專利名稱：偏移準(zhǔn)雙導(dǎo)天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及天線，并且更具體地涉及雙導(dǎo)(twin lead)天線的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
印刷電路被廣泛地應(yīng)用。印刷電路典型地在頻率上為寬帶并且提供 了緊湊和質(zhì)輕的電路。它們制造起來(lái)經(jīng)濟(jì)并且對(duì)于許多天線應(yīng)用是共同 的。許多不同的傳輸線普遍地應(yīng)用于微波集成電路。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中已知的微帶線10的截面圖。該微帶線10是具有 位于介電基板14的一面上的單個(gè)導(dǎo)體跡線(conductor trace) 12以及位 于相對(duì)面16上的單個(gè)接地平面的傳輸線布置(geometry)。電磁場(chǎng)線18 表示該電磁場(chǎng)部分存在于該介電基板14上方的空間中并且部分存在于該 介電基板14自身中。由于是開(kāi)放結(jié)構(gòu)，微帶線比帶狀線型傳輸線或者其 他具有封閉結(jié)構(gòu)的傳輸線具有顯著的制造優(yōu)勢(shì)。
微帶線典型地具有范圍為20至120歐姆的特征線阻抗，該特征線阻 抗是基于單個(gè)導(dǎo)體跡線12的寬度W以及介電基板14的高度H相對(duì)于基 板材料的介電常數(shù)計(jì)算出來(lái)的。圖2為示出了對(duì)于W/H (寬高比)值范 圍和介電常數(shù)范圍的特征線阻抗范圍的曲線圖。通常，需要在單個(gè)介電 基板14上設(shè)計(jì)多條傳輸線，其通常意味著為所有的傳輸線的需要而選擇 具有特定介電常數(shù)的單個(gè)基板高度。為了匹配的目的以及其他考慮，需 要和/或期望在選中的單個(gè)介電基板上構(gòu)造具有變化阻抗的傳輸線。因此， 可用的特征線阻抗范圍對(duì)于設(shè)計(jì)傳輸線的靈活性是有用的。
圖3是現(xiàn)有技術(shù)中已知的雙導(dǎo)線110的截面圖。該雙導(dǎo)線110為在 介電基板114的一面上具有頂部導(dǎo)體跡線112以及在相對(duì)面上具有底部 導(dǎo)體跡線116的傳輸線布置。該底部導(dǎo)體跡線116具有與頂部導(dǎo)體跡線112的寬度W類似的寬度W。電磁場(chǎng)線118表示該電磁場(chǎng)部分存在于該 介電基板114上方的空間中并且部分存在于該介電基板114自身中。該 雙導(dǎo)線110為開(kāi)放結(jié)構(gòu)，類似于微帶線10。
雙導(dǎo)線110典型地具有范圍為40至100歐姆的特征線阻抗，該特征 線阻抗是基于單個(gè)導(dǎo)體跡線112和底部導(dǎo)體跡線116的共同寬度W以及 介電基板114的高度H相對(duì)于基板材料的介電常數(shù)計(jì)算出來(lái)的。圖4為 示出了對(duì)于W/H值的范圍和FR4基板的特征線阻抗范圍的曲線圖。在天 線應(yīng)用中，雙導(dǎo)線110可能比微帶線IO更為合適，這是由于雙導(dǎo)線110 提供了對(duì)于給偶極振子饋電有用的平衡傳輸線。然而，雙導(dǎo)線110的缺 點(diǎn)是對(duì)于單個(gè)基板厚度來(lái)說(shuō)可用的特征線阻抗范圍受限。如此處提到的， 寬范圍的可用的特征線阻抗對(duì)于設(shè)計(jì)傳輸線的靈活性來(lái)說(shuō)是有用的。
雙導(dǎo)線可以類似地應(yīng)用于傳輸線濾波器。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已 知的，傳輸線濾波器利用阻抗匹配來(lái)工作。因此，具有寬范圍的可用傳 輸線阻抗對(duì)于設(shè)計(jì)傳輸線濾波器的靈活性來(lái)說(shuō)是有用的。
因此，行業(yè)中存在用于解決上述缺陷和不足的迄今未解決的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種用于提供偏移準(zhǔn)雙導(dǎo)天線的系統(tǒng)和方 法。簡(jiǎn)要地描述，在構(gòu)造上，系統(tǒng)的其中一個(gè)實(shí)施方式可以如下來(lái)實(shí)現(xiàn)。 準(zhǔn)雙導(dǎo)線包括具有第一面和相對(duì)面的介電基板。頂部導(dǎo)體跡線與該介電 基板的第一面一體形成。頂部導(dǎo)體跡線具有頂部導(dǎo)體軸、頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度、 以及頂部導(dǎo)體寬度，其中該頂部導(dǎo)體寬度沿著頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度是基本不變 的。相對(duì)跡線與介電基板的相對(duì)面一體形成。該相對(duì)跡線具有與頂部導(dǎo) 體長(zhǎng)度和頂部導(dǎo)體寬度基本一致的相對(duì)長(zhǎng)度和相對(duì)寬度。相對(duì)跡線也具 有與頂部導(dǎo)體軸基本平行的相對(duì)軸，其中包括頂部導(dǎo)體軸和相對(duì)軸兩者 的平面相對(duì)于介電基板是傾斜的。
本發(fā)明同樣可以看作提供了用于提供偏置準(zhǔn)雙導(dǎo)天線的方法。在這 點(diǎn)上，這種方法的其中一個(gè)實(shí)施方式可以通過(guò)下述步驟粗略地概括提 供具有第一面和相對(duì)面的介電基板；在介電基板的第一面上施加頂部導(dǎo)體跡線，所述頂部導(dǎo)體跡線具有頂部導(dǎo)體軸、頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度、以及頂部 導(dǎo)體寬度，其中所述頂部導(dǎo)體寬度沿著所述頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度是基本不變的; 以及在所述介電基板的相對(duì)面上施加相對(duì)跡線，所述相對(duì)跡線具有與所 述頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度和所述頂部導(dǎo)體寬度基本一致的相對(duì)長(zhǎng)度和相對(duì)寬度， 所述相對(duì)跡線還具有與所述頂部導(dǎo)體軸基本平行的相對(duì)軸，其中包括所 述頂部導(dǎo)體軸和所述相對(duì)軸兩者的平面相對(duì)于所述介電基板是傾斜的。
在對(duì)以下附圖和詳細(xì)描述進(jìn)行考察之后，本發(fā)明的其他系統(tǒng)、方法、 特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是或?qū)?huì)變得明顯。所有這些另外的 系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)旨在被包括在本描述中，包括在本發(fā)明的范圍 中并且被所附的權(quán)利要求保護(hù)。


參照下面的附圖可以更好地理解本發(fā)明的很多方面。圖中的部件不 需要按比例繪制，而重點(diǎn)放在清楚地示出本發(fā)明的原理。此外，在這些 圖中，相同的附圖標(biāo)記表示貫穿數(shù)個(gè)圖的相應(yīng)部分。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中已知的微帶線的截面圖。
圖2為示出了對(duì)于圖1中的微帶線的W/H值范圍和介電常數(shù)范圍的 特征線阻抗范圍的曲線圖。
圖3為現(xiàn)有技術(shù)中已知的雙導(dǎo)線的截面圖。
圖4為示出了對(duì)于圖3中的雙導(dǎo)線W/H值范圍和介電常數(shù)范圍的特
征線阻抗范圍的曲線圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的準(zhǔn)雙導(dǎo)線的截面圖。 圖6為示出了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的對(duì)于圖5中的準(zhǔn)
雙導(dǎo)線的W/H值范圍和介電常數(shù)范圍的特征線阻抗范圍的曲線圖。 圖7為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的偶極天線的截面圖。 圖8為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的圖7的偶極天線的透視圖。
圖9為例示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的上述準(zhǔn)雙導(dǎo)線的 提供方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
圖5為根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的準(zhǔn)雙導(dǎo)線210的截面圖。 準(zhǔn)雙導(dǎo)線210包括具有第一面230和相對(duì)面232的介電基板214。頂部導(dǎo) 體跡線212與介電基板214的第一面230 —體形成。頂部導(dǎo)體跡線212 具有頂部導(dǎo)體軸234、頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度(未示出)、以及頂部導(dǎo)體寬度Wtct， 其中頂部導(dǎo)體寬度Wtet沿著頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度是基本不變的。相對(duì)跡線216 與介電基板214的相對(duì)面232 —體形成。相對(duì)跡線216具有與頂部導(dǎo)體 長(zhǎng)度和頂部導(dǎo)體寬度Wtet—致的相對(duì)長(zhǎng)度(未示出)和相對(duì)寬度W。t。相
對(duì)跡線216也具有與頂部導(dǎo)體軸234基本平行的相對(duì)軸236，其中包括頂 部導(dǎo)體軸234和相對(duì)軸236兩者的平面238相對(duì)于介電基板214是傾斜的。
圖5中的準(zhǔn)雙導(dǎo)線210和圖3中的雙導(dǎo)線110的不同之處在于在圖5 中雙跡線相對(duì)地偏移了距離S。使雙跡線相對(duì)于距離S進(jìn)行偏移改變了特 征線阻抗。電磁場(chǎng)線218表示了存在于介電基板214中的電磁場(chǎng)。如通 過(guò)將圖5與圖3進(jìn)行比較能夠容易地辨識(shí)的，偏移越大，電磁場(chǎng)線218 越長(zhǎng)。并且，電磁場(chǎng)線218越長(zhǎng)，特征線阻抗越大。
圖6為示出了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的對(duì)于圖5中的準(zhǔn) 雙導(dǎo)線210的W/H值范圍和介電常數(shù)范圍的特征線阻抗范圍的曲線圖。 圖6的曲線圖被限制為0.76mm的FR4基板，但在不脫離本發(fā)明的范圍的 情況下，可以采用其他介電材料和厚度。如曲線圖所示，可以僅通過(guò)將 頂部導(dǎo)體寬度Wtct和相對(duì)寬度W。t控制在l.Omm和3.0mm之間并通過(guò)將 偏移距離S控制在0.5mm和3.0mm之間而使特征線阻抗在40-200歐姆 之間變化。這些寬度和偏移的范圍是示例性的并且為了曲線圖的目的而 被提供。最小寬度和最大寬度相對(duì)于設(shè)計(jì)限制來(lái)說(shuō)，更多地是由功率限 制和可接受的尺寸變化決定的。在這些范圍之外的值被認(rèn)為是處于本發(fā) 明的范圍之內(nèi)。
準(zhǔn)雙導(dǎo)線210可被用于傳輸信號(hào)、接收信號(hào)、和/或?qū)π盘?hào)進(jìn)行濾波。 存在適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)以使用被設(shè)計(jì)用于提供與較低或較高阻抗相匹配的帶通的濾波器。在服從于Bode-Fano極限的限制的情況下，該技術(shù)允許帶通 的剪裁(tailoring)以獲得最好的可能匹配。用雙導(dǎo)線改變阻抗的阻抗匹 配和/或使用的應(yīng)用對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是公知的。因此，本領(lǐng)域 技術(shù)人員會(huì)理解如何使用此處公開(kāi)的準(zhǔn)雙導(dǎo)線210來(lái)傳輸/接收信號(hào)和/ 或?qū)π盘?hào)進(jìn)行濾波。
圖7為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的偶極天線310的截面圖。 圖8為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的圖7的偶極天線310的透視 圖。偶極天線310包括具有第一面330和相對(duì)面332的介電基板314。頂 部導(dǎo)體跡線312與介電基板314的第一面330 —體形成。頂部導(dǎo)體跡線 312具有頂部導(dǎo)體軸334、頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度340、以及頂部導(dǎo)體寬度Wtct， 其中頂部導(dǎo)體寬度Wtet沿著頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度340是基本不變的。相對(duì)跡線 316與介電基板314的相對(duì)面332 —體形成。相對(duì)跡線316具有與頂部導(dǎo) 體長(zhǎng)度340和頂部導(dǎo)體寬度Wtet基本一致的相對(duì)長(zhǎng)度342和相對(duì)寬度W。t。 相對(duì)跡線316也具有與頂部導(dǎo)體軸334基本平行的相對(duì)軸336，其中包括 頂部導(dǎo)體軸334和相對(duì)軸336兩者的平面相對(duì)于介電基板314是傾斜的。
偶極天線310還包括與頂部導(dǎo)體跡線312電性通信(electrical communication)的頂部導(dǎo)體饋線344以及與相對(duì)跡線316電性通信的相 對(duì)饋線346。頂部導(dǎo)體饋線344和相對(duì)饋線346可經(jīng)由饋源347輪流饋電。 如圖所示，頂部導(dǎo)體寬度Wtet大約在0.5mm和5.0mm之間，并且頂部導(dǎo) 體長(zhǎng)度340至少為7.0mm。
在第二示例性實(shí)施方式中，頂部導(dǎo)體跡線312和相對(duì)跡線316并不 與介電基板314的相同部分的相對(duì)兩面交疊?？蓮牡谝皇纠詫?shí)施方式 的圖6的曲線圖中推論出，比偏移距離S小的跡線寬度不會(huì)與介電基板 314的相同部分的相對(duì)兩面交疊。比偏移距離S大的跡線寬度會(huì)與介電基 板314的相同部分的相對(duì)兩面交疊。進(jìn)一步，介電基板314的相同部分 具有尺寸為Wtet-S的寬度以及近似等于頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度340的長(zhǎng)度。
如圖8所示，偶極天線310還包括從頂部導(dǎo)體跡線312延伸出來(lái)的 頂部延伸跡線348以及從相對(duì)跡線316延伸出來(lái)的相對(duì)延伸跡線350，其 中頂部延伸跡線348與相對(duì)延伸跡線350相對(duì)于平面相對(duì)地對(duì)稱設(shè)置。頂部延伸跡線348和相對(duì)延伸跡線350可由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的 多種形狀中的任何一種構(gòu)造而成，并且特別的，可在不脫離本發(fā)明范圍 的情況下對(duì)圖7中所示的偶極設(shè)計(jì)進(jìn)行修改以得到對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員己知的任何偶極設(shè)計(jì)。
圖9為例示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的上述準(zhǔn)雙導(dǎo)線 210的提供方法的流程圖400。應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員均 能理解，任何過(guò)程描述或是流程圖中的塊均應(yīng)理解為表示包括一個(gè)或更 多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)過(guò)程中的具體邏輯功能的指令的模塊、片段、代碼部分、 或步驟，并且替換的實(shí)現(xiàn)方式也包括在本發(fā)明的范圍之內(nèi)，其中功能可 根據(jù)涉及的功能性由示出或討論的順序(包括基本同時(shí)或倒序)來(lái)執(zhí)行。
如塊402所示，提供具有第一面230和相對(duì)面232的介電基板214。 在介電基板214的第一面230上施加頂部導(dǎo)體跡線212 (塊404)。頂部 導(dǎo)體跡線212具有頂部導(dǎo)體軸234、頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度、以及頂部導(dǎo)體寬度 Wtct，其中頂部導(dǎo)體寬度W^沿著頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度是基本不變的。在介電基 板214的相對(duì)面232上施加相對(duì)跡線216 (塊406)。相對(duì)跡線216具有 與頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度和頂部導(dǎo)體寬度Wtet基本一致的相對(duì)長(zhǎng)度和相對(duì)寬度 W。t。相對(duì)跡線216還具有與頂部導(dǎo)體軸234基本平行的相對(duì)軸236。施 加相對(duì)跡線216以使得包括頂部導(dǎo)體軸234和相對(duì)軸236兩者的平面238 相對(duì)于介電基板214是傾斜的(塊40S)。
圖9中公開(kāi)的方法的一個(gè)好處在于能夠?yàn)闇?zhǔn)雙導(dǎo)線210提供寬范圍 的特征線阻抗。同樣的，方法的一個(gè)附加步驟可相對(duì)于頂部導(dǎo)體跡線214 設(shè)置相對(duì)跡線216的偏移距離S以獲得期望的特征線阻抗。
需要強(qiáng)調(diào)的是本發(fā)明的上述實(shí)施方式，特別地，任何"優(yōu)選"實(shí)施方 式，僅僅為實(shí)現(xiàn)方式的可能示例，僅僅用于清楚地理解本發(fā)明的原理。 在基本不脫離本發(fā)明的精神和原理的情況下，可以對(duì)本發(fā)明的上述實(shí)施 方式做出許多變化和修改。所有的這些修改和變化旨在被包括在本公開(kāi) 和本發(fā)明的范圍內(nèi)，并且由后面的權(quán)利要求保護(hù)。
權(quán)利要求
1.一種天線裝置，該天線裝置包括具有第一面和相對(duì)面的介電基板；位于所述介電基板的所述第一面上的頂部導(dǎo)體跡線，所述頂部導(dǎo)體跡線具有頂部導(dǎo)體軸、頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度、以及頂部導(dǎo)體寬度，其中所述頂部導(dǎo)體寬度沿著所述頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度是基本不變的；以及位于所述介電基板的所述相對(duì)面上的相對(duì)跡線，所述相對(duì)跡線具有與所述頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度和所述頂部導(dǎo)體寬度基本一致的相對(duì)長(zhǎng)度和相對(duì)寬度，所述相對(duì)跡線還具有與所述頂部導(dǎo)體軸基本平行的相對(duì)軸，其中包括所述頂部導(dǎo)體軸和所述相對(duì)軸兩者的平面相對(duì)于所述介電基板是傾斜的。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線裝置，該天線裝置還包括與所述頂部 導(dǎo)體跡線電性通信的頂部導(dǎo)體饋線；以及與所述相對(duì)跡線電性通信的相 對(duì)饋線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線裝置，其中所述頂部導(dǎo)體寬度大約在 0.5mm和5.0mm之間，并且所述頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度至少為7.0mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的天線裝置，其中所述頂部導(dǎo)體跡線和所述 相對(duì)跡線來(lái)與所述介電基板的相同部分的相對(duì)兩面交疊。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線裝置，該天線裝置還包括從所述頂部 導(dǎo)體跡線延伸出來(lái)的頂部延伸跡線以及從所述相對(duì)跡線延伸出來(lái)的相對(duì) 延伸跡線，其中關(guān)于所述平面相對(duì)于所述相對(duì)延伸跡線對(duì)稱地設(shè)置所述 頂部延伸跡線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的天線裝置，該天線裝置還包括頂部導(dǎo)體跡 線和相對(duì)跡線的附加的對(duì)，以提高天線增益。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線裝置，該天線裝置還包括拋物面反射 器和角形反射器的其中之一，以提高天線增益。
8. —種裝配天線裝置的方法，該方法包括以下步驟 在介電基板的第一面上施加頂部導(dǎo)體跡線，所述頂部導(dǎo)體跡線具有頂部導(dǎo)體軸、頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度、以及頂部導(dǎo)體寬度，其中所述頂部導(dǎo)體寬 度沿著所述頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度是基本不變的；以及在所述介電基板的相對(duì)面上施加相對(duì)跡線，所述相對(duì)跡線具有與所 述頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度和所述頂部導(dǎo)體寬度基本一致的相對(duì)長(zhǎng)度和相對(duì)寬度， 所述相對(duì)跡線還具有與所述頂部導(dǎo)體軸基本平行的相對(duì)軸，其中包括所 述頂部導(dǎo)體軸和所述相對(duì)軸兩者的平面相對(duì)于所述介電基板是傾斜的。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，該方法還包括相對(duì)于所述頂部導(dǎo)體 跡線設(shè)置所述相對(duì)跡線的偏移距離，以獲得期望的特征線阻抗。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，該方法還包括使用所述頂部導(dǎo)體 跡線和所述相對(duì)跡線對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，該方法還包括將頂部導(dǎo)體饋線連接 到所述頂部導(dǎo)體跡線；以及將相對(duì)饋線連接到所述相對(duì)跡線。
12. —種天線裝置，該天線裝置包括 具有第一面和大致的相對(duì)面的介電基板；耦合到所述介電基板的所述第一面并且具有軸的上導(dǎo)體跡線；以及 耦合到所述介電基板的所述相對(duì)面的相對(duì)跡線，所述相對(duì)跡線具有與所述上導(dǎo)體跡線的所述軸基本平行的軸，所述兩個(gè)軸彼此偏移，使得包括這兩個(gè)軸的平面相對(duì)于所述介電基板是傾斜的。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的天線裝置，其中包括所述兩個(gè)軸的平面 相對(duì)于所述介電基板的軸傾斜。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的天線裝置，其中 所述上導(dǎo)體跡線的所述軸是所述上導(dǎo)體跡線的縱向中心軸； 所述相對(duì)導(dǎo)體跡線的所述軸是所述相對(duì)導(dǎo)體跡線的縱向中心軸；并且所述介電基板的所述軸是所述介電基板的縱向中心軸。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的天線裝置，其中所述上導(dǎo)體跡線包括長(zhǎng)度以及沿著所述長(zhǎng)度基本不變的寬度；并且 所述相對(duì)跡線包括與所述上導(dǎo)體跡線的所述長(zhǎng)度和寬度基本一致的 長(zhǎng)度和寬度。
全文摘要
準(zhǔn)雙導(dǎo)線包括具有第一面和相對(duì)面的介電基板。頂部導(dǎo)體跡線與該介電基板的第一面一體形成。頂部導(dǎo)體跡線具有頂部導(dǎo)體軸、頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度、以及頂部導(dǎo)體寬度，其中該頂部導(dǎo)體寬度沿著頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度是基本不變的。相對(duì)跡線與介電基板的相對(duì)面一體形成。該相對(duì)跡線具有與頂部導(dǎo)體長(zhǎng)度和頂部導(dǎo)體寬度基本一致的相對(duì)長(zhǎng)度和相對(duì)寬度。相對(duì)跡線也具有與頂部導(dǎo)體軸基本平行的相對(duì)軸，其中包括頂部導(dǎo)體軸和相對(duì)軸兩者的平面相對(duì)于介電基板是傾斜的。
文檔編號(hào)H01Q15/02GK101529656SQ200780038941
公開(kāi)日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2007年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月25日
發(fā)明者安德斯·延森, 約翰·桑福德 申請(qǐng)人:卡施卡拉夫特公司