專利名稱：電子水泡表面低溫沉積電容薄膜的制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電子水泡表面低溫沉積電容薄膜的制備方法。
背景技術：
由于電子水泡內(nèi)部裝有乙酶和乙醇的混合物，所以在其表面沉積電容薄膜的難度很大，電子水泡受熱后極易發(fā)生爆裂，導致失敗或報廢。
在本發(fā)明之前，現(xiàn)有的方法是采用很薄的銅皮或銅片在電子水泡表面進行粘貼，或者采用涂刷導電膠或者銀漿的方法，形成電容補償電路。但這種方法產(chǎn)生的導電層厚度很不均勻，容易引起較大的測量誤差，導致測量結果不準確，同時還會損壞電子水泡，造成測量無法進行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就在于克服上述缺陷，研制一種在電子水泡表面低溫沉積電容薄膜的制備方法。
本發(fā)明的技術方案是電子水泡表面低溫沉積電容薄膜的制備方法，其主要技術步驟為(1)清洗、吹干電子水泡表面；(2)在電子水泡表面空白部分涂敷感光膠，紫外線固化；(3)將電子水泡一一放入夾具上的各孔中；(4)將裝有電子水泡的夾具放入真空室內(nèi)并開始旋轉(zhuǎn)，抽真空至10-3Pa；(5)向真空室內(nèi)充入氬氣，真空度達到0～10Pa；(6)向靶材施加電壓，在靶材和夾具之間產(chǎn)生輝光放電，形成等離子體區(qū)；(7)在薄膜厚度測量儀上設定沉積薄膜的厚度；(8)向電子水泡表面鍍Ni80Cr20底膜；(9)調(diào)節(jié)濺射功率，在電子水泡表面沉積Cu薄膜；(10)采用對靶濺射的方法，在同一個真空室中重復步驟(9)；(11)去除電子水泡表面的感光膠，形成電容薄膜。
本發(fā)明的優(yōu)點和效果在于采用直流磁控濺射的方法，形成低溫等離子體，在電子水泡表面沉積一定厚度的金屬薄膜，構成薄膜電容器的兩組電極，其金屬薄膜的均勻性通過優(yōu)化工藝參數(shù)和夾具設計控制在5％以內(nèi)，大大提高了電容容抗的誤差補償精度；同時，又由于控制電子水泡的表面溫度在30-80℃內(nèi)，保證電子水泡不會產(chǎn)生熱膨脹而受到損壞。具有傳感靈敏度高、鍍層均勻、光潔和不易脫落等特點。


圖1——薄膜電阻的形狀圖。
圖2——夾具結構示意圖。
圖3——鍍膜過程示意圖。
圖4——電子水泡表面薄膜電阻的等效電路圖。
具體實施例方式
首先對玻璃表面進行清洗用分析乙醇和乙醚混合液，按3∶1配比浸泡，去除油污；再用超聲波清洗；最后用分析乙醇擦干并用干燥熱風機和扁平噴口吹干玻璃表面。
在電子水泡表面空白部分涂敷感光膠，紫外線固化。
裝上夾具按照圖2所示，將電子水泡一個一個放入夾具4當中的一個一個孔中，將夾具4夾緊后放入真空室8內(nèi)，并與旋轉(zhuǎn)電機1連接；直流磁控濺射如圖3所示，將圖2所示的夾具3夾住后放入真空室8中，通過抽真空口6對真空室8抽真空，獲得本底真空度10-3Pa，然后通過氬氣進氣口5向真空室8內(nèi)充入氬氣；通過質(zhì)量流量計控制氬氣流量使真空室8的壓力保持在0-10Pa，本例為2Pa，旋轉(zhuǎn)電機1帶動裝有電子水泡的夾具3旋轉(zhuǎn)，向靶材2施加直流電壓，在靶材2和夾具3之間產(chǎn)生輝光放電，形成低溫等離子體，通過熱電偶4測量薄膜沉積過程中電子水泡表面的溫度，根據(jù)薄膜的厚度要求，通過FTM-III(C)石英晶體薄膜厚度測量儀7在線監(jiān)控薄膜的生長厚度；在薄膜厚度測量儀7上設定薄膜沉積厚度；調(diào)節(jié)濺射功率，在電子水泡表面沉積薄膜，到達設定厚度時自動切斷濺射電源；電子水泡上鍍2m的Ni80Cr20底膜，以提高表薄膜的附著強度；同時采用對靶濺射的方法，在同一個真空室8中重復在電子泡上沉積Cu薄膜；然后，去除電子水泡表面的感光膠，保留Cu薄膜電阻形成的電容薄膜。在電子水泡表面間隙形成如圖3所示的阻值均勻的薄膜電阻，從而有效調(diào)節(jié)測量電路，其等效電路如圖4所示。
權利要求
1.電子水泡表面低溫沉積電容薄膜的制備方法，其步驟為(1)清洗、吹干電子水泡表面；(2)在電子水泡表面空白部分涂敷感光膠，紫外線固化；(3)將電子水泡一一放入夾具上的各孔中；(4)將裝有電子水泡的夾具放入真空室內(nèi)并開始旋轉(zhuǎn)，抽真空至10-3Pa；(5)向真空室內(nèi)充入氬氣，真空度達到0～10Pa；(6)向靶材施加電壓，在靶材和夾具之間產(chǎn)生輝光放電，形成等離子體區(qū)；(7)在薄膜厚度測量儀上設定沉積薄膜的厚度；(8)向電子水泡上鍍Ni80Cr20底膜；(9)調(diào)節(jié)濺射功率，在電子水泡表面沉積Cu薄膜；(10)采用對靶濺射的方法，在同一個真空室中重復步驟(9)；(11)去除電子水泡表面的感光膠，形成電容薄膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的電子水泡表面低溫沉積薄膜的制備方法，其特征在于電子水泡表面溫度在30-80℃。
3.根據(jù)權利要求1所述的電子水泡表面低溫沉積薄膜的制備方法，其特征在于底膜材料包括Ni、Cr及其合金，外膜包括Cu、Ag及其合金。
4.根據(jù)權利要求1所述的電子水泡表面低溫沉積薄膜的制備方法，其特征在于步驟(8)電子水泡上鍍2m厚的Ni80Cr20底膜。
5.根據(jù)權利要求1所述的電子水泡表面低溫沉積薄膜的制備方法，其特征在于步驟(10)在電子水泡表面沉積薄膜直至形成10m厚的Cu薄膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電子水泡表面低溫沉積電容薄膜的制備方法。本發(fā)明技術特征是清洗、吹干電子水泡表面，在其上空白部分涂敷感光膠，紫外線固化，放入夾具各孔中，在真空室內(nèi)并開始旋轉(zhuǎn)，抽真空至10
文檔編號H01G4/33GK101060034SQ20071002232
公開日2007年10月24日 申請日期2007年5月14日 優(yōu)先權日2007年5月14日
發(fā)明者陳榮發(fā), 趙毅紅 申請人:揚州大學