專利名稱：電解電容連接排的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電力自動(dòng)化產(chǎn)品，尤其是電網(wǎng)靜止同步補(bǔ)償器用安 裝板的結(jié)構(gòu)，具體地說是一種電解電容連接排。
技術(shù)背景目前，電網(wǎng)諧波污染問題日益嚴(yán)重，人們對供電可靠性和電能質(zhì)量的要求卻越來越高。配電網(wǎng)靜止同步補(bǔ)償器(DSTATC0M)可以克服無源濾波器等 傳統(tǒng)諧波抑制產(chǎn)品的缺點(diǎn)，以其卓越的濾波性能受到廣泛關(guān)注。近幾年來， 數(shù)字信號處理技術(shù)的高速發(fā)展，使得以數(shù)字化控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)的有源電力濾波 器成為電力電子技術(shù)中新的研究熱點(diǎn)。但令人遺憾的是，國內(nèi)現(xiàn)在對大容量 DSTATCOM的研發(fā)還處于起步階段，主電路結(jié)構(gòu)比較簡陋，可靠性不高，整體 構(gòu)架不清晰，拆卸性能不佳等。這幾年來，雖然在裝置的結(jié)構(gòu)上作了一些變 化，但它仍然存在-1. 銅導(dǎo)線連接，雜散電感大直流母排與直流側(cè)的電解電容采用銅線連 接，結(jié)構(gòu)不緊湊，美觀性差，而且在接觸處的載流量小，直流側(cè)雜散電感大。2. IGBT管易過壓被擊穿直流母排與直流側(cè)的電解電容采用銅線連接， 因雜散電感大，在IGBT關(guān)斷過程中，會(huì)產(chǎn)生電壓過沖，若其值超過IGBT的 集電極發(fā)射極額定電壓時(shí)，易損壞IGBT管。3. 絕緣配合不好，存在安全隱患。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有的基于DSTATC0M的主電路存在的結(jié)構(gòu)比 較簡陋，可靠性不高，整體構(gòu)架不清晰，拆卸性能不佳的問題，設(shè)計(jì)一種主 電路雜散電感小、結(jié)構(gòu)可靠的電解電容連接排來解決上述問題。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是-一種電解電容連接排，至少包括兩組并聯(lián)的電解電容組，每組電解電容
組至少有兩個(gè)電解電容l串接而成，其特征是每組電解電容組中的相鄰電解電容1的正極3和負(fù)極2通過銅連接排4串接相連，各電解電容組一端的電 解電容1的負(fù)極2通過負(fù)銅連接排5相并聯(lián)，負(fù)銅連接排5與對應(yīng)的負(fù)母排 6相連，各電解電容組另一端的電解電容1的正極3通過正銅連接排8相并 聯(lián)，正銅連接排8與正母排7相連。具體而言，所述的電解電容組的數(shù)量可為4個(gè)，每組電解電容組可由三 個(gè)電解電容1通過兩塊銅連接排4串接相連，每兩組電解電容組一端的電解 電容1的負(fù)極2通過負(fù)銅連接排5并聯(lián)后與對應(yīng)的負(fù)母排6相連，每兩組電 解電容組另一端的電解電容1的正極3均通過正銅連接排8相并連后與正母 排7相連。本實(shí)用新型的有益效果1. 主電路可靠主電路盡可能的減小雜散電感，防止直流側(cè)產(chǎn)生較大的 電壓過沖。2. 主電路結(jié)構(gòu)清晰機(jī)械結(jié)構(gòu)和電氣結(jié)構(gòu)對應(yīng)，結(jié)構(gòu)清晰，便于作者調(diào) 試和維護(hù)。3. 銅排連接處載流量大由于DSTATCOM直流側(cè)瞬間有較大電流流過， 通過銅排連接，連接處載流量大，而且安裝牢靠。


圖1是本實(shí)用新型的等效電原理圖。 圖2是本實(shí)用新型的雜散電感和電流回路之間關(guān)系示意圖。 圖3是本實(shí)用新型的電解電容連接排結(jié)構(gòu)示意圖。 圖4是圖3的左視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。 如圖3、 4所示。一種電解電容連接排，由四組并聯(lián)的電解電容組相連而成，每組電解電 容組有三個(gè)電解電容1通過兩塊銅連接排4串接相連，每兩組電解電容組一 端的電解電容1的負(fù)極2通過負(fù)銅連接排5 (共2塊，如圖3)并聯(lián)后與對應(yīng)
的負(fù)母排6 (共2塊負(fù)母排6，見圖3)相連，每兩組電解電容組另一端的電 解電容1的正極3均通過正銅連接排8 (—塊)相并連后與正母排7相連， 如圖4所示。本實(shí)用新型未涉及部分與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。 以下是本實(shí)用新型的電氣原理說明-忽略IGBT內(nèi)部的封裝電感和結(jié)間電容后，本實(shí)用新型的簡化電路如圖1。 在IGBT關(guān)斷過程中，有式中U^為直流電容C,電壓；4是IGBT電流變化率，對于IGBT來說，在開 通和關(guān)斷器件電流變化率很大；L是直流母線雜散電感，L= L, +L2。雜散電感L產(chǎn)生的電壓疊加到Uoc上，瞬間產(chǎn)生很高電壓。由于IGBT內(nèi) 部是集成電路芯片，耐壓能力十分有限，易造成雪崩擊穿。如果主電路布線 不合理，造成雜散電感很大，即使DSTATCOM設(shè)備輸出功率較小，產(chǎn)生的過電 壓輕易將IGBT擊穿。圖2顯示了雜散電感和電流回路之間關(guān)系。通常情況下，雜散電感與電 流回路面積有關(guān)，面積越大，雜散電感越大。若IGBT直流側(cè)電解電容與直流 母排直接用銅線連接，雜散電感高達(dá)數(shù)百鈉亨，遠(yuǎn)超過要求的50鈉亨。因此 本實(shí)用新型采用銅排連接，可大大減小雜散電感，增加載流量，結(jié)構(gòu)更加緊 湊，可以非常結(jié)實(shí)地固定，有效地減小了電流回路面積，保證DSTATCOM可靠 工作。
權(quán)利要求1、一種電解電容連接排，至少包括兩組并聯(lián)的電解電容組，每組電解電容組至少有兩個(gè)電解電容(1)串接而成，其特征是每組電解電容組中的相鄰電解電容(1)的正極(3)和負(fù)極(2)通過銅連接排(4)串接相連，各電解電容組一端的電解電容(1)的負(fù)極(2)通過負(fù)銅連接排(5)相并聯(lián)，負(fù)銅連接排(5)與對應(yīng)的負(fù)母排(6)相連，各電解電容組另一端的電解電容(1)的正極(3)通過正銅連接排(8)相并聯(lián)，正銅連接排(8)與正母排(7)相連。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解電容連接排，其特征是所述的電解電容組的數(shù) 量為4個(gè)，每組電解電容組由三個(gè)電解電容(1)通過兩塊銅連接排(4)串 接相連，每兩組電解電容組一端的電解電容(1)的負(fù)極(2)通過負(fù)銅連接 排(5)并聯(lián)后與對應(yīng)的負(fù)母排(6)相連，每兩組電解電容組另一端的電解 電容(1)的正極(3)均通過正銅連接排(8)相并聯(lián)后與正母排(7)相連。
專利摘要一種電解電容連接排，屬于電力技術(shù)領(lǐng)域，它至少包括兩組并聯(lián)的電解電容組，每組電解電容組至少有兩個(gè)電解電容(1)串接而成，其特征是每組電解電容組中的相鄰電解電容(1)的正極(3)和負(fù)極(2)通過銅連接排(4)串接相連，各電解電容組一端的電解電容(1)的負(fù)極(2)通過負(fù)銅連接排(5)相并聯(lián)，負(fù)銅連接排(5)與對應(yīng)的負(fù)母排(6)相連，各電解電容組另一端的電解電容(1)的正極(3)通過正銅連接排(8)相并聯(lián)，正銅連接排(8)與正母排(7)相連。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有的DSTATCOM的主電路存在的結(jié)構(gòu)比較簡陋，可靠性不高，整體構(gòu)架不清晰，拆卸性能不佳的問題，具有主電路雜散電感小、結(jié)構(gòu)可靠的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01G9/26GK201036176SQ200720036930
公開日2008年3月12日 申請日期2007年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月11日
發(fā)明者張紫賢, 詹國敏, 趙海泉, 東 韋 申請人:南京鈦能電氣有限公司