專利名稱：在電荷擦除光學(xué)曝光工具中去除吸波長(zhǎng)的氣體的方法
在電荷擦除光學(xué)膝光工具中去除吸波長(zhǎng)的氣體的方法本案系母案(申請(qǐng)日2002.12.02,申請(qǐng)?zhí)?2823776. 5,發(fā)明 名稱用于擦除在制造集成電路過(guò)程中累積的電荷的方法和設(shè)備) 的分案。發(fā)明背景本公開(kāi)文件總體上涉及用于制造集成電路的過(guò)程和設(shè)備，更具體 說(shuō)，涉及用于通過(guò)光學(xué)手段去除或減少在制造集成電路器件期間所 產(chǎn)生的電荷累積的過(guò)程和設(shè)備。在工業(yè)上已經(jīng)提出或者使用了多種采用非易失性存儲(chǔ)器(NVM) 陣列的集成電路。非易失性存儲(chǔ)器陣列通?；诟偶夹g(shù)。這種技 術(shù)指的是通過(guò)氧化物層或電介質(zhì)層將電荷轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電的浮柵，然后 在該浮柵處存儲(chǔ)或者去除電荷。采用浮柵技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器陣 列器件的實(shí)例是可擦可編程只讀存儲(chǔ)器("EPR0M")器件，該器件可 被讀取、擦除和寫(xiě)入(即可編程)。EPR0M —般使用浮柵場(chǎng)效應(yīng)晶體 管，該晶體管具有取決于在該浮柵上電荷存在或缺失的雙態(tài)。通過(guò) 將電荷即電子存儲(chǔ)在浮柵中，從而將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器器 件中?？梢垣@得多種EPROM。在傳統(tǒng)的和最基本的形式中，EPR0M通過(guò) 電學(xué)的方法進(jìn)行編程，并且通過(guò)暴露在紫外光下進(jìn)行擦除。這些類 型的EPROM通常指的是紫外可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器("UVEPROM")。 通過(guò)在UVEPROM晶體管的漏極和源極之間通以高電流同時(shí)給柵極施 加正電勢(shì)來(lái)編程UVEPR0M。在柵極上的正電勢(shì)吸引從漏極到源極的溝 道電流的高能(即熱)電子，在該溝道電流中電子轉(zhuǎn)移或者注入浮 柵中并且在浮柵中被俘獲。基于這種技術(shù)的UVEPROM被設(shè)計(jì)為通過(guò) 光學(xué)手段擦除它們的電荷。在這種方法中，當(dāng)需要重新編程時(shí)可以通過(guò)將該器件暴露在紫外光下來(lái)除去存儲(chǔ)的電荷。在圖1中示出UVEPROM的一個(gè)實(shí)例。該器件統(tǒng)一標(biāo)為10，它包 括形成在n型襯底16上的源區(qū)12和漏區(qū)14。柵氧化物膜18形成在 位于源區(qū)12和漏區(qū)14之間溝道之上的村底表面上。由p型多晶硅
等構(gòu)成的浮柵電極20典型地布置在柵氧化物膜18上。因?yàn)閁VEPROM 被設(shè)計(jì)為通過(guò)光學(xué)手段來(lái)擦除它們的電荷，所以在制造過(guò)程中可以 通過(guò)將這些器件暴露在紫外光下來(lái)去除在制造過(guò)程中產(chǎn)生的任意電 荷累積。另一種形式的EPR0M是可通過(guò)電學(xué)手段擦除的可編程只讀存儲(chǔ) 器，該存儲(chǔ)器還被稱作為"EEPR0M，，或"E2PR0M"。通常是借助于已 知的Fowler-Nordheim隧道效應(yīng)來(lái)電學(xué)地編程和擦除EEPROM。在工 作期間，這些器件并不是被設(shè)計(jì)為通過(guò)光學(xué)手段進(jìn)行擦除。因此， 在制造集成電路期間可能產(chǎn)生危險(xiǎn)的電荷累積。還有另一種形式的EPR0M是"快可擦編程只讀存儲(chǔ)器"，它使用 熱電子進(jìn)行編程，并且使用Fowler-Nordh"m隧道效應(yīng)現(xiàn)象進(jìn)行擦 除?？梢砸?快速，，或者批量方式來(lái)擦除快可擦編程只讀存儲(chǔ)器，其 中陣列中的所有單元或部分陣列可以使用Fowler - Nordheim隧道效應(yīng) 同時(shí)進(jìn)行擦除。快可擦編程只讀存儲(chǔ)器通常稱作是"閃存單元"或 者"閃存器件"。類似于EEPR0M器件，在制造快可擦編程只讀存儲(chǔ) 器器件期間所產(chǎn)生的電荷累積并沒(méi)有被設(shè)計(jì)成通過(guò)光學(xué)手段進(jìn)行擦 除。如在圖2中所示，實(shí)例性的EEPROM或者快可擦編程只讀存儲(chǔ)器 器件通常包括布置在浮柵20上的附加導(dǎo)電柵層22。在制造集成電路期間，眾所周知的是，在諸如EPR0M器件的浮柵 上(如果可以應(yīng)用的話)以及/或者在該集成電路的其他區(qū)域上會(huì)產(chǎn) 生不希望的電荷累積。如果這些電荷累積沒(méi)有被除去或者被中和， 則這些電荷累積可能導(dǎo)致高電壓并對(duì)電路造成電損傷。通常在制造 集成電路的眾多處理步驟中的一步或者多步中容易產(chǎn)生電荷累積。 例如，在退火處理期間、金屬拋光或刻蝕處理期間、在通孔和焊盤 形成步驟之后等都可能產(chǎn)生電荷累積。集成電路典型地使用3到5 層導(dǎo)電金屬層，這些金屬層在制造期間包括大約5個(gè)到大約7個(gè)對(duì) 于電荷累積有貢獻(xiàn)的處理步驟。在制造器件時(shí)擦除這些電荷累積是 重要的。當(dāng)前的制造過(guò)程致力于擦除在制造集成電路期間產(chǎn)生的電荷累 積，特別是通過(guò)使用諸如在上面提到的EEPR0M和閃存的非易失性存 儲(chǔ)器器件的集成電路來(lái)擦除電荷累積?？梢允褂秒娞结榿?lái)提供與電 路的臨時(shí)連接以便施加所需要的電壓，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電荷積累的擦 除。然而，這種方法耗費(fèi)時(shí)間并且對(duì)于大批量的生產(chǎn)來(lái)講不是切實(shí)可行的。使用電探針的擦除時(shí)間典型地大于大約10分鐘時(shí)間/每個(gè)晶片，并且根據(jù)特定電路設(shè)計(jì)可能大于1小時(shí)/每個(gè)晶片。通過(guò)將該集成電路暴露在窄帶輻射源下也可除去電荷累積。當(dāng)前的用于除去電荷的過(guò)程使用水銀電極燈，該燈產(chǎn)生波長(zhǎng)大約為254nm 的窄帶波譜。水銀燈發(fā)射高能光子，高能光子穿過(guò)集成電路堆從而 將能量傳給存儲(chǔ)的電子和其他存在的電荷。這些賦能電子克服先前 限制電子和其他電荷的能量壁壘，在集成電路內(nèi)部電子和電子空穴 或正電荷之間重新復(fù)合。在窄帶UV光下的曝光還增加了在該集成電 路其他區(qū)域上的電荷遷移率。在UVEPR0M中，通過(guò)在窄帶輻射源下曝光來(lái)除去電荷累積通常被 認(rèn)為是有效的，這是由于這種類型的器件在最初就被配置成用于在 工作期間通過(guò)光學(xué)手段進(jìn)行擦除。布置在浮柵上的氧化物層或者電 介質(zhì)層對(duì)于由水銀燈發(fā)射的波長(zhǎng)大約為254nm的窄帶輻射來(lái)說(shuō)是透 明的。然而，使用窄帶光源的當(dāng)前處理過(guò)程對(duì)于除去其他類型集成電路 器件中的電荷累積來(lái)說(shuō)是無(wú)效的，這些器件諸如包含布置在浮柵電 極(例如EEPR0M，閃存等)上的導(dǎo)電(例如金屬)柵層的器件，或 者其他的包含在浮柵存儲(chǔ)器單元上的多層金屬線的器件。如圖2中 所示，導(dǎo)電柵層22的存在起到了阻擋入射輻射到達(dá)下面浮柵電極20 的作用，這大大降低了它的擦除效率。結(jié)果，當(dāng)前的曝光工具需要 長(zhǎng)的啄光時(shí)間(即根據(jù)特定的IC設(shè)計(jì)對(duì)于每個(gè)晶片需要大約大于1 或者2個(gè)小時(shí))來(lái)減少電荷累積。膝光時(shí)間直接取決于光源的強(qiáng)度(以及其他因素)。在曝光工具 中所使用的當(dāng)前人工光源的光源強(qiáng)度被限制在(例如)平均每平方 厘米約30毫瓦功率(mW/cm2)，當(dāng)燈是新的時(shí)候可以達(dá)到大約 60mW/cm2。然而，所使用的窄帶光源產(chǎn)生包括離散和窄語(yǔ)線的發(fā)射信 號(hào)，在每條譜線處具有低的總輸出強(qiáng)度。盡管在某種程度上可以改 變現(xiàn)有技術(shù)光源的波i普輸出，但是得到的譜線并不包含偏離原發(fā)射 (約254nm)的很大的功率或光強(qiáng)度輸出。用于減少電荷累積的當(dāng)前光源依賴于使用內(nèi)部電極的燈泡技 術(shù)。已知的是使用內(nèi)部電極的燈泡強(qiáng)度會(huì)大大減少燈泡的使用壽
命。用戶常常在替換這些燈泡之前需要將強(qiáng)度降低到(相比較于新的燈泡)50%以便使替換的成本最小化。結(jié)果，燈泡隨著時(shí)間越來(lái) 越惡化，將導(dǎo)致生產(chǎn)量的減少。使用現(xiàn)有技術(shù)燈泡所產(chǎn)生的其他問(wèn) 題包括燈的長(zhǎng)冷卻時(shí)間(達(dá)到幾個(gè)小時(shí))，以至替換燈泡常常需要相 當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間來(lái)使燈泡冷卻。另外，這些類型的燈泡在燈關(guān)閉之后重新 點(diǎn)亮?xí)r呈現(xiàn)出高的故障率。最終，許多集成電路制造商典型地在燈 泡的非使用期間不關(guān)閉燈泡，這樣對(duì)于燈泡來(lái)講大大影響了可使用 的工作壽命并增加了操作成本。
使用現(xiàn)有技術(shù)光源除了沒(méi)有效率之外，而且當(dāng)前的啄光工具具有 相對(duì)大的臺(tái)面面積，這需要相當(dāng)大的占地面積。另外，這種膝光工 具典型地要求將晶片手動(dòng)裝載到工具中。這個(gè)過(guò)程是今天在加工中 僅剩的時(shí)常需要人工操作的步驟。人工操作有嚴(yán)重的缺陷，可能會(huì) 造成晶片斷裂或者晶片損傷(例如劃傷)、需要額外的勞動(dòng)投資、有 可能造成晶片污染并且不易提供用于自動(dòng)化的晶片跟蹤。
顯然需要一種用于減少在生產(chǎn)集成電路期間的電荷累積的改進(jìn) 過(guò)程，特別是對(duì)于那些使用非易失性存儲(chǔ)器器件的集成電路更是如 此。先進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)一步縮小了用于制造集成電路的圖形。同時(shí)， 因?yàn)檫€縮小了線和空間的最小尺寸，所以添加了更多的金屬線層， 其中的金屬線更為靠近。最終結(jié)果是對(duì)于給定窄帶波長(zhǎng)的光來(lái)說(shuō) 更難穿透IC結(jié)構(gòu)和擦除在制造過(guò)程期間所產(chǎn)生的電荷累積
發(fā)明內(nèi)容
在此所公開(kāi)的是用于除去在生產(chǎn)集成電路期間所產(chǎn)生的電荷累 積的過(guò)程和設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施方案中， 一種用于除去生產(chǎn)集成電路 期間的電荷累積的過(guò)程包括將該集成電路啄光在一種強(qiáng)度的寬帶輻射 圖案下一段時(shí)間，所述的強(qiáng)度和時(shí)間可以有效地減少在制造集成電路期 間累積的電荷。在另一個(gè)實(shí)施方案中，一種用于減少制造集成電路期間在浮柵電 極上的電荷累積的過(guò)程包括將該集成電路放置在處理室中，其中 該集成電路包括浮柵電極；并且在將該集成電路膝光在一種強(qiáng)度的寬 帶輻射圖案下一段時(shí)間，所述的強(qiáng)度和時(shí)間可以有效地減少在制造集成 電路期間累積的電荷。優(yōu)選地是，該寬帶輻射圖案包括至少一種大約小于280nm的波
長(zhǎng)，F(xiàn)WHM大約大于10nm。通過(guò)下面附圖和詳細(xì)說(shuō)明解釋了上面說(shuō)明的特征和其他特征。


現(xiàn)在參考附圖，其中相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分 圖1說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的UVEPR0M器件； 圖2說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的EEPR0M器件；圖3說(shuō)明 一種實(shí)例性的、用于擦除制造集成電路期間的電荷累積 的膝光工具；圖4圖解說(shuō)明用于電荷擦除的一種無(wú)電極微波驅(qū)動(dòng)燈泡的寬帶 波鐠輸出；以及圖5圖解說(shuō)明在EEPR0M中存儲(chǔ)的電荷是作為暴露在寬帶輻射光源的爆光時(shí)間的函數(shù)。
具體實(shí)施方式
一種用于減少在制造集成電路期間的電荷累積的過(guò)程包括將該 集成電路曝光在一種強(qiáng)度的寬帶輻射圖案下一段時(shí)間，所述的強(qiáng)度和時(shí) 間可以有效地減少在制造集成電路期間累積的電荷。在一種優(yōu)選的實(shí) 施方案中，在使用非易失性存儲(chǔ)器器件制造集成電路期間使用這種 過(guò)程。在制造過(guò)程的各個(gè)階段可以使用該過(guò)程，并且優(yōu)選地是，在 已知對(duì)于電荷累積有貢獻(xiàn)的處理步驟期間實(shí)施該過(guò)程，諸如在等離 子體灰化或者刻蝕處理之后、退火處理、在通孔和焊盤形成步驟之 后等。該過(guò)程優(yōu)選地是在形成至少一個(gè)導(dǎo)電層之后使用。雖然不想受到原理的限制，但是已知的是諸如在上面提到的某些 處理對(duì)于電荷累積是有貢獻(xiàn)的。出于解釋目的，制造導(dǎo)電的金屬層 的布線圖案通常包括等離子體調(diào)解的刻蝕處理，其中將氣體混合物 暴露于能量源并且分離該氣體以產(chǎn)生等離子體。該等離子體含有活 性物質(zhì)，這些物質(zhì)包括高能原子、自由基、離子、電子和光子。這 些物質(zhì)，根據(jù)它們的濃度和能級(jí)，可能造成在集成電路內(nèi)部的不同 程度的電荷累積。如在此所使用的，術(shù)語(yǔ)"寬帶"輻射源指的是具有至少一種波長(zhǎng) 帶的輻射源，該波長(zhǎng)帶具有大約大于10nm的半峰寬，更加優(yōu)選地是 該半峰寬大約大于15nm，甚至更加優(yōu)選地是大約大于20nm。術(shù)語(yǔ)半 峰寬(F冊(cè)M)在此定義為當(dāng)降低到峰值的一半時(shí)或者是最大值的一
半時(shí)跨越波長(zhǎng)曲線的寬度。圖3說(shuō)明一種實(shí)例性的啄光工具100，其適于減少在制造集成電 路期間的電荷累積。該曝光工具100 —般包括處理室112和輻射源 室113。該處理室112包括夾盤114，在夾盤上布置晶片116?？蛇x 地是，可以調(diào)節(jié)夾盤114或者處理室112以提供在處理期間用于加 熱晶片的熱源(沒(méi)有示出)。 一種任選加熱的實(shí)例是一種加熱的夾 盤。啄光工具100進(jìn)一步包括輻射源118和布置在輻射源118與夾 盤114之間的板120。對(duì)管道122進(jìn)行布置，使其與處理室112之間 有液體流動(dòng)，從而凈化該室112并調(diào)節(jié)處理室112內(nèi)部的壓力等。 爆光工具100還可包括其他的特征以用于在晶片表面提供均勻曝 光，所述附加特征諸如在授予Matthews等人的專利號(hào)為No. 4885047 的美國(guó)專利中所描述的結(jié)構(gòu)特征，其整體引入作為參考。對(duì)于晶片 表面的均勻曝光將減少對(duì)于過(guò)度曝光的需要，以確保減少具有非易 失性存儲(chǔ)器陣列的晶片的所有區(qū)域中的電荷累積，從而增加生產(chǎn) 量。板120起到隔離輻射源118與下面處理的晶片116的作用。有利 地使用板120來(lái)消除從輻射源118到晶片116的特殊污染，將輻射 源118與處理室112隔離以提供單獨(dú)的通道，并且另外(如果存在 的話)允許使用氣體來(lái)冷卻輻射源和微波腔(沒(méi)有示出)。該板還允 許在沒(méi)有干擾光源工作的情況下，在處理室中使用特殊選擇的處理 氣體。采用這種方式，可以布置管道使其與輻射源室113和處理室 112之間有液體流動(dòng)以便凈化包含在那里的吸收氣體環(huán)境，將在下面進(jìn)一步詳細(xì)地討論o板120優(yōu)選地是由在工作環(huán)境下不退化的物質(zhì)制成的。優(yōu)選地， 板120是由對(duì)于希望輻射具有足夠的透過(guò)率的石英制造的，以用于 減少電荷累積。可以使用除了石英之外的其他材料，只要這些材料 具有上面的特征。例如，可能優(yōu)選地是將晶片暴露在具有小于220nm波長(zhǎng)的輻射下以擦除電荷。這種石英材料的實(shí)例是市場(chǎng)上可獲得 的、由位于West Berlin,NJ的Dynasil公司生產(chǎn)的、商標(biāo)名為Dynasil 1000的石英材料。通過(guò)傳統(tǒng)的安裝方式將板120安裝在處理室112 中，該處理室可能包括適當(dāng)?shù)囊r墊。優(yōu)選地是，板120和夾盤114 是圓盤形狀，以便與被處理的晶片116的形狀一致。優(yōu)選地是輻射
源118發(fā)射具有至少一種大約小于280nm的波長(zhǎng)的寬帶輻射圖案， 其波長(zhǎng)優(yōu)選地為大約180nm到大約280nm，更加優(yōu)選地是大約180nm 到大約250nm。至少一種優(yōu)選的波長(zhǎng)的FWHM是大約大于10nm，更加 優(yōu)選的是大于20nm。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，輻射源118使用微波驅(qū)動(dòng)的無(wú)電極燈泡和 分段的反射鏡來(lái)給晶片提供充分均勻的寬帶輻射圖案。在Wood等人 的美國(guó)專利No5541475中公開(kāi)了適當(dāng)?shù)奈⒉?qū)動(dòng)無(wú)電極燈泡。已經(jīng) 發(fā)現(xiàn)了一種性能良好的示例性微波驅(qū)動(dòng)無(wú)電極的燈泡，該燈泡可從 市場(chǎng)上獲得，商標(biāo)名為HL燈泡，部件編號(hào)203662 ,由位于 Rockville， Maryland的Axcelis Technologies公司生產(chǎn)。在圖4 中示出由這種寬帶紫外輻射源所產(chǎn)生的波i普，應(yīng)當(dāng)注意的是存在相 當(dāng)數(shù)量的小于280nm的波譜成份。該過(guò)程包括將晶片116裝栽到處理室112中，并且將晶片116 暴露在由輻射源118發(fā)射的寬帶輻射圖案下。優(yōu)選地是，將處理室 112配置成實(shí)現(xiàn)晶片116的自動(dòng)處理，而不用手動(dòng)處理晶片116。在 優(yōu)選的實(shí)施方案中，該過(guò)程包括使用一種或者多種惰性氣體來(lái)除去 在處理室112內(nèi)部的空氣從而凈化處理室112，然后將晶片116暴露 在寬帶輻射圖案下。用于凈化處理室112空氣的適當(dāng)?shù)亩栊詺怏w包 括，但不局限于氮?dú)?、氬氣、氦氣、包括至少一種上述氣體的組合 物等?？諝獍ù蠹s21%的氧氣。眾所周知，氧氣吸收波長(zhǎng)小于大約 200nm的輻射并且反應(yīng)形成臭氧等產(chǎn)物。該臭氧的產(chǎn)生反過(guò)來(lái)加大波 長(zhǎng)吸收，臭氧開(kāi)始吸收波長(zhǎng)高達(dá)250nm的輻射并且繼續(xù)吸收較低的 波長(zhǎng)。最終降低了處理效率。在將晶片116暴露在寬帶輻射圖案之 前凈化處理室112和輻射源室113,從而減少波長(zhǎng)吸收并因此提高處 理效率。將集成電路暴露給寬帶輻射具有許多優(yōu)點(diǎn)。例如使得建設(shè)性和破 壞性的干涉效應(yīng)最小化。如果集成電路內(nèi)部的單層膜厚度是波長(zhǎng)的 整數(shù)倍或者半整數(shù)倍則產(chǎn)生干涉，并且可能導(dǎo)致有過(guò)多或者過(guò)少的 照明光穿過(guò)而到達(dá)較低的層。對(duì)于使用單波長(zhǎng)的窄帶輻射源來(lái)講， 該干涉效應(yīng)可能嚴(yán)重限制或者降低用于減少電荷累積的效率。作為 對(duì)照地是，來(lái)自寬帶輻射的干涉效應(yīng)被最小化，這是由于它使用了
包括多個(gè)波長(zhǎng)的寬帶輻射圖案，所述的多個(gè)波長(zhǎng)不受干涉的影響， 即對(duì)于給定的膜厚度來(lái)講是非破壞性的或者是非建設(shè)性的。另外，對(duì)于各種大小的功能部件來(lái)講，寬帶輻射的使用確保了在寬帶輻 射圖案下，各種波長(zhǎng)中的至少一些波長(zhǎng)在該功能部件附近(避免陰 影)發(fā)生折射，并且穿透到典型地布置著存儲(chǔ)器陣列的層堆底部。 另外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可以通過(guò)將晶片暴露在較短的波長(zhǎng)(小于280nm) 來(lái)大大提高處理效率。較短波長(zhǎng)比較長(zhǎng)波長(zhǎng)具有較高的光子能量， 并且因此能夠給電荷施加更多的能量，這樣就允許電荷(例如電子) 更有效地克服表征電荷累積的能量壁壘。 實(shí)例1在這個(gè)實(shí)例中，將晶片暴露在由FUSION PS3曝光工具所產(chǎn)生的 寬帶輻射圖案下。該曝光工具裝備有HL燈泡并且產(chǎn)生在圖4中所示 的波譜圖形。FUSION PS3曝光工具是在市場(chǎng)上可獲得的、由位于 Rockville, MD的Axcelis Technologies公司生產(chǎn)的膝光工具。每 個(gè)晶片包括多個(gè)管芯，所述多個(gè)管芯包含非易失性存儲(chǔ)器(NVM或者 閃存)結(jié)構(gòu)，使用電探針將該結(jié)構(gòu)預(yù)先編程到充電狀態(tài)。該非易失 性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電的柵極，導(dǎo)電的柵極布置在基于250nm設(shè)計(jì) 規(guī)則的浮柵電極上面。在微波電路中供給磁控管的電功率是4500瓦 (W)，微波電路到燈泡的傳輸效率降低到大約67% (即對(duì)于燈泡大 約是3000瓦)。對(duì)于不同的晶片組改變曝光時(shí)間，并將柵極上的電荷繪制成時(shí)間 的函數(shù)。由存儲(chǔ)的電荷所產(chǎn)生的電壓在編程狀態(tài)下被歸一化為"1"。 根據(jù)制造商的規(guī)格，對(duì)于可接受的"擦除"狀態(tài)，可接受的界限被 預(yù)定為歸一化的編程狀態(tài)的百分比，并通過(guò)在圖5中所示的上面水 平虛線來(lái)限定。圖5說(shuō)明非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的電荷狀態(tài)是暴露給 寬帶輻射源的曝光時(shí)間的函數(shù)。該結(jié)果清楚表明對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，將存儲(chǔ)的電荷降低 到可接受的水平是在1分鐘以內(nèi)發(fā)生的，這在生產(chǎn)量和電荷累積的 減少效率方面表現(xiàn)出相當(dāng)大的商業(yè)優(yōu)勢(shì)。從延長(zhǎng)的曝光以及將電荷 累積維持在可接受的界限以下的效應(yīng)可以看出，該過(guò)程窗口是強(qiáng)壯 的。也就是說(shuō)，過(guò)度曝光或者過(guò)度擦除都不是問(wèn)題。應(yīng)當(dāng)注意的是， 充電的狀態(tài)不能完全從浮柵中通過(guò)光學(xué)手段除去。降低電荷累積到0
需要諸如使用電探針等的電輸入端.然而，這種低壓電平充電狀態(tài)(如在困5中所示的上限)可被接受作為"擦除狀態(tài)"，或者更具體 說(shuō)被接受作為相對(duì)于"電擦除狀態(tài)"的"UV-擦除狀態(tài)".如在前面 所討論的，使用電探針來(lái)減少電荷累積非常費(fèi)時(shí)并且在生產(chǎn)中不是 切實(shí)可行的.雖然了參考實(shí)例性的實(shí)施方案說(shuō)明本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人 員應(yīng)當(dāng)理解，在沒(méi)有背離本發(fā)明范圍的情況下可以進(jìn)行各種改變和 等效替換.例如，雖然解釋和說(shuō)明的是EEPROM陣列，但所公開(kāi)的同 樣適用于其他在單元中使用浮柵的非易失性存儲(chǔ)器陣列，并且甚至 適用于非存儲(chǔ)器集成電路或者集成電路的非存儲(chǔ)器部分。另外，在 沒(méi)有背離本發(fā)明的基本范圍的情況下可以進(jìn)行許多改變來(lái)根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)調(diào)整特定的情況或者材料.因此，本發(fā)明的目的不是限制 所公開(kāi)的特定實(shí)施方案作為執(zhí)行本發(fā)明的最好的模式，本發(fā)明將包 括所有落入附帶權(quán)利要求書(shū)范圍內(nèi)的實(shí)施方案. 被要求保護(hù)的是.
權(quán)利要求
1. 一種用于在電荷擦除光學(xué)曝光工具中去除吸收大約180nm到大 約200nm的波長(zhǎng)的氣體的過(guò)程，其中該光學(xué)曝光工具包括與處理室進(jìn)行 光通信的輻射源室，該過(guò)程包括使用惰性氣體來(lái)凈化該輻射源室，所述惰性氣體對(duì)于被周圍(預(yù)先 凈化的)氣體吸收的波長(zhǎng)來(lái)說(shuō)是基本透明的；以及使用惰性氣體來(lái)凈化該處理室，所述惰性氣體對(duì)于被周圍(預(yù)先凈 化的)氣體吸收的波長(zhǎng)來(lái)說(shuō)是基本透明的。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的過(guò)程，其中該惰性氣體選自包括氮?dú)?、氦氣?氬氣、以及包含至少一種上述氣體的組合物的組。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的過(guò)程，其中吸收波長(zhǎng)的氣體包括空氣。
全文摘要
一種用于通過(guò)光學(xué)手段減少集成電路中的電荷累積的過(guò)程包括將所述集成電路或者其中部分暴露在寬帶輻射源下。該過(guò)程有效地減少了在制造集成電路中產(chǎn)生的電荷累積。
文檔編號(hào)H01L21/268GK101145520SQ20071012877
公開(kāi)日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2002年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月30日
發(fā)明者A·亞諾斯, A·辛諾特, I·貝里, K·斯圖爾特 申請(qǐng)人:艾克塞利斯技術(shù)公司