專利名稱：氣密式芯片封裝方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片封裝方法及其裝置，特別是指一種氣密式芯片封 裝方法及其裝置。
背景技術(shù)：
如圖1、 2所示，已知?dú)饷苁叫酒庋b方法包含一制備步驟11、 一置蓋 步驟12,以及一密封步驟13。該制備步驟11是制備一基板21,及一封蓋22,該基板21與封蓋22 相配合可界定出一內(nèi)部空間20。接著，將一芯片23粘附在該基板21上， 再將多條導(dǎo)線24 —一連接該芯片23與該基板21。該封蓋22底面設(shè)置有一 呈環(huán)狀的焊料25。該置蓋步驟12是在一通有氮?dú)?N2)的環(huán)境下進(jìn)行，將該封蓋22置放在 該基板21上，以罩蓋該芯片23,并接續(xù)進(jìn)行該密封步驟13。該密封步驟 13即是在氮?dú)獾姆諊?，?duì)該基板21與封蓋22進(jìn)行加熱，使得該焊料25 熔解，而使得該封蓋22能與該基板21緊密地結(jié)合在一起。完成氣密式芯 片封裝制程。通常氣密式芯片封裝制程是在一潔凈室內(nèi)進(jìn)行，在將該封蓋22置放于 該基板21后，會(huì)進(jìn)行除氣的作業(yè)，以抽離原存于該內(nèi)部空間20的氣體， 并配合氮?dú)獾姆諊?，以確保在進(jìn)行該密封步驟13前，其中的氧(02)含量是 小于50ppm。然而，由于該封蓋22置放在該基材21上時(shí)，該焊料25很有可能已與 該基板21頂面形成密切貼合，在進(jìn)行除氣時(shí)，無(wú)法有效地將該內(nèi)部空間20 內(nèi)的氣體抽出，造成氣體不易控制，影響封裝效果。為減少此一問(wèn)題的影 響，目前的作法即是擴(kuò)大氮?dú)獾氖褂脠?chǎng)合，即是該置蓋步驟12亦是在氮?dú)?的環(huán)境下進(jìn)行。如此必須多購(gòu)置如保氣拒(Cabinet)等相關(guān)的設(shè)備，將使制 程變得較為復(fù)雜，并導(dǎo)致成本的大幅增加。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的氣密式芯片封裝方法仍存在有不便與缺陷，而亟 待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決氣密式芯片封裝方法存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商 莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。有鑒于上述現(xiàn)有的氣密式芯片封裝方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從 事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的氣密式芯片封裝方法及其裝置，使其 更具有實(shí)用性。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的氣密式芯片封裝方法存在的缺陷，而提 供一種新的氣密式芯片封裝方法及其裝置，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可 降低成本并簡(jiǎn)化封裝制程，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是釆用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種氣密式芯片封裝方法，包含提供一基板，設(shè)置一芯片于 該基板上，提供一封蓋，在該封蓋與該基板之間設(shè)置一密封材料與一凸柱， 其中，該凸柱的厚度大于該密封材料的厚度，將該封蓋罩蓋于該基板上， 以形成一容置該芯片的容置空間，同時(shí)，該封蓋與該基板間會(huì)并因該凸柱而形成一氣流通道；以及進(jìn)行一密封步驟，在一惰性氣體的氛圍中，加熱該密封材料，使得該基板與封蓋借由該密封材料緊密地結(jié)合固定并使該容置容間成為一封閉式空間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可釆用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的氣密式芯片封裝方法，其中所述的凸柱是設(shè)置在該基板的頂面。 前述的氣密式芯片封裝方法，其中所述的凸柱是設(shè)置在該封蓋的底面。 前述的氣密式芯片封裝方法，還包含一在該密封步驟之前的除氣步驟，該除氣步驟是令罩蓋有該封蓋的基板處于一低壓環(huán)境中，使該容置空間內(nèi)的氣體可經(jīng)由該氣流通道被抽離。前述的氣密式芯片封裝方法，其中所述的凸柱與密封材料是相同材質(zhì)所制成。前述的氣密式芯片封裝方法，其中所述的凸柱與密封材料是不同材質(zhì) 所制成，而且該凸柱是軟性材質(zhì)所制成。前述的氣密式芯片封裝方法，在其中所述的密封步驟中，是先下壓該 封蓋以擠壓該凸柱，而使該凸柱與該密封材料的厚度相同。前述的氣密式芯片封裝方法，其中所述的凸柱的融點(diǎn)是不大于該密封 材料的融點(diǎn)。前述的氣密式芯片封裝方法，其中所述的凸柱的融點(diǎn)是大于該密封材 料的融點(diǎn)。前述的氣密式芯片封裝方法，其中所述的凸柱是與密封材料相接觸。 前述的氣密式芯片封裝方法，其中所述的凸柱是與密封材料相間隔。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種氣密式芯片封裝裝置，包含 一基板； 一芯片，設(shè)置于 該基板上； 一封蓋，設(shè)置于該基板上，該基板與封蓋相配合可界定出一可容置該芯片的容置空間；以及一密封材料與至少一凸柱，介于該基板與封 蓋之間。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。經(jīng)由上述可知，本 發(fā)明的氣密式芯片封裝方法，包含提供一基板；設(shè)置一芯片于該基板上；提 供一封蓋；在該封蓋與該基板之間設(shè)置一密封材料與一凸柱，其中，該凸 柱的厚度大于該密封材料的厚度；將該封蓋罩蓋于該基板上，以形成一容 置該芯片的容置空間，同時(shí)，該封蓋與該基板間會(huì)因該凸柱而形成一氣流 通道；以及進(jìn)行一密封步驟，其是在一惰性氣體的氛圍中，加熱該密封材 料，使得該基板與封蓋借由該密封材料緊密地結(jié)合固定并使該容置容間成 為一封閉式空間。本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置包含一基板、 一設(shè)置于該基板上的芯片、 一設(shè)置于該基板上的封蓋，以及介于該基板與封蓋之間的一密封材料與至 少 一 凸柱，該基板與封蓋相配合可界定出 一可容置該芯片的容置空間。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明氣密式芯片封裝方法及其裝置至少具有下 列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明利用該凸柱，使該封蓋與基板之間形成該氣流通道，使原 存于該容置空間的氣體容易散逸，而能易于控制氣體，并且只需要在該密 封步驟設(shè)置惰性氣體，而不必向前擴(kuò)大涵蓋至該封蓋的罩蓋制程，因此可 以減少設(shè)備的需求，進(jìn)而降低成本并簡(jiǎn)化制程。綜上所述，本發(fā)明特殊的氣密式芯片封裝方法及其裝置，其具有上述 諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見(jiàn)有類似的設(shè)計(jì)公開(kāi)發(fā)表或使 用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大 的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的氣密式芯片封裝方法具 有增進(jìn)的功效，從而更加適于實(shí)用。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)"i兌明如下。


圖l是一流程圖，說(shuō)明已知的氣密式芯片封裝方法； 圖2是一示意圖，用以輔助說(shuō)明圖l;圖3是一立體圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第一較佳實(shí)施例; 圖4是圖3的剖面圖；圖5是一立體圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第二較佳實(shí)施例; 圖6是圖5的剖面圖；圖7是一立體圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第三較佳實(shí)施例;圖8是一立體圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第四較佳實(shí)施例; 圖9是一立體圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第五較佳實(shí)施例; 圖10是一立體圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第六較佳實(shí)施例; 圖11是一流程圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝方法的第一較佳實(shí)施例; 圖12是一示意圖，用以輔助說(shuō)明圖11;圖13是一示意圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝方法的第二較佳實(shí)施例; 圖14是一示意圖，說(shuō)明本發(fā)明的氣密式芯片封裝方法的第三較佳實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的氣密式芯片封裝方法 及其裝置其具體實(shí)施方式
、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考圖 式的多個(gè)較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中，將可清楚的呈現(xiàn)。在本發(fā)明被詳細(xì)描 述之前，要注意的是，在以下的說(shuō)明中，類似的元件是以相同的編號(hào)來(lái)表示。如圖3、 4所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第一較佳實(shí)施例，包 含一基板4、 一封蓋5、 一凸柱6，以及一密封材料7。該基板4與封蓋5相配合可界定出一容置空間40。該基板4上設(shè)置有 一容置于該容置空間40中的芯片41，并借由多數(shù)條導(dǎo)線42連接該基板4 與芯片41。該封蓋5是設(shè)置于該基板4上，并罩蓋該芯片41。該凸柱6與密封材 料7是介于該封蓋5與基板4之間，且該凸柱6的厚度是大于該密封材料7 的厚度。利用該凸柱6的設(shè)置，使得在該封蓋5置放于該基板4上時(shí)，該 封蓋5會(huì)略呈傾斜狀，使得該基板4與封蓋5之間形成一可讓該容置空間 40與外界相連通的氣流通道8。在該第一較佳實(shí)施例中，該凸柱6是與該密封材料7相接觸，而且該 凸柱6與該密封材料7均是以焊料(Solder)類的相同材質(zhì)所制成。當(dāng)然，該 凸柱6也可與該密封材料7相間隔設(shè)置，或是兩者以不同材質(zhì)制成。當(dāng)該 凸柱6與密封材料7為不同材質(zhì)時(shí)，該凸柱6的材質(zhì)應(yīng)選用軟性材料，例 如高分子聚合材料。如圖5、 6所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第二較佳實(shí)施例相同， 大致上是與該第一較佳實(shí)施例相同，相同之處不再贅言，其中不同之處在 于該氣密式芯片封裝裝置包含有二個(gè)對(duì)稱地設(shè)置在該封蓋5底面兩側(cè)并 與該密封材料7相間隔的凸柱6。其中，所述的凸柱6均是與該密封材料7 為不同材質(zhì)所制成，當(dāng)然，也可以是相同材質(zhì)所制成，而且，也可以使用 三個(gè)或三個(gè)以上的凸柱6，并且不一定要以對(duì)稱的方式設(shè)置，只要能形成該氣流通道8皆可應(yīng)用。如圖7所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第三較佳實(shí)施例相同，大 致上是與該第 一較佳實(shí)施例相同，相同之處不再贅言，其中不同之處在于 該凸柱6是設(shè)置在該基板4的頂面上，而不是設(shè)置在該封蓋5的底面。如圖8所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第四較佳實(shí)施例相同，大 致上是與該第三較佳實(shí)施例相同，相同之處不再贅言，其中不同之處在于 該氣密式芯片封裝裝置包含有二個(gè)對(duì)稱地設(shè)置在該基板4的頂面兩側(cè)緣的 凸柱6。如圖9所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第五較佳實(shí)施例相同，大 致上是與該第一較佳實(shí)施例相同，相同之處不再贅言，其中不同之處在于 該氣密式芯片封裝裝置包含有二分別設(shè)置在該基板4的頂面上與該封蓋5 的底面上的凸柱6，且該二凸柱6是相錯(cuò)開(kāi)的。如圖10所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝裝置的第五較佳實(shí)施例相同， 大致上是與該第五較佳實(shí)施例相同，相同之處不再贅言，其中不同之處在 于該氣密式芯片封裝裝置包含有四個(gè)分別設(shè)置在該基板4的頂面上與該 封蓋5的底面上的凸柱6,其中，有兩個(gè)凸柱6是位于該基板4頂面的兩相 反側(cè)，另兩個(gè)凸柱6是與位于該封蓋5底面的兩相反側(cè)，而且所述的凸柱6 是錯(cuò)開(kāi)設(shè)置。如圖11、 12所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝方法的第一較佳實(shí)施例，包 含下列步驟a) 提供一基板4。b) 設(shè)置一芯片41于該基板4上。c) 提供一封蓋5。d) 在該封蓋5與該基板4之間設(shè)置一凸柱6與一密封材料7，其中，該 凸柱6的厚度大于該密封材料7的厚度。在本實(shí)施例中，該凸柱6與密封 材料7是設(shè)置于該封蓋5的底面，該密封材料7是環(huán)繞于該封蓋5的底面。e) 將該封蓋5罩蓋于該基板4上，以形成一容置該芯片41的容置空間 40,同時(shí)，該封蓋5與該基板4間會(huì)因該凸柱6而形成一氣流通道8。在本 實(shí)施例中，由于該凸柱6凸出該密封材料7，蓋合時(shí)，該封蓋5會(huì)被該凸柱 6所撐抵而呈傾斜狀，借此使該密封材料7不致于完全貼于該基板4的頂面， 因而能形成該氣流通道8。f) 進(jìn)行一除氣步驟，該除氣步驟是令罩蓋有該封蓋5的基板4處于一 低壓環(huán)境中，使得該容置空間40內(nèi)的氣體可經(jīng)由該氣流通道8被抽離(如 虛線箭頭所示)。在本實(shí)施例中，是讓該基板4通過(guò)一抽氣拒(圖中未示)， 借此除去該容置空間40內(nèi)原有的空氣。應(yīng)說(shuō)明的是，若能確保該容置空間 40內(nèi)的氧氣含量已少于預(yù)設(shè)值時(shí)，則可不必實(shí)施經(jīng)過(guò)該除氣步驟，而直接執(zhí)行該密封步驟。g)進(jìn)行一密封步驟，是在一如氮?dú)?N2)惰性氣體的氛圍中，加熱該密封材料7，使得該基板4與封蓋5借由該密封材料7緊密地結(jié)合固定，并使該 容置空間40成為一封閉式的空間。在本實(shí)施例中，是在氮?dú)?N2)的氛圍中， 當(dāng)然也可以在氬氣、氖氣等惰性氣體的環(huán)境中，主要是要驅(qū)趕該容置空間 40內(nèi)的氧氣，避免與導(dǎo)線42產(chǎn)生氧化反應(yīng)，以免影響元件的電子訊號(hào)的傳遞。另外，在該密封步驟中，可以先下壓該封蓋5以擠壓該凸柱6,而使該 凸柱6與該密封材料7的厚度相同，讓該封蓋5可完成貼平于該基板4上， 在受熱后即能達(dá)到完全密合封閉狀態(tài)。然而，若該凸柱6因受熱而軟化，使 得該封蓋5能自動(dòng)貼平于該基板4時(shí)，則可不施以下壓該封蓋5的步驟。在本實(shí)施例中，該凸柱6與密封材料7為相同材質(zhì)，如焊料所制成，但 也可以是不同材質(zhì)。當(dāng)兩者為相同材質(zhì)時(shí)，在加熱時(shí)該凸柱6會(huì)與密封材 料7—起熔融，使得該密封材料7下移而與該基板4接觸，形成結(jié)合作用。 當(dāng)兩者是不同材質(zhì)時(shí)，該凸柱6的材質(zhì)應(yīng)以軟性材質(zhì)為主，能在向下推移 該封蓋5，使該凸柱6變形，使該密封材料7能貼觸該基板4，亦能達(dá)到密 封結(jié)合的效果。在本實(shí)施例中，該凸柱6與該密封材料7是相互接觸的，加熱時(shí)，該凸 柱6會(huì)與該密封材料7熔合在一起，同為結(jié)合劑之用。當(dāng)然，該凸柱6與 密封材料7也可以是分隔設(shè)置，對(duì)于后續(xù)的密封步驟并不會(huì)有影響。由以上說(shuō)明可知，本發(fā)明是借由在該封蓋5上設(shè)置該凸柱6,在罩蓋該 封蓋5時(shí)。該密封材料7并不會(huì)完全貼合該基板4，借此形成該氣流通道8。 而形成該氣流通道8的主要用意在于執(zhí)行該除氣步驟時(shí)，能確實(shí)地抽離 該容置空間40的氣體。進(jìn)而，本發(fā)明僅需在該密封步驟通入氮?dú)猓恍?往前擴(kuò)大至置放該封蓋5的制程，借此能減少所需的設(shè)備，例如可以減少 保存氮?dú)獾谋饩艿氖褂脭?shù)量，以節(jié)省購(gòu)置成本。同時(shí)，也因?yàn)闇p少設(shè)備 的使用，能有效簡(jiǎn)化制程程序，以提高作業(yè)效率。如圖13所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝方法的第二較佳實(shí)施例，大致 上是與該第一較佳實(shí)施例相同，相同之處不再贅言，其中不相同之處在于 該凸柱6的設(shè)置位置的不同。在本實(shí)施例中，該凸柱6—開(kāi)始是設(shè)置在該 基板4的頂面上。在該封蓋5罩蓋于該基板4上時(shí)，該凸柱6是與該密封 材料7相間隔，兩者是以相同材質(zhì)所制成。如圖14所示，本發(fā)明的氣密式芯片封裝方法的第三較佳實(shí)施例，大致 上是與該第一較佳實(shí)施例相同，相同之處不再贅言，其中不相同之處在于 是分別在該基板4的頂面與封蓋5的底面上各設(shè)置一凸柱6,且該二凸柱6 與該密封材料7是不同材質(zhì)所制成。歸納上述，本發(fā)明的氣密式芯片封裝方法及其裝置，是在該基板4與 封蓋5之間設(shè)置至少一個(gè)凸柱6,使得將該封蓋5蓋設(shè)于該基板4上時(shí)，該 密封材料7不會(huì)全部貼合于該基板4上，而會(huì)形成該氣流通道8,借此，使 該容置空間40的氣體容易被抽離，以能控制內(nèi)部的氣體。本發(fā)明僅需在該 密封步驟的過(guò)程中通入惰性氣體，不必?cái)U(kuò)大至罩蓋該封蓋5的制程2,進(jìn)而 能減少設(shè)備的需求，以節(jié)省購(gòu)置成本，并且也能有效簡(jiǎn)化制程，提高作業(yè) 效率，故確實(shí)能達(dá)到本發(fā)明的目的。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例 所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種氣密式芯片封裝方法，其特征在于包含a)提供一基板；b)設(shè)置一芯片于該基板上；c)提供一封蓋；d)在該封蓋與該基板之間設(shè)置一密封材料與一凸柱，其中，該凸柱的厚度大于該密封材料的厚度；e)將該封蓋罩蓋于該基板上，以形成一容置該芯片的容置空間，同時(shí)，該封蓋與該基板間會(huì)并因該凸柱而形成一氣流通道；以及f)進(jìn)行一密封步驟，在一惰性氣體的氛圍中，加熱該密封材料，使得該基板與封蓋借由該密封材料緊密地結(jié)合固定并使該容置容間成為一封閉式空間。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于該凸柱是 設(shè)置在該基板的頂面。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于該凸柱是 i殳置在該去于蓋的底面。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于還包含一 在該密封步驟之前的除氣步驟，該除氣步驟是令罩蓋有該封蓋的基板處于 一低壓環(huán)境中，使該容置空間內(nèi)的氣體可經(jīng)由該氣流通道被抽離。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于該凸柱與 密封材料是相同材質(zhì)所制成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于該凸柱與 密封材料是不同材質(zhì)所制成，而且該凸柱是軟性材質(zhì)所制成。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于在該密封 步驟中，是先下壓該封蓋以擠壓該凸柱，而使該凸柱與該密封材料的厚度 相同。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于該凸柱的 融點(diǎn)是不大于該密封材料的融點(diǎn)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于該凸柱的 融點(diǎn)是大于該密封材料的融點(diǎn)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于該凸柱 是與密封材料相接觸。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密式芯片封裝方法，其特征在于該凸柱 是與密封材料相間隔。
12、 一種氣密式芯片封裝裝置，其特征在于包含-.一基板；一芯片，設(shè)置于該基板上；一封蓋，設(shè)置于該基板上，該基板與封蓋相配合可界定出一可容置該 芯片的容置空間；以及一密封材料與至少一凸柱，介于該基板與封蓋之間。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種氣密式芯片封裝方法及其裝置。該氣密式芯片封裝方法，包含提供一基板并在該基板上設(shè)置一芯片、提供一封蓋、在該封蓋與該基板之間設(shè)置一密封材料及一厚度大于該密封材料的凸柱、將該封蓋罩蓋于該基板上以形成一容置該芯片的容置空間，同時(shí)，該封蓋與該基板間會(huì)因該凸柱而形成一氣流通道；以及進(jìn)行一密封步驟，其是在一惰性氣體的氛圍中，加熱該密封材料，使得該基板與封蓋借由該密封材料緊密地結(jié)合固定并使該容置容間成為一封閉式空間。該凸柱而形成的氣流通道，能易于抽出內(nèi)部氣體，并且只需于該密封步驟通入惰性氣體即可，以降低成本并簡(jiǎn)化制程。
文檔編號(hào)H01L21/52GK101217120SQ20081000102
公開(kāi)日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2008年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月10日
發(fā)明者彭勝揚(yáng), 楊國(guó)賓, 王盟仁 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司