專利名稱：一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片制作領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度 的方法。
背景技術(shù)：
目前，在半導(dǎo)體晶片的制作過(guò)程中，為保證晶片有較高的質(zhì)量，都是采用自動(dòng)化的機(jī)械 操作，包括半導(dǎo)體晶片的加工、工藝封裝和傳輸?shù)冗^(guò)程。例如在半導(dǎo)體晶片的傳輸加工過(guò)程 中，較早的技術(shù)中一般使用機(jī)械卡盤固定晶片以進(jìn)行半導(dǎo)體工藝，但需要蓋住部分晶片表面， 由此導(dǎo)致浪費(fèi)和高污染等問(wèn)題，目前均改用靜電卡盤來(lái)傳輸，即讓機(jī)械手將晶片放置在反應(yīng) 腔室內(nèi)的靜電卡盤上，而晶片被吸附在靜電卡盤上，然后對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行各種工藝操作。靜電卡盤的工作原理是通過(guò)給靜電卡盤電極施加一定的電勢(shì)，使得在靜電卡盤的電極上 和晶片對(duì)應(yīng)的位置產(chǎn)生極性相反的電荷，從而利用庫(kù)侖力將晶片吸附在靜電卡盤的表面上。 現(xiàn)在應(yīng)用較多是雙電極靜電卡盤，其工作原理圖如圖1所示，其中通過(guò)直流電源為雙電極靜 電卡盤10的電極1和電極2供電，在工藝開(kāi)始時(shí)，讓其中的電極1為正，電極2為負(fù)，從而使 放置在其上的半導(dǎo)體晶片11感應(yīng)出對(duì)應(yīng)的負(fù)電荷和正電荷，感應(yīng)出的電荷與電極1和電極2 上的電荷產(chǎn)生靜電引力，從而將半導(dǎo)體晶片11吸附在雙電極靜電卡盤10的表面上。當(dāng)需要 釋放晶片時(shí)，可以交換雙電極靜電卡盤10上電極1和電極2正負(fù)極性，以此來(lái)消除半導(dǎo)體晶 片11上的靜電電荷以及由靜電電荷帶來(lái)的殘余引力，達(dá)到釋放半導(dǎo)體晶片的目的。但是由于靜電卡盤在釋放半導(dǎo)體晶片時(shí)，往往不能夠完全地去除晶片和靜電卡盤上的靜 電電荷，這種情況下，晶片和靜電卡盤之間還存在著殘余引力，如果靜電卡盤上的頂針升起， 就有可能導(dǎo)致晶片發(fā)生跳動(dòng)或移位，致使機(jī)械手無(wú)法取到晶片，嚴(yán)重的甚至損傷頂針和機(jī)械 手。目前己經(jīng)有很多針對(duì)靜電卡盤釋放晶片方法的研究，但是卻缺乏判斷晶片和靜電卡盤之 間殘余引力的方法，也就是針對(duì)晶片釋放程度的判斷方法，如果能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片從靜電卡 盤上的釋放程度進(jìn)行檢測(cè)，就可以避免上述晶片跳動(dòng)或移位的情況發(fā)生，減少事故發(fā)生率， 保證半導(dǎo)體晶片在傳輸過(guò)程中更加地安全可靠。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的就是提供一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電 卡盤上釋放程度的方法。利用該檢測(cè)方法能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片從靜電卡盤上的釋放程度進(jìn)行檢 測(cè)，然后根據(jù)釋放程度做出相應(yīng)的操作，避免上述晶片跳動(dòng)或移位的情況發(fā)生，減少了事故 發(fā)生率，保證了半導(dǎo)體晶片在傳輸過(guò)程中更加地安全可靠。 本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的 本發(fā)明提供一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，具體為，在從靜電卡盤 上釋放半導(dǎo)體晶片后，包括如下步驟-A:在半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面間通入氣體； B:檢測(cè)氣體漏率；C:判斷氣體漏率是否大于設(shè)定的漏率閾值，如是，則輸出半導(dǎo)體晶片釋放完全的結(jié)果； 否則，輸出半導(dǎo)體晶片未完全釋放的結(jié)果。所述的步驟A進(jìn)一步包括在半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面間通入的氣體壓強(qiáng)為1 20Torr。更進(jìn)一歩的，所述氣體的壓強(qiáng)為3 8Torr。 所述的步驟B進(jìn)一步包括檢測(cè)氣體漏率，并延時(shí)1 60秒。 更進(jìn)一步的，所述的延時(shí)為3 10秒。所述的步驟C中設(shè)定的漏率閾值為1 10SCCM (每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升)。 更進(jìn)一步的，所述設(shè)定的漏率閾值為2 8SCCM。所述的氣體是氮?dú)饣蚨栊詺怏w。所述的步驟C進(jìn)一步包括若得出半導(dǎo)體晶片釋放完全的結(jié)論，則將半導(dǎo)體晶片升起， 進(jìn)行后繼的操作；若得出半導(dǎo)體晶片未完全釋放的結(jié)論，則繼續(xù)等待釋放或報(bào)警。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本方法通過(guò)在半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面 間通入氣體，并將檢測(cè)到的氣體漏率和設(shè)定的漏率閾值進(jìn)行比較，從而根據(jù)比較結(jié)果來(lái)判斷 半導(dǎo)體晶片的釋放程度，并進(jìn)行相應(yīng)的后繼操作。以上檢測(cè)方法能夠有效的判斷半導(dǎo)體晶片 從靜電卡盤上的釋放程度，然后就可以根據(jù)釋放程度做出相應(yīng)的操作，避免了半導(dǎo)體晶片發(fā) 生跳動(dòng)或移位的現(xiàn)象，減少了事故發(fā)生率，保證了半導(dǎo)體晶片在傳輸過(guò)程中更加地安全可靠。


圖1為雙極性靜電卡盤的工作結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明所述檢測(cè)方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，本發(fā)明的核心為在 半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面間通入氣體，并將檢測(cè)到的氣體漏率和設(shè)定的漏率閾值進(jìn)行 比較，從而根據(jù)比較結(jié)果來(lái)判斷半導(dǎo)體晶片的釋放程度。為更好的描述本發(fā)明，現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所述方法進(jìn)一歩說(shuō)明本發(fā)明所述方法的操作流程如圖2所示，具體步驟為，步驟11:對(duì)半導(dǎo)體晶片的工藝操作結(jié)束，靜電卡盤釋放半導(dǎo)體晶片。步驟12:在半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面間通入氣體，此處所述的氣體可以是氮?dú)?、惰性氣體或其他化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的氣體；所通入氣體的壓強(qiáng)在1 20Torr之間，或在3 8Torr 之間，其中1Torr二1/760大氣壓^1毫米汞柱二133.322Pa，其中所述壓強(qiáng)的取值， 一般來(lái) 說(shuō)可以"吹動(dòng)"晶片，但運(yùn)動(dòng)不能太劇烈，否則可能導(dǎo)致晶片產(chǎn)生位移，具體可由實(shí)際經(jīng)驗(yàn)來(lái) 定。步驟13:檢測(cè)氣體漏率， 一般是通過(guò)串聯(lián)在氣體供應(yīng)管路上的流量測(cè)量裝置來(lái)進(jìn)行檢 測(cè)的，并可在檢測(cè)的同時(shí)，延時(shí)1 60秒，或3 10秒，延時(shí)的目的是為了保持氣體流量穩(wěn) 定一段時(shí)間，否則的話可能造成誤判斷。歩驟14:判斷氣體漏率是否大于設(shè)定的漏率閾值，如果氣體漏率大于漏率閾值，則證明它們之間的靜電引力已經(jīng)足夠小了，那么就執(zhí)行歩驟15;否則，執(zhí)行歩驟16;其中所述設(shè)定的漏率閾值在1 10SCCM之間，或在2 8SCCM之間，單位SCCM (Standard Cubic Centimeter per Minute)的意思是每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升。 一般的取值方法是 在靜電卡盤上不放晶片，通入給定壓強(qiáng)的氣體，測(cè)量此時(shí)的氣體漏率FO,而漏率閾值一般 取卩0的60%~90%，本發(fā)明中是取F0的70"y。來(lái)定的。步驟15:輸出半導(dǎo)體晶片釋放完全的結(jié)果。步驟16:輸出半導(dǎo)體晶片未完全釋放的結(jié)果。同時(shí)，還可以在輸出結(jié)果后進(jìn)行相應(yīng)的操作，具體為，若輸出半導(dǎo)體晶片釋放完全的結(jié)果，則執(zhí)行歩驟151，即利用頂針將半導(dǎo)體晶片升起， 并進(jìn)行后繼的操作，如讓機(jī)械手取走半導(dǎo)體晶片等；若輸出半導(dǎo)體晶片未完全釋放的結(jié)果，則執(zhí)行步驟161,即繼續(xù)讓半導(dǎo)體晶片釋放，或進(jìn)行報(bào)警操作等。另夕卜，由于在晶片和靜電卡盤的接觸面間通入氣體后，對(duì)晶片本身會(huì)產(chǎn)生一定的向上壓 力，因此也可以促進(jìn)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上的釋放。下面結(jié)合具體的實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明所述方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明首先，利用靜電卡盤吸附半導(dǎo)體晶片，對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行相應(yīng)的工藝加工；工藝過(guò)程結(jié) 束后，讓靜電卡盤釋放半導(dǎo)體晶片，釋放結(jié)束后開(kāi)始檢測(cè)半導(dǎo)體晶片的釋放程度，操作過(guò)程 為在半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面間通入氮?dú)猓龅獨(dú)獾膲簭?qiáng)為1torr,然后利用串聯(lián) 在氮?dú)夤?yīng)管路上的流量測(cè)量裝置檢測(cè)氮?dú)獾穆┞蔲,并在檢測(cè)時(shí)延時(shí)3秒鐘，待穩(wěn)定之后， 判斷氮?dú)饴┞蔲是否大于設(shè)定的漏率閾值，其中的漏率閾值F的取值方法如前所述，本實(shí)施中 設(shè)定為2SCCM，則如果f〉F，則輸出半導(dǎo)體晶片釋放完全的結(jié)果，就可以讓靜電卡盤上的 頂針升起，將晶片抬離靜電卡盤，并讓機(jī)械手將晶片取走；如果f^F，則輸出半導(dǎo)體晶片未 完全釋放的結(jié)果，這時(shí)就繼續(xù)讓半導(dǎo)體晶片釋放，或進(jìn)行報(bào)警操作，退出流程。從以上的實(shí)施例中可以看出，由于本檢測(cè)方法與通入氣體本身的屬性無(wú)關(guān)，所以通入的 氣體為氦氣等惰性氣體，或其他化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的氣體時(shí)，其操作過(guò)程與以上實(shí)施例中所述操 作完全相同，此處就不再作重復(fù)描述了。另外，當(dāng)氣體壓強(qiáng)取3Torr、 5Torr、 8Torr、 20Torr或1 20Torr中任一值，延時(shí)時(shí)間取 1秒、6秒、10秒、60秒或1 60秒中任一值，相應(yīng)的設(shè)定漏率閾值F取1 SCCM、 5SCCM、 8SCCM、 10SCCM或1 10SCCM中任一值時(shí)，其操作過(guò)程與實(shí)施例中所述操作也完全相 同，此處就不再作重復(fù)描述了。綜上所述，本發(fā)明方法能夠有效的判斷半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上的釋放程度，然后根據(jù) 釋放程度做出相應(yīng)的操作，避免了半導(dǎo)體晶片發(fā)生跳動(dòng)或移位的現(xiàn)象，減少了事故發(fā)生率， 保證了半導(dǎo)體晶片在傳輸過(guò)程中更加地安全可靠。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特征在于，在從靜電卡盤上釋放半導(dǎo)體晶片后，包括如下步驟A在半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面間通入氣體；B檢測(cè)氣體漏率；C判斷氣體漏率是否大于設(shè)定的漏率閾值，如是，則輸出半導(dǎo)體晶片釋放完全的結(jié)果；否則，輸出半導(dǎo)體晶片未完全釋放的結(jié)果。
2、 如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特征在于， 所述的歩驟A進(jìn)一步包括在半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面間通入的氣體壓強(qiáng)為1 20Torr。
3、 如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特征在于， 所述氣體的壓強(qiáng)為3 8Torr。
4、 如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特征在于， 所述的步驟B進(jìn)一歩包括檢測(cè)氣體漏率，并延時(shí)1 60秒。
5、 如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特征在于， 所述的延時(shí)為3 10秒。
6、 如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特征在于， 所述的歩驟C中設(shè)定的漏率閾值為1 10SCCM (每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升)。
7、 如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特征在于， 所述設(shè)定的漏率閾值為2 8SCCM。
8、 如權(quán)利要求1一7中任一所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特 征在于，所述的氣體是氮?dú)饣蚨栊詺怏w。
9、 如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，其特征在于， 所述的歩驟C進(jìn)一歩包括若得出半導(dǎo)體晶片釋放完全的結(jié)論，則將半導(dǎo)體晶片升起，進(jìn)行 后繼的操作；若得出半導(dǎo)體晶片未完全釋放的結(jié)論，則繼續(xù)等待釋放或報(bào)警。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上釋放程度的方法，具體為在半導(dǎo)體晶片與靜電卡盤的接觸面間通入氣體，并將檢測(cè)到的氣體漏率和設(shè)定的漏率閾值進(jìn)行比較，從而根據(jù)比較結(jié)果來(lái)判斷半導(dǎo)體晶片的釋放程度。以上檢測(cè)方法能夠有效的判斷半導(dǎo)體晶片從靜電卡盤上的釋放程度，然后根據(jù)釋放程度做出相應(yīng)的操作，避免了半導(dǎo)體晶片發(fā)生跳動(dòng)或移位的現(xiàn)象，減少了事故發(fā)生率，保證了半導(dǎo)體晶片在傳輸過(guò)程中更加地安全可靠。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101221892SQ200710062688
公開(kāi)日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2007年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月12日
發(fā)明者劉利堅(jiān) 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司