專利名稱：半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)在半導(dǎo)體晶片的側(cè)面所設(shè)置的表示結(jié)晶方位的指示標(biāo)記進(jìn)行檢測(cè)的機(jī)構(gòu)，尤其涉及用來(lái)對(duì)下述指示標(biāo)記進(jìn)行檢測(cè)的機(jī)構(gòu)，所述指示標(biāo)記落入在半導(dǎo)體晶片的外周邊緣部上形成的曲面狀面加工部的區(qū)域內(nèi)，平坦并表示結(jié)晶方位。
背景技術(shù)：
作為使在硅等單晶半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)單稱為“晶片”)的正面上形成有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片變薄的方法，公知的方法是僅將相當(dāng)于器件形成區(qū)域的背面加工到必要的厚度，而外周剩余區(qū)域與該器件形成區(qū)域相比被較厚地保留(例如，參照特開(kāi)2004-281551號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2005-123425號(hào)公報(bào))。記載在特開(kāi)2004-281551號(hào)公報(bào)以及特開(kāi)2005-123425號(hào)公報(bào)中的現(xiàn)有方法是使用具有表示半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位的三角形狀的凹口或定向平面等結(jié)晶方位指示標(biāo)記的半導(dǎo)體晶片，配合該結(jié)晶方位而在半導(dǎo)體晶片正面上形成半導(dǎo)體器件，僅對(duì)相當(dāng)于該器件形成區(qū)域的背面進(jìn)行薄化加工。在該情況下，由于凹口或定向平面形成為向半導(dǎo)體晶片的徑向中心方向切入的形狀，所以，為了在晶片整周充分確保外周剩余區(qū)域的寬度，則外周剩余區(qū)域的寬度自然需要加大。為此，在具有凹口或定向平面的晶片的情況下，外周剩余區(qū)域的寬度相應(yīng)需更寬些，因而器件區(qū)域的面積減少，可由一張半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)的器件片的數(shù)量也減少，導(dǎo)致成本增加。
為此，本發(fā)明人提出了一種半導(dǎo)體晶片，其在半導(dǎo)體晶片的外周剩余區(qū)域的外周邊緣部具有平坦面作為表示半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位的標(biāo)記，該平坦面不但與半導(dǎo)體晶片的面方向正交而且落入在外周邊緣部上所形成的凸面狀面加工部的區(qū)域內(nèi)。
在半導(dǎo)體晶片的正面上形成器件時(shí)，通過(guò)傳感器來(lái)檢測(cè)定向平面等結(jié)晶方位指示標(biāo)記，配合結(jié)晶方位來(lái)描繪器件電路，但是，現(xiàn)有的具有凹口或定向平面的半導(dǎo)體晶片，是將半導(dǎo)體晶片同軸地吸附在可轉(zhuǎn)動(dòng)的吸附臺(tái)上，并通過(guò)以?shī)A持半導(dǎo)體晶片的緣部的方式配置的光學(xué)傳感器來(lái)檢測(cè)結(jié)晶方位指示標(biāo)記。該光學(xué)傳感器具備投光部和受光部，從投光部投射的光，透過(guò)結(jié)晶方位指示標(biāo)記的空隙而被受光部接受，由此檢測(cè)結(jié)晶方位指示標(biāo)記。
但是，在本發(fā)明人此前提出的具有結(jié)晶方位指示標(biāo)記的半導(dǎo)體晶片中，結(jié)晶方位指示標(biāo)記相對(duì)于半導(dǎo)體晶片的外周圓凹進(jìn)的量較小，所以從半導(dǎo)體晶片的正面和背面進(jìn)行投光、受光的情況下，光量的變化較小，因此，存在結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)較難這樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的目的是，提供一種即使是從外周圓到結(jié)晶方位指示標(biāo)記的凹進(jìn)量較小的半導(dǎo)體晶片，也能可靠檢測(cè)結(jié)晶方位識(shí)別標(biāo)記的半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)。
本發(fā)明是一種半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)，所述半導(dǎo)體晶片在器件區(qū)域的周?chē)哂袌A形的外周剩余區(qū)域，所述器件區(qū)域?qū)⒍鄠€(gè)器件形成在或者預(yù)定形成在正面上，在外周剩余區(qū)域的外周邊緣部的面加工部的區(qū)域內(nèi)，作為表示該半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位的標(biāo)記而形成有與該半導(dǎo)體晶片的面方向正交的平坦面，該半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)該半導(dǎo)體晶片的該平坦面，其特征在于，包括具有與該半導(dǎo)體晶片的面方向平行的光軸的光學(xué)式傳感器、和保持該半導(dǎo)體晶片的能夠旋轉(zhuǎn)的保持臺(tái)。
在本發(fā)明中，當(dāng)邊以保持臺(tái)保持半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)稱為“晶片”)并使其旋轉(zhuǎn)，邊使光從光學(xué)式傳感器投射到晶片的側(cè)面時(shí)，在光學(xué)式傳感器的光軸變得與平坦面垂直時(shí)，光學(xué)式傳感器接受到被平坦面反射的反射光，從而檢測(cè)到平坦面。因而，即使是從晶片的外周圓到結(jié)晶方位指示標(biāo)記的凹進(jìn)量較小的晶片，也能可靠檢測(cè)結(jié)晶方位識(shí)別標(biāo)記(以下簡(jiǎn)稱為“標(biāo)記”)。
可以設(shè)計(jì)成，由本發(fā)明的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)到標(biāo)記時(shí)，使保持臺(tái)立即停止?；蛘呖梢允贡３峙_(tái)旋轉(zhuǎn)既定角度之后再停止。為了進(jìn)行這樣的動(dòng)作，例如可以設(shè)計(jì)成，在保持臺(tái)的旋轉(zhuǎn)軸上具備編碼器，并且包括存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)，對(duì)光學(xué)式傳感器對(duì)反射光有反應(yīng)的位置上的旋轉(zhuǎn)軸的編碼器值進(jìn)行存儲(chǔ)；和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使該保持臺(tái)旋轉(zhuǎn)，并與根據(jù)該有反應(yīng)的位置預(yù)先指定的位置相吻合地停止。
在檢測(cè)出標(biāo)記并對(duì)晶片進(jìn)行定位后，晶片保持著該方位而被從保持臺(tái)搬送到例如器件形成機(jī)構(gòu)上，以對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體的結(jié)晶方位的配置來(lái)形成器件。用于形成器件的工序涉及數(shù)十個(gè)步驟，因而在各工序中均配置本發(fā)明的晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)，進(jìn)行標(biāo)記的檢測(cè)和晶片的定位。或者是，在形成器件后進(jìn)行晶片的薄化，并在之后將晶片粘貼在切塊帶(dicing tape)上時(shí)，在對(duì)粘貼在切塊帶周?chē)那袎K框和晶片的方位進(jìn)行定位時(shí)，也進(jìn)行標(biāo)記的檢測(cè)。另外，在將晶片粘貼在切割帶上之后，利用切塊框上形成的定位用的缺口進(jìn)行晶片的定位，以該位置為基準(zhǔn)進(jìn)行切塊。
本發(fā)明中所說(shuō)的外周邊緣部是晶片外周側(cè)的寬度極小的曲面狀部分，在將從正面?zhèn)鹊奖趁鎮(zhèn)燃庸こ山孛娉蕡A弧狀的面加工部定義為外周邊緣部的情況下，標(biāo)記形成在該面加工部的區(qū)域內(nèi)。在面加工部中形成平坦面而得到的標(biāo)記是橢圓狀。此外，如果對(duì)標(biāo)記的外形邊緣進(jìn)行面加工而除去棱角的部分，則不易產(chǎn)生裂紋、缺損或者粉塵，所以是優(yōu)選的方式。而且，表示結(jié)晶方位的標(biāo)記朝向徑向內(nèi)側(cè)切入的量，優(yōu)選在能確保平坦面具有一定程度的面積的范圍內(nèi)盡可能小，具體而言，可以是從外周端部的最外周邊緣起在徑向內(nèi)側(cè)形成在0.3mm的范圍內(nèi)。
作為本發(fā)明對(duì)象的晶片，包括其外周剩余區(qū)域的背面?zhèn)纫岳郀钔怀?、從而呈該外周剩余區(qū)域比器件區(qū)域厚的形狀的晶片。通過(guò)在這種晶片上形成上述這樣的標(biāo)記，能盡可能縮小呈肋狀且相當(dāng)于外周剩余區(qū)域的壁厚部的寬度，結(jié)果，能實(shí)現(xiàn)器件區(qū)域的擴(kuò)大以及所能生產(chǎn)的器件數(shù)量的增加。
本發(fā)明中，包括具有與該半導(dǎo)體晶片的面方向平行的光軸的光學(xué)式傳感器、和保持半導(dǎo)體晶片的能夠旋轉(zhuǎn)的保持臺(tái)，因而，即使是從晶片的外周圓凹進(jìn)的量較小的晶片，也能可靠檢測(cè)標(biāo)記。


圖1A～1C表示按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式處理的半導(dǎo)體晶片，圖1A是俯視圖、圖1B是側(cè)視圖、圖1C是立體圖。
圖2A、2B是將在一個(gè)實(shí)施方式中處理的半導(dǎo)體晶片放大的圖，圖2A是局部俯視圖，圖2B是立體圖。
圖3A、3B表示在一個(gè)實(shí)施方式中處理的半導(dǎo)體晶片，圖3A是形成有標(biāo)記的部分以外的面加工部的剖視圖，圖3B是形成有標(biāo)記的部分的面加工部的剖視圖。
圖4是磨削裝置的立體圖。
圖5是磨削裝置的側(cè)視圖。
圖6A、6B表示將外周剩余區(qū)域形成為壁厚部的半導(dǎo)體晶片，圖6A是立體圖，圖6B是剖視圖。
圖7是相對(duì)于在本實(shí)施方式中處理的晶片，對(duì)形成了凹口或定向平面的情況下的壁厚部的寬度差異加以比較的晶片的俯視圖。
圖8是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖9是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)的立體圖。
具體實(shí)施例方式
1晶片的結(jié)構(gòu)以下參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。
圖1A～1C表示由單結(jié)晶硅等構(gòu)成的、在本實(shí)施方式中處理的晶片1。呈圓盤(pán)狀且具有結(jié)晶方位性的該晶片1的厚度例如是600um左右。在晶片1的正面上，由格子狀的預(yù)定分割線2來(lái)劃分矩形的半導(dǎo)體芯片(器件)3。在這些半導(dǎo)體芯片3的正面上形成有電子電路。形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片3的區(qū)域是與晶片1同心的大致圓形的器件區(qū)域4，環(huán)狀的外周剩余區(qū)域5存在于該器件區(qū)域4的周?chē)?br> 如圖2A、2B以及圖3A、3B所示，晶片1的外周端部從正面?zhèn)鹊奖趁鎮(zhèn)缺贿M(jìn)行了面加工(面取り)，由此在形成正圓的正面邊緣6a與背面邊緣6b之間形成有截面呈圓弧狀的面加工部7。通過(guò)形成面加工部7，可以防止因不小心受到的沖擊而造成裂紋、缺損或粉塵的產(chǎn)生。如圖3A所示，外周剩余區(qū)域5是指器件區(qū)域外周邊緣4a與晶片1的最外周邊緣1a之間的環(huán)狀區(qū)域，該器件區(qū)域外周邊緣4a是從正面邊緣6a向徑向內(nèi)側(cè)進(jìn)入既定長(zhǎng)度的位置。如圖2A、2B以及圖3B所示，在面加工部7的既定部位形成有結(jié)晶方位識(shí)別標(biāo)記8，該結(jié)晶方位識(shí)別標(biāo)記8通過(guò)從最外周邊緣1a起削去內(nèi)側(cè)而形成。該標(biāo)記8，作為表示結(jié)晶方位的標(biāo)記形成在使得連接晶片1的中心和標(biāo)記8的直線與格子狀的預(yù)定分割線2平行或者正交的位置上。
如圖3B所示，標(biāo)記8是與晶片1的面方向(平行的正面以及背面)正交的平坦面，如圖2B所示，呈長(zhǎng)徑方向與晶片1的切線方向平行的橢圓狀。該標(biāo)記8如圖3B所示，形成在面加工部7的區(qū)域內(nèi)，例如，在晶片1的外徑為Φ200mm、面加工部7的寬度從最外周邊緣1a起在徑向上為0.5mm的情況下，標(biāo)記8從最外周邊緣1a起向徑向內(nèi)側(cè)形成在0.3mm的范圍內(nèi)。在該尺寸下，標(biāo)記8的長(zhǎng)徑大約為22mm。此外，描繪標(biāo)記8的橢圓形狀的外形邊緣8a也被加工成截面圓弧狀，從而其外形邊緣8a不是以棱角狀態(tài)存在，根據(jù)這一點(diǎn)，晶片1也不易產(chǎn)生裂紋、缺損或粉塵。
標(biāo)記8按下面的方法形成。晶片1可通過(guò)將硅等半導(dǎo)體材料做成圓柱狀而得到錠料，再將該錠料切成圓片來(lái)制造，在切片前的錠料的周面的、應(yīng)形成與結(jié)晶方位對(duì)應(yīng)的標(biāo)記8的圓周方向的既定部位，按照既定寬度(例如上述22mm)形成沿著軸向帶狀延伸的平坦面，然后將錠料切片以得到晶片1，接下來(lái)對(duì)該晶片1的外周端部進(jìn)行面加工。由此初次形成的帶狀平坦面作為橢圓狀的標(biāo)記8保留下來(lái)。
本實(shí)施方式中處理的晶片1中，表示結(jié)晶方位的標(biāo)記8由形成在作為外周端部的面加工部7上的平坦面構(gòu)成。因此，能將外周剩余區(qū)域5限制在盡量小的寬度區(qū)域內(nèi)而不受標(biāo)記8朝向徑向內(nèi)側(cè)切除的量影響，并且還可以最大限度地確保大的器件區(qū)域4。其結(jié)果是，與以往的凹口或定向平面這一類的結(jié)晶方位識(shí)別標(biāo)記相比，可使器件區(qū)域4內(nèi)劃分的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量增加。
接下來(lái)，對(duì)器件區(qū)域4形成得極薄(例如，200～100μm左右或者50μm左右)而在外周剩余區(qū)域5的背面?zhèn)韧怀龅匦纬捎屑訌?qiáng)用的肋狀壁厚部的晶片進(jìn)行說(shuō)明。為了制造這樣的晶片，而在正面上貼附保護(hù)半導(dǎo)體3的電子電路的保護(hù)帶，然后對(duì)晶片1的與器件區(qū)域4對(duì)應(yīng)的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削，使該器件4薄到上述厚度。
圖4以及圖5表示適合于晶片1的磨削的磨削裝置10。該磨削裝置10具備進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的真空夾盤(pán)式的夾臺(tái)11和磨削組件12。夾臺(tái)11呈比晶片1大的圓盤(pán)狀，通過(guò)空氣吸引來(lái)吸附其上表面上所放置的晶片1并對(duì)其進(jìn)行保持。該夾臺(tái)11以中心為軸通過(guò)未圖示的馬達(dá)旋轉(zhuǎn)。
磨削組件12按照如下方式進(jìn)行工作，即，組裝在圓筒狀的殼體13內(nèi)的主軸被馬達(dá)15驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)時(shí)，經(jīng)凸緣16固定在主軸的末端的杯形砂輪17旋轉(zhuǎn)，環(huán)狀排列并固定在杯形砂輪17下表面的整個(gè)外周部的多個(gè)磨具18對(duì)工件進(jìn)行磨削。磨具18的圓形磨削軌跡的外徑大體上等于晶片1的器件區(qū)域4的直徑的半徑。
夾臺(tái)11和磨削組件12中，磨削組件12相對(duì)于夾臺(tái)11偏置。詳細(xì)而言，如圖5所示，相對(duì)位置設(shè)定成，環(huán)狀排列的多個(gè)磨具18之中最靠夾臺(tái)11內(nèi)側(cè)的磨具的刃尖的刃厚(徑向長(zhǎng)度)的大致中央部分，位于通過(guò)夾臺(tái)11的中心的垂直線上。
晶片1，使其貼有保護(hù)帶的正面面對(duì)夾臺(tái)11的上表面，且其中心與夾臺(tái)11的旋轉(zhuǎn)中心相一致，而保持在夾臺(tái)11上。然后，一邊使杯形砂輪17旋轉(zhuǎn)一邊使磨削組件12下降，將磨具18推壓在露出的晶片1的背面上且使夾臺(tái)11旋轉(zhuǎn)，由此對(duì)背面的與器件區(qū)域4對(duì)應(yīng)的部分進(jìn)行磨削以使其變薄。晶片1由此如圖6A、6B所示，被加工成截面呈凹狀，在器件區(qū)域4周?chē)呐c外周剩余區(qū)域5對(duì)應(yīng)的部分上形成有保留原來(lái)的厚度而向背面?zhèn)韧怀龅沫h(huán)狀壁厚部9。
另外，這樣形成的壁厚部9在經(jīng)過(guò)必要的工序后，最后用適當(dāng)?shù)臋C(jī)構(gòu)切斷并除去。此外，壁厚部9的寬度根據(jù)晶片1的直徑、壁厚部9的厚度以及背面的加工狀態(tài)適當(dāng)設(shè)定。例如，在直徑200mm、厚度725μm的晶片的情況下，壁厚部9的寬度取為2mm，在厚度薄至300μm左右之后形成壁厚部9的情況下，寬度優(yōu)選為3mm左右。
圖7中，相對(duì)于這樣形成了壁厚部9的晶片1，對(duì)將凹口21以及定向平面22作為標(biāo)記形成的情況下的壁厚部的寬度差異進(jìn)行表示。在圖7中，以附圖標(biāo)記8表示形成標(biāo)記的部分，形成該標(biāo)記8的情況下的壁厚部9的內(nèi)徑(內(nèi)圓周)為虛線9a，虛線9a的內(nèi)側(cè)是器件區(qū)域4。在晶片1的直徑為Φ200mm的情況下，其內(nèi)徑9a被設(shè)定在與最外周邊緣1a距離2～3mm的位置。
另一方面，在將凹口21形成在相同直徑的晶片1上的情況下，凹口21的最深部距最外周邊緣1a大約1mm，因而，作為內(nèi)徑21a的與壁厚部的凹口21對(duì)應(yīng)的部分的寬度，有2～3mm余量而取為3～4mm。而在形成定向平面22的情況下，距最外周邊緣1a的最大切除量大約為2.2mm，因而，作為內(nèi)徑22a的與壁厚部的定向平面22對(duì)應(yīng)的部分的寬度，有2～3mm余量而取為5.2～6.2mm。
與這樣形成凹口或者定向平面的情況相比，在本實(shí)施方式中處理的晶片的標(biāo)記8，因?yàn)樾纬稍诿婕庸げ?的范圍內(nèi)且朝向徑向內(nèi)側(cè)切除的量極小，所以可以將壁厚部9的寬度縮小，其結(jié)果是，可以擴(kuò)大器件區(qū)域4并增加半導(dǎo)體芯片3的生產(chǎn)數(shù)。
2.標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)接下來(lái)，參照?qǐng)D8以及圖9對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。在圖8中，附圖標(biāo)記30是標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)的底架。例如，器件形成裝置的框架等被用作底架30。內(nèi)置有編碼器的AC伺服馬達(dá)31安裝在底架30上，在AC伺服馬達(dá)31的輸出軸上經(jīng)臺(tái)柱32而安裝有旋轉(zhuǎn)臺(tái)33。在旋轉(zhuǎn)臺(tái)33的上表面上配置有多孔質(zhì)部34。而在臺(tái)柱32以及旋轉(zhuǎn)臺(tái)33的內(nèi)部形成有與多孔質(zhì)部34相連通的孔，未圖示的真空吸引裝置與孔連接，由此將晶片1吸附在多孔質(zhì)部34上。
托架42經(jīng)傳感器柱41安裝在底架30上，在托架42上安裝有光學(xué)傳感器43。光學(xué)傳感器43具備投光部和受光部，它們的光軸L朝向晶片1的側(cè)面，光軸L的高度與晶片1的厚度方向中心相一致。在圖8中，附圖標(biāo)記44是控制標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作的控制部、45是馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。從光學(xué)傳感器43的投光部投射的光被晶片1的側(cè)面反射，在晶片1旋轉(zhuǎn)而使得標(biāo)記8到達(dá)光學(xué)傳感器43的正對(duì)面時(shí)，受光部接受的反射光的量最大?？刂撇?4從光學(xué)傳感器43輸入對(duì)應(yīng)于受光量的反射光量信息，基于該信息來(lái)控制馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器45。此外，來(lái)自AC伺服馬達(dá)31的編碼器的編碼器值信息被輸入到控制部44。
3.標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)的工作原理接下來(lái)，說(shuō)明上述結(jié)構(gòu)的標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)的工作原理。
首先，晶片1被定位成其中心與旋轉(zhuǎn)臺(tái)33的旋轉(zhuǎn)中心一致，而載置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)33上。在該時(shí)刻開(kāi)始旋轉(zhuǎn)臺(tái)33的吸引，所以晶片1被吸附在旋轉(zhuǎn)臺(tái)33上。接下來(lái)，AC伺服馬達(dá)31旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)33的方位作為編碼器的值而被輸入到控制部44中。此外，光學(xué)傳感器43將光從投光部投射到晶片1的側(cè)面，在標(biāo)記8到達(dá)光學(xué)傳感器43的正對(duì)面時(shí)，受光部接受到的反射光的量最大。即，從光學(xué)傳感器43輸入到控制部44的反射光量信息最大，控制部44將此時(shí)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)33方位作為編碼器的值記錄下來(lái)。
控制部44，在反射光量為最大后，在預(yù)定的方位上使旋轉(zhuǎn)臺(tái)33停止。例如，在反射光量信息為最大的瞬間使旋轉(zhuǎn)臺(tái)33停止，或者也可在從反射光量信息為最大時(shí)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)33位置轉(zhuǎn)動(dòng)既定角度之后，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)33停止。不管是何種方式，晶片1的方位一定，晶片1一直保持著該方位向后續(xù)工序搬送。
在上述的標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)中，由于光從光學(xué)傳感器43投射到晶片1的側(cè)面并根據(jù)反射光檢測(cè)標(biāo)記8，所以，如上所述，即使是在晶片1的外周圓到標(biāo)記8的凹進(jìn)量較小的情況下，也能可靠地檢測(cè)標(biāo)記8。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)，所述半導(dǎo)體晶片在器件區(qū)域的周?chē)哂袌A形的外周剩余區(qū)域，所述器件區(qū)域?qū)⒍鄠€(gè)器件形成在或者預(yù)定形成在正面上，在上述外周剩余區(qū)域的外周邊緣部的面加工部的區(qū)域內(nèi)，作為表示該半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位的標(biāo)記而形成有與該半導(dǎo)體晶片的面方向正交的平坦面，該半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)該半導(dǎo)體晶片的該平坦面，其特征在于，包括具有與該半導(dǎo)體晶片的面方向平行的光軸的光學(xué)式傳感器、和保持該半導(dǎo)體晶片的能夠旋轉(zhuǎn)的保持臺(tái)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，在上述保持臺(tái)的旋轉(zhuǎn)軸上具備編碼器，并且包括存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)，對(duì)上述光學(xué)式傳感器對(duì)反射光有反應(yīng)的位置上的旋轉(zhuǎn)軸的編碼器值進(jìn)行存儲(chǔ)；和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使該保持臺(tái)旋轉(zhuǎn)，并與根據(jù)該有反應(yīng)的位置預(yù)先指定的位置相吻合地停止。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)，所述半導(dǎo)體晶片在器件區(qū)域的周?chē)哂袌A形的外周剩余區(qū)域，所述器件區(qū)域?qū)⒍鄠€(gè)器件形成在或者預(yù)定形成在正面上，在上述外周剩余區(qū)域的外周邊緣部的面加工部的區(qū)域內(nèi)，作為表示該半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位的標(biāo)記而形成有與該半導(dǎo)體晶片的面方向正交的平坦面，該半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶方位指示標(biāo)記檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)該半導(dǎo)體晶片的該平坦面，其特征在于，包括具有與該半導(dǎo)體晶片的面方向平行的光軸的光學(xué)式傳感器、和保持該半導(dǎo)體晶片的能夠旋轉(zhuǎn)的保持臺(tái)。
文檔編號(hào)H01L23/544GK101086975SQ200710109910
公開(kāi)日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2007年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
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