專利名稱：：薄膜電阻結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種薄膜電阻結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是有關(guān)于一種片電阻值高、電阻溫度系數(shù)低的薄膜電阻結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
：銅箔線路及電阻皆是印刷電路板(PCB)上必要的構(gòu)成組件，在目前的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用上，兩者的應(yīng)用及處理乃是分開不相關(guān)的。其中銅箔線路是先以銅箔進(jìn)行基板積層作業(yè)(copper-cladlaminate,CCL)，隨后再輔以顯影/蝕刻/剝膜(Devel叩ing/Etching/Stripping，DES)等程序而完成線路的制作。至于電阻組件的安裝配置，則是購買分離式的電阻組件后，再以表面粘著(SMT)技術(shù)進(jìn)行個(gè)別電阻組件的組配作業(yè)。然而，隨著電子產(chǎn)品行動化及高功能化的發(fā)展趨勢，被動組件的數(shù)量需求日益增加，而可用的表面配置空間卻又相對減小，且還必須面對高頻作業(yè)下對信號完整性的要求。因此目前PCB產(chǎn)業(yè)界的因應(yīng)之策，是以持續(xù)縮小被動組件的尺寸以為因應(yīng)。目前市場上市占率最大的被動組件產(chǎn)品尺寸是0402(40milX20mil)(lmil二千分的一英吋)，而最新型的0201(20milX10mil)則仍持續(xù)攀升中，預(yù)期在2009年便會超越0402產(chǎn)品，成為最大市占率的產(chǎn)品。另外，更新一代的產(chǎn)品-01005(10miW5mil)，也可能推出，只是因?yàn)?201產(chǎn)品的尺寸已經(jīng)接近人體肉眼上的物理極限，要再繼續(xù)縮小實(shí)有其困難性，因此分析公司Prismark預(yù)測01005將會實(shí)行與以往表面粘著(SMT)制程完全不同的平面可嵌入式制程為主的產(chǎn)品。目前市場上的平面可嵌入式電阻組件，若依產(chǎn)品厚度分類可分為厚膜產(chǎn)品(厚度〉10um)及薄膜產(chǎn)品(厚度〈2um)。其中，厚膜產(chǎn)品又可進(jìn)一步細(xì)分成低溫共燒型(LTCC)及有機(jī)厚膜型(PTF)二類，而薄膜產(chǎn)品則可進(jìn)一步細(xì)分成合金電鍍型及直接電鍍(化學(xué)鍍)型二類。低溫共燒型的厚膜產(chǎn)品由于是氧化物燒結(jié)型，制程溫度較高(一般超過40(TC)，因此不易直接應(yīng)用在目前居市場主流的有機(jī)基板型的PCB，會有破壞基板(如燒焦等)的危險(xiǎn)。至于有機(jī)厚膜型產(chǎn)品，雖然具有價(jià)格相對便宜且片電阻值(sheetresistance)涵蓋范圍大等兩大優(yōu)點(diǎn)，而有相對較大的市場接受度，但卻有印刷制程精度不佳、有機(jī)厚膜熱穩(wěn)定性較差且容易吸濕，而使產(chǎn)品電性易受環(huán)境變動所影響等多項(xiàng)缺點(diǎn)，因此對于修補(bǔ)不易，對精確度要求較高(特別是將來產(chǎn)品尺寸越來越小，制程精度越顯重要)的可嵌入式電阻產(chǎn)品而言，有機(jī)厚膜型產(chǎn)品并無法契合于未來的應(yīng)用發(fā)展。因此薄膜電阻產(chǎn)品的發(fā)展，便被寄予厚望。薄膜電阻產(chǎn)品中又以合金電鍍型產(chǎn)品受到市場的矚目。首先是由美國Ohmega公司在80年代時(shí)推出的鎳磷(Ni-P)合金電鍍產(chǎn)品(商品名"Ohmega-Ply")，其后接著又有美國GouldElectronics公司的TCR技術(shù)(以濺鍍方式制作電阻層)、Shipley公司所開發(fā)的嵌入式電阻器"InSite"(通過燃燒式化學(xué)氣相沉積(CCVD)的方法，直接在銅箔表面覆蓋上摻有雜質(zhì)的鉑金屬薄膜)，以及日本古河銅箔的FR-WS的推出。而自80年代到現(xiàn)今期間，薄膜電阻產(chǎn)品雖也曾于90年代初期有一較佳的市場接受度，但因受限于整體可嵌入式組件技術(shù)環(huán)境的不成熟及本身電阻值過低與成本過高等特性上的缺點(diǎn)，再加上競爭技術(shù)-表面粘著技術(shù)(SMT)的繼續(xù)進(jìn)步-如0201的推出及具相同應(yīng)用替代用途的有機(jī)高分子厚膜電阻(PTF)等技術(shù)的競爭，迄今為止薄膜電阻產(chǎn)品一直未獲得市場認(rèn)同，而無法成為市場產(chǎn)品的主流。但就次一世代01005的尺寸限制而言，不論是表面粘著(SMT)制程或是有機(jī)厚膜(PTF)產(chǎn)品皆有其不易克服的精度問題，因此又再次喚起市場對平面可嵌入式薄膜電阻的期待。但相對地，薄膜電阻產(chǎn)品的片電阻值過低的缺點(diǎn)仍必須先被克服。目前有機(jī)PCB可嵌入式電阻產(chǎn)品中，具有市場實(shí)際應(yīng)用且精確度較佳的薄膜電阻產(chǎn)品，皆是采用金屬合金電阻層技術(shù)，因此受到金屬材料本質(zhì)上低比電阻值(〈10uQ-cm)及低厚度下均勻性控制不易的特性所限制，其片電阻值普遍低于250Q/口(口指正方形面積)。因此如何使制作出的薄膜電阻產(chǎn)品能具有更大的電阻值范圍，為一大重點(diǎn)。再者，薄膜電阻產(chǎn)品在片電阻提升的同時(shí)，其電阻溫度系數(shù)(TCR)亦必須能被控制在較低程度(例如較佳地被控制在小于200ppm)，以獲得良好的電阻熱穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的是提供一種薄膜電阻結(jié)構(gòu)及其制造方法，以制作出適用于可嵌入式薄膜電阻產(chǎn)品，且同時(shí)具有高片電阻值及低電阻溫度系數(shù)的薄膜電阻結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種薄膜電阻結(jié)構(gòu)，至少包括一基材，和形成于基材上的一復(fù)合型薄膜電阻。復(fù)合型薄膜電阻是通過具有電阻溫度系數(shù)(TCR)為負(fù)值的半導(dǎo)體金屬銅或/及鎳氧化物及電阻溫度系數(shù)為正值的導(dǎo)電金屬材分散相相混合所構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種薄膜電阻結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基材；形成一復(fù)合型薄膜電阻于該基材上，包括形成具半導(dǎo)體特性的金屬銅氧化物層；和還原含有金屬材料成分的有機(jī)金屬前驅(qū)物，以形成具分散相的導(dǎo)電金屬層。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下圖1是SilarCu20經(jīng)350度一60分鐘退火轉(zhuǎn)質(zhì)成Cu0后的試片表面掃描式電子顯微鏡(SEM)圖；圖2為圖1試片經(jīng)7層Pd(0Ac)2涂布及200度熱分解處理后的試片表面SEM圖。圖3是Pd(0Ac)2*3L經(jīng)200度熱處理后，試片表面SEM觀察圖；圖4是Pd(OAc)2*2L+Cu(OAc)2*4L試片表面SEM觀察圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明提出一種薄膜電阻結(jié)構(gòu)及其制造方法，利用復(fù)合型薄膜電阻，包括具半導(dǎo)體特性的金屬氧化物層和具分散相的導(dǎo)電金屬層，以在片電阻值提升的同時(shí)，亦能將電阻溫度系數(shù)值(TCR)控制在較低的程度，以同時(shí)獲得良好的電阻熱穩(wěn)定性。其中，半導(dǎo)體金屬氧化物層是采用與金屬具有相反TCR特性且比電阻值較大的半導(dǎo)體材料，例如是選自以銅的氧化物和/或鎳的氧化物所組成的群組。其中，具分散相的導(dǎo)電金屬層其材料可選用具良好熱穩(wěn)定性的貴金屬，例如選自以白金(Pt)、鈀(Pd)、釕(Ru)、銠(Rh)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)及前述的合金所組成的群組。在半導(dǎo)體材料(即半導(dǎo)體金屬氧化物層)和分散導(dǎo)體(即導(dǎo)電金屬層)的不同導(dǎo)電機(jī)制的混合運(yùn)作下，本發(fā)明可制作出片電阻值高、電阻溫度系數(shù)低的薄膜電阻結(jié)構(gòu)，以應(yīng)用在可嵌入式平面電阻組件的制程中。以下是提出第一、第二實(shí)施例作為本發(fā)明的說明。其中，兩實(shí)施例在實(shí)驗(yàn)過程中均以玻璃作為基材，銅氧化物作為半導(dǎo)體金屬氧化物層，金屬鈀(Pd)作為具分散相的導(dǎo)電金屬層，但本發(fā)明并不以此為限。另外，第一實(shí)施例是在基材上先形成不同的半導(dǎo)體銅氧化物層后，再于半導(dǎo)體銅氧化物層上形成導(dǎo)電金屬層；第二實(shí)施例則是在基材上先形成導(dǎo)電金屬層后，再于導(dǎo)電金屬層上形成半導(dǎo)體銅氧化物層。而兩實(shí)施例經(jīng)實(shí)驗(yàn)證實(shí)均可制作出兼具高片電阻值及低電阻溫度系數(shù)的薄膜電阻結(jié)構(gòu)。再者，實(shí)施例所提出的細(xì)部結(jié)構(gòu)和制程步驟僅為舉例說明之用，并不是對本發(fā)明欲保護(hù)的范圍做限縮。再者，實(shí)施例中的圖示亦省略不必要的組件，以利清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。第一實(shí)施例在此實(shí)施例中，是在基板上形成含量固定的半導(dǎo)體金屬氧化物層(例如氧化銅或氧化亞銅)，再于上方形成不同層數(shù)的導(dǎo)電金屬層(例如鈀)，并觀察導(dǎo)電金屬含量變動的效應(yīng)。以下為制程步驟的說明。取載玻片二片為基材，利用以銅-硫代硫酸鹽錯(cuò)離子為前驅(qū)物的連續(xù)離子吸附及反應(yīng)法(SuccessiveIonLayerAdsorptionandReaction,Silar)，進(jìn)行5層氧化亞銅(Cii20)的制作，其總厚度約為0.1um。之后，將A組試片在溫度約35CrC的加熱爐中，進(jìn)行約60分鐘的轉(zhuǎn)質(zhì)退火處理。退火處理后，氧化亞銅被轉(zhuǎn)質(zhì)為氧化銅(CuO)。而B組試片未經(jīng)退火處理，因此仍是氧化亞銅(Cu20)。然后，以氯仿溶液作為載體，將醋酸鈀(Pd(0Ac)2)混在氯仿溶液(0.lg/16cc)中并進(jìn)行涂布作業(yè)。每次進(jìn)行涂布作業(yè)時(shí)，是取250ul(micro-liter微公升)的醋酸鈀氯仿溶液滴于試片正中央，然后以2000rpm轉(zhuǎn)速，進(jìn)行20秒的旋轉(zhuǎn)涂布(Spin-Coating)。接著，再利用溫度約200°C，時(shí)間約60分鐘的退火還原處理，將鈀金屬還原出來。退火完成后的試片(如附圖1及附圖2乃以掃描式電子顯微鏡(scanningelectronmicroscope,SEM)觀察Cu0轉(zhuǎn)化完成后及Pd層涂布完成后的試片表面)，再以銀膠pad制作成每塊邊長為2.5公分的正方形(l口=2.5X2.5cm2)的電阻試片，然后依Mil-STD-22GM304TCR測試法，進(jìn)行試片25。C至125。C間片電阻值(Ps)及電阻溫度系數(shù)(TCR)的測試作業(yè)。測試結(jié)果如表l所示。表1顯示了A、B二組試片在室溫的片電阻值及25。C-125。C的TCR分析值與Pd金屬涂布層數(shù)間的關(guān)連性。從表1中可明顯地看出，在氧化物含量固定下，無論是A組有經(jīng)轉(zhuǎn)質(zhì)處理的氧化銅或是B組未經(jīng)轉(zhuǎn)質(zhì)處理的氧化亞銅，隨Pd含量的增大(層數(shù)變多)，電阻薄膜的片電阻值及TCR皆呈現(xiàn)出遞減現(xiàn)象。其中A組試片(含Cu0組成)的TCR下降量明顯大于B組試片(含Cu20組成)的表現(xiàn)。在完成六層Pd涂布作業(yè)后，A組試片的片電阻值還在1720Q/口時(shí)，TCR即已可進(jìn)入小于200ppm廣C的區(qū)間；若再繼續(xù)進(jìn)行第七層Pd的涂布，則雖然會造成片電阻值的繼續(xù)下降，但也還能維持在1200Q/口以上，但卻可將TCR值進(jìn)一步調(diào)降至100ppm以內(nèi)。此結(jié)果仍是優(yōu)于目前現(xiàn)有產(chǎn)品(即市售產(chǎn)品)最佳的1000Q/口-200ppm/'C指針組合。再者，雖然在六層Pd形成之后，B組試片(含Cii20組成)所配制的薄膜電阻在TCR性能方面，未能如A組試片(含CuO組成)一樣下降至200ppm廣C以內(nèi)，但是其與Pd含量間也同樣呈現(xiàn)著明顯的反比關(guān)連性，若應(yīng)用產(chǎn)品不需要具備很高的片電阻值時(shí)，只要再繼續(xù)適量增大Pd含量，則TCR亦可以有效降至200ppm以下。因此，視產(chǎn)品實(shí)際狀況的需求，B組試片(含Cu20組成)仍可應(yīng)用在產(chǎn)品上，而具應(yīng)用價(jià)值的。表l:氧化物含量固定下，銅氧化物種類及Pd含量對于金屬-銅氧化物薄膜電阻的電性測試效應(yīng)<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>(Q/口)(Ppm,C)(Q/口)(Ppm,C)1121918-4587113962-2980233680-198645160-3963314772-124520198-272046074-6927261-202152723-3183137-122161720-1511744-78871266-32.61084-353第二實(shí)施例在此實(shí)施例中，是在基板上先形成含量固定的導(dǎo)電金屬層(例如鈀)，再于上方形成不同層數(shù)的半導(dǎo)體金屬氧化物層(例如氧化銅)，并觀察半導(dǎo)體金屬氧化物層含量變動的效應(yīng)。以下為制程步驟的說明。取載玻片三片為基材，以2000rpm轉(zhuǎn)速20秒進(jìn)行二次醋酸鈀(Pd(0Ac)2)氯仿溶液(0.lg/16cc)的旋轉(zhuǎn)涂布(Spin-Coating)作業(yè)。其中，第一次旋轉(zhuǎn)涂布醋酸鈀后進(jìn)行約15分鐘20(TC的熱分解，第二次旋轉(zhuǎn)涂布醋酸鈀后則進(jìn)行約60分鐘20(TC的熱分解，將鈀金屬還原出來。之后再以醋酸銅(Cu(0Ac)2)酒精溶液(0.lg/16cc)分別進(jìn)行1、3及4次的旋轉(zhuǎn)涂布(Spin-Coating)作業(yè)，并于每次涂布作業(yè)完成后，進(jìn)行200°C、30分鐘的退火轉(zhuǎn)化處理，以形成氧化銅(CuO)層。附圖3及附圖4分別是Pd層涂布后及CuO層涂布后試片表面的SEM觀察圖。退火完成后的試片，再以銀膠pad制作成每塊邊長為2.5公分的正方形(l口=2.5X2.5cm2)的電阻試片，然后依MIL-STD-22GM304測試法，進(jìn)行試片的片電阻值(P》及TCR的測試作業(yè)。測試結(jié)果如表2所示。表2顯示了片電阻值及TCR分析值與Cu0層數(shù)間的關(guān)連性。從表2中可明顯地看出，在金屬鈀含量固定下，Cu0層數(shù)越多，電阻薄膜的片電阻值越高，而TCR則呈現(xiàn)出遞減現(xiàn)象。而且由表2中最底列的線性系數(shù)判定值可知，各電阻試片的電性表現(xiàn)與其Cu/Pd含量高低間有一直接的關(guān)聯(lián)性存在。表2:導(dǎo)電金屬鈀(Pd)含量固定下，銅氧化物層數(shù)對于金屬-銅氧化物薄膜電阻的電性測試效應(yīng)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>綜上，根據(jù)第一、第二實(shí)施例，與表1及表2的結(jié)果可知，本發(fā)明經(jīng)由低溫(約2ocrc)有機(jī)前驅(qū)物熱分解法將導(dǎo)電金屬均勻散布于以銅氧化物為基底所組合而成的半導(dǎo)體金屬氧化物-導(dǎo)電金屬的復(fù)合型薄膜電阻，其片電阻值可輕易達(dá)到^1000Q/□，且電阻溫度系數(shù)(TCR)值仍可同時(shí)控制于小于200ppm/。C的程度，較市面上現(xiàn)已實(shí)際市售的PCB可嵌入式合金薄膜電阻產(chǎn)品而言，其性能毫不遜色。另外，依表2結(jié)果所呈現(xiàn)的線性相關(guān)性，可知本發(fā)明所得的復(fù)合型薄膜電阻(半導(dǎo)體金屬氧化物-導(dǎo)電金屬)，在實(shí)際產(chǎn)品應(yīng)用時(shí)，還可依使用者需求或產(chǎn)品的特性，通過Pd/Cu含量間的變動，進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整與組合。因此本發(fā)明在應(yīng)用時(shí)具有相當(dāng)大的彈性。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬
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中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種薄膜電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于至少包括一基材；和一復(fù)合型薄膜電阻，形成于該基材上，該復(fù)合型薄膜電阻包括多數(shù)層半導(dǎo)體金屬氧化物層和具分散相的多數(shù)層導(dǎo)電金屬層。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于所述這些導(dǎo)電金屬層的材料選自以白金、鈀、釕、銠、銥、金或銀及前述的合金所組成的群組。3.如權(quán)利要求1所述的薄膜電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于所述這些半導(dǎo)體金屬氧化物層選自以銅的氧化物及/或鎳的氧化物所組成的群組。4.如權(quán)利要求3所述的薄膜電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于所述這些半導(dǎo)體金屬氧化層的材料為氧化銅。5.如權(quán)利要求1所述的薄膜電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于所述這些半導(dǎo)體金屬氧化物層形成于該基材上，而這些導(dǎo)電金屬層是形成于這些半導(dǎo)體金屬氧化層上。6.如權(quán)利要求1所述的薄膜電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于所述這些導(dǎo)電金屬層是形成于該基材上，而這些半導(dǎo)體金屬氧化物層是形成于這些導(dǎo)電金屬層上。7.—種薄膜電阻結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括-提供一基材；形成一復(fù)合型薄膜電阻于該基材上，包括形成多數(shù)層半導(dǎo)體金屬氧化物層；和還原含有金屬材料成分的有機(jī)金屬前驅(qū)物，以形成具分散相的多數(shù)層導(dǎo)電金屬層。8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述這些導(dǎo)電金屬層的材料選自以白金、鈀、釕、銠、銥、金或銀及前述的合金所組成的群組。9.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述這些半導(dǎo)體金屬氧化物層是選自以銅的氧化物及/或鎳的氧化物所組成的群組。10.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述這些半導(dǎo)體金屬氧化物層在不超過40(TC的制程溫度下形成。11.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述含有金屬材料成分的有機(jī)金屬前驅(qū)物是在小于25(TC的溫度下還原，以形成具分散相的這些導(dǎo)電金屬層。12.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述形成該復(fù)合型薄膜電阻的步驟包括形成這些半導(dǎo)體金屬氧化物層于該基材上；形成含有金屬材料成分的有機(jī)金屬前驅(qū)物于這些半導(dǎo)體金屬氧化物層上；和還原金屬材料成分，以形成具分散相的這些導(dǎo)電金屬層于這些半導(dǎo)體金屬氧化層上。13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于所述這些半導(dǎo)體金屬氧化層為多數(shù)層氧化亞銅層，該方法包括對這些氧化亞銅層進(jìn)行一退火處理，以轉(zhuǎn)質(zhì)為多數(shù)層氧化銅層。14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于所述該退火處理的溫度為35(TC。15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于是利用一旋轉(zhuǎn)涂布方式將有機(jī)金屬前驅(qū)物醋酸鈀涂布于這些氧化銅層上。16.如權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于所述在200。C的退火處理下，將金屬鈀還原出來，以形成具分散相的這些導(dǎo)電金屬鈀層于這些氧化銅層上。17.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述形成該復(fù)合型薄膜電阻的步驟包括形成含有金屬材料成分的有機(jī)金屬前驅(qū)物于該基材上；還原金屬材料成分，以形成具分散相的這些導(dǎo)電金屬層于該基材上；和形成這些半導(dǎo)體金屬氧化物層于這些導(dǎo)電金屬層上。18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于是利用一旋轉(zhuǎn)涂布方式將有機(jī)金屬前驅(qū)物醋酸鈀涂布于該基材上。19.如權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于在20(TC的退火處理下，將金屬鈀還原出來，以形成具分散相的這些導(dǎo)電金屬鈀層于該基材上。20.如權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于是利用一旋轉(zhuǎn)涂布方式將醋酸銅涂布于這些導(dǎo)電金屬鈀層上。21.如權(quán)利要求20所述的制造方法，其特征在于所述這些醋酸層是在一退火處理溫度為20(TC下進(jìn)行轉(zhuǎn)質(zhì)成一氧化銅層。全文摘要本發(fā)明一種薄膜電阻結(jié)構(gòu)，至少包括一基材，和形成于基材上的一復(fù)合型薄膜電阻。復(fù)合型薄膜電阻是通過具有電阻溫度系數(shù)(TCR)為負(fù)值的半導(dǎo)體金屬銅或/及鎳氧化物及電阻溫度系數(shù)為正值的導(dǎo)電金屬材分散相混合所構(gòu)成。以便在提升薄膜電阻片電阻值至大于1000Ω/□的同時(shí)，仍可有效確保電阻溫度系數(shù)值小于200ppm/℃。文檔編號H01C7/00GK101399101SQ20071016241公開日2009年4月1日申請日期2007年9月29日優(yōu)先權(quán)日2007年9月29日發(fā)明者李鴻坤,翁榮洲,陳友忠申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院