對(duì)溫度不敏感，因此能在很寬的溫度范圍內(nèi)獲得高消光比的偏振倍頻光輸出。
下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一 步的說(shuō)明。圖l為現(xiàn)有常用的腔內(nèi)倍頻微片激光的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明的原理圖及實(shí)施實(shí)例1、 2、 3、 4的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施實(shí)例5、 6、 7、 8的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明的原理圖及實(shí)施實(shí)例9的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明實(shí)施實(shí)例10的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖2所示，腔內(nèi)倍頻微片激光器包括沿通光方向上依次排列的半 導(dǎo)體泵浦激光器l作為泵浦源、激光準(zhǔn)直透鏡2、激光聚焦透鏡3、激光晶體 4及倍頻晶體5，并將所述激光晶體4粘接一相位補(bǔ)償片6，形成一復(fù)合激光 晶體，該復(fù)合激光晶體相位延遲量等效于倍頻光波長(zhǎng)的半波片或全波片。具體實(shí)施實(shí)例1，其中，上述激光晶體4為Nd:YV04晶體、相位補(bǔ)償片 6為YV04晶體、倍頻晶體5為KTP晶體。Nd:YV04晶體4、 YV04晶體6、 KTP晶體5，它們各自的光軸與通光方向垂直，并且N±YV04晶體4與KTP 晶體5 二者的光軸成45°夾角。Nd:YV04晶體4的前端面為鍍膜面S,，鍍上 對(duì)泵浦光高透，對(duì)基頻光和倍頻光高反的膜，形成前腔鏡，KTP晶體5后端 面為鍍膜面S2，鍍上對(duì)基頻光高反對(duì)倍頻光高透的膜，形成后腔鏡。Nd:YV04 晶體4和YV04晶體6 二者的光軸相互垂直，并且Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光 相位延遲角0,與YV04晶體6對(duì)倍頻光的相位延遲角02有如下關(guān)系e一e尸K兀，K為整H。具體實(shí)施實(shí)例2，除將相位補(bǔ)償片6換成Nd:YV04晶體外，其它所有部 件和結(jié)構(gòu)均與具體實(shí)施1相同，并且Nd:YV04晶體4和Nd:YV04晶體6 二 者的光軸相互垂直，Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光相位延遲角e!與作為相位補(bǔ)償 片的Nd:YVC)4晶體6對(duì)倍頻光的相位延遲角92有如下關(guān)系e,+e尸K7c, K為整數(shù)。具體實(shí)施實(shí)例3，除將相位補(bǔ)償片6換成GdV04晶體外，其它所有部件 和結(jié)構(gòu)均與具體實(shí)施1相同，并且Nd:YV04晶體4和GdV04晶體6光軸相 互垂直，Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光相位延遲角9!與作為相位補(bǔ)償片的GdV04 晶體6對(duì)倍頻光的相位延遲角02有如下關(guān)系e一efK7t, K為整數(shù)。具體實(shí)施實(shí)例4，除將相位補(bǔ)償片6換成Nd:GdV04晶體外，其它所有部 件和結(jié)構(gòu)均與具體實(shí)施1相同。并且Nd:YV04晶體4和Nd:GdV04晶體6光 軸相互垂直，Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光相位延遲角0!與作為相位補(bǔ)償片的 Nd:GdV04晶體6對(duì)倍頻光的相位延遲角02有如下關(guān)系e,+e產(chǎn)K兀，K為整數(shù)°具體實(shí)施實(shí)例5,如圖3所示，腔內(nèi)倍頻微片激光器包括半導(dǎo)體泵浦激 光器l，激光準(zhǔn)直透鏡2，激光聚焦透鏡3，激光晶體4為Nd:YV04晶體，相 位補(bǔ)償片6為YV04晶體，倍頻晶體為5KTP晶體。在通光方向上依次排列 著YV04晶體6、 Nd:YV04晶體4、 KTP晶體5，它們各自的光軸與通光方向 垂直，并且Nd:YV04晶體4與KTP晶體5光軸成45°夾角。YV04晶體6的 前端面為鍍膜面Sp鍍上對(duì)泵浦光高透，對(duì)基頻光和倍頻光高反的膜，形成 前腔鏡，KTP晶體5后端面為鍍膜面S2，鍍上對(duì)基頻光高反和對(duì)倍頻光高 透的膜，形成后腔4竟。Nd:YV04晶體4和YV04晶體6光軸相互垂直，并且 Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光相位延遲角與YV04晶體6對(duì)倍頻光的相位延遲角02有如下關(guān)系e,+e^K兀，K為整數(shù)。具體實(shí)施實(shí)例6,將相位補(bǔ)償片6換成Nd:YV04晶體并將Nd:YV04晶體 6前端面作為鍍膜面Sp其它所有部件和結(jié)構(gòu)均與具體實(shí)施5均相同。并且， Nd:YV04晶體4和Nd:YV04晶體6光軸相互垂直，Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光 相位延遲角e,與作為相位補(bǔ)償片的Nd:YV04晶體6對(duì)倍頻光的相位延遲角e2有如下關(guān)系e,+e2-K兀，K為整數(shù)。具體實(shí)施實(shí)例7,將相位補(bǔ)償片6換作GdV04晶體并將GdV04晶體6 前端面作為鍍膜面Sp其它所有部件和結(jié)構(gòu)均與具體實(shí)施5均相同，并且， Nd:YV04晶體4和GdV04晶體6光軸相互垂直，Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光相 位延遲角e,與作為相位補(bǔ)償片的GdV04晶體6對(duì)倍頻光的相位延遲角02有如下關(guān)系e^e^K兀，K為整數(shù)。具體實(shí)施實(shí)例8,將相位補(bǔ)償片6換作Nd:GdV04晶體并將Nd:GdV04 晶體6前端面作為鍍膜面Si鍍，其它所有部件和結(jié)構(gòu)均與具體實(shí)施5均相同， 并且，Nd:YV04晶體4和Nd:GdV04晶體6光軸相互垂直，Nd:YV04晶體4 對(duì)倍頻光相位延遲角e！與作為相位補(bǔ)償片的Nd:GdV04晶體6對(duì)倍頻光的相 位延遲角02有如下關(guān)系e,+e尸K兀，K為整數(shù)。 .具體實(shí)施實(shí)例9，其腔內(nèi)倍頻微片激光器的各組成部分的排列順序與上 述實(shí)施例稍有不同，如圖4所示，.腔內(nèi)倍頻微片激光器包括半導(dǎo)體泵浦激光 器l、激光準(zhǔn)直透鏡2、激光聚焦透鏡3、激光晶體4、相位補(bǔ)償片6及倍頻 晶體5;其中，激光晶體4為Nd:YV04晶體，相位補(bǔ)償片6為負(fù)單軸晶體CaC03 晶體，倍頻晶體5為KTP晶體，并在通光方向上依次排列，且它們各自的光 軸與通光方向垂直，并且Nd:YV04晶體4與KTP晶體5 二者的光軸成45°夾 角。Nd:YV04晶體4的前端面作為鍍膜面Si,鍍上對(duì)泵浦光高透，對(duì)基頻光 和倍頻光高反的膜，形成前腔鏡，KTP晶體5后端面作為鍍膜面S2，鍍上 對(duì)基頻光高反對(duì)倍頻光高透的膜，形成后腔鏡。Nd:YV04晶體4和CaC03 晶體6光軸平行，并且Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光相位延遲角9,與CaC03晶 體6對(duì)倍頻光的相位延遲角92有如下關(guān)系9!+e產(chǎn)KTi， K為整數(shù)。具體實(shí)施實(shí)例10,如圖5所示，腔內(nèi)倍頻微片激光器包括半導(dǎo)體泵浦激 光器l、激光準(zhǔn)直透鏡2、激光聚焦透鏡3、激光晶體4、相位補(bǔ)償片6及倍 頻晶體5;激光晶體4為Nd:YV04晶體，相位補(bǔ)償片6為負(fù)單軸晶體CaC03 晶體，倍頻晶體5為KTP晶體，并沿通光方向上依次排列，它們各自的光軸 與通光方向垂直，并且Nd:YV04晶體4與KTP晶體5 二者的光軸成45°夾角。 CaC03晶體4的前端面作為鍍膜面S,,鍍上對(duì)泵浦光高透，對(duì)基頻光和倍頻光高反的膜，形成前腔鏡，KTP晶體5后端面作為鍍膜面S2，鍍上的對(duì)基 頻光高反對(duì)倍頻光高透的膜，形成后腔鏡。Nd:YV04晶體4和CaC03晶體6 光軸平行，并且Nd:YV04晶體4對(duì)倍頻光相位延遲角與CaC03晶體6對(duì) 倍頻光的相位延遲角62有如下關(guān)系^+e2-K兀，K為整數(shù)。最后再如圖6所示，為本發(fā)明另一種實(shí)現(xiàn)方式腔內(nèi)倍頻^t片激光器組成 結(jié)構(gòu)不變，還是包括半導(dǎo)體泵浦激光器l,激光準(zhǔn)直透鏡2，激光聚焦透鏡3， 激光晶體4，相位補(bǔ)償片6，倍頻晶體5。'但在通光方向上，當(dāng)倍頻晶體5排列 在復(fù)合激光晶體前面，且倍頻晶體5前端面為鍍膜面S，，鍍對(duì)泵浦光增透，對(duì) 倍頻光和基頻光高反的膜，復(fù)合激光晶體后端面為鍍膜面S2，鍍上對(duì)倍頻光 高透和對(duì)基頻光高反的膜，其它條件和上述各實(shí)施例相同即可，同樣可實(shí)現(xiàn) 相同的發(fā)明目的。本發(fā)明的具體工作原理為當(dāng)激光晶體4與相位補(bǔ)償片6同為正晶體或 負(fù)晶體時(shí)，將它們光軸互相垂直并粘接成復(fù)合激光晶體。如圖2所示，從倍 頻晶體5反向出射的倍頻光經(jīng)相位補(bǔ)償片6時(shí)，因倍頻光線偏振方向與相位 補(bǔ)償片6成45°夾角，倍頻光被分解為垂直于相位補(bǔ)償片6光軸的O光和平 行于相位補(bǔ)償片6光軸的E光，其相位延遲角06=2兀(ne6-n。6) L6/X，其中ne6 為相位J^遲片E光的折射率，nZ為相位補(bǔ)償片O光的折射率，U為相位補(bǔ) 償片的厚度，X為倍頻光波長(zhǎng)。接著，倍頻光繼續(xù)入射到激光晶體4，由于激 光晶體4光軸垂直于相位補(bǔ)償片6的光軸，相位補(bǔ)償片6的E分量垂直于激 光晶體4的光軸，入射到激光晶體4時(shí)為激光晶體4的0光分量，相位補(bǔ)償 片6的O光分量平行于激光晶體4的光軸，入射到激光晶體4時(shí)為激光晶體 4的E光分量，倍頻光在激光晶體4的相位延遲角94=2兀(n。4-ne4 ) L4/入，其 中n/為激光晶體E光折射率，11。4為激光晶體0光折射率，L4為激光晶體的 厚度，X為倍頻光波長(zhǎng)。由于相位補(bǔ)償片6與激光晶體4同為正晶體(n。<ne) 或負(fù)晶體(n。>ne),因此反向出射的倍頻光在相位補(bǔ)償片6的相位延遲角e6 與在激光晶體4的相位延遲角64方向相反，恰當(dāng)控制相位補(bǔ)償片6和激光晶體4的厚度，可以使得倍頻光在復(fù)合激光晶體的總相位延遲角e=e4+e6=K7i，K為整數(shù)，并且可以很容易將K控制在O、 1、 2等很小的正整數(shù)級(jí)別上。當(dāng)激光晶體與相位補(bǔ)償片其中一片為正晶體另 一片為負(fù)晶體時(shí)，將它們光軸互相平行并粘接成復(fù)合激光晶體。如圖4所示，從倍頻晶體5反向出射 的倍頻光經(jīng)相位補(bǔ)償片6和激光晶體4時(shí)，因倍頻光線偏振方向與相位補(bǔ)償 片6和激光晶體4均成45°夾角，倍頻光被分解為垂直于相位補(bǔ)償片6光軸和 激光晶體4光軸的O光和平行于相位補(bǔ)償片6光軸和激光晶體4光軸的E光。 倍頻光在相位補(bǔ)償片6的相位延遲角06=2兀(ne6-n。6) IV入，其中11/為相位補(bǔ) 償片E光折射率，11。6為相位補(bǔ)償片O光折射率，U為相位延遲片的厚度，X 為倍頻光的波長(zhǎng)。倍頻光在激光晶體4的相位延遲角94=2兀(ne4-n。4) L4/L 其中n/為激光晶體E光折射率，n 為激光晶體O光折射率，L4.為激光晶體 的厚度，人為倍頻光的波長(zhǎng)。由于相位補(bǔ)償片6與激光晶體4一片為正晶體 (n。<ne)另一片負(fù)晶體(n。>ne),反向出射的倍頻光在相位補(bǔ)償片6的相位 延遲角06與在激光晶體4的相位延遲角94方向相反，恰當(dāng)控制相位補(bǔ)償片6 和激光晶體4的厚度,使得倍頻光在復(fù)合激光晶體總相位延遲角e=04+e6=K7i， K為整數(shù)，并且可以很容易將K控制在O、 1、 2等很小的正整數(shù)級(jí)別上。綜上所述，上述具體實(shí)施實(shí)例1~10的結(jié)構(gòu)中，由于復(fù)合激光晶體對(duì)倍頻 光相位延遲等效為半波片或全波片，從II類(lèi)相位匹配倍頻晶體反向出射的倍 頻光往返于復(fù)合激光晶體時(shí)，不再對(duì)倍頻光產(chǎn)生退偏，因而能獲得高消光比 的偏振輸出倍頻光。以上所列舉的具體實(shí)施實(shí)例只代表本發(fā)明專(zhuān)利所要求的權(quán)利項(xiàng)中的一些本發(fā)明專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，包括泵浦源、準(zhǔn)直透鏡、聚焦透鏡、激光晶體及倍頻晶體，并按通光方向上依次排列，其特征在于將所述激光晶體粘接一相位補(bǔ)償片，形成一復(fù)合激光晶體，該復(fù)合激光晶體相位延遲等效于倍頻光波長(zhǎng)的半波片或全波片，且所述復(fù)合激光晶體沿通光方向的前端面鍍有對(duì)泵浦光增透而對(duì)基頻光和倍頻光高反的膜，倍頻晶體后端面鍍有對(duì)基頻光高反及對(duì)倍頻光高透的膜； 所述激光晶體、相位補(bǔ)償片、倍頻晶體的光軸與通光方向垂直，且激光晶體與倍頻晶體二者的光軸成45°夾角；所述的激光晶體與相位補(bǔ)償片的光軸平行或垂直，且激光晶體對(duì)倍頻光的相位延遲角為θ1與相位補(bǔ)償片對(duì)倍頻光的相位延遲角為θ2有如下關(guān)系θ1+θ2＝Kπ，K為整數(shù)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，其特征在于所 述復(fù)合激光晶體在通光方向上，其中所述相位補(bǔ)償片是在激光晶體前排列粘 接，或者在激光晶體后排列粘接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，其特征在于所 述的激光晶體、相位補(bǔ)償片是雙折射晶體，倍頻晶體是II類(lèi)相位匹配倍頻晶 體。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，其特征在于所 述的相位補(bǔ)償片進(jìn)一步為雙折射型激光晶體。
5、 一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，包括泵浦源、準(zhǔn)直透鏡、聚焦透鏡、倍 頻晶體及激光晶體，并按通光方向上依次排列，其特征在于將所述激光晶 體粘接一相位補(bǔ)償片，形成一復(fù)合激光晶體，該復(fù)合激光晶體相位延遲等效 于倍頻光波長(zhǎng)的半波片或全波片，且在倍頻晶體前端面鍍對(duì)泵浦光增透，對(duì) 倍頻光和基頻光高反的膜，在復(fù)合激光晶體沿通光方向的后端面鍍對(duì)倍頻光 高透和對(duì)基頻光高反的膜；所述激光晶體、相位補(bǔ)償片、倍頻晶體的光軸與通光方向垂直，'且激光 晶體與倍頻晶體二者的光軸成45°夾角；所述的激光晶體與相位補(bǔ)償片的光軸平行或垂直，且激光晶體對(duì)倍頻光的相位延遲角為et與相位補(bǔ)償片對(duì)倍頻光的相位延遲角為62有如下關(guān)系e,+efK兀，K為整數(shù)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，其特征在于所 述復(fù)合激光晶體在通光方向上，其中所述相位補(bǔ)償片是在激光晶體箭排列粘 接，或者在激光晶體后排列粘接。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，其特征在于所 述的激光晶體、相位補(bǔ)償片是雙折射晶體，倍頻晶體是II類(lèi)相位匹配倍頻晶 體。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，其特征在于所 述的相位補(bǔ)償片進(jìn)一步為雙折射型激光晶體。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種腔內(nèi)倍頻微片激光器，包括泵浦源、準(zhǔn)直透鏡、聚焦透鏡、激光晶體及倍頻晶體，并按通光方向上依次排列，將所述激光晶體粘接一相位補(bǔ)償片，形成一復(fù)合激光晶體，該復(fù)合激光晶體相位延遲等效于倍頻光波長(zhǎng)的半波片或全波片，且所述復(fù)合激光晶體及倍頻晶體整體沿通光方向的前后端面鍍膜，激光晶體與相位補(bǔ)償片的光軸平行或垂直，且激光晶體對(duì)倍頻光的相位延遲角為θ₁與相位補(bǔ)償片對(duì)倍頻光的相位延遲角為θ₂滿(mǎn)足θ₁+θ₂＝Kπ，K為整數(shù)。本發(fā)明的倍頻光在腔內(nèi)往返于復(fù)合激光晶體時(shí)不發(fā)生退偏現(xiàn)象，因而可得到具有較高消光比的偏振倍頻光輸出。并且當(dāng)波片級(jí)數(shù)較低時(shí)，偏振消光比對(duì)溫度變化不敏感。
文檔編號(hào)H01S3/00GK101247018SQ200810070590
公開(kāi)日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者陳建林 申請(qǐng)人:福建華科光電有限公司