專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及沒(méi)有基底部件的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
將半導(dǎo)體芯片接合在電路基板上肘，若半導(dǎo)體芯片的外部連接端子 的間距小，則直接進(jìn)行倒裝片安裝是困難的。這種情況下采用如下安裝 方式構(gòu)成將半導(dǎo)體芯片搭載在通常被稱作內(nèi)插板的疊層電路基板上的 半導(dǎo)體器件，將該半導(dǎo)體器件結(jié)合在電路基板上。日本公開公報(bào)平
9-36172號(hào)公報(bào)示出了這樣的在內(nèi)插板上搭載了半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器 件的代表性的一個(gè)例子。在現(xiàn)有技術(shù)中公開的半導(dǎo)體器件中，使用了如 下內(nèi)插板，該內(nèi)插板層疊了兩面布線構(gòu)造的布線基板、且通過(guò)上下導(dǎo)通 部連接設(shè)置在上表面的上層布線和設(shè)置在下表面的下層布線。在內(nèi)插板 的上層布線上，利用面朝下方式搭載半導(dǎo)體芯片，在內(nèi)插板的下層布線 下，設(shè)置多個(gè)釬料球。然后，通過(guò)回流焊等適當(dāng)?shù)姆椒▽⒃撯F料球接合 在電路基板上。
但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)所記載的半導(dǎo)體器件中，由于在兩面布線結(jié) 構(gòu)中使用具有上下導(dǎo)通部的價(jià)格較高的內(nèi)插板，所以存在成本變高、器 件整體變厚的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能降低成本、還能薄型化的半導(dǎo)體器件 及其制造方法。
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)，具有在一面具
備集成電路的半導(dǎo)體基板(7)、及設(shè)置在該半導(dǎo)體基板(7)下的多個(gè) 外部連接用電極(12);及布線(2),具備連接到上述半導(dǎo)體基板(7) 的上述外部連接用電極(12)上的一端、及延伸到上述半導(dǎo)體基板(7) 的外側(cè)的另一端。
下部填充件(13)對(duì)至少上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的上述一面、及 至少連接到上述外部連接用電極(12)的上述半導(dǎo)體基板(7)上的上 述一端進(jìn)行覆蓋，密封件(14)覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的另一面 及上述下部填充件(13)。上述下部填充件(13)的下表面及上述布線 (2)的下表面被設(shè)置為同一面。
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于具備以下工序 準(zhǔn)備在布線形成用金屬箔(21)的下表面設(shè)有剝離層(22)及基底板(23) 的布線形成用部件的工序；對(duì)上述布線形成用金屬箔(21)進(jìn)行構(gòu)圖來(lái) 形成布線(2)的工序；和將具有半導(dǎo)體基板(7)及設(shè)在該半導(dǎo)體基板 (7)下的多個(gè)外部連接用電極(12)的半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的、該外部 連接用電極(12)接合在上述布線(2)上的工序。用密封件(14)覆 蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)及上述布線(2)的至少一部分；然后除去上 述基底板(23)。


圖1是作為本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。 圖2是在圖1所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個(gè)例子中，最初準(zhǔn) 備之物的剖面圖。
圖3是續(xù)圖2之后的工序的剖面圖。 圖4是續(xù)圖3之后的工序的剖面圖。 圖5是續(xù)圖4之后的工序的剖面圖。 圖6是續(xù)圖5之后的工序的剖面圖。 圖7是續(xù)圖6之后的工序的剖面圖。
圖8是續(xù)圖7之后的工序的剖面圖。 圖9是續(xù)圖8之后的工序的剖面圖。 圖10是續(xù)圖9之后的工序的剖面圖。
圖11是圖1所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的另一例子中規(guī)定工序 的剖面圖。
圖12是續(xù)圖11之后的工序的剖面圖。
圖13是作為本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖14是作為本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖15是圖14所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的另一例子中規(guī)定工序 的剖面圖。
圖16是續(xù)圖15之后的工序的剖面圖。
圖17是續(xù)圖16之后的工序的剖面圖。
圖18是續(xù)圖17之后的工序的剖面圖。
圖19是續(xù)圖18之后的工序的剖面圖。
附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明
1下層絕緣膜；2布線；3表面處理層；4開口部；5釬料球；6半 導(dǎo)體構(gòu)成體；7硅基板；8連接焊盤；9絕緣膜；10開口部；11下底 金屬層；12凸起電極；13下部填充件；14密封件；15散熱層；21
布線形成用金屬箔；22剝離層；23基底板；24切斷線；25第1密封 件形成用片；26第2密封件形成用片；27保護(hù)用銅箔；31上層布線； 32上下導(dǎo)通部；38涂覆膜；41第l密封件形成用片；42第2密封件
形成用片。
具體實(shí)施方式
(第1實(shí)施方式)
圖1是作為本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。該半導(dǎo) 體器件具備由阻焊劑等構(gòu)成的平面方形狀的下層絕緣膜1。在下層絕緣
膜1的上表面設(shè)有由銅箔構(gòu)成的多條布線2。在布線2的一端部的連接 焊盤部上表面設(shè)有由錫釬料構(gòu)成的表面處理層3。在與布線2的另一端 部的連接焊盤部相對(duì)應(yīng)的部分的、下層絕緣膜l中設(shè)有開口部4。下層 絕緣膜1的開口部4內(nèi)及其下方設(shè)有釬料球5，該釬料球5連接到布線 2的另一端部的連接焊盤部上。
在下層絕緣膜1的中央部上方，平面方形狀的半導(dǎo)體構(gòu)成體6以面 朝下方式搭載在多條布線2的一端部的連接焊盤部上。半導(dǎo)體構(gòu)成體6 具有平面方形狀的硅基板(半導(dǎo)體基板)7。在硅基板7的下表面設(shè)有 規(guī)定功能的集成電路(未圖示)，在下表面周邊部與集成電路連接地設(shè) 有由鋁類金屬等構(gòu)成的多個(gè)連接焊盤8。
在除去連接焊盤8的中央部以外的硅基板7的下表面，設(shè)有由氧化 硅等無(wú)機(jī)材料、或無(wú)機(jī)材料和聚酰亞胺等有機(jī)材料的疊層構(gòu)造構(gòu)成的絕 緣膜9，連接焊盤8的中央部經(jīng)由設(shè)置在絕緣膜9中的開口部10露出。 在經(jīng)由絕緣膜9的開口部10露出的連接焊盤8的下表面及其周圍的絕 緣膜9的下表面，設(shè)有由鉻、銅等構(gòu)成的下底金屬層ll。在下底金屬層 11的整個(gè)下表面，設(shè)有由金構(gòu)成的凸起電極(外部連接用電極)12。
并且，半導(dǎo)體構(gòu)成體6的凸起電極12經(jīng)由表面處理層3，以金-錫 共晶接合在布線2的一端部的連接焊盤部上，從而在下層絕緣膜1的中 央部上方以面朝下方式搭載在多條布線2的一端部的連接焊盤部上。
在半導(dǎo)體構(gòu)成體6與包含布線2的下層絕緣膜1之間及其周圍，設(shè) 有由環(huán)氧類樹脂等熱固性樹脂構(gòu)成的下部填充件13。在半導(dǎo)體構(gòu)成體6、 下部填充件13、布線2及下層絕緣膜1的上表面，設(shè)有由環(huán)氧類樹脂等 熱固性樹脂構(gòu)成的密封件14。在該狀態(tài)下，密封件14設(shè)置在比布線2 的布置區(qū)域還大的區(qū)域。而且，布線2、下部填充件13及密封件14的 下表面為同一面。
(制造方法的一個(gè)例子)
接著，對(duì)該半導(dǎo)體器件的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。首先，如
圖2所示準(zhǔn)備如下之物在用于形成圖1所示的布線2的由銅等構(gòu)成的
布線形成用金屬箔21的下表面，設(shè)有由聚酰亞胺膜等構(gòu)成的剝離層22， 在剝離層22的下表面設(shè)有由銅箔構(gòu)成的基底板23。此時(shí)，該準(zhǔn)備之物 的尺寸為能形成多個(gè)圖l所示的已完成的半導(dǎo)體器件的大小。另外，在 圖2中，用標(biāo)號(hào)24表示的區(qū)域是與用于單片化的切斷線相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
接著，利用光刻法構(gòu)圖形成布線形成用金屬箔21，如圖3所示，在 剝離層22的上表面形成布線2。接著，如圖4所示，在布線2的一端部 的連接焊盤部上表面，通過(guò)進(jìn)行錫的非電解電鍍而形成表面處理層3。
接著，如圖5所示，準(zhǔn)備半導(dǎo)體構(gòu)成體6。在晶片狀態(tài)的硅基板7 下，形成集成電路(未圖示)、由鋁類金屬等構(gòu)成的連接焊盤8、由無(wú)機(jī) 材料、或無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的疊層構(gòu)造構(gòu)成的絕緣膜9、由鉻、銅等 構(gòu)成的下底金屬層11、及由金或銅構(gòu)成的柱狀的凸起電極12，然后通 過(guò)劃片進(jìn)行單片化，從而得到半導(dǎo)體構(gòu)成體6。
接著，將半導(dǎo)體構(gòu)成體6的由金或銅構(gòu)成的凸起電極12經(jīng)由表面 處理層3接合(bonding)在布線2的一端部的連接焊盤部上，在下層 絕緣膜l的中央部上方將半導(dǎo)體構(gòu)成體6以面朝下方式搭載在多條布線 2的一部分的連接焊盤部上。
本發(fā)明的情況如圖1所示，由于沒(méi)有支承半導(dǎo)體構(gòu)成體6的電路基 板，所以在接合半導(dǎo)體構(gòu)成體6與布線2后，在半導(dǎo)體構(gòu)成體6與布線 2的接合部位，基本不發(fā)生因兩者的熱膨脹系數(shù)差引起的應(yīng)力集中。因 此，不需要用于緩和集中應(yīng)力的釬料球等，通過(guò)對(duì)表面處理層3進(jìn)行加 熱加壓(bongding)，在凸起電極12為金時(shí)以金-錫共晶接合、在凸起 電極12為銅時(shí)以銅-錫擴(kuò)散金屬接合，能確保充分的接合可靠性。
在這種情況下，加壓加熱(bongding)時(shí)，布線2相對(duì)于基底板23 以剝離層22為界面沿水平方向錯(cuò)位(剝離)，從而吸收因硅基板7與布 線2的熱膨脹系數(shù)差引起的應(yīng)力。
接著，如圖6所示，在包括半導(dǎo)體構(gòu)成體6和布線2的下層絕緣膜
1之間及其周圍，填充形成由環(huán)氧類樹脂等熱固性樹脂構(gòu)成的下部填充
件13。接著，如圖7所示，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、傳遞模塑法 等，在半導(dǎo)體構(gòu)成體6、下部填充件13、布線2及下層絕緣膜1的上表 面，形成環(huán)氧類樹脂等熱固性樹脂構(gòu)成的密封件14。
接著，利用蝕刻或從剝離層22開始的機(jī)械剝離來(lái)除去基底板23。 利用蝕刻時(shí)，特別推薦濕蝕，但沒(méi)有限定的意思。接著，若利用蝕刻來(lái) 除去剝離層22，則如圖8所示，布線2、下部填充件13及密封件14的 下表面露出。在該狀態(tài)下，布線2、下部填充件13及密封件14的下表 面為同一面。而且，在該狀態(tài)下，即使除去基底板23，由于密封件14 及下部填充件13的存在，也可以充分確保強(qiáng)度。
在此，作為基底板23，銅箔之外還可以使用鋁等其它金屬板、玻璃 板、陶瓷板、樹脂板等。但是，使用銅箔作為基底板23時(shí)，在作為剝 離層22的聚酯亞胺膜的兩面疊層了銅箔的部件是市場(chǎng)銷售的部件，所 以可以直接使用該市場(chǎng)銷售的部件。
接著，如圖9所示，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、旋轉(zhuǎn)涂覆法等，在布線2、 下部填充件13及密封件14的整個(gè)下表面形成由阻焊劑等構(gòu)成的下層絕 緣膜l。接著，利用光刻法，在與布線2的另一端部的連接焊盤部相對(duì) 應(yīng)的部分的下層絕緣膜1中形成開口部4。
接著，在下層絕緣膜1的開口部4內(nèi)及其下方與布線2的另一端部 的連接焊盤部連接地形成釬料球5。接著，如圖IO所示，在相鄰的半導(dǎo) 體構(gòu)成體6之間，沿著切斷線24切斷密封件14及下層絕緣膜1，則得 到多個(gè)圖1所示的半導(dǎo)體器件。
在如上得到的半導(dǎo)體器件中，是在可以充分確保強(qiáng)度的密封件14 及下部填充件13的下表面?zhèn)嚷袢肓瞬季€的結(jié)構(gòu)，在該埋入的布線2的 一端部的連接焊盤部上，以面朝下方式接合并搭載半導(dǎo)體器件6,在布 線2的另一端部的連接焊盤部下設(shè)置釬料球5，從而在兩面布線結(jié)構(gòu)中 沒(méi)有使用具有上下導(dǎo)通部的價(jià)格較高的內(nèi)插板，所以可以降低成本，還可以薄型化。
(制造方法的另一個(gè)例子) 接著，對(duì)圖l所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的另一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。
此時(shí)，在圖6所示的工序后，如圖11所示，在半導(dǎo)體構(gòu)成體6周圍的 包括布線2的剝離層22的上表面，用銷(pin)等定位的同時(shí)配置格子 狀的第1密封件形成用片25。
格子狀的第1密封件形成用片25是通過(guò)使由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的 熱固性樹脂浸漬在由玻璃布等構(gòu)成的基材中，使熱固性樹脂為半固化狀 態(tài)而形成片狀，利用蝕刻等形成多個(gè)方形的開口部25a而形成的。此時(shí)， 第1密封件形成用片25的厚度比半導(dǎo)體構(gòu)成體6的高度還厚。
接著，在第1密封件形成用片25的上表面配置第2密封件形成用 片26。第2密封件形成用片26由與第1密封件形成用片25相同的材料 形成，即，是通過(guò)使由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的熱固性樹脂浸漬在由玻璃布 等構(gòu)成基材中，使熱固性樹脂為半固化狀態(tài)而形成片狀的部件。接著， 在第2密封件形成用片26的上表面配置保護(hù)用銅箔27。
接著，如圖12所示，使用一對(duì)加熱加壓板28、 29從上下對(duì)第1、 第2密封件形成片25、 26進(jìn)行加熱加壓。然后，通過(guò)之后的冷卻，在 半導(dǎo)體構(gòu)成體6、下部填充件13、布線2及下層絕緣膜1的上表面形成 密封件14，且在密封件14的上表面粘合保護(hù)用銅箔27。
此時(shí)，保護(hù)用銅箔27是用于防止在上側(cè)的加熱加壓板28的下表面 不必要地附著由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的熱固性樹脂，可以原樣再使用上側(cè) 的加熱加壓板28的部件。于是，接著通過(guò)蝕刻除去保護(hù)用銅箔27。而 且，通過(guò)蝕刻等除去基底板23及剝離層22，則能得到圖8所示之物。 保護(hù)用銅箔27及基底板23的蝕刻特別推薦基于濕蝕的方法，但沒(méi)有限 定的意思。
以下，經(jīng)過(guò)與上述制造方法的一個(gè)例子一樣的工序，就能得到多個(gè) 圖l所示的半導(dǎo)體器件。在這樣得到的半導(dǎo)體器件中，通過(guò)在由玻璃布
等構(gòu)成的基材中浸漬了由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的熱固性樹脂來(lái)形成密封 件14，所以與僅通過(guò)環(huán)氧類樹脂等熱固性樹脂形成的情況相比較，可以 增強(qiáng)強(qiáng)度。
(第2實(shí)施方式)
圖13示出作為本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。在 該半導(dǎo)休器件中，與圖l所示的半導(dǎo)體器件不同之處在于，在置于半導(dǎo) 體構(gòu)成休6上的密封件14的上表面設(shè)置由銅箔構(gòu)成的散熱層15，利用 散熱層15使從半導(dǎo)體基板7發(fā)生的熱的散熱性優(yōu)良。此時(shí)，例如若利 用光刻法對(duì)圖12所示的保護(hù)用銅箔27進(jìn)行構(gòu)圖，則可以形成散熱層15， 所以可以有效地利用用于防止在上側(cè)的加熱加壓板28的下表面附著不 必要的由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的熱固性樹脂的保護(hù)用銅箔27。 (第3實(shí)施方式)
圖14示出作為本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。在 該半導(dǎo)休器件中，與圖l所示的半導(dǎo)體器件大的不同之處在于，在密封 件14的上表面設(shè)置上層布線31，將上層布線31的一端部經(jīng)由半導(dǎo)體構(gòu) 成體6周圍的設(shè)置在密封件14中的上下導(dǎo)通部32連接在布線2的另一 端部上表面。
艮P，上層布線31的一端部經(jīng)由上下導(dǎo)通部32連接到布線2的另一 端部上表面，該上下導(dǎo)通部32包括半導(dǎo)體構(gòu)成體6周圍的設(shè)置在密封 件14中的錐臺(tái)(裁頭錐體)形狀的下部凸起電極33、下部連接布線34、 上下連接部35、上部連接布線36、及錐臺(tái)形狀的上部凸起電極37。在 包括上層布線31的密封件14的上表面，設(shè)置由阻焊劑等構(gòu)成的涂覆膜 38。在與上層布線31的連接焊盤部相對(duì)應(yīng)的部分的涂覆膜38中設(shè)有開 口部39。
接著，對(duì)該半導(dǎo)體器件的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。此時(shí)，在 圖6所示的工序后，如圖15所示，在半導(dǎo)體構(gòu)成體6周圍的包括布線2 的剝離層22的上表面，用銷等進(jìn)行定位的同時(shí)配置格子狀的第l、第2
密封件形成用片41、 42,在其上配置第3密封件形成用片43及上層布 線形成用金屬箔44。上層布線形成用金屬箔44由銅等構(gòu)成。
此時(shí)，格子狀的第l、第2密封件形成用片41、 42是如下構(gòu)件在 由玻璃布等構(gòu)成的基材中浸漬環(huán)氧類樹脂等熱固性樹脂，使熱固性樹脂 為半固化狀態(tài)而形成為片狀，通過(guò)沖孔等形成多個(gè)方形的開口部41a、 42a。第3密封件形成用片43是如下構(gòu)件由與第1、第2密封件形成 用片41、 42相同的材料構(gòu)成，即，在由玻璃布等構(gòu)成的基材中浸漬環(huán) 氧類樹脂等熱固性樹脂，使熱固性樹脂為半固化狀態(tài)而形成為片狀。
另外，利用光刻法或基于激光照射的激光加工，在第2密封件形成 用片42的多個(gè)部位中形成開口部42b。在開口部42b內(nèi)設(shè)有由金屬膏、 導(dǎo)電插針等構(gòu)成的上下連接部35。在第2密封件形成用片42的上下表 面，通過(guò)對(duì)各層疊的銅箔進(jìn)行構(gòu)圖，經(jīng)由上下連接部35相互連接上部 連接布線45及下部連接布線34而形成。
在下部連接布線34的下表面，通過(guò)絲網(wǎng)印刷等涂敷金屬膏糴形成 錐體形狀的下部凸起電極33。然后，在稍微加熱了第1密封件形成用片 41的狀態(tài)下，將錐體形狀的下部凸起電極33插入并貫穿第1密封件形 成用片41，從而在第2密封件形成用片42的下表面?zhèn)葧簳r(shí)固定第1密 封件形成用片41。
而且，通過(guò)絲網(wǎng)印刷等來(lái)涂敷金屬膏，在上層布線形成用金屬箔44 的下表面形成錐體形狀的上部凸起電極37。然后，在稍微加熱第3密封 件形成用片43的狀態(tài)下，將錐體形狀的上部凸起電極37插入并貫穿第 3密封件形成用片43，從而在上層布線形成用金屬箔44的下表面暫時(shí) 固定第3密封件形成用片43。
接著，如圖16所示，使用一對(duì)加熱加壓板28、 29從上下加熱加壓 第l、第2、第3密封件形成用片41、 42、 43。然后，通過(guò)之后的冷卻， 在半導(dǎo)體構(gòu)成體6、下部填充件13、布線2及下層絕緣膜1的上表面形 成密封件14，而且，在密封件14的上表面粘合上層布線形成用金屬箔
44。
而且，下部凸起電極33的下部被按壓在布線2的另一端部上表面 并適當(dāng)?shù)貕罕?，而且，上部凸起電極37的下部被按壓在上部連接布線 36的上表面并被適當(dāng)?shù)貕罕?。這樣一來(lái)，上層布線形成用金屬箔44經(jīng) 由上下導(dǎo)通部32連接在布線2的另一端部上表面，該上下導(dǎo)通部32包 括半導(dǎo)體構(gòu)成體6周圍的設(shè)置在密封件14中的錐臺(tái)形狀的下部凸起電 極33、下部連接布線34、上下連接部35、上部連接布線36、及大致錐 臺(tái)形狀的上部凸起電極37。此時(shí)，上層布線形成用金屬箔44具有防止
由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的熱固性樹脂不必要地附著在上側(cè)的加熱加壓板 28的下表面的功能。
接著，通過(guò)蝕刻等除去基底板23及剝離層22，而且，利用光刻法 對(duì)上層布線形成用金屬箔44進(jìn)行構(gòu)圖，則如圖17所示，布線2、下部 填充件13及密封件14的下表面露出，而且，在密封件14的上表面形 成上層布線31。在該狀態(tài)下，布線2、下部填充件13及密封件14的下 表面為同一面。
接著，如圖18所示，利用絲網(wǎng)印刷法、旋轉(zhuǎn)涂覆法等，在布線2、 下部填充件13及密封件14的整個(gè)下表面形成由阻焊劑等構(gòu)成的下層絕 緣膜l，而且，在包括上層布線31的密封件14的整個(gè)上表面形成由阻 焊劑等構(gòu)成的涂覆膜38。接著，利用光刻法，在與布線2的另一端部的 連接焊盤部相對(duì)應(yīng)的部分的下層絕緣膜l中形成開口部4，而且，在與 上層布線31的連接焊盤部相對(duì)應(yīng)的部分的涂覆膜38中形成開口部39。
接著，在下層絕緣膜l的開口部4內(nèi)及其下方，與布線2的另一端 部的連接焊盤部連接地形成釬料球5。接著，如圖19所示，在相互鄰接 的半導(dǎo)體構(gòu)成體6之間，沿切斷線24切斷涂覆膜38、密封件14及下層 絕緣膜l，則能得多個(gè)到圖14所示的半導(dǎo)體器件。
在這樣得到的半導(dǎo)體器件中，在密封件14的上表面經(jīng)由上下導(dǎo)通 部32將上層布線31連接到布線2上，用涂覆膜38覆蓋上層布線31的
連接焊盤部以外，使上層布線31的連接焊盤部經(jīng)由涂覆膜38的開口部 48露出，所以可以在該露出的上層布線31的連接焊盤部上，搭載電阻 或電容器等片式部件或其它半導(dǎo)體構(gòu)成體。
根據(jù)本發(fā)明，可以將半導(dǎo)體構(gòu)成體的外部連接用電極接合在布線 上，以面朝下方式將半導(dǎo)體構(gòu)成體搭載在布線上，用密封件密封半導(dǎo)體 構(gòu)成體及布線的至少一部分，將密封件的下表面設(shè)置成與布線的下表面 為同一面，從而在兩面布線結(jié)構(gòu)中不使用具有上下導(dǎo)通部的價(jià)格較高的 內(nèi)插板，所以可以降低成本，還可以薄形化。
而且，在上述實(shí)施方式中，多條布線2的一部分也能夠以不被密封 件14覆蓋的方式延伸，在該延伸部的上表面接合電路基板、連接部件 的連接端子。而且，即使下部填充件13為與密封件14相同的材料，此 時(shí)，也可以在形成密封件14的工序中同時(shí)形成。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)，具有在一面具備集成電路的半導(dǎo)體基板(7)、及設(shè)置在該半導(dǎo)體基板(7)下的多個(gè)外部連接用電極(12)；布線(2)，具備連接到上述半導(dǎo)體基板(7)的上述外部連接用電極(12)上的一端、及延伸到上述半導(dǎo)體基板(7)的外側(cè)的另一端；下部填充件(13)，對(duì)至少上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的上述一面、及至少連接到上述外部連接用電極(12)的上述半導(dǎo)體基板(7)上的上述一端進(jìn)行覆蓋；及密封件(14)，覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的另一面及上述下部填充件(13)；上述下部填充件(13)的下表面及上述布線(2)的下表面被設(shè)置為同一面。
2. 如權(quán)利要求1所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述布線(2)及上述下部填充件(13)的下表面設(shè)有下層絕緣膜(1)，該下層絕緣膜(1)在與上述布線(2)的連接焊盤部相對(duì)應(yīng)的 部分具有開口部(4)。
3. 如權(quán)利要求2所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 上述下層絕緣膜(1)是阻焊劑。
4. 如權(quán)利要求3所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 上述密封件(14)覆蓋上述布線(2)的至少一部分、且延伸到上述布線(2)的上述另一端的外周。
5. 如權(quán)利要求3所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述下層絕緣膜(1)的開口部(4)內(nèi)及其下方，與上述布線(2)的連接焊盤部連接地設(shè)有釬料球(5)。
6. 如權(quán)利要求1所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在上述布線(2)、上述下部填充件(13)及上述密封件(14)的下 表面設(shè)有下層絕緣膜(1)，該下層絕緣膜(1)在與上述布線(2)的連 接焊盤部相對(duì)應(yīng)的部分具有開口部(4)。
7. 如權(quán)利要求6所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 上述下層絕緣膜(1)是阻焊劑。
8. 如權(quán)利要求7所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述下層絕緣膜(1)的開口部(4)內(nèi)及其下方，與上述布線(2)的連接焊盤部連接地設(shè)有釬料球(5)。
9. 如權(quán)利要求1所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述密封件(14)的上表面設(shè)有散熱層(15)。
10. 如權(quán)利要求1所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述密封件(14)的上表面形成上層布線(31)，在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)周圍的上述密封件(14)中，設(shè)有將上述上層布線(31) 和上述布線(2)連接的上下導(dǎo)通部(32)。
11. 如權(quán)利要求10所記載的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在包括上述上層布線(31)的上述密封件(14)的上表面設(shè)有涂覆膜(38)。
12. —種半導(dǎo)體器件，其特征在于具備半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)，具有設(shè)置在半導(dǎo)體基板(7)及該半導(dǎo)體基板 (7)下的多個(gè)外部連接用電極(12);布線(2)，具有連接到上述半導(dǎo)體基板(7)的上述外部連接用電 極(12)、且延伸到上述半導(dǎo)體基板(7)的外側(cè)的連接焊盤部；下部填充件(13)，對(duì)至少上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的一面、及至少 連接到上述外部連接用電極(12)的上述半導(dǎo)體基板(7)上的上述一 端進(jìn)行覆蓋；密封件(14)，覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的另一面及上述下部填充件(13);阻焊劑(1)，直接形成在上述布線(2)及上述下部填充件(13) 的下表面上，在與上述布線(2)的連接焊盤部相對(duì)應(yīng)的部分具有開口部(4);及釬料層(4)，與上述布線(2)的上述連接焊盤部連接地設(shè)置在上 述阻焊劑(1)的上述開口部(4)內(nèi)。
13. —種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)，具有設(shè)置在半導(dǎo)體基板(7)及該半導(dǎo)體基板(7)下的多個(gè)外部連接用電極(12);布線(2)，具有連接到上述半導(dǎo)體基板(7)的上述外部連接用電 極(12)的一端、及延伸到上述半導(dǎo)體基板(7)的外側(cè)的連接焊盤部;下部填充件(13)，對(duì)至少上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的一面、及至少 連接到上述外部連接用電極(12)的上述半導(dǎo)體基板(7)上的上述一 端進(jìn)虧亍覆蓋；密封件(14)，覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的另一面及上述下部填 充件(13)，上述下部填充件(13)的下表面及上述布線(2)的下表面 被設(shè)置為同一面；及直接設(shè)置在上述布線(2)的上述連接焊盤部上的釬料球(5)。
14. 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 具備以下工序準(zhǔn)備在布線形成用金屬箔(21)的下表面設(shè)有剝離層(22)及基底 板(23)的布線形成用部件的工序；對(duì)上述布線形成用金屬箔(21)進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成布線(2)的工序;將半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的外部連接用電極(12)接合在上述布線(2) 上的工序，該半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)具有半導(dǎo)體基板(7)及設(shè)在該半導(dǎo)體 基板(7)下的多個(gè)外部連接用電極(12);用密封件(14)覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)及上述布線(2)的至 少一部分的工序；及除去上述基底板(23)的工序。
15. 如權(quán)利要求14所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 除去上述基底板(23)的工序包括通過(guò)濕蝕除去上述基底板(23)的工序。
16. 如權(quán)利要求14所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在用密封件(14)覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)及上述布線(2)的至少一部分的工序之前，具有在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)、與上述布線(2) 及上述剝離層(22)之間形成下部填充件(13)的工序。
17. 如權(quán)利要求14所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 具有在除去上述底層部件(23 )的同時(shí)、或繼除去上述底層部件(23 )之后除去上述剝離層(22)的工序。
18. 如權(quán)利要求17所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 具有在通過(guò)除去上述基底板(23)及上述剝離層(22)而露出的上述布線(2)、上述下部填充件(13)及上述密封件(14)的下表面，形 成在與上述布線(2)的連接焊盤部相對(duì)應(yīng)的部分具有開口部(4)的阻 焊劑層(1)的工序。
19. 如權(quán)利要求18所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在形成上述阻焊劑層(1)的工序后，具有在上述阻焊劑層(1)的開口部(4)內(nèi)與上述布線(2)的上述連接焊盤部連接地形成上述釬料 球(5)的工序。
20. 如權(quán)利要求14所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 形成上述密封件(14)的工序包括以下工序在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)周圍的上述布線(2)及上述剝離層(22)上，配置第l密封件形 成用片(25)，該第1密封件形成用片(25)在與上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6) 相對(duì)應(yīng)的部分具有開口部(25a)，在上述第l密封件形成用片(25)上配置上述第2密封件形成用片(26)及金屬箔(27)，并從上下加熱加 壓。
21. 如權(quán)利要求19所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 具有從上述密封件(14)分離上述金屬箔(27)的工序。
22. 如權(quán)利要求14所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 形成上述密封件(14)的工序包括以下工序在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)周圍的上述布線(2)及上述剝離層(22)上，配置在與上述半導(dǎo) 體構(gòu)成體(6)相對(duì)應(yīng)的部分具有開口部(41a)的第l密封件形成用片(41)、在與上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)相對(duì)應(yīng)的部分具有開口部(42a) 且具有下側(cè)上下導(dǎo)通部(33-36)的第2密封件形成用片(42)、第3密 封件形成用片(43)、及在下表面具有上側(cè)上下導(dǎo)通部(37)的上層布 線形成用金屬箔(44)，并從上下加熱加壓。
23. 如權(quán)利要求22所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 具有對(duì)粘合在上述密封件(14)上的上述上層布線形成用金屬箔(44)進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成上層布線(31)的工序。
24. 如權(quán)利要求22所記載的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 具有在上述上層布線(31)及上述密封件(14)的上表面形成涂覆膜(38)的工序。
25. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 具備以下工序準(zhǔn)備在布線形成用金屬箔(21)的下表面設(shè)有剝離層(22)及基底 板(23)的布線形成用部件的工序；對(duì)上述布線形成用金屬箔(21)進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成具有連接焊盤部的 布線(2)的工序；將具有半導(dǎo)體基板(7)及設(shè)在該半導(dǎo)體基板(7)下的多個(gè)凸起電 極(12)的半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的凸起電極(12)接合在上述布線(2) 上的工序； 在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)、上述剝離層(22)及上述布線(2)的 至少一部分之間形成下部填充件(13)的工序；用密封件(14)覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)、上述下部填充件(13) 的從上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)露出的部分、及上述布線(2)的從上述下 部填充件(13)露出的部分的工序；除去上述基底板(23)的工序；及在上述下部填充件(13)及上述密封件(14)的下表面，形成在與 上述布線(2)的上述連接焊盤部相對(duì)應(yīng)的部分具有開口部(4)的阻焊 劑(1)的工序。
全文摘要
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，準(zhǔn)備在布線形成用金屬箔(21)的下表面設(shè)有剝離層(22)及基底板(23)的布線形成用部件。對(duì)上述布線形成用金屬箔(21)進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成布線(2)；將具有半導(dǎo)體基板(7)及設(shè)在該半導(dǎo)體基板(7)下的多個(gè)外部連接用電極(12)的半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)的外部連接用電極(12)接合在上述布線(2)上。用密封件(14)覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(6)及上述布線(2)的至少一部分，然后除去上述基底板(23)。
文檔編號(hào)H01L23/488GK101192587SQ200710192879
公開日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2007年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月28日
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