專利名稱：ka波段毫米波功率放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬功率放大器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ka波段毫米波功率放大器。
背景技術(shù)：
毫米波高速寬帶無(wú)線收發(fā)系統(tǒng)進(jìn)行頻率變換后，需要有毫米波功率放大器給混頻器 混頻的信號(hào)濾波后進(jìn)行放大發(fā)射出去，因此毫米波功率放大器成了很重要的組成部分。 毫米波高速寬帶無(wú)線收發(fā)系統(tǒng)要求毫米波功率放大器有較高的輸出功率、高的輸出三階 交調(diào)點(diǎn)(0IP3)、較低的回波損耗、適宜的增益平坦度、高增益等，但市場(chǎng)上一般的毫 米波功率放大器由于器件結(jié)構(gòu)、材料上的不足很難同時(shí)保證上述要求，或是結(jié)構(gòu)復(fù)雜， 不易調(diào)試，生產(chǎn)量受到限制。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品的不足，提供一種技術(shù)指標(biāo)較為優(yōu)良的Ka波 段毫米波功率放大器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于調(diào)試，能有效地滿足Ka波段毫米波高速寬帶無(wú) 線收發(fā)系統(tǒng)的要求。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是ka波段毫米波功率放大器，包括由盒體、微帶探針、兩 級(jí)MMIC芯片、鍍金隔離片、阻抗線和介質(zhì)板組成，盒體兩端設(shè)有空腔，構(gòu)成矩形波導(dǎo)， 微帶探針插在所述矩形波導(dǎo)中央E面并與E面平行，阻抗線連接微帶探針與兩級(jí)MMIC 芯片，鍍金隔離片位于兩級(jí)MMIC芯片之間，畫IC芯片、隔離片、阻抗線均分布于介質(zhì) 板上，介質(zhì)板固定在盒體內(nèi)。
本實(shí)用新型MMIC芯片優(yōu)選GaAs材料毫米波芯片，其工藝水平很高，性能好，設(shè)計(jì) 電路時(shí)比較簡(jiǎn)單，不需要過多考慮匹配方面的問題，并且調(diào)試方便，易于批量生產(chǎn)；兩 級(jí)麗IC芯片之間設(shè)置鍍金隔離片以隔離兩級(jí)功放的電磁干擾；阻抗線為銅皮鍍金，容 易實(shí)現(xiàn)；介質(zhì)板直接焊接在盒體內(nèi)固定。
本實(shí)用新型具有優(yōu)良的技術(shù)指標(biāo)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易實(shí)現(xiàn)，調(diào)試方便。由波導(dǎo)-微帶探 針構(gòu)成的輸出輸入端口插損小，成本低；隔離片可以防止兩級(jí)功放間的互相干擾，提高 了放大器的穩(wěn)定性。


圖1為本實(shí)用新型盒體內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的參數(shù)曲線圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型的盒體兩端設(shè)有空腔7，構(gòu)成矩形波導(dǎo)，微帶探針2插在 所述矩形波導(dǎo)中央E面并與E面平行，阻抗線5連接微帶探針2與兩級(jí)MMIC芯片3， 鍍金隔離片4位于兩級(jí)MMIC芯片3之間，兩級(jí)MMIC芯片3、隔離片4、阻抗線5均分 布于介質(zhì)板6上，介質(zhì)板6直接焊接在盒體1內(nèi)。其中，MMIC芯片選用GaAs材料毫米 波芯片；阻抗線是在介質(zhì)板上敷以一定厚度和寬度的銅皮，鍍涂金即可；介質(zhì)板使用 Rogers公司的RT5880介質(zhì)板，其在Ka波段損耗比較小。
通常的毫米波功率放大器是在軟件中建立整個(gè)器件的模型，設(shè)定功率放大器的所需 參數(shù)，然后求出放大器的盒體最佳尺寸，本實(shí)用新型的盒體和隔離片尺寸也由此得到。
下面是在具體毫米波高速寬帶無(wú)線收發(fā)系統(tǒng)指標(biāo)要求下，本實(shí)用新型的測(cè)試結(jié)果
指標(biāo)要求
a. 輸入頻率 38 40GHz
b. 增 益 》35dB
c. P—1: >25dBm
d. 三階交調(diào) >20dBc
e. 雜散輸出 《-60dBc
f. 增益平坦度 ±1.5dB
g. 功 耗 《20W
h. 工作電壓 +6V
i. 工作溫度 -40°C +65°C j.貯存溫度 -55°C +70°C k.輸入駐波 〈1.8
輸出駐波 <1.3 1.輸入/輸出接口 WR28
本實(shí)用新型測(cè)試結(jié)果S參數(shù)圖如圖2所示。
權(quán)利要求1、ka波段毫米波功率放大器，其特征在于包括由盒體(1)、微帶探針(2)、兩級(jí)MMIC芯片(3)、鍍金隔離片(4)、阻抗線(5)和介質(zhì)板(6)組成，盒體兩端設(shè)有空腔(7)，構(gòu)成矩形波導(dǎo)，微帶探針(2)插在所述矩形波導(dǎo)中央E面并與E面平行，阻抗線(5)連接微帶探針(2)與兩級(jí)MMIC芯片(3)，鍍金隔離片(4)位于兩級(jí)MMIC芯片(3)之間，兩級(jí)MMIC芯片(3)、隔離片(4)、阻抗線(5)均分布于介質(zhì)板(6)上，介質(zhì)板(6)固定在盒體(1)內(nèi)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的ka波段毫米波功率放大器，其特征在于兩級(jí)畫IC芯片 (3)為GaAs材料毫米波芯片。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的ka波段毫米波功率放大器，其特征在于使用銅皮鍍 金的50ohm的匹配阻抗線。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的ka波段毫米波功率放大器，其特征在于介質(zhì)板焊接 在盒體內(nèi)，使用Rogers公司的RT5880介質(zhì)板。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的ka波段毫米波功率放大器，其特征在于介質(zhì)板焊接在盒 體內(nèi)，使用Rogers公司的RT5880介質(zhì)板。
專利摘要ka波段毫米波功率放大器，包括由盒體、微帶探針、兩級(jí)MMIC芯片、鍍金隔離片、阻抗線和介質(zhì)板組成，盒體兩端設(shè)有空腔，構(gòu)成矩形波導(dǎo)，微帶探針插在所述矩形波導(dǎo)中央E面并與E面平行，阻抗線連接微帶探針與兩級(jí)MMIC芯片，鍍金隔離片位于兩級(jí)MMIC芯片之間，MMIC芯片、隔離片、阻抗線均分布于介質(zhì)板上，介質(zhì)板固定在盒體內(nèi)。本實(shí)用新型具有優(yōu)良的技術(shù)指標(biāo)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易實(shí)現(xiàn)，調(diào)試方便。由波導(dǎo)-微帶探針構(gòu)成的輸出輸入端口插損小，成本低；隔離片可以防止兩級(jí)功放間的互相干擾，提高了放大器的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01P3/00GK201069816SQ20072004031
公開日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2007年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月20日
發(fā)明者惲才華 申請(qǐng)人:南京才華科技集團(tuán)有限公司