專利名稱：半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造技術(shù)，尤其涉及一種構(gòu)成為使半導(dǎo) 體芯片在傾斜狀態(tài)下被密封在樹脂密封體內(nèi)部的半導(dǎo)體裝置技術(shù)。
背景技術(shù)：
關(guān)于構(gòu)成例如磁力傳感器或加速度傳感器等物理量傳感器的半導(dǎo)體裝置，存在如下 半導(dǎo)體裝置為了檢出測三維空間內(nèi)的方位或加速度，在傳感器中的半導(dǎo)體芯片處于傾 斜的狀態(tài)下，將該半導(dǎo)體芯片密封在樹脂密封體的內(nèi)部。
關(guān)于此種半導(dǎo)體裝置，例如在日本專利特開2006—100348號公報(參照專利文獻1) 中有所揭示，其具有如下結(jié)構(gòu)在引線框架的載置部上搭載了半導(dǎo)體芯片后，在將上述 引線框架設(shè)置在模塑模具上的工序中，將載置部設(shè)定為傾斜的。日本專利特開2006—100348號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，本發(fā)明者在經(jīng)過對于以傾斜狀態(tài)收納半導(dǎo)體芯片而構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置進行研 究之后，發(fā)現(xiàn)了以下問題。
本發(fā)明者所研究的半導(dǎo)體裝置中，在支撐著搭載半導(dǎo)體芯片的翼片(tab)的翼片吊 線內(nèi)面，利用模壓(coining)等方法而形成凹部。此凹部是成為使翼片傾斜時的起點的部分。
此處，若此凹部過深，則難以使用于模壓的成形模具與翼片吊線分離，從而導(dǎo)致生 產(chǎn)能力降低，因此，凹部不能過于深。但是，若凹部較淺，則翼片吊線內(nèi)面的凹部位置 上的模塑樹脂部分會變得過薄，在進行去除凸起(于'7 ， '7 -)時上述模塑樹脂部分 被除去，使翼片吊線的一部分露出，結(jié)果，導(dǎo)致在其后進行電鍍處理時，在上述露出的 翼片吊線部分附著有金屬電鍍，此與設(shè)計初衷相違背。這樣，會產(chǎn)生電鍍附著不良(外 觀不良)，或者因該金屬電鍍層而造成模塑樹脂產(chǎn)生龜裂，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的良率 降低。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高半導(dǎo)體裝置良率的技術(shù)。 本發(fā)明的上述以及其他目的與新穎特征，可以根據(jù)本說明書的記述及附圖而明確。 如下所示，簡單說明本案揭示的發(fā)明中具有代表性的概要。
也就是說，本發(fā)明具備在相對于樹脂密封體的安裝面傾斜的狀態(tài)下被密封在樹脂密 封體內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片，且在支撐著搭載上述半導(dǎo)體芯片的芯片搭載部的支撐引線上， 在上述安裝面?zhèn)刃纬捎邪疾?，而且上述凹部?個側(cè)面中，位于上述芯片搭載部側(cè)的側(cè) 面比上述凹部的另一側(cè)面更傾斜。
以下，對于由本案揭示的發(fā)明中的代表性特征可獲得的效果，進行簡單說明。
艮P，上述支撐引線上形成的上述凹部的2個側(cè)面中，位于上述芯片搭載部側(cè)的側(cè)面，
比上述凹部的另一側(cè)面更傾斜，以此，可以提高半導(dǎo)體裝置的良率。


圖1是本發(fā)明一實施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的上表面的整體平面圖。
圖2是圖1的半導(dǎo)體裝置的下表面的整體平面圖。
圖3是沿圖1的Y1 — Y1線的剖面圖。
圖4是圖3的半導(dǎo)體裝置的主要部分放大剖面圖。
圖5是圖4所示的區(qū)域A的放大剖面圖。
圖6是圖1的半導(dǎo)體裝置的下表面的主要部分放大平面圖。
圖7是本發(fā)明者所研究的半導(dǎo)體裝置的吊線在彎曲工序前的凹部部分的放大側(cè)視圖。
圖8是在圖7所示的吊線的彎曲工序之后、密封了半導(dǎo)體芯片之后的半導(dǎo)體裝置的 主要部分放大剖面圖。
圖9是圖8所示的區(qū)域D的放大剖面圖。
圖10是圖8的半導(dǎo)體裝置的樹脂密封體的第1面的主要部分放大平面圖。
圖11是本發(fā)明的一實施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造流程圖。
圖12是芯片搭載工序之后的引線框架的單位區(qū)域的平面圖。
圖13是沿圖12的Y1 —Yl線的放大剖面圖。
圖14是圖13所示的區(qū)域H的放大側(cè)視圖。
圖15是悍線接合工序之后的引線框架的單位區(qū)域的平面圖。
圖16是沿圖15的Y1 — Y1線的放大剖面圖。
圖17是將引線框架設(shè)置在模具上之后的引線框架及模塑模具的單位區(qū)域的剖面圖。
圖18是圖17所示的區(qū)域J的放大剖面圖。
圖19是模塑工序之后的單位區(qū)域的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖20是本發(fā)明的一實施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造工序中使用的引線框架的制造流 程圖。
1樹脂密封體
2引線框架
2a芯片焊墊(芯片搭載部)
2b傾斜調(diào)整引線
2c吊線(支撐引線)
2d引線
2dl電鍍層
2e框體部
半導(dǎo)體芯片
4接合焊線
凹部
5a底面
5b、 5c、 5d側(cè)面
8a第l模具
8b第2模具
8bl模槽
Sl第l面
S2第2面
S3第3面
S4第4面
S5第5面
S6 第6面
具體實施例方式
以下實施形態(tài)中，為了便于說明，分割為多個部分或者實施形態(tài)來進行說明，但是，
除了有特別說明以外， 一般情況下，這些多個部分或者實施形態(tài)彼此之間并非毫無關(guān)系， 而是其中的一方是另一方的一部分或者全部的變形例、詳細內(nèi)容、補充說明等。另外，
在以下的實施形態(tài)中，當提及要素的數(shù)等(包括個數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)時，除了有
特別說明、以及理論上明確限定為特定數(shù)等情況以外， 一般情況下并不限定為特定數(shù)， 既可以是特定數(shù)以上也可以是特定數(shù)以下。此外，在以下的實施形態(tài)中，關(guān)于其構(gòu)成要 素(也包括要素步驟等)，除了有特別說明、以及理論上明確為必須等情況以外，并不 一定是必須的。同樣，在以下的實施形態(tài)中，當提及構(gòu)成要素等的形狀、位置關(guān)系等時， 除了有特別說明、以及理論上明確并非如此等情況以外，包含實質(zhì)上近似或類似于其形 狀等的情況。此描述對于上述數(shù)值及范圍也相同。另外，在用于說明本實施形態(tài)的所有 圖式中，對于具有相同功能的部件標注相同的符號，并盡可能地省略其重復(fù)說明。以下， 根據(jù)附圖詳細說明本發(fā)明的實施形態(tài)。
圖1是本實施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的上表面的整體平面圖，圖2是圖1的半導(dǎo)體裝置 的下表面的整體平面圖，圖3是沿圖1的Y1 — Y1線的剖面圖，圖4是圖3的半導(dǎo)體裝 置的主要部分放大剖面圖，圖5是圖4所示的區(qū)域A的放大剖面圖，圖6是圖1的半導(dǎo) 體裝置的下表面的主要部分放大平面圖。另外，圖1中，為了便于觀察附圖，采用了可 透視看到半導(dǎo)體裝置內(nèi)部的方式。
本實施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置例如采用QFN (Quad Flat Non leaded Package,四側(cè)無引 腳扁平封裝)方式構(gòu)成。構(gòu)成此半導(dǎo)體裝置封裝的樹脂密封體1，是例如由環(huán)氧系樹脂 而形成為平面四邊形的薄板狀，其具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第1面SI (安裝 面)以及第2面S2。此外，樹脂密封體1的第1面S1相當于半導(dǎo)體裝置的下表面(安 裝面)，而樹脂密封體1的第2面S2則相當于半導(dǎo)體裝置的上表面。
在此樹脂密封體l的內(nèi)部，密封著2個芯片焊墊(芯片搭載部)2a、傾斜調(diào)整引線 2b的一部分、吊線(支撐引線)2c的一部分、多根引線2d的一部分、2個半導(dǎo)體芯片 3、以及多根接合焊線(以下簡稱為焊線)4。
各芯片焊墊2a,具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第3面S3以及第4面S4。另 外，各芯片焊墊2a相對于樹脂密封體l的第l面Sl及第2面S2傾斜。也就是說，各 芯片焊墊2a，是以自樹脂密封體1中央向外周逐漸變低的方式，在傾斜狀態(tài)下形成的。
在各芯片焊墊2a互相面對的這一側(cè)的一邊上， 一體地形成有上述傾斜調(diào)整引線2b。 此傾斜調(diào)整引線2b，是有助于芯片焊墊2a的傾斜設(shè)定的部分，并且向與芯片焊墊2a的 第3面S3及第4面S4交差的方向(第3面S3側(cè))彎折。由此傾斜調(diào)整引線2b的長度、 彎曲角度，來決定芯片焊墊2a以及半導(dǎo)體芯片3的傾斜角度。傾斜調(diào)整引線2b的前端 側(cè)的一部分，從樹脂密封體1的第1面S1露出。
另外，各芯片焊墊2a的另一邊上， 一體地連接著2根吊線2c。此吊線2c具有沿厚
度方向而相互位于相反側(cè)的第5面S5及第6面S6。此外，吊線2c的端部從樹脂密封體
1的第1面Sl以及與其交差的側(cè)面露出。在此吊線2C從樹脂密封體1的第1面Sl露出 的部分上，形成有例如由銀(Ag)電鍍而成的電鍍層。
在此吊線2c的第5面S5上，如圖4及圖5所示，在比芯片焊墊2a更靠近密封樹 脂體l外周的位置上，形成有沿吊線2e厚度方向凹下的較小的凹部5，該凹部5橫切吊 線2c的延伸方向。
如圖5所示，此凹部5具有底面5a、以及與底面5a及吊線2c的第5面S5交差的 2個側(cè)面5b、 5c。此凹部5 (尤其是凹部5上，樹脂密封體1的外周側(cè)的側(cè)面5b與底面 5a所形成的角)，是成為為了使芯片焊墊2a傾斜而使吊線2c彎曲時的起點的部分。
本實施形態(tài)中，在此凹部5的2個側(cè)面5b、 5c中，位于芯片焊墊2a側(cè)的側(cè)面5c, 比凹部5在密封樹脂體l的外周側(cè)的側(cè)面5b更傾斜。也就是說，凹部5的側(cè)面5b與吊 線2c的第5面S5呈直角(設(shè)計上)交差。以此，如圖5中的區(qū)域B所示，可以明確吊 線2c的露出部分與被覆蓋部分。相對于此，凹部5的位于芯片焊墊2a側(cè)的側(cè)面5c，在 傾斜狀態(tài)下與吊線2c的第5面S5交差而成為前錐形(forward tapered shape)的形狀。 以此，如圖5中的區(qū)域C所示，可以充分確保凹部5的側(cè)面5c下的樹脂密封體1部分 的厚度。另外，此前錐形是指，以使側(cè)面5c從凹部5的底面5a向與其底面5a正交的方 向逐漸遠離，而使凹部5的面積逐漸增大的方式，使側(cè)面5c傾斜的狀態(tài)。
此外，在各芯片焊墊2a的周圍，形成有多根引線2d。此多根引線2d通過焊線4而 與上述半導(dǎo)體芯片3電性連接。各引線2d的上表面的半導(dǎo)體芯片3側(cè)的前端部上，局 部地形成有例如由銀(Ag)構(gòu)成的電鍍層2dl。在形成有此電鍍層2dl的部分，接合著 上述焊線4的第2焊接部。在引線2d的下表面及側(cè)面，樹脂密封體1側(cè)的另一部分從 樹脂密封體1的第1面S1以及與其交差的側(cè)面露出。
如上所述的芯片焊墊2a、傾斜調(diào)整引線2b、吊線2c以及引線2d，例如是由銅(Cu) 或者42合金等金屬形成。
上述半導(dǎo)體芯片3，例如是由利用硅(Si)所形成的平面四邊形狀半導(dǎo)體薄板而構(gòu) 成，其主面朝上，且其內(nèi)面在朝向芯片焊墊2a的狀態(tài)下與芯片焊墊2a的第4面S4接 著而被固定。此處，是以l個半導(dǎo)體裝置內(nèi)收納有2個半導(dǎo)體芯片3為例進行說明。各 半導(dǎo)體芯片3的平面面積大于芯片焊墊2a的平面面積，并且在使半導(dǎo)體芯片3的外周 從芯片焊墊2a的外周露出的狀態(tài)下，將上述各半導(dǎo)體芯片3搭載于芯片焊墊2a上。
在此半導(dǎo)體芯片3的主面上，形成有例如磁力傳感器或加速度傳感器等物理量傳感 器。為了檢測出三維空間內(nèi)的方位及加速度，此半導(dǎo)體芯片3 (及芯片焊墊2a)在相對 于樹脂密封體1的第1面Sl及第2面S2傾斜的狀態(tài)下，被密封在樹脂密封體1的內(nèi)部。
也就是說，2個半導(dǎo)體芯片3，以自樹脂密封體1的中央朝向外周逐漸降低的方式，在 傾斜狀態(tài)下被密封在樹脂密封體1的內(nèi)部。
接著，在半導(dǎo)體芯片3的主面外周附近，沿其主面外周并列配置多個接合焊墊(以 下簡稱為焊墊)。此焊墊，與半導(dǎo)體芯片3主面上的上述物理量傳感器電性連接，并且 與上述焊線4的第1焊接部電性連接。
接著，根據(jù)圖7 圖IO說明本發(fā)明者所研究的半導(dǎo)體裝置之后，說明圖1 圖6中 所示的半導(dǎo)體裝置的效果。
圖7是表示本發(fā)明者所研究的半導(dǎo)體裝置的吊線2c的彎曲工序之前的凹部5部分 的放大側(cè)視圖。在本發(fā)明者所研究的技術(shù)中，彎曲工序之前的吊線2c的凹部5的樹脂 密封體外周側(cè)的側(cè)面5b、與芯片焊墊側(cè)的側(cè)面5d， 一并與吊線2c的第5面S5正交。 此時，若凹部5過深，則產(chǎn)生如下問題凹部5形成后，難以從吊線2c順利的分離凹 部形成用模具，或者，會因為強制分離而使吊線2c變形。隨著半導(dǎo)體裝置的小型輕量 化的要求，吊線2c (引線框架)變的越來越薄，此時，上述問題更佳明顯。因此，就圖 7中的凹部5而言，必須形成為較淺的凹部。
接著，圖8是表示上述圖7所示的吊線2c的彎曲工序之后、密封了半導(dǎo)體芯片3 之后的半導(dǎo)體裝置的主要部分放大剖面圖，圖9是圖8所示的區(qū)域D的放大剖面圖，圖 IO是圖8所示的半導(dǎo)體裝置的樹脂密封體1的第1面Sl的主要部分放大平面圖。
在上述圖7的構(gòu)成中必須使凹部5變淺，但此時，如圖8及圖9所示，凹部5下的 樹脂密封體l部分變薄。尤其是，圖9的區(qū)域E的部位、也就是凹部5的芯片焊墊側(cè)的 側(cè)面5d與吊線2c的第5面S5交差的角的下方，無法充分確保樹脂密封體1部分的厚 度。因此，在進行去除凸起(水洗清洗)時上述較薄的樹脂密封體1部分會剝離。結(jié)果 導(dǎo)致在對引線2d及吊線2c的露出面實施電鍍處理時，如圖10所示，會產(chǎn)生如下問題 在吊線2c的本來不應(yīng)形成電鍍層的部位F上形成了電鍍層，或者，因為形成有違背設(shè) 計初衷的電鍍層而導(dǎo)致樹脂密封體1產(chǎn)生龜裂G。結(jié)果，導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的良率降低。
相對于此，根據(jù)利用圖1 圖6所示的本實施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，使吊線2c的凹部
5在芯片焊墊2a側(cè)的側(cè)面5c傾斜，從而，可以容易地對凹部形成用模具進行脫模，所
以可以形成較深的凹部5。另外，使吊線2c的凹部5的芯片焊墊2a側(cè)的側(cè)面5c傾斜，
從而，可以使從吊線2c的彎曲工序之后的側(cè)面5c與吊線2c的第5面S5交差的角，至
模塑模具的下模具的上表面的距離，大于圖8及圖9所示的距離。以此，可以充分確保
凹部5附近的樹脂密封體1部分的厚度。因此，可以減少或防止在進行去除凸起(水洗
清洗)時凹部5附近的樹脂密封體1部分出現(xiàn)剝離的異常。所以，可以減少或防止吊線 2c上在本來不應(yīng)形成電鍍層的部位F形成電鍍層，或者因為形成違背設(shè)計初衷的電鍍層 而導(dǎo)致樹脂密封體1產(chǎn)生龜裂G的問題，所以可以提高半導(dǎo)體裝置的良率。
另外，使凹部5的樹脂密封體1的外周側(cè)的側(cè)面5b與吊線2c的第5面S5成直角 (相對而言是是銳角)，從而，如圖5的區(qū)域B所示，可以減少或防止上述側(cè)面5b側(cè) 的樹脂密封體1的凸起(樹脂毛邊)，并可以明確吊線2c的露出部位與被覆部位的邊 界，因此可以提高半導(dǎo)體裝置的良率。
接著，按照圖ll的流程圖，使用圖12 圖19，來說明本實施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的 制造方法的一例。
首先，對完成了晶片處理(前工序)的半導(dǎo)體晶片進行切割處理，而將半導(dǎo)體晶片 分割成多個半導(dǎo)體芯片(圖11中的工序100)。半導(dǎo)體晶片是由例如硅(Si)單晶形成 的平面大致呈圓形的半導(dǎo)體薄板構(gòu)成，并在各半導(dǎo)體芯片的主面上形成上述物理量傳感
器o
接著，如圖12及圖13所示，將上述半導(dǎo)體芯片3搭載到引線框架2的芯片焊墊(芯 片搭載部、翼片)2a上(圖11中的工序101)。圖12是芯片搭載工序之后的引線框架 2的單位區(qū)域的平面圖，圖13是沿圖12的Y1 — Y1線的放大剖面圖。另外，圖14是圖 13所示的區(qū)域H的放大側(cè)視圖。
上述引線框架2是由例如銅(Cu)或者42合金等形成的金屬薄板而構(gòu)成，并且具 有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的上表面以及下表面。
在此引線框架2的上下表面內(nèi)，配置著一行或者多行狀多個單位區(qū)域。在此引線框 架2的各單位區(qū)域中， 一體地形成有2個芯片焊墊2a、 一體形成于各芯片焊墊2a相互 面對的這一側(cè)的前端的傾斜調(diào)整引線2b、支撐各芯片焊墊2a的2根吊線2c、配置在2 個芯片焊墊2a周圍的多根引線2d、以及支撐上述多根引線2d及吊線2c的框體部2e。
各芯片焊墊2a的第3面S3是引線框架2的下表面的一部分，而芯片焊墊2a的第4 面S4則是引線框架2的上表面的一部分。各芯片焊墊2a，通過分別與各芯片焊墊2a的 一邊一體地連接的2根吊線2c，而與框體部2e整體連接。以此，各芯片焊墊2a由引線 框架2支撐。
此階段的芯片焊墊2a，相對于引線框架2的上下表面而言，并不是傾斜的，而是平 坦的。
上述吊線2c的第5面S5是引線框架2的下表面的一部分，而吊線2c的第6面S6
則是引線框架2的上表面的一部分。此吊線2c的第5面S5上，在比芯片焊墊2a更靠
近框體部2e的位置上，形成有在吊線2c的厚度方向上凹下的上述較小的凹部5，此凹
部5橫切吊線2c的延伸方向。
在本實施形態(tài)中，如圖14所示，此凹部5的與吊線2c的第5面S5交差的2個側(cè) 面5b、 5c中，位于芯片焊墊2a側(cè)的側(cè)面5c，比凹部5的框體部2e側(cè)的側(cè)面5b更傾斜。 也就是說，凹部5的框體部2e側(cè)的側(cè)面5b，與吊線2c的第5面S5呈直角(設(shè)計上) 交差，相對于此，位于凹部5的芯片焊墊2a側(cè)的側(cè)面5c，以前錐形的形狀，在傾斜的 狀態(tài)下，與吊線2c的第5面S5交差。以此，可使用于形成凹部5的模具容易地脫模。 因此，可以較深地形成凹部5。
凹部5的深度，例如是15 pm 30 pm左右，較好地是15 ^rn 25 pm左右。當凹 部5的深度在15pm以下時，容易產(chǎn)生上述樹脂密封體的一部分出現(xiàn)剝離的問題，另一 方面，當凹部5的深度在25 nm以上時，吊線2c的強度下降，從而產(chǎn)生變形或斷線不 良。
另外，凹部5的側(cè)面5c的傾斜角度61例如是30度 40度。此外，例如，設(shè)凹部 5的底面5a的長度(吊線2c的延伸方向的尺寸)Ll，與側(cè)面3c的長度(吊線2c的延 伸方向的尺寸)L2相等。
接著，如圖15及圖16所示，上述半導(dǎo)體芯片3的焊墊、與引線框架2的引線2d， 是通過焊線4而電性連接(圖11中的工序102)。圖15是焊線接合工序之后的引線框 架2的單位區(qū)域的平面圖，圖16是沿圖15的Y1 — Y1線的放大剖面圖。焊線4是例如 利用金(Au)而形成。焊線4是例如通過正接的方式而被焊接。也就是說，焊線4的一 端(第l焊接)與半導(dǎo)體芯片3的焊墊接合，而焊線4的另一端(第2焊接)與引線2d 的前端的電鍍層2dl接合。
此后，進入轉(zhuǎn)移模塑工序。此處，首先如圖17及圖18所示，利用模塑模具的第1 模具8a與第2模具8b夾住引線框架2。圖17是將引線框架2設(shè)置在模塑模具上之后的 引線框架2以及模塑模具的單位區(qū)域的剖面圖，圖18是圖17中的區(qū)域J的放大剖面圖。 第l模具8a的上表面平坦，且該第l模具8a連接于引線框架2的下表面。第2模具8b 的厚度方向上具有凹下模槽8bl，且該模槽8bl內(nèi)收納有引線框架2的單位區(qū)域的2個 半導(dǎo)體芯片3以及芯片焊墊2a等。
當如上所述，利用第l模具8a與第2模具8b夾住引線框架2時，引線框架2的傾 斜調(diào)整引線2b受第l模具8a的作用被推向圖17的上方，以此，吊線2c以上述凹部5 為起點而向圖17中的上方彎曲，并且，芯片焊墊2a的傾斜調(diào)整引線2b側(cè)向圖17中的 上方上升。以此，芯片焊墊2a相對于第l模具8a的上表面(或者框體部2e的上下表面) 傾斜。
此時，在本實施形態(tài)中，如圖18所示，使吊線2c的凹部5的側(cè)面5c傾斜，從而， 可確保自凹部5的側(cè)面5c與吊線2c的第5面S5交差的角部，至第1模具8a的上表面 的距離較大。
接著，在模槽8bl內(nèi)流入例如環(huán)氧系樹脂，待其硬化后，從模塑模具取出，如圖19 所示，在各單位區(qū)域形成樹脂密封體1。圖19是模塑工序之后的單位區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體裝 置的剖面圖。樹脂密封體1具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第1面Sl及第2面S2。 使用樹脂密封體l，覆蓋半導(dǎo)體芯片3、芯片焊墊2a、傾斜調(diào)整引線2b的一部分、吊線 2c的一部分、多根引線2d的一部分以及焊線4 (圖11中的工序103)。
接著，利用去除凸起(水洗清洗)處理對從樹脂密封體1露出的金屬部分進行清洗 后，在引線框架2(引線2d)的從樹脂密封體1露出的表面上，形成例如由銀構(gòu)成的電 鍍層(圖11中的工序104)。此時，在本實施形態(tài)中，對于翼片吊線2c的第5面S5的 凹部5附近的樹脂密封體1的一部分的厚度，可以確保為在去除凸起(水洗)時不會被 剝離的程度，所以，可以避免產(chǎn)生翼片吊線2c的一部分從樹脂密封體1露出的問題。 因此，可以避免在電鍍處理工序104時，翼片吊線2c的一部分違背設(shè)計初衷而附著有 電鍍的電鍍附著不良(外觀不良)的問題。此外，可避免因上述電鍍層而導(dǎo)致樹脂密封 體l產(chǎn)生龜裂的問題。因此，可以提高半導(dǎo)體裝置的良率。
此后，切除引線框架2的一部分，來形成引線2c (圖11中的工序105)。以此， 從引線框架2中分離出各個半導(dǎo)體裝置。之后，經(jīng)過篩選工序(圖11中的工序106)制 成良品。
下面，按照圖20的流程圖，說明上述圖12所示的引線框架2的制造方法的一例。 首先，準備例如由銅(Cu)或者42合金等構(gòu)成的平坦的金屬薄板，并使用抗蝕劑 掩模對其實施蝕刻處理，以此，使上述芯片焊墊2a、傾斜調(diào)整引線2b、吊線2c、多根 引線2d以及框體部2e圖案化(圖20中的工序200)。此階段的傾斜調(diào)整引線2b，并 不相對于芯片焊墊2a而言，并不傾斜，而是平坦的。
接著，在多根引線2d的前端部，選擇性地形成例如由銀(Ag)等構(gòu)成的電鍍層(圖 20中的工序201)。此后，通過模壓法等方法，在吊線2c的第5面S5的一部分上形成 上述凹部5 (圖20中的工序202)。之后，使傾斜調(diào)整引線2b向與芯片焊墊2a的第3 面S3交差的方向彎曲(圖20中的翼片彎曲加工工序203)。接著，經(jīng)過檢查等工序， 制成良品。
模壓加工工序202與翼片彎曲加工工序203也可以在1個工序中進行。從而，可以
減少須要準備的模具種類。另外，可以縮短加工時間。另一方面，如上所述，在分別進
行模壓加工工序202與翼片彎曲加工工序203時，準備并組合多種用于翼片彎曲加工的
模具，以此，可以個別調(diào)整傾斜調(diào)整引線的彎曲量，所以可以制造出安裝(半導(dǎo)體芯片
3的傾斜)角度不同的多種式樣的物理量傳感器。
以上，根據(jù)實施形態(tài)，具體說明了本發(fā)明者所提出的發(fā)明，但是本發(fā)明并不僅限于 上述實施形態(tài)，可在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)進行各種變更。
以上，主要說明了將本發(fā)明者提出的發(fā)明應(yīng)用于作為其背景的利用領(lǐng)域中，也就是 磁力傳感器及加速度傳感器的制造方法中的情況，但是并不限定于此，本發(fā)明可以應(yīng)用 于各種領(lǐng)域，例如可以應(yīng)用于其他傳感器中。
本發(fā)明可應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置的制造業(yè)中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括芯片搭載部；支撐引線，支撐所述芯片搭載部；多根引線，配置于所述芯片搭載部的周圍；半導(dǎo)體芯片，搭載于所述芯片搭載部上；以及樹脂密封體，覆蓋于所述芯片搭載部、所述半導(dǎo)體芯片、所述支撐引線的一部分以及所述各個多根引線的一部分，所述樹脂密封體具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第1面及第2面，所述芯片搭載部具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第3面及第4面，所述支撐引線具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第5面及第6面，所述半導(dǎo)體芯片搭載于所述芯片搭載部的所述第4面上，所述半導(dǎo)體芯片及所述芯片搭載部相對于所述樹脂密封體的第1面及第2面傾斜配置，且在位于所述芯片搭載部的第4面的相反側(cè)的所述支撐引線的第5面上，形成有沿所述支撐引線的厚度方向凹下的凹部，并且所述凹部中的所述支撐引線的第5面交差的2個側(cè)面中，位于所述芯片搭載部側(cè)的側(cè)面，比所述凹部的另一個側(cè)面更傾斜。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片上形成有傳感器。
3. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述多根引線以及所述支撐引線中的一部分，從所述樹脂密封體的所述第1面露出。
4. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括(a) 準備引線框架的工序；(b) 在所述引線框架的芯片搭載部，搭載半導(dǎo)體芯片的工序；(C)使所述半導(dǎo)體芯片的電路與所述引線框架的各個多根引線電性連接的工序；(d) 使用具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第1面及第2面的樹脂密封體， 對所述半導(dǎo)體芯片進行密封的工序；以及(e) 對于所述多根引線中從所述樹脂密封體露出的部分實施電鍍處理的工序，并且所述(a)工序中的引線框架中， 一體地具有所述芯片搭載部，具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第3面及第4面； 支撐引線，是支撐上述芯片搭載部的部分，具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè) 的第5面及第6面；以及所述多根引線，配置在所述芯片搭載部的周圍，并且在位于所述芯片搭載部的第4面的相反側(cè)的所述支撐引線的第5面上，形成有向所述支撐引線的厚度方向凹下的凹部，所述凹部中的與所述支撐引線的第5面交差的2個側(cè)面中，位于所述芯片搭載 部側(cè)的側(cè)面，比所述凹部的另一側(cè)面更傾斜。 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括(a) 準備引線框架的工序；(b) 在所述引線框架的芯片搭載部搭載半導(dǎo)體芯片的工序；(C)使所述半導(dǎo)體芯片的電路與所述引線框架的各個多根引線電性連接的工序；(d) 使用具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第1面及第2面的樹脂密封體， 對所述半導(dǎo)體芯片進行密封的工序；以及(e) 對于所述多根引線中從所述樹脂密封體露出的部分實施電鍍處理的工序；并且所述(a)工序的引線框架中一體地具備-所述芯片搭載部，具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè)的第3面及第4面； 支撐引線，是支撐所述芯片搭載部的部分，具有沿厚度方向而相互位于相反側(cè) 的第5面及第6面；以及所述多根引線，配置在所述芯片搭載部的周圍，并且在位于所述芯片搭載部的第4面的相反側(cè)的所述支撐引線的第5面上，形成有 向所述支撐引線的厚度方向凹下的凹部，所述凹部中的與所述支撐引線的第5面交差的2個側(cè)面中，位于所述芯片搭載 部側(cè)的側(cè)面，比所述凹部的另一側(cè)面更傾斜，并且 所述(a)工序包括 (al)將所述芯片搭載部、所述支撐引線、以及所述多根引線形成圖案的工序； (a2)在所述支撐引線的第5面上形成所述凹部的工序；以及(a3)使所述芯片搭載部的前端部，向與所述芯片搭載部的第3面交差的方向 彎曲的工序，且在所述(c)工序與所述(d)工序之間，包括以使所述芯片搭載部相對于所 述樹脂密封體的第1面及第2面傾斜的方式，而使所述支撐引線彎曲的工序。
全文摘要
本發(fā)明是一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造技術(shù)，其能夠提高半導(dǎo)體裝置的良率，該半導(dǎo)體裝置中，將半導(dǎo)體芯片3密封在構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的樹脂密封體1的內(nèi)部，且使該半導(dǎo)體芯片3處于相對于樹脂密封體1的上下表面傾斜的狀態(tài)。在支撐著搭載此半導(dǎo)體芯片3的芯片焊墊2a的吊線2c中，在搭載著半導(dǎo)體芯片3的面的相反側(cè)、即第5面S5上，形成有小的凹部5。此凹部5是成為使芯片焊墊2a傾斜時的起點的部分。此凹部5的2個側(cè)面5b、5c中，靠近芯片焊墊2a側(cè)的側(cè)面5c，比靠近樹脂密封體1外周側(cè)的側(cè)面5b更傾斜。
文檔編號H01L23/488GK101174603SQ20071016533
公開日2008年5月7日 申請日期2007年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月2日
發(fā)明者田中茂樹 申請人:株式會社瑞薩科技