專利名稱：透反射型液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種透反射(透射-反射)型液晶顯示面板及其制造方 法，并且特別是，涉及一種通過像素區(qū)域的反射部分內(nèi)的耦合電容器使反射曲 線與透射曲線匹配從而能夠?qū)崿F(xiàn)像素區(qū)域內(nèi)的均勻灰度級(jí)值的透反射型液晶 顯示面板。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(LCD)器件通過利用電場(chǎng)控制液晶的光透射率來顯示圖 像。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，液晶顯示器件大體被分為垂直電場(chǎng)施加模式和 水平電場(chǎng)施加模式。垂直電場(chǎng)施加模式液晶顯示器件通過在上基板上的公共電極和下基板上 的像素電極之間的垂直電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)扭曲向列TN模式的液晶，其中公共電極面 對(duì)像素電極。這種垂直電場(chǎng)施加模式液晶顯示器件具有高孔徑比的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí) 其具有窄視角的缺點(diǎn)。水平電場(chǎng)施加模式液晶顯示器件通過在形成在下基板上的像素電極和公 共電極之間的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)共平面開關(guān)IPS模式的液晶。這種水平電場(chǎng)施加模 式具有寬視角的優(yōu)點(diǎn)。同樣，液晶顯示器件大體可分為利用背光單元產(chǎn)生的光的透射型液晶顯示 器件和利用周圍環(huán)境光的反射型液晶顯示器件。透射型液晶顯示器件具有大功 耗的缺點(diǎn)。反射型液晶顯示器件在黑暗環(huán)境下不能顯示所需要的圖像，因?yàn)榉?射型液晶顯示器件利用周圍環(huán)境光。為了克服這些問題，研究和開發(fā)了透反射(透射-反射)型液晶顯示器件。 透反射型液晶顯示器件可以同時(shí)在透射模式和反射模式下工作，因?yàn)橥阜瓷湫鸵壕э@示器件同時(shí)具有透射部分和反射部分，由此使用來自背光單元的透射光 和周圍環(huán)境光。也就是說，如果具有足夠量的周圍環(huán)境光，那么透反射型液晶 顯示器件通過反射模式工作。相反，如果沒有足夠的周圍環(huán)境光，那么透反射 型液晶顯示器件利用背光單元產(chǎn)生的透射光通過透射模式工作。由此，與透射 型液晶顯示器件相比，透反射型液晶顯示器件可以降低功耗。另外，與反射型 液晶顯示器件不同，透反射型液晶顯示器件沒有周圍環(huán)境光的限制。以下，參考圖1解釋現(xiàn)有技術(shù)的透反射型液晶顯示器件及其結(jié)構(gòu)和操作。 如圖l所示，現(xiàn)有技術(shù)的透反射型液晶顯示器件在每個(gè)像素區(qū)域中包括透 射部分和反射部分，其既通過垂直電場(chǎng)也通過水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)。如圖1所示，透 反射型液晶顯示器件由包含多條線和薄膜晶體管的薄膜晶體管基板11，面對(duì) 薄膜晶體管基板11的濾色片基板21，以及形成在薄膜晶體管基板11和濾色片基板21之間的液晶層16構(gòu)成。薄膜晶體管基板11包括彼此交叉以限定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，與柵 線和數(shù)據(jù)線的交叉部分相鄰地形成的薄膜晶體管，形成在反射部分內(nèi)的有機(jī)絕緣膜18，形成在有機(jī)絕緣膜18上用于反射來自外部的入射光的反射電極60， 在透射部分內(nèi)作為與反射電極60相同的層形成的像素電極17，用于覆蓋反射 電極60和像素電極17的鈍化膜19，以及形成在鈍化膜19上用于與像素電極 17 —起形成水平電場(chǎng)的公共電極24。此時(shí)，現(xiàn)有技^:的透反射型水平電場(chǎng)模式液晶顯示器件在透射部分內(nèi)具有 盒間隙，由于形成在反射部分內(nèi)的有機(jī)絕緣膜18，透射部分內(nèi)的盒間隙大約 是反射部分內(nèi)的盒間隙的兩倍大，以便能夠補(bǔ)償反射部分和透射部分之間的相 位差，由此在像素區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻的亮度特性。為了形成用于在像素區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻亮度特性的雙盒間隙結(jié)構(gòu)，需要在反 射部分內(nèi)形成有機(jī)絕緣膜18的額外步驟，由此造成復(fù)雜的工序和低效率。為了解決具有雙盒間隙結(jié)構(gòu)的透反射型液晶顯示器件的問題，考慮和研究 了通過利用具有大階梯差補(bǔ)償特性的有機(jī)絕緣材料將像素區(qū)域的透射部分和 反射部分之間的階梯差去除的具有單一盒間隙結(jié)構(gòu)的透反射型液晶顯示器件。在具有單一盒間隙結(jié)構(gòu)的透反射型液晶顯示器件的情況下，如圖2所示，由于在反射部分和透射部分之間的液晶的有效折射率差，反射部分的反射曲線 和透射部分的透射曲線并不匹配。因此，在現(xiàn)有技術(shù)的具有單一盒伺隙結(jié)構(gòu)的透反射型液晶顯示面板中，難以使反射部分的反射曲線和透射部分的透射曲線 匹配，由此用于構(gòu)成像素區(qū)域的反射部分和透射部分具有不同的灰度級(jí)。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明涉及一種透反射型液晶顯示面板及其制造方法，其實(shí)質(zhì)上消 除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。本發(fā)明的目的是提供一種能夠通過像素區(qū)域的反射部分中的耦合電容器 使反射曲線和透射曲線匹配而能夠在像素區(qū)域內(nèi)形成均勻的灰度級(jí)的透反射 型液晶顯示面板。本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在隨后的描述中進(jìn)行部分闡述，并且對(duì) 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言從對(duì)后面內(nèi)容的驗(yàn)證或者可能從本發(fā)明的實(shí)踐中學(xué) 習(xí)到的內(nèi)容可以在某種程度上變得更加清楚。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可以通 過在書面的說明書及其權(quán)利要求以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和達(dá)到。為了實(shí)現(xiàn)基于本發(fā)明目的的這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)，如此處所具體化和廣泛 描述的， 一種透反射型液晶顯示面板包括在基板上的柵線；與該柵線交叉以 限定由透射部分和反射部分構(gòu)成的像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；與該柵線和該數(shù)據(jù)線的 交點(diǎn)相鄰的薄膜晶體管；在覆蓋該薄膜晶體管的鈍化膜上的第一絕緣膜；在該 像素區(qū)域的該透射部分內(nèi)用于反射入射光的反射電極；形成在覆蓋該反射電極 的第二絕緣膜上并通過接觸孔連接到該薄膜晶體管的漏極的像素電極；以及通 過根據(jù)從該漏極施加的數(shù)據(jù)電壓使反射部分的該反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化來使該反射 部分的反射曲線與該透射部分的透射曲線匹配的耦合電容器。此時(shí)，該第一絕緣膜由感光亞克力(photo-acryl)的有機(jī)絕緣材料形成。同時(shí)，該第二絕緣膜由無機(jī)絕緣材料形成。該耦合電容器包括第一耦合電容器，該第一耦合電容器包含該反射電極， 以及在將該第一絕緣膜插入其間的狀態(tài)下與該反射電極重疊的該漏極；以及第 二耦合電容器，該第二耦合電容器包含該像素電極，以及在將該第二絕緣膜插 入其間的狀態(tài)下與該像素電極重疊的該反射電極。該第一和第二耦合電容器并聯(lián)連接。同樣，該第二耦合電容器的電容根據(jù)形成在該反射部分內(nèi)的該像素電極的 面積而改變。在另一方面， 一種制造透反射型液晶顯示面板的方法包括在基板上形成 柵線；形成與該柵線交叉以限定由透射部分和反射部分構(gòu)成的像素區(qū)域的數(shù)據(jù) 線；與該柵線和該數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相鄰地形成薄膜晶體管；在覆蓋該薄膜晶體管 的鈍化膜上形成第一絕緣膜；在該像素區(qū)域的該透射部分內(nèi)形成用于反射入射 光的反射電極；形成通過包含在覆蓋該反射電極的該第二絕緣膜內(nèi)的接觸孔連 接到該薄膜晶體管的漏極的像素電極；以及形成耦合電容器以根據(jù)從該漏極提 供的數(shù)據(jù)電壓使該反射部分的反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化，以與該透射部分的透射曲線匹 配。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的大概描述和隨后的詳細(xì)描述都是示范性和解釋性 的，意欲對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求提供進(jìn)一步的解釋。


包括進(jìn)來以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并被囊括構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的 附圖描繪了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在圖中圖1是描繪根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有雙盒間隙結(jié)構(gòu)的透反射型液晶顯示面板的 截面圖；圖2是描繪根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有單一盒間隙結(jié)構(gòu)的透反射型液晶顯示面板內(nèi)的透射曲線和反射曲線的曲線圖；圖3是描繪根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板的平面圖； 圖4是描繪沿圖3的W'線的透反射型液晶顯示面板的截面圖； 圖5是描繪根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板的等效電路圖； 圖6是描繪包含在根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板的像素區(qū)域內(nèi)的透射部分的透射曲線和反射部分的標(biāo)準(zhǔn)化反射曲線之間的關(guān)系的曲線圖；以及 圖7A至7F是描繪制造根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板的方法的截面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其實(shí)例描繪于附圖中。在可能的情況 下，在所有圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。以下，參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板及其制造方法。參考圖3和4解釋根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)和操作。如圖3和4所示，根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板包括在基板101上 的柵線102;與柵線102交叉以限定其內(nèi)由透射部分和反射部分構(gòu)成的像素區(qū) 域的數(shù)據(jù)線108;與柵線102和數(shù)據(jù)線108的交點(diǎn)相鄰的薄膜晶體管TR;在 覆蓋薄膜晶體管TR的鈍化膜116上的第一絕緣膜118;形成在像素區(qū)域的透 射部分內(nèi)用于反射入射光的反射電極120;形成在用于覆蓋反射電極120的第 二絕緣膜122上并通過接觸孔124連接到薄膜晶體管TR的像素電極126;以 及通過對(duì)從存儲(chǔ)電容器提供的數(shù)據(jù)電壓進(jìn)行充電或放電而用于使反射部分的 反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化以與透射部分的透射曲線匹配的耦合電容器128。柵線102將柵信號(hào)提供到包含在薄膜晶體管TR內(nèi)的柵極104，其中柵信 號(hào)由與柵焊盤接觸的柵驅(qū)動(dòng)器(未示出)提供。同樣，數(shù)據(jù)線108根據(jù)柵極 104的導(dǎo)通/截止操作將數(shù)據(jù)信號(hào)提供到薄膜晶體管TR的源極110和漏極112， 其中數(shù)據(jù)信號(hào)由與數(shù)據(jù)焊盤接觸的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)提供。數(shù)據(jù)線108 與柵線102交叉，并且柵絕緣膜106插入于其間，由此限定由反射部分U4a 和透射部分114b構(gòu)成的像素區(qū)域114。薄膜晶體管TR響應(yīng)于柵線102的柵信號(hào)用像素信號(hào)對(duì)像素電極126充電。 薄膜晶體管TR包括連接到柵線102的柵極104;連接到數(shù)據(jù)線108的源極110; 以及在其間插入溝道的狀態(tài)下與源極IIO相對(duì)并通過接觸孔124連接到像素電 極126的漏極112。另外，薄膜晶體管TR包括半導(dǎo)體圖案115，其中半導(dǎo)體圖案115包括形 成在柵極104上方并且柵絕緣膜106插入于其間的有源層115a，以及形成在 有源層115a上方并且與源極IIO和漏極112歐姆接觸的歐姆接觸層115b。反射電極120將入射到濾色片基板上的外部光反射到濾色片，其中反射電 極120形成在第一絕緣膜118上用于覆蓋具有薄膜晶體管TR的像素區(qū)域114 的反射部分114a。此時(shí)，反射電極120在將第一絕緣膜118插入其間的狀態(tài) 下與薄膜晶體管TR的漏極112重疊。反射電極120形成像素區(qū)域114的反射 部分114a內(nèi)的耦合電容器128的第一耦合電容器128a。第一絕緣膜118由絕緣材料形成，例如具有良好平整化特性的感光亞克力 (photo-acryl)。同樣，第一絕緣膜118具有壓印有圖案的表面以使來自濾色 片基板的入射光散射，由此提高反射效率。由于第一絕緣膜118由諸如感光亞克力的有機(jī)絕緣材料形成，因此第一耦合電容器128a具有低的電容，由此對(duì) 于從存儲(chǔ)電容器Cst輸入的數(shù)據(jù)電壓存在快速的充電或放電，由此在像素區(qū)域 114的反射部分114a內(nèi)形成快速改變的反射曲線RV。像素電極126形成在第二絕緣膜122上用于覆蓋反射電極120，并與公共 電極一起形成用于使液晶排列的垂直電場(chǎng)。同樣，像素電極126通過穿過第二 絕緣膜122、第一絕緣膜118和鈍化膜116的接觸孔124與薄膜晶體管TR的 漏極112電連接。像素電極126在插入無機(jī)絕緣材料的第二絕緣膜122的狀態(tài) 下與反射電極120重疊，由此在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)形成耦合電 容器128的第二耦合電容器128b。由于第二絕緣膜122由無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，因此第二耦合電容器128b具 有高的電容，由此對(duì)于從存儲(chǔ)電容器Cst提供的數(shù)據(jù)電壓存在緩慢的充電或放 電，由此在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)形成漸變的反射曲線RV。通過在將第二絕緣膜122插入其間的狀態(tài)下改變像素電極126與反射電極 的重疊面積，例如在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)形成的面積，可以控制 第二電容器128b的電容。耦合電容器128通過控制對(duì)從存儲(chǔ)電容器Cst提供的數(shù)據(jù)電壓的充電或放 電使反射部分114a的反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化來使反射部分114a的反射曲線與透射部 分114b的透射曲線相匹配。如圖5所示，耦合電容器128由在像素區(qū)域114 的反射部分114a內(nèi)并聯(lián)連接的至少兩個(gè)電容器(以下，稱作第一和第二耦合 電容器)構(gòu)成。此時(shí)，第一耦合電容器128a包括形成在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi) 的反射電極120;以及在插入了諸如感光亞克力的有機(jī)絕緣材料的第一絕緣膜 118的狀態(tài)下與反射電極120重疊的薄膜晶體管TR的漏極112。由于第一絕 緣膜118由諸如感光亞克力的有機(jī)絕緣材料形成，因此第一耦合電容器128a 具有低的電容。因此，如圖5所示，對(duì)于從存儲(chǔ)電容器Cst提供的數(shù)據(jù)電壓存 在快速的充電或放電，由此在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)形成快速改變 的反射曲線RV1。第二耦合電容器128b由形成在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)的像素電 極126以及在插入無機(jī)絕緣材料的第二絕緣膜122的狀態(tài)下與像素電極126 重疊的反射電極120構(gòu)成。由于第二絕緣膜122由無機(jī)絕緣層形成，因此第二耦合電容器128b具有高電容。因此，如圖5所示，對(duì)于從存儲(chǔ)電容器Cst提 供的數(shù)據(jù)電壓存在緩慢的充電或放電，由此在像素區(qū)域114的反射部分114a 內(nèi)形成逐漸改變的反射曲線RV2。如上所述，耦合電容器128由彼此并聯(lián)連接的第一和第二耦合電容器構(gòu)成。 如圖6所示，通過對(duì)于提供到像素區(qū)域114的反射部分114a的數(shù)據(jù)電壓充電 或放電形成的第一和第二反射曲線被標(biāo)準(zhǔn)化，從而使第一和第二反射曲線與像 素區(qū)域114的透射部分114b內(nèi)形成的透射曲線匹配。由于通過在像素區(qū)域114 的反射部分U4a內(nèi)的耦合電容器128使反射部分U4a的反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化來使 反射部分U4a的反射曲線與透射部分114b的透射曲線匹配，因此在包含在像 素區(qū)域114內(nèi)的反射部分114a和透射部分114b內(nèi)使灰度級(jí)值均勻化。圖7A至7F是描繪制造根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板的方法的截面圖。如圖7A所示，通過第一掩模工藝在基板101上形成包含柵線102和柵極 104的第一導(dǎo)電圖案。特別是，通過濺射在基板101上形成柵金屬層。此時(shí)， 柵金屬層可以形成為包含鋁基金屬、銅Cu、鉻Cr和鉬Mo的至少之一的單層 結(jié)構(gòu)，或包含順序沉積的鋁/釹AlNd和鉬的雙層結(jié)構(gòu)。在包含柵金屬層的基板101的整個(gè)表面上涂敷光刻膠之后，執(zhí)行利用第一 掩模的光刻工藝，由此形成光刻膠圖案以使除了用于柵金屬層內(nèi)的第一導(dǎo)電圖 案的預(yù)定部分之外的其他部分暴露。在蝕刻了通過光刻膠圖案暴露的柵金屬層 之后，對(duì)剩余的光刻膠圖案進(jìn)行灰化(ashing)處理。由此在基板101上完成 第一導(dǎo)電圖案，其包括柵線102，和連接到柵線102的柵極104。參考圖7B,通過第二掩模工藝，在覆蓋第一導(dǎo)電圖案的柵絕緣膜106上 形成用于形成溝道和歐姆接觸的半導(dǎo)體圖案115。更明確地，柵絕緣膜106形 成在包含第一導(dǎo)電圖案的基板101的整個(gè)表面上，并且由a-Si層和n+硅層構(gòu) 成的半導(dǎo)體層形成在柵絕緣膜106上。在半導(dǎo)體層的整個(gè)表面上涂敷了光刻膠 之后，執(zhí)行利用第二掩模的光刻工藝，由此形成光刻膠圖案以暴露形成在除了 薄膜晶體管TR的溝道區(qū)域之外的其他部分內(nèi)的半導(dǎo)體層。此時(shí)，順序蝕刻通 過光刻膠圖案暴露的半導(dǎo)體層，并將剩余的光刻膠圖案去除，由此形成由用于 形成溝道的有源層115a和用于歐姆接觸的歐姆接觸層115b構(gòu)成的半導(dǎo)體圖案 115。如圖7C所示，通過第三掩模工藝，將包含數(shù)據(jù)線108、連接到數(shù)據(jù)線108 的源極110、和漏極112的第二導(dǎo)電圖案形成在包含半導(dǎo)體圖案115的基板101 上。對(duì)此將詳細(xì)解釋如下。首先，將數(shù)據(jù)金屬層沉積在包含半導(dǎo)體圖案115的 柵絕緣膜106的整個(gè)表面上。在數(shù)據(jù)金屬層的整個(gè)表面上涂敷了光刻膠之后， 執(zhí)行利用第三掩模的光刻工藝，由此形成光刻膠圖案以暴露除了用于數(shù)據(jù)金屬 層內(nèi)的第二導(dǎo)電圖案的預(yù)定部分之外的其他部分。在蝕刻了通過光刻膠圖案暴 露的數(shù)據(jù)金屬層之后，使剩余的光刻膠圖案灰化由此形成第二導(dǎo)電圖案，第二 導(dǎo)電圖案由數(shù)據(jù)線108、連接到數(shù)據(jù)線108的源極IIO和與源極IIO相對(duì)并且 在其間設(shè)置溝道的漏極112構(gòu)成。此時(shí)，半導(dǎo)體圖案和第二導(dǎo)電圖案可以通過 半色調(diào)(half-tone)掩?；蜓苌淦毓庋谀Ｍ瑫r(shí)形成。如圖7D所示，用于反射光的反射電極120通過第四掩模工藝形成在像素 區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)。更詳細(xì)地，將鈍化膜116和第一絕緣膜118形 成在包含第二導(dǎo)電圖案的基板101的整個(gè)表面上。此時(shí)，鈍化膜116由諸如氮 化硅的無機(jī)絕緣材料形成，并且第一絕緣膜118由諸如感光亞克力的有機(jī)絕緣 材料形成。在第一絕緣膜118上形成反射金屬層之后，執(zhí)行利用第四掩模的光刻工藝， 由此形成光刻膠圖案以暴露用于在反射金屬層內(nèi)形成反射電極120的預(yù)定部 分以外的其他部分。此時(shí)，反射金屬層由具有良好反射性的金屬形成，諸如鋁 Al，銅Cu或鉻Cr。在蝕刻了通過光刻膠圖案暴露的反射金屬層之后，對(duì)剩余的光刻膠圖案進(jìn) 行灰化處理，由此在覆蓋像素區(qū)域114的反射部分114a的第一絕緣膜118上 形成用于將光反射到濾色片基板的反射電極120。此時(shí)，反射電極120在將第 一絕緣膜118插入其間的狀態(tài)下與薄膜晶體管TR的漏極112重疊，由此在像 素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)形成第一耦合電容器128a。由于第一絕緣膜118 由具有良好平整化特性的有機(jī)絕緣材料，例如感光亞克力，形成，因此由反射 電極120形成的第一耦合電容器128a對(duì)于由存儲(chǔ)電容器Cst提供的數(shù)據(jù)電壓 進(jìn)行快速的充電或放電，由此在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)形成快速改 變的反射曲線。如圖7E所示，執(zhí)行第五掩模工藝以形成用于使薄膜晶體管TR的漏極112暴露的接觸孔124。更具體地，在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)在包含反 射電極120的基板101的整個(gè)表面上形成第二絕緣膜122。在第二絕緣膜122 的整個(gè)表面上涂敷光刻膠之后，執(zhí)行利用第五掩模的光刻工藝，由此形成光刻 膠圖案以使在第二絕緣膜122內(nèi)用于接觸孔124的預(yù)定部分暴露。在順序蝕刻了通過光刻膠圖案暴露的第二絕緣膜122、第一絕緣膜118和 鈍化膜116之后，對(duì)剩余的光刻膠圖案執(zhí)行灰化處理，由此形成穿過第二絕緣 膜122、第一絕緣膜118和鈍化膜116的接觸孔124，以暴露薄膜晶體管TR 的漏極112。如圖7F所示，執(zhí)行第六掩模工藝以在像素區(qū)域114內(nèi)形成像素電極126， 其中像素電極126與公共電極一起形成使液晶排列的垂直電場(chǎng)。更明確地，通 過PECVD將透明導(dǎo)電層ITO沉積在第二絕緣膜122的整個(gè)表面上。然后，將 光刻膠涂敷在透明導(dǎo)電層ITO上，并執(zhí)行利用第六掩模的光刻工藝，以形成 光刻膠圖案以暴露除了在透明導(dǎo)電層ITO內(nèi)用于像素電極126的預(yù)定部分之 外的其他部分。在蝕刻了通過光刻膠圖案暴露的透明導(dǎo)電層ITO之后，對(duì)剩 余的光刻膠圖案執(zhí)行灰化處理，由此在像素區(qū)域114內(nèi)形成像素電極126以與 公共電極一起形成使設(shè)置在盒間隙內(nèi)的液晶排列的垂直電場(chǎng)。此時(shí)，像素電極126通過穿過第二絕緣膜122、第一絕緣膜118和鈍化膜 116的接觸孔124與薄膜晶體管TR的漏極112連接。根據(jù)通過漏極112提供 的數(shù)據(jù)電壓，像素電極126和公共電極形成使液晶排列的垂直電場(chǎng)。同樣,像素電極126在將第二絕緣膜122插入其間的狀態(tài)下與反射電極120 重疊，由此在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)形成耦合電容器128的第二耦 合電容器128b。此時(shí)，第二耦合電容器128b的電容可以根據(jù)在將第一絕緣膜 118插入其間的狀態(tài)下像素電極126與反射電極120重疊的面積而可變。由于第二絕緣膜122由有機(jī)絕緣材料形成，因此第二耦合電容器128b具 有大的電容。由此，第二耦合電容器128b對(duì)于從存儲(chǔ)電容器Cst提供的數(shù)據(jù) 電壓進(jìn)行緩慢的充電或放電，由此在像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)形成漸 變的反射曲線。如圖5所示，由于第一和第二耦合電容器128a和128b并聯(lián)連接，因此通 過第一和第二耦合電容器128a和128b使像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)的 反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化以與像素區(qū)域的透射部分內(nèi)的透射曲線相匹酉己。因此，使像素區(qū)域114的反射部分114a內(nèi)的反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化以與透射部分的透射曲線相匹 配，由此有可以在形成為單個(gè)盒間隙的像素區(qū)域114的反射部分114a和透射 部分114b內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻的灰度級(jí)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板及其制造方法具有如下優(yōu)點(diǎn)。在根據(jù)本發(fā)明的透反射型液晶顯示面板中，通過形成在像素區(qū)域的反射部 分內(nèi)的耦合電容使反射曲線和透射曲線匹配，由此在像素區(qū)域的反射部分和透 射部分內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻的灰度級(jí)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對(duì) 本發(fā)明進(jìn)行各種改進(jìn)和改變。由此，意欲使本發(fā)明覆蓋在附加的權(quán)利要求及其 等效物的范圍內(nèi)提供的本發(fā)明的改進(jìn)和改變。
權(quán)利要求
1.一種透反射型液晶顯示面板，包括基板上的柵線；與該柵線交叉以限定由透射部分和反射部分構(gòu)成的像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；與該柵線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相鄰的薄膜晶體管；在覆蓋該薄膜晶體管的鈍化膜上的第一絕緣膜；在該像素區(qū)域的該透射部分內(nèi)用于反射入射光的反射電極；形成在覆蓋該反射電極的第二絕緣膜上并通過接觸孔連接到該薄膜晶體管的漏極的像素電極；以及通過根據(jù)從該漏極提供的數(shù)據(jù)電壓使反射部分的反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化而用于使該反射部分的反射曲線與該透射部分的透射曲線相匹配的耦合電容器。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反射型液晶顯示面板，其特征在于，該第一 絕緣膜由感光亞克力的有機(jī)絕緣材料形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反射型液晶顯示面板，其特征在于，該第二 絕緣膜由無機(jī)絕緣材料形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反射型液晶顯示面板，其特征在于，該耦合 電容器包括第一耦合電容器，其包括該反射電極，以及在將該第一絕緣膜插入其間的 狀態(tài)下與該反射電極重疊的該漏極；以及第二耦合電容器，其包括該像素電極，以及在將該第二絕緣膜插入其間的 狀態(tài)下與該像素電極重疊的反射電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的透反射型液晶顯示面板，其特征在于，該第一 和第二耦合電容器并聯(lián)連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的透反射型液晶顯示面板，其特征在于，該第二 耦合電容器的電容根據(jù)形成在該反射部分內(nèi)的該像素電極的面積而改變。
7. —種制造透反射型液晶顯示面板的方法，包括 在基板上形成柵線；形成與該柵線交叉以限定由透射部分和反射部分構(gòu)成的像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；與該柵線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相鄰地形成薄膜晶體管； 在覆蓋該薄膜晶體管的鈍化膜上形成第一絕緣膜； 在該像素區(qū)域的該透射部分內(nèi)形成用于反射入射光的反射電極； 形成通過包含在覆蓋該反射電極的該第二絕緣膜內(nèi)的接觸孔連接到該薄膜晶體管的漏極的像素電極；以及形成耦合電容器以根據(jù)從該漏極提供的數(shù)據(jù)電壓將該反射部分的反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化，以與該透射部分的透射曲線匹配。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該第一絕緣膜由感光亞克 力的有機(jī)絕緣材料形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該第二絕緣膜由無機(jī)絕緣 材料形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，形成該耦合電容器包括-形成第一耦合電容器，該第一耦合電容器包括該反射電極，和在其間插入該第一絕緣膜的狀態(tài)下與該反射電極重疊的該漏極；以及形成第二耦合電容器，該第二耦合電容器包括該像素電極，和在其間插入 該第二絕緣膜的狀態(tài)下與該像素電極重疊的該反射電極。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該第一和第二耦合電容 器并聯(lián)連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，該第二耦合電容器的電 容根據(jù)形成在該反射部分內(nèi)的該像素電極的面積而改變。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種透反射型液晶顯示面板及其制造方法，其通過在像素區(qū)域的反射部分內(nèi)的耦合電容器使反射曲線和透射曲線匹配而能夠在像素區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻的灰度級(jí)值，該透反射型液晶顯示面板包括基板上的柵線；與該柵線交叉以限定由透射部分和反射部分構(gòu)成的像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；與該柵線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相鄰的薄膜晶體管；在覆蓋該薄膜晶體管的鈍化膜上的第一絕緣膜；在該像素區(qū)域的該透射部分內(nèi)用于反射入射光的反射電極；形成在覆蓋該反射電極的第二絕緣膜上并通過接觸孔連接到該薄膜晶體管的漏極的像素電極；以及通過根據(jù)從該漏極提供的數(shù)據(jù)電壓使反射部分的該反射曲線標(biāo)準(zhǔn)化而使該反射部分的反射曲線與該透射部分的透射曲線匹配的耦合電容器。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101276108SQ200710306318
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2007年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日
發(fā)明者金賢鎬 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社