專利名稱：一種腦電分析儀復(fù)合連接用線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種醫(yī)療儀器設(shè)備儀表專用連接用線，特別涉及一種 腦電分析儀復(fù)合連接用線。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，醫(yī)療設(shè)備的朝著科學(xué)化、現(xiàn)代化方向發(fā)展， 腦電分析儀也成了眾多醫(yī)院的必備檢驗(yàn)設(shè)備，目前腦電分析儀中使用 的復(fù)合連接用線采用銅導(dǎo)線包絕緣層，組合后外加外被絕緣覆層而構(gòu) 成。這樣的結(jié)構(gòu)抗拉性和曲繞性能很差，不能承受一定的強(qiáng)度，在儀 器內(nèi)或移動(dòng)時(shí)彎折曲繞困難；腦電分析儀很多時(shí)候會(huì)在有X射線的環(huán) 境下使用，X射線穿透絕緣層，會(huì)加速線芯及絕緣層的老化，降低其 使用壽命；連接用線絕緣材料一般采用低煙低鹵絕緣材料，電纜線經(jīng) 長期使用并遇過熱現(xiàn)象時(shí)，仍釋放低鹵素元素,造成室內(nèi)環(huán)境污染， 在不同的溫度環(huán)境下這樣的絕緣層容易老化，在儀表環(huán)境里磁電會(huì)干 擾數(shù)據(jù)線其數(shù)據(jù)的傳輸，這樣的線屏蔽效果差，這樣會(huì)影響儀器的測 量精度和穩(wěn)定性，對(duì)診斷或醫(yī)療造成不良影響。為避免所述現(xiàn)象，這 就需要一種內(nèi)部信號(hào)傳輸穩(wěn)定、防電磁干擾性好、不受地區(qū)環(huán)境溫度 影響、耐腐蝕、抗拉性、曲繞性優(yōu)、壽命長、環(huán)保無污染的腦電分析 儀復(fù)合連接用線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)腦電分析儀復(fù)合連接用線存在的不足之處，設(shè)計(jì)出一 種信號(hào)傳輸穩(wěn)定、防電磁干擾性好、不受地區(qū)環(huán)境溫度影響、耐腐蝕、 抗拉性、曲繞性優(yōu)、壽命長、環(huán)保無污染的腦電分析儀復(fù)合連接用線。 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，其特征在于:它包括有絕緣外被 層、由PTFE薄膜纏繞而成的膜包覆層、包覆著絕緣層的導(dǎo)線和信號(hào) 線、填充線；其中所述的導(dǎo)線、信號(hào)線和填充線穿設(shè)在膜包覆層的里 面，絕緣外被層則以包覆的形式設(shè)置在膜包覆層的外表面；所述的信 號(hào)線為兩根，在兩根信號(hào)線外還設(shè)置有一鍍層的銅線纏繞而成的信號(hào) 屏蔽層。
其中所述的導(dǎo)線為裸銅線。
其中所述的兩根信號(hào)線其中一根為裸銅線，另一根為康銅線。 其中所述的填充線為防彈紗線。 其中所述的包覆著導(dǎo)線的絕緣層為氟材料層。 其中所述的絕緣外被層為硅膠材料層。
本發(fā)明的有益效果是，采用了包括有絕緣外被層、由PTFE薄膜纏 繞而成的膜包覆層、包覆著絕緣層的導(dǎo)線和信號(hào)線、填充線；其中所 述的導(dǎo)線、信號(hào)線和填充線穿設(shè)在膜包覆層的里面，絕緣外被層則以 包覆的形式設(shè)置在膜包覆層的外表面；所述的信號(hào)線為兩根，在兩根 信號(hào)線外還設(shè)置有一鍍層的銅線纏繞而成的信號(hào)屏蔽層，這么一種復(fù)
合連接用線具有不受地區(qū)環(huán)境溫度影響、耐腐蝕、環(huán)保無污染等優(yōu)點(diǎn)； 高分子材料PTFE構(gòu)成包覆層能有效抵抗X射線，能防止各線芯的受 X射線引起的老化，延長連接用線的使用壽命；鍍層銅線的屏蔽層纏 繞裸銅與康銅做成的信號(hào)線具有電動(dòng)勢大，傳輸信號(hào)靈敏度高，屏蔽 性能優(yōu)良，能增加內(nèi)部信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性、防電磁干擾，采用具有耐 高溫的防彈紗線作為填充線能很好的增強(qiáng)連接線的抗拉性和曲繞性。 綜上所述本發(fā)明腦電分析儀復(fù)合連接用線具有信號(hào)傳輸穩(wěn)定、防電磁 干擾性好、不受地區(qū)環(huán)境溫度影響、耐腐蝕、抗拉性、曲繞性優(yōu)、壽 命長、環(huán)保無污染的優(yōu)點(diǎn)。


圖l:為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖2:為本發(fā)明的截面剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖l、 2對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明 一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，它包括有絕緣外被層1、由PTFE 薄膜纏繞而成的膜包覆層2、包覆著絕緣層的導(dǎo)線3和信號(hào)線4、填 充線5;其中所述的導(dǎo)線3、信號(hào)線4和填充線5穿設(shè)在膜包覆層2 的里面，絕緣外被層1則包覆的形式設(shè)置在膜包覆層2的外表面；所 述的包覆著絕緣層信號(hào)線4為兩根，在兩根信號(hào)線4外還設(shè)置有一鍍 層的銅線纏繞而成的信號(hào)屏蔽層6，其中所述的導(dǎo)線3為裸銅線。兩 根信號(hào)線4的其中一根為裸銅線，另一根為康銅線。填充線5為防彈紗線。其中所述的包覆著導(dǎo)線3的絕緣層7為氟材料層，兩根信號(hào)線 4采用有鍍層的銅線做屏蔽，具有電動(dòng)勢大，傳輸信號(hào)靈敏度高,穩(wěn)定 性好以及防磁電干擾的優(yōu)點(diǎn)；而導(dǎo)線3和信號(hào)線4的絕緣層和絕緣外 被層1分別了采用無毒的高分子氟和硅材料制成,則使其具有耐高溫 至200度和耐低溫至-60度且能耐強(qiáng)酸堿等特點(diǎn)；采用具有耐高溫的 防彈紗線做為填充線5能很好的增強(qiáng)連接線的抗拉性和曲繞性。采用 高分子材料PTFE膜包覆層2則能有效地抵抗X射線。
以上所述之實(shí)施例只為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非以此限制本發(fā) 明的實(shí)施范圍，故凡依本發(fā)明之形狀、構(gòu)造及原理所作的等效變化， 均應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，其特征在于它包括有絕緣外被層、由PTFE薄膜纏繞而成的膜包覆層、包覆著絕緣層的導(dǎo)線和信號(hào)線、填充線；其中所述的導(dǎo)線、信號(hào)線和填充線穿設(shè)在膜包覆層的里面，絕緣外被層則以包覆的形式設(shè)置在膜包覆層的外表面；所述的包覆著絕緣層信號(hào)線為兩根，在兩根信號(hào)線外還設(shè)置有一鍍層的銅線纏繞而成的信號(hào)屏蔽層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，其特征 在于其中所述的導(dǎo)線為裸銅線。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，其特征 在于其中所述的兩根信號(hào)線其中一根為裸銅線，另一根為康銅線。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，其特征 在于其中所述的填充線為防彈紗線。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，其特征 在于其中所述的包覆著導(dǎo)線的絕緣層為氟材料層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，其特征 在于其中所述的絕緣外被層為硅膠材料層。
全文摘要
本發(fā)明特別涉及一種腦電分析儀復(fù)合連接用線，其包括有絕緣外被層、由PTFE薄膜纏繞而成的膜包覆層、包覆著絕緣層的導(dǎo)線和信號(hào)線、填充線；其中所述的導(dǎo)線、信號(hào)線和填充線穿設(shè)在膜包覆層的里面，絕緣外被層則包覆的形式設(shè)置在膜包覆層的外表面；其中信號(hào)線為兩根，在信號(hào)線外有一鍍層的銅線纏繞而成的信號(hào)屏蔽層，這么一種復(fù)合連接用線信號(hào)傳輸穩(wěn)定、防電磁干擾性好、不受地區(qū)環(huán)境溫度影響、耐腐蝕、抗拉性、曲繞性優(yōu)、壽命長、環(huán)保無污染的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01B11/06GK101192459SQ20071002886
公開日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2007年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月28日
發(fā)明者唐耀衛(wèi), 李明斌 申請(qǐng)人:東莞市日新電線實(shí)業(yè)有限公司