專利名稱：運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類發(fā)光二極管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種運(yùn)用水洗制造工藝的氮化鎵或其它類發(fā)光二極管制法。
背景技術(shù)：
LED(Light Emitting Diode)發(fā)光二極管裸晶產(chǎn)生前的LED晶圓外延生長 原理，在一加熱至適溫的襯底基片(藍(lán)寶石和、SiC、 Si)上，生長出特定單 晶薄膜；目前主要是采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法(簡稱MOCVD)，該 MOCVD方法是一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的技術(shù)，為使用于GaN (氮 化鎵)半導(dǎo)體材料的外延生長和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管裸晶的制造。
而現(xiàn)有可發(fā)白光的發(fā)光二極管(LED)，主要是在制造工藝中采用點(diǎn)膠方 式，將含有選定為黃色(或紅色與綠色混合)熒光物質(zhì)的硅膠封裝填滿于發(fā)光 二極管的裸晶，藉此以改變原本的藍(lán)光而產(chǎn)生白光，但上述點(diǎn)膠制造工藝， 其實(shí)并不適合大量生產(chǎn)，不僅人工成本高昂，其產(chǎn)品的不良率亦偏高，且會 出現(xiàn)嚴(yán)重邊緣黃色光暈現(xiàn)象。
上述現(xiàn)有點(diǎn)膠作業(yè)，因發(fā)光二極管的裸晶完全被封裝填滿，裸晶上P極 與N極接觸點(diǎn)(P-contact、 N-contact)也同時被封裹，故發(fā)光時裸晶的高溫不易 散熱，容易導(dǎo)致封裝硅膠無法承受持久高溫而發(fā)生變質(zhì)脆化，不但亮度會降 低，且在封裝硅膠脆裂斷開時，也同時會造成金線斷離，為此， 一般發(fā)光二 極管都只能適于低溫低功率使用，可惜亮度有限，使用壽命也較短，無法朝 向高功率的照明設(shè)備去突破發(fā)展，實(shí)屬美中不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，乃在于提供一種運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類 發(fā)光二極管的方法，其使用親水性樹酯材料將一晶圓片上全部的P極與N極
3接觸點(diǎn)(P-contact、 N-contact)予以遮蔽(Mask)形成一可水洗剝離的的遮蔽 層，進(jìn)而于晶圓片封裝設(shè)有一含有黃色(或以紅色與綠色混合)或選定使用 各種顏色混合之熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層，通過水洗制造工藝 將親水性樹酯材料的遮蔽層除去，使P極與N極接觸點(diǎn)裸露，并于通過切割 與焊接金線等制造工藝后形成一可呈現(xiàn)白光的發(fā)光二極管，甚至進(jìn)而制造各 種顏色的發(fā)光二極管，運(yùn)用此項(xiàng)水洗制造工藝，因P、 N極接觸點(diǎn)均呈裸露， 故散熱性佳，使用壽命更長。
本發(fā)明的次要目的，乃在于提供一種運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類 發(fā)光二極管的方法，其可選擇以點(diǎn)膠、涂布、印刷或移印等各種方式，將親 水性樹酯材料覆蓋遮蔽于晶圓片上的全部P極與N極接觸點(diǎn)而形成一可水洗
剝離的遮蔽層，故非常適合大量生產(chǎn)實(shí)施，其成本低廉，產(chǎn)品良率高，且P 極與N極接觸點(diǎn)經(jīng)水洗后呈裸露，因此散熱性極佳，使用壽命更長，適合作
為高功率高照明的光源使用。
本發(fā)明的又一目的，乃在于提供一種運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類 發(fā)光二極管的方法，由于P極與N極接觸點(diǎn)(P-contact、 N-contact)并沒有被含 有黃色(或以紅色與綠色混合)熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層加以 封裹，故不僅散熱性佳，也不會發(fā)生變質(zhì)脆化而造成金線斷離，發(fā)光亦不會 受到阻擋，因此亮度可有效提升，并避免出現(xiàn)嚴(yán)重邊緣黃色光暈現(xiàn)象。


圖1為本發(fā)明的制造工藝示意圖。 圖2為晶圓片上的裸晶示意圖。
圖3為本發(fā)明于P極與N極接觸點(diǎn)覆蓋親水性樹酯材料而形成遮蔽層的 狀態(tài)示意圖。
圖4為本發(fā)明封裝一含有熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層的狀態(tài) 示意圖。
圖5為本發(fā)明通過水洗將遮蔽層除去而使P極與N極接觸點(diǎn)裸露的狀態(tài)示意圖。
圖6為本發(fā)明在P極與N極接觸點(diǎn)焊接金線的狀態(tài)示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下配合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的特征及優(yōu)點(diǎn)
如圖l所示制造工藝，本發(fā)明所為"運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類 發(fā)光二極管的方法"，主要是將一晶圓片上的全部P極與N極接觸點(diǎn) (P-contact、 N-contact)，以親水性樹酯材料覆蓋遮蔽(Mask)而形成一遮蔽層， 進(jìn)而于晶圓片表面封裝設(shè)有一含有黃色(或以紅色與綠色混合)熒光粉的高分 子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層，再通過水洗制造工藝而將親水性樹酯材料的遮蔽 層除去，使P極與N極接觸點(diǎn)呈裸露，如此于通過切割與焊接金線等后續(xù)制 造工藝，即可形成一白光的發(fā)光二極管，由于本發(fā)明運(yùn)用水洗制造工藝，使 P、 N極接觸點(diǎn)均全部裸露，故其散熱性佳，使用壽命更長，且金線不會斷 裂，并可避免出現(xiàn)嚴(yán)重邊緣黃色光暈現(xiàn)象。
圖2顯示本發(fā)明于晶圓片上每一裸晶的示意狀態(tài)，為在GaN (氮化鎵) 或其它類半導(dǎo)體材料1上的每一裸晶均形成一P極接觸點(diǎn)(P-contact)ll及一 N極接觸點(diǎn)(N-contact)12，當(dāng)然，在晶圓片切割前，該晶圓片上布滿無數(shù)個 裸晶。
如圖3所示，上述親水性樹酯材料2，其可選擇以點(diǎn)膠、涂布、印刷或 移印等各種方式，而將親水性樹酯材料2 —次覆蓋遮蔽于晶圓片上全部P極 與N極接觸點(diǎn)ll、 12，以形成一可水洗剝離的的遮蔽層。
如圖4所示，本發(fā)明于P極與N極接觸點(diǎn)11、 12覆蓋親水性樹酯材料2
之后，進(jìn)一步于整個晶圓片表面，利用印刷、涂布、噴涂或移印等方式而封 裝設(shè)有一含有黃色(或以紅色與綠色混合)熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合 物質(zhì)層3，而下一制造工藝，則是再通過水的洗滌方式將前述親水性樹酯材 料2的遮蔽層全部除去，因此使P極與N極接觸點(diǎn)11、12均呈裸露(如圖5 )， 而于晶圓片表面留下一含有黃色(或以紅色與綠色混合)熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層3，以待通過切割與焊接金線4 (如圖6)等現(xiàn)有后續(xù) 制造工藝，即可制成白光的發(fā)光二極管，甚至，該高分子無機(jī)或有機(jī)化合物 質(zhì)層的熒光粉或亦可選定使用各種顏色混合的熒光物質(zhì)，進(jìn)而可制造各種顏 色的發(fā)光二極管。
本發(fā)明所使用的親水性樹酯材料2，其是一種環(huán)保材，如PVA、 PVP、 PULP(木質(zhì)粉)、TALC(滑石粉)或壓克力、硅利康膠、美耐皿等材質(zhì)，為具有 可水洗剝離的特性。
依本發(fā)明所提供運(yùn)用水洗制造工藝的白光發(fā)光二極管制法，因覆蓋遮蔽 于晶圓片上全部P極與N極接觸點(diǎn)11、 12的遮蔽層(親水性樹酯材料2 )可
輕易的水洗剝離，故非常適合大量生產(chǎn)實(shí)施，亦無任何環(huán)保污染的虞慮，不 但成本低廉，產(chǎn)品良率高，且P極與N極接觸點(diǎn)ll、 12呈裸露，因此散熱性 極佳，當(dāng)然使用壽命更長，很適合作為高功率高照明的光源使用。此外，也 因?yàn)镻極與N極接觸點(diǎn)11、 12并沒有被含有黃色(或以紅色與綠色混合)熒 光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層3所封裹，故即使含有黃色(或以紅色 與綠色混合)熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層3發(fā)生變質(zhì)脆化，亦不 會連帶影響金線4發(fā)生斷離，且本發(fā)明的發(fā)光不會受到阻擋，亮度自可提升， 且無嚴(yán)重邊緣黃色光暈現(xiàn)象。
如實(shí)施例所揭示的，是本發(fā)明主要技術(shù)的例舉說明，并非用以限定本案 技術(shù)范圍，若涉及等效應(yīng)用或基于前項(xiàng)技術(shù)手段所為簡易變更或置換者，均 應(yīng)視為本案技術(shù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類發(fā)光二極管的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步驟將晶圓片上的全部P極與N極接觸點(diǎn)，以親水性樹酯材料覆蓋遮蔽而形成一遮蔽層，進(jìn)而于晶圓片表面封裝設(shè)有一含有熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層，再通過水洗制造工藝而將親水性樹酯材料的遮蔽層除去，使P極與N極接觸點(diǎn)呈裸露，以供進(jìn)行切割與焊接金線后續(xù)制造工藝，而形成一發(fā)光二極管。
2 .如權(quán)利要求1所述運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類發(fā)光二極管的方法，所述的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層的熒光粉選定使用黃色的熒光物 質(zhì)。
3 .如權(quán)利要求1所述運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類發(fā)光二極管的 方法，所述的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層的熒光粉選定使用紅色與綠色混 合的熒光物質(zhì)。
4 .如權(quán)利要求1所述運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類發(fā)光二極管的 方法，所述的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層的熒光粉選定使用各種顏色混合 的熒光物質(zhì)。
5 .如權(quán)利要求1所述運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類發(fā)光二極管的 方法，所述的親水性樹酯材料以點(diǎn)膠、涂布、印刷或移印的方式而一次覆蓋 遮蔽于晶圓片上全部P極與N極接觸點(diǎn)，形成一可水洗剝離的遮蔽層。
6 .如權(quán)利要求1所述運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類發(fā)光二極管的 方法，所述的含有熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層利用印刷、涂布、 噴涂或移印的方式而封裝設(shè)于晶圓片的表面。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種運(yùn)用水洗處理制造氮化鎵或其它類發(fā)光二極管的方法，其于晶圓片的全部P極與N極接觸點(diǎn)覆蓋遮蔽形成一由親水性樹酯材料所構(gòu)成的遮蔽層，進(jìn)而于晶圓片封裝設(shè)有一含有黃色(或以紅色與綠色混合)熒光粉的高分子無機(jī)或有機(jī)化合物質(zhì)層，再通過水洗制造工藝將該親水性樹酯材料的遮蔽層除去，使P極與N極接觸點(diǎn)可呈裸露，因此于通過切割與焊接金線等制造工藝后，即可形成一白光的發(fā)光二極管，運(yùn)用此項(xiàng)水洗制造工藝，因P、N極接觸點(diǎn)均呈裸露，故散熱性佳，使用壽命更長，且金線不會斷裂，并可避免出現(xiàn)光暈現(xiàn)象。
文檔編號H01L33/00GK101442091SQ200710188788
公開日2009年5月27日 申請日期2007年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月20日
發(fā)明者許西岳 申請人:優(yōu)利科技股份有限公司