專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置，并特別涉及一種如下的等離子體處理裝置，其中傳輸腔內(nèi)不會產(chǎn)生寄生等離子體。
背景技術(shù)：
通常，等離子體處理裝置用于采用等離子體對供設(shè)置平板顯示器的襯底進(jìn)行諸如蝕刻的處理。平板顯示器包括液晶顯示器、等離子體顯示板、或者有機(jī)發(fā)光二極管。在這些等離子體處理裝置中，真空處理裝置通常包括三個腔，即，負(fù)荷固定腔(load lock chamber)、傳輸腔、和處理腔。
該負(fù)荷固定腔用于在大氣狀態(tài)和真空狀態(tài)交替地接收來自外部的未處理的襯底，或者將處理后的襯底送至外部。該傳輸腔設(shè)有傳輸機(jī)器人，其用于在其他腔之間傳輸襯底，并且用于將待處理的襯底從負(fù)荷固定腔傳輸?shù)教幚砬?，或者將處理后的襯底從處理腔傳輸?shù)截?fù)荷固定腔。該處理腔用于在真空中，采用等離子體在襯底上沉積膜，或者蝕刻襯底。
處理腔設(shè)有安裝于其內(nèi)上部和下部的電極。通常，處理腔的一個電極連接到RF電源，并且處理腔的另一個電極接地。在處理氣體噴射到處理腔中的條件下，當(dāng)RF電源的電能供給到處理腔的內(nèi)部時，處理腔內(nèi)由于放電而產(chǎn)生等離子體，并且采用該等離子體對襯底進(jìn)行處理。
如圖1所示，傳統(tǒng)的等離子體處理裝置包括負(fù)荷固定腔10、傳輸腔20、和處理腔30。閘閥40、50在其與相應(yīng)的腔10、20、30相鄰的條件下，設(shè)于負(fù)荷固定腔10和傳輸腔20之間、以及傳輸腔20和處理腔30之間。
閘閥40夾置于負(fù)荷固定腔10和傳輸腔20之間，并且用于開啟和關(guān)閉該負(fù)荷固定腔10和傳輸腔20之間的連通通道。閘閥50夾置于傳輸腔20和處理腔30之間，并且用于開啟和關(guān)閉該傳輸腔20和處理腔30之間的連通通道。閘閥40、50包括閥座42、52，閥44、54，和閥驅(qū)動單元46、56。
負(fù)荷固定腔10和傳輸腔20之間的閥座42的氣密性通過氣密性保持件O來保持，并且傳輸腔20和處理腔30之間的閥座52的氣密性通過氣密性保持件O來保持。
閥座42內(nèi)設(shè)有用于通過閥驅(qū)動單元46來開啟和關(guān)閉負(fù)荷固定腔10和傳輸腔20的開口的板，并且閥座52內(nèi)設(shè)有用于通過閥驅(qū)動單元56來開啟和關(guān)閉傳輸腔20和處理腔30的開口的板。
傳輸腔20設(shè)有安裝于其內(nèi)的傳輸機(jī)器人22，其用于將襯底(未示出)傳輸?shù)截?fù)荷固定腔10或處理腔30。該傳輸機(jī)器人22包括傳輸臂和驅(qū)動單元(未示出)。該傳輸臂包括末端執(zhí)行器組件24以及連接到該末端執(zhí)行器組件24的末端執(zhí)行器26，其用于傳輸襯底。
通常，各腔由鋁制成。然而，由于強(qiáng)度與重量的比以及相應(yīng)于襯底尺寸而增加的體積，可采用不銹鋼(SUS)制造傳輸腔20。
由不同于鋁的電阻率的SUS制成的傳輸腔20不易接地。如圖2所示，當(dāng)傳輸腔20未完全接地時，處理腔30內(nèi)的RF電源R的電能不是排出到外部，而是在傳輸腔20內(nèi)感應(yīng)。當(dāng)RF電源R的電能在傳輸腔20內(nèi)感應(yīng)時，傳輸腔20的壁未達(dá)到完全接地電勢狀態(tài)，并且傳輸腔20的壁和具有接地電勢的末端執(zhí)行器組件24的角部耦合，由此產(chǎn)生了寄生等離子體PA，其中，該末端執(zhí)行器組件靠近傳輸腔20的壁設(shè)置。
當(dāng)在傳輸腔20內(nèi)產(chǎn)生寄生等離子體PA時，可能會出現(xiàn)一些問題。也就是說，由于RF電源的電能損失，處理特性會改變，由于傳輸腔20內(nèi)的離子破壞，微粒會增加，由于傳輸腔20內(nèi)部或傳輸機(jī)器人22的充電，襯底會產(chǎn)生靜電，并且由于RF的偽噪聲，傳輸機(jī)器人22會發(fā)生故障。

發(fā)明內(nèi)容
因此，鑒于上述問題而提出了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體處理裝置，其中，傳輸腔內(nèi)不會產(chǎn)生寄生等離子體。
為了實(shí)現(xiàn)上述及其他目的，本發(fā)明提供了一種等離子體處理裝置，其包括負(fù)荷固定腔、傳輸腔、處理腔、以及閘閥，該閘閥安裝在各腔之間，以用于傳輸襯底，并且用于開啟和關(guān)閉各腔的開口，各閘閥均包括閥座，其設(shè)在腔之間，從而使得該閥座通過夾置于該閥座和各腔之間的密封件而與腔的側(cè)面接觸，并且在該閥座內(nèi)形成指定的密閉空間；閥，其包括與位于該處理腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸的密封板、和與位于該傳輸腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸的背板；閥驅(qū)動單元，其連接到該閥，以用于在豎直方向移動該閥；以及接地件，其形成在該閥的表面上，以用于在該閥與該閥座的內(nèi)表面接觸時，電連接該閥和該閥座。


通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述及其他目的、特征和其他優(yōu)點(diǎn)將更易于理解，其中圖1是傳統(tǒng)的等離子體處理裝置的剖視圖；圖2是在RF電源的電能被感應(yīng)的狀態(tài)下，傳統(tǒng)的等離子體處理裝置的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的等離子體處理裝置的剖視圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的接地件的設(shè)置結(jié)構(gòu)的分解立體圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的接地件的設(shè)置結(jié)構(gòu)的立體圖；圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的接地加強(qiáng)件的設(shè)置結(jié)構(gòu)的立體圖；圖7a至圖7c是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的接地件的各種改型的立體圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的接地件的設(shè)置結(jié)構(gòu)的立體圖；以及圖9是示出了RF電源的電能在根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的等離子體處理裝置內(nèi)流動的回路的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的等離子體處理裝置100包括負(fù)荷固定腔(未示出)、傳輸腔120、處理腔130、以及閘閥140，該閘閥設(shè)在相鄰的腔之間，以用于開啟和關(guān)閉各腔。所有腔的結(jié)構(gòu)和功能與傳統(tǒng)的等離子體處理裝置相應(yīng)腔的結(jié)構(gòu)和功能基本上相同，因此省略對其的詳細(xì)描述。
如圖3所示，每一個閘閥140均包括閥座142、閥144、閥驅(qū)動單元146、和接地件148。
閥座142設(shè)在相鄰腔之間形成的空間內(nèi)，并且形成具有指定尺寸的氣密空間。閥144位于該氣密空間內(nèi)。密封件O夾置于閥座142和腔側(cè)面之間，由此可保持腔之間的閘閥140的氣密性。
閥144安裝在閥座142內(nèi)，并且開啟和關(guān)閉處理腔130的開口132。閥144包括密封板144a和背板144b。密封板144a接觸位于處理腔130側(cè)的閥座142的內(nèi)表面，并且由此來開啟和關(guān)閉處理腔130的開口132。背板144b接觸位于傳輸腔120側(cè)的閥座142的內(nèi)表面，并且由此來支撐閥144，以便協(xié)助密封板144a穩(wěn)固地關(guān)閉處理腔130的開口132。
如圖3所示，閥驅(qū)動單元146連接到閥144的下部，并且閥驅(qū)動單元146的下端穿過閥座142的下壁，并且連接到設(shè)在腔外的單獨(dú)的驅(qū)動源(未示出)。閥驅(qū)動單元146用于驅(qū)動閥144上下移動。更具體地，閥驅(qū)動單元146用于驅(qū)動閥144上下移動，以開啟和關(guān)閉處理腔130的開口132和閥座142的開口。為了穩(wěn)固地關(guān)閉這些開口，閥144朝向處理腔130水平移動，并且向處理腔130施加具有指定強(qiáng)度的壓力。因此，閥驅(qū)動單元146通過恒定力水平地以及豎直地移動閥144。
接地件148形成在閥144的表面，并且當(dāng)閥144與閥座142的內(nèi)表面接觸時，該接地件148電連接閥144和閥座142。也就是說，接地件148電連接閥144和閥座142，因此防止了RF電源R的電能傳輸?shù)絺鬏斍?20。如圖7a至7c所示，由于采用了接地件148，在處理腔130、閥座142、和閥144之間形成閉合回路，因此RF電源R的電能不會傳輸?shù)絺鬏斍?20，而是通過接地部排出到外部。
在本實(shí)施例中，接地件148可設(shè)在背板144b的邊緣或密封板144a的邊緣。優(yōu)選地，接地件148設(shè)在背板144b的邊緣，以便有效地防止RF電源的電能傳輸?shù)絺鬏斍?20。
此外，在本實(shí)施例中，接地件148可以是由導(dǎo)電材料制成的O型環(huán)。優(yōu)選地，如圖4所示，接地件148所插入的固定槽144c形成在背板144b或密封板144a的邊緣?；蛘?，接地件148可以是由金屬制成的螺旋環(huán)。然而，螺旋環(huán)的彈性差，因此在由于閥144的移動而產(chǎn)生變形之后，不易于恢復(fù)到其起始狀態(tài)。因此，更優(yōu)選地，如圖5所示，接地件148包括由導(dǎo)電材料或普通材料制成的O型環(huán)148a，以及由金屬制成且纏繞在該O型環(huán)148a外表面上的線148b。
優(yōu)選地，如圖3所示，通過從閥座142的內(nèi)表面去除陽極氧化膜(anodizing film)，在接觸接地件148的閥座142內(nèi)表面的部分上形成接觸面。閥座142通常由鋁制成，并且閥座142的表面被陽極氧化。因此，在閥座142的表面形成陽極氧化膜。這樣，閥座142表面的導(dǎo)電性差。因此，通過從接觸接地件148的閥座142的部分去除陽極氧化膜而形成接觸面，從而露出鋁。此外，優(yōu)選地，形狀與接地件148形狀相對應(yīng)的槽形成在接觸面上，以便增加與接地件148的接觸面積，并且穩(wěn)定地接觸接地件148。
其上沒有形成陽極氧化膜的裸鋁的強(qiáng)度差，因此當(dāng)接觸接地件148時會產(chǎn)生微粒。因此，優(yōu)選地，由強(qiáng)度高于鋁的金屬制成的托架149設(shè)在接觸面或槽上。也就是說，如圖3所示，將閥座142接觸接地件148的部分的內(nèi)表面去除至指定深度，并且由高強(qiáng)度的金屬制成的托架149連接到閥座142接觸接地件148的部分上，由此防止微粒的產(chǎn)生。托架149由強(qiáng)度高于鋁的金屬制成，并且具有良好的導(dǎo)電性。優(yōu)選地，從不銹鋼、Ti、和W組成的組群中選擇一種材料制成托架149。
在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，如圖3所示，用于電連接閥座142和處理腔130的電連接件145設(shè)在閥座142和處理腔130之間。由于用于制造LCD的等離子體處理裝置通常采用高壓RF電源，因此，盡管在不設(shè)置該電連接件的情況下，RF電源的電能也可以向閥座流動。然而，當(dāng)設(shè)置有電連接件145時，RF電源R的電能可通過完全閉合回路流向閥座142，并且排出到外部。優(yōu)選地，由金屬制成的螺旋環(huán)用作金屬連接件145，其中，該螺旋環(huán)穩(wěn)定地連接處理腔130和閥座142。
優(yōu)選地，如圖3所示，通過從處理腔130或閥座142的表面上去除陽極氧化膜，在接觸電連接件145的處理腔130或閥座142的壁的部分上形成接觸面，由此完全電連接該處理腔130和閥座142。此外，可在接觸面上形成托架。
在本實(shí)施例中，如圖6所示，在閥144上設(shè)置用于電連接閥144的下表面和閥座142的下表面的接地加強(qiáng)件147，以便完全將閥144連接到地面，由此有效地使RF電源的電能排出到外部。優(yōu)選地，接地加強(qiáng)件147是具有彈性的鋁帶，即使在閥144的豎直移動的情況下，該接地加強(qiáng)件147也可穩(wěn)定地連接閥144和閥座142。也就是說，隨著閥144的豎直移動，鋁帶被壓縮和拉伸，由此持續(xù)地連接閥144和閥座142。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，為了防止微粒穿過閥座142的開口落到襯底上，僅在閥144的部分邊緣形成接地件148。也就是說，如圖7a所示，接地件148可設(shè)在閥144的上部和下部，并且不設(shè)在閥的側(cè)部。如圖7b所示，接地件148可以不連續(xù)設(shè)置，而是部分切開。如圖7c所示，接地件148可僅設(shè)在閥144的下部和側(cè)部。更優(yōu)選地，如圖7c所示，接地件148可僅設(shè)在閥144的下部和側(cè)部，這是因?yàn)?，這樣產(chǎn)生落到襯底上的微粒的可能性小。
在本實(shí)施例中，接地件148僅設(shè)在相應(yīng)于閥144邊緣的整個面積的10％～99％的閥144的部分邊緣。當(dāng)接地件148設(shè)在相應(yīng)于閥144邊緣的整個面積的10％或更少的閥144的部分邊緣時，對地電容低。另一方面，當(dāng)接地件148設(shè)在相應(yīng)于閥144邊緣的整個面積的99％或更多的閥144的部分邊緣時，會產(chǎn)生微粒。
如圖3所示，根據(jù)本實(shí)施例的閥144包括與位于處理腔130側(cè)的閥座142的內(nèi)表面接觸的密封板144a，以及與位于傳輸腔120側(cè)的閥座142的內(nèi)表面接觸的背板144b。優(yōu)選地，接地件148設(shè)在背板144b的邊緣，以便有效地使RF電源的電能從閥座142排出到外部。
另一方面，閥144可僅包括與位于處理腔130側(cè)的閥座142的內(nèi)表面接觸的密封板144a，以用于開啟和關(guān)閉處理腔130的開口132。在這種情況下，優(yōu)選地，接地件148設(shè)在密封板144a的邊緣，以形成閉合回路。
在本實(shí)施例中，接地件148可以是由導(dǎo)電材料制成的O型環(huán)。優(yōu)選地，其內(nèi)插入接地件148的固定槽144c形成在閥144的邊緣?；蛘?，接地件148可以是由金屬制成的螺旋環(huán)。然而，螺旋環(huán)的彈性差，因此在由于閥144的移動而產(chǎn)生變形之后，不易于恢復(fù)到其起始狀態(tài)。因此，更優(yōu)選地，如圖5所示，接地件148包括由導(dǎo)電材料或普通材料制成的O型環(huán)148a，以及由金屬制成且纏繞在O型環(huán)148a外表面上的線148b。
因此，如圖8所示，在本實(shí)施例中，接地件148具有如下結(jié)構(gòu)由普通材料制成的O型環(huán)148a設(shè)在閥144的邊緣，并且由金屬制成的螺旋環(huán)148b僅纏繞在位于閥144的下部和側(cè)部的O型環(huán)148a的外表面上。陽極氧化膜保留在相應(yīng)于接地件148上部的閥座142的部分上。另一方面，陽極氧化膜從相應(yīng)于接地件148側(cè)部和下部的閥座142的部分去除，由此形成槽。然后，在閥144的上部金屬彼此不接觸，由此不產(chǎn)生微粒。此外，雖然在閥144的側(cè)部和下部金屬彼此接觸，但是產(chǎn)生的微粒向下移動，因此不會落到襯底上，從而不會污染襯底。
另一方面，接地件148可具有如下結(jié)構(gòu)由導(dǎo)電材料制成的O型環(huán)設(shè)在閥的邊緣，并且由金屬制成的螺旋環(huán)僅纏繞在位于閥的下部和側(cè)部的O型環(huán)的外表面上。陽極氧化膜從相應(yīng)于接地件148的閥座142的部分去除，因此形成槽。然后，由金屬制成的螺旋環(huán)不設(shè)在閥144的上部，由此不會產(chǎn)生微粒。然而，接地件148采用由導(dǎo)電材料制成的O型環(huán)，由此提高了傳導(dǎo)性。
如上所述，如圖9所示，當(dāng)接地件148設(shè)在閥144上時，在處理腔130和閥座142之間形成完全的閉合回路，并且泄露到閥座142的RF電源R的電能通過接地端子完全排出到閥座142的外部。因此，RF電源R的電能不會在傳輸腔120內(nèi)感應(yīng)，并且不會在傳輸腔120內(nèi)產(chǎn)生寄生等離子體。
從上述描述中可以明顯看出，本發(fā)明提供了一種等離子體處理裝置，其中，RF電源的電能不會傳輸?shù)絺鬏斍?，從而不會在傳輸腔產(chǎn)生寄生等離子體，特別是不會在傳輸機(jī)器人和傳輸腔之間產(chǎn)生寄生等離子體。
雖然為了說明目的，披露了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是，在不脫離本發(fā)明所附的權(quán)利要求書所揭示的范圍和精神的前提下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改型、添加、和替換。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，包括負(fù)荷固定腔、傳輸腔、處理腔、以及閘閥，所述閘閥安裝在各腔之間，以用于傳輸襯底以及開啟和關(guān)閉所述各腔的開口，各所述閘閥均包括閥座，其設(shè)在所述各腔之間，使得該閥座通過夾置于該閥座和所述各腔之間的密封件與所述腔的側(cè)面接觸，并且在該閥座內(nèi)形成指定的密閉空間；閥，其包括密封板，該密封板與位于該處理腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸；和背板，該背板與位于該傳輸腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸；閥驅(qū)動單元，其連接到該閥，用于使該閥沿豎直方向移動；以及接地件，其具有閉合曲線形，并且設(shè)在該密封板或該背板的邊緣，用于使該閘閥接地。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，該接地件是由導(dǎo)電材料制成的O型環(huán)。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，該接地件是由金屬制成的螺旋環(huán)。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，該接地件具有如下結(jié)構(gòu)由金屬制成的螺旋環(huán)纏繞在由導(dǎo)電材料制成的O型環(huán)的外表面上。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在接觸該接地件的閥座的內(nèi)表面上形成有接觸面，該接觸面通過去除陽極氧化膜而獲得。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在接觸該接地件的閥座的內(nèi)表面上形成有形狀相應(yīng)于該接地件的槽。
7.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其中，在該接觸面上設(shè)有由強(qiáng)度高于鋁的金屬制成的托架。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其中，該托架由選自不銹鋼、Ti、和W組成的組群中的一種材料制成。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在該閥座和所述腔之間設(shè)有用于電連接該閥座和所述腔的電連接件。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置，其中，該電連接件是由金屬制成的螺旋環(huán)。
11.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置，其中，在接觸該電連接件的腔或閥座的表面上形成有接觸面，該接觸面通過去除陽極氧化膜而獲得。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在該閥上設(shè)有用于電連接該閥的下表面和該閥座的下表面的接地加強(qiáng)件。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體處理裝置，其中，該接地加強(qiáng)件是具有彈性的鋁帶。
14.一種等離子體處理裝置，包括負(fù)荷固定腔、傳輸腔、處理腔、以及閘閥，所述閘閥安裝在各腔之間，用于傳輸襯底以及開啟和關(guān)閉所述各腔的開口，各所述閘閥包括閥座，其設(shè)在所述各腔之間，使得該閥座通過夾置于該閥座和所述各腔之間的密封件與所述各腔的側(cè)面接觸，并且在該閥座內(nèi)形成指定的密閉空間；閥，其設(shè)在該閥座內(nèi)，并且開啟和關(guān)閉該處理腔的開口以及位于該處理腔側(cè)的該閥座的開口；閥驅(qū)動單元，其連接到該閥，用于使該閥沿豎直方向移動；以及接地件，其形成在該閥的表面上，用于在該閥與該閥座的內(nèi)表面接觸時，電連接該閥和該閥座；其中，該接地件形成于該閥的部分邊緣，以防止微粒穿過該閥座的開口落到襯底上。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中該閥包括密封板，該密封板與位于該處理腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸；和背板，該背板與位于該傳輸腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸；并且該接地件設(shè)在該背板的邊緣。
16.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中該閥包括密封板，該密封板與位于該處理腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸；并且該接地件設(shè)在該密封板的邊緣。
17.如權(quán)利要求15或16所述的等離子體處理裝置，其中，該接地件設(shè)在該密封板或該背板的側(cè)部和下部。
18.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，該接地件設(shè)在相應(yīng)于該閥邊緣的整個面積的10％～99％的該閥的部分邊緣。
19.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，該接地件是由導(dǎo)電材料制成的O型環(huán)。
20.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，該接地件是由金屬制成的螺旋環(huán)。
21.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，該接地件具有如下結(jié)構(gòu)由金屬制成的螺旋環(huán)纏繞在O型環(huán)的外表面上。
22.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，在接觸該接地件的閥的部分表面上形成有槽，該槽通過去除陽極氧化膜而獲得，以提高與該接地件的接觸性能。
23.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，在接觸該接地件的閥座的部分表面上形成有槽，該槽通過去除陽極氧化膜而獲得，以提高與該接地件的接觸性能。
24.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中該接地件具有如下結(jié)構(gòu)O型環(huán)設(shè)在該閥的邊緣，并且由金屬制成的螺旋環(huán)纏繞在位于該閥的側(cè)部和下部的該O型環(huán)的外表面上；以及在相應(yīng)于該接地件的上部的該閥座的部分上保留陽極氧化膜，并且從相應(yīng)于該接地件的側(cè)部和下部的該閥座的部分去除陽極氧化膜，以形成槽。
25.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中該接地件具有如下結(jié)構(gòu)由導(dǎo)電材料制成的O型環(huán)設(shè)在該閥的邊緣，并且由金屬制成的螺旋環(huán)纏繞在位于該閥的側(cè)部和下部的該O型環(huán)的外表面上；以及從相應(yīng)于該接地件的該閥座的部分去除陽極氧化膜，以形成槽。
26.如權(quán)利要求22所述的等離子體處理裝置，其中，在該槽上設(shè)有由強(qiáng)度高于鋁的金屬制成的托架。
27.如權(quán)利要求26所述的等離子體處理裝置，其中，該托架由選自不銹鋼、Ti、和W組成的組群中的一種材料制成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體處理裝置，其中，在傳輸腔內(nèi)不會產(chǎn)生寄生等離子體。該等離子體處理裝置包括負(fù)荷固定腔、傳輸腔、處理腔、以及閘閥，閘閥安裝在各腔之間，用于傳輸襯底及開啟和關(guān)閉各腔的開口。各閘閥均包括閥座，其設(shè)在各腔之間，使得該閥座通過夾置于該閥座和各腔之間的密封件與腔的側(cè)面接觸，并且在該閥座內(nèi)形成指定的密閉空間；閥，其包括與位于該處理腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸的密封板、和與位于該傳輸腔側(cè)的該閥座的內(nèi)表面接觸的背板；閥驅(qū)動單元，其連接到該閥，用于使該閥沿豎直方向移動；以及接地件，其形成于該閥的表面上，用于在該閥與該閥座的內(nèi)表面接觸時，電連接該閥和該閥座。
文檔編號H01L21/00GK101031180SQ200710084478
公開日2007年9月5日 申請日期2007年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月3日
發(fā)明者李升昱, 黃榮周 申請人:愛德牌工程有限公司