專(zhuān)利名稱(chēng)：監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心化的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍺硅腔體的PM (預(yù)防性維護(hù)保養(yǎng)，Preventive Maintenance)的方法，具體涉及一種監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心 化的方法。
背景技術(shù)：
如圖l所示是鍺硅腔體結(jié)構(gòu)，中心為基座，最外圈為氣體預(yù)加熱環(huán)， 兩者之間的有一定間隙，氣體流入腔體分兩路， 一路是主氫氣(MainH2) 和工藝氣體，從氣體入口也就是從基座的側(cè)面流入，另一路是旁路氫氣 (Slit H2)，從基座的下方通入，再?gòu)幕蜌怏w預(yù)加熱環(huán)之間流入腔體。
如圖2所示是現(xiàn)有的鍺硅腔體的PM的過(guò)程，通常會(huì)按如下步驟進(jìn)行 首先將腔體部件清洗安裝完畢，然后目測(cè)保持基座與氣體預(yù)加熱環(huán)四周間 距一致，接著進(jìn)行碳氧含量測(cè)試和顆粒測(cè)試，再依次進(jìn)行沾污測(cè)試、方塊 電阻調(diào)試、重復(fù)性驗(yàn)證、帶圖形的硅片鍺硅外延厚度均勻性調(diào)試，最后進(jìn) 行硼鍺摻雜量分布確認(rèn)。
在上述過(guò)程中，由于缺少有效的方法對(duì)基座位置進(jìn)行中心化確認(rèn)，當(dāng) 整個(gè)過(guò)程結(jié)束后如果發(fā)鍺硅現(xiàn)厚度均勻性不呈環(huán)狀分布，而是一邊厚一邊 薄，則需要進(jìn)行基座中心化和水平的調(diào)整，而這會(huì)導(dǎo)致腔體溫度分布的變 化，從而使鍺硅厚度和均勻性全部改變，幾乎使前面的工藝需要全部重新 調(diào)試，通常這個(gè)時(shí)間段需要花費(fèi)3天左右的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安 裝中心化的方法，它可以避免因基座位置安裝不中心化而導(dǎo)致鍺硅腔體重
新PM。
為了解決以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座
安裝中心化的方法，該方法是在安裝完基座之后，采用如下步驟
(1) 在硅片上淀積一層對(duì)多晶鍺硅膜；
(2) 在多個(gè)與基座中心位置等距離的環(huán)帶上取等間隔的點(diǎn)，測(cè)量各 個(gè)點(diǎn)上的多晶鍺硅膜的厚度；
(3) 判斷各個(gè)與基座中心位置等距離的環(huán)帶上的多晶鍺硅膜的厚度 是否均勻，如果均勻則判定基座安裝己經(jīng)中心化，否則需要開(kāi)腔重新安裝 基座。
因?yàn)楸景l(fā)明的監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心化的方法是在安裝 完基座之后，工藝參數(shù)調(diào)試之前進(jìn)行的，方法簡(jiǎn)單，可以避免因基座沒(méi)有 中心化而造成整個(gè)鍺硅反應(yīng)腔體重新PM，而且本發(fā)明采用對(duì)溫度敏感的 多晶鍺硅膜，其受到溫度的影響反應(yīng)在厚度中的變化比較明顯。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
圖1是鍺硅腔體結(jié)構(gòu)；
圖2是現(xiàn)有的鍺硅腔體的PM的流程圖3是實(shí)施本發(fā)明的鍺硅腔體的PM的流程圖。
具體實(shí)施例方式
如圖3所示是實(shí)施本發(fā)明的監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心化的 方法的鍺硅腔體的PM的流程圖。整個(gè)流程是在圖1所示現(xiàn)有的鍺硅腔體
的PM的流程步驟中增加一步檢測(cè)基座安裝中心化的步驟，即多晶鍺硅厚
度及均勻性確認(rèn)，該步驟在腔體安裝完畢、腔體檢漏和顆粒測(cè)試通過(guò)后， 各項(xiàng)工藝參數(shù)調(diào)試之前采用。
首先用一枚硅片，在表面淀積一定厚度的氧化層和多晶硅層，然后進(jìn) 鍺硅腔淀積一層多晶鍺硅膜(注意硅片凹口的方向)。淀積完后去測(cè)量多
晶鍺硅膜的厚度均勻性，取盡可能多的點(diǎn)，本實(shí)施例采用的是49點(diǎn)，這 些點(diǎn)主要分布在各個(gè)距離基座中心位置等中心矩的環(huán)帶上，各個(gè)環(huán)帶上取 等間隔的點(diǎn)，測(cè)量該點(diǎn)上多晶鍺硅膜的厚度，由此判斷各個(gè)環(huán)帶的多晶鍺 硅膜的厚度是否均勻，也可以利用Ju即或其它相關(guān)軟件畫(huà)出平面或立體 的厚度分布圖，判斷厚度分布圖是呈環(huán)狀分布還是一邊厚一邊薄分布，若 是環(huán)狀分布，則是最好的結(jié)果，說(shuō)明基座的中心化比較好，勿需調(diào)整；若
厚度分布圖顯示的多晶鍺硅膜厚度是一邊厚一邊薄分布，則說(shuō)明基座需要 調(diào)整。
在測(cè)得各點(diǎn)的厚度后，若厚度標(biāo)準(zhǔn)偏差較大，例如3%，則通常會(huì)掩 蓋基座中心化的問(wèn)題，需先通過(guò)加熱功率分配設(shè)置(Power setting)盡 量將厚度標(biāo)準(zhǔn)偏差調(diào)到小于3%再進(jìn)行判斷。若通過(guò)加熱功率分配設(shè)置無(wú) 法將厚讀標(biāo)準(zhǔn)偏差調(diào)至小于3%，則說(shuō)明基座可能需要重新安裝.
權(quán)利要求
1、一種監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心化的方法，其特征在于，該方法是在安裝完基座之后，采用如下步驟(1)在硅片上淀積一層對(duì)多晶鍺硅膜；(2)在多個(gè)與基座中心位置等距離的環(huán)帶上取等間隔的點(diǎn)，測(cè)量各個(gè)點(diǎn)上的多晶鍺硅膜的厚度；(3)判斷各個(gè)與基座中心位置等距離的環(huán)帶上的多晶鍺硅膜的厚度是否均勻，如果均勻則判定基座安裝已經(jīng)中心化，否則需要開(kāi)腔重新安裝基座。
2、 如權(quán)利要求1所述的監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心化的方 法，其特征在于，步驟(3)所述的判斷各個(gè)與基座中心位置等距離的環(huán) 帶上的多晶鍺硅膜的厚度是否均勻，是根據(jù)步驟(2)中所述的各個(gè)點(diǎn)的 位置與測(cè)量出的厚度畫(huà)出多晶鍺硅膜的厚度分布圖，若厚度分布圖呈環(huán)狀 分布，則判定均勻，若厚度分布圖呈一邊厚一邊薄分布，則判定為不均勻。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心化的 方法，其特征在于，步驟(2)中所述的厚度，若厚度標(biāo)準(zhǔn)偏差在3%以上， 則需通過(guò)加熱功率分配設(shè)置將厚度偏差調(diào)低以后再進(jìn)行判斷，若無(wú)法將厚 度標(biāo)準(zhǔn)偏差調(diào)低至小于3%，則判定需要開(kāi)腔重新安裝基座。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心化的方法，是在安裝完基座之后，采用如下步驟在硅片上淀積一層對(duì)多晶鍺硅膜；在多個(gè)與基座中心位置等距離的環(huán)帶上取等間隔的點(diǎn)，測(cè)量各個(gè)點(diǎn)上的多晶鍺硅膜的厚度；判斷各個(gè)與基座中心位置等距離的環(huán)帶上的多晶鍺硅膜的厚度是否均勻，如果均勻則判定基座安裝已經(jīng)中心化，否則需要開(kāi)腔重新安裝基座。本發(fā)明方法簡(jiǎn)便，可以避免因基座位置安裝不中心化而導(dǎo)致鍺硅腔體需要重新進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)保養(yǎng)。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101350326SQ200710093959
公開(kāi)日2009年1月21日 申請(qǐng)日期2007年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月19日
發(fā)明者偉 季, 徐偉中, 燕 繆, 煊 謝 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司