專利名稱：晶片接合時靜電放電防護(hù)的卷帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄型半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，特別是涉及一種晶片接合時靜 電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。背景技水以往的薄膜覆晶封裝(Chip-On-Film package, COF)與巻帶承載封裝 (Tape Carrier Package, TCP)等半導(dǎo)體產(chǎn)品是以巻帶式傳輸進(jìn)行封裝作業(yè)，在 巻帶傳輸過程中巻帶薄膜軟片與晶片會積存靜電荷， 一旦進(jìn)行晶片接合時 兩者電位差會產(chǎn)生瞬間大電壓的靜電放電，常會燒毀晶片的內(nèi)部積體電路。如

圖1所示， 一種現(xiàn)有現(xiàn)有習(xí)知巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100包含一可 撓性基板110、 一晶片120以及一封膠體130。該可撓性基板IIO是具有復(fù) 數(shù)個引腳111及一局部覆蓋該些引腳111的防焊層112,該防焊層112是具 有一開口 113，尺寸大小對應(yīng)于該晶片120，以顯露該些引腳111的內(nèi)端。 該晶片120是具有復(fù)數(shù)個凸塊121，能接合至該些引腳lll。該封膠體130 是填充于該晶片120與該可撓性基板110之間，以密封該些凸塊121。如圖 2所示，在機(jī)臺連續(xù)生產(chǎn)作業(yè)下，由于巻帶傳送摩擦使該可撓性基板110產(chǎn) 生電荷以及該晶片120本身累積的電荷，在晶片接合時會造成靜電放電 (ESD)而燒毀該些內(nèi)部引腳111與該晶片120的內(nèi)部積體電路進(jìn)而導(dǎo)致該晶 片120失效。有鑒于上述現(xiàn)有的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā)明人基于 從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn) 用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的晶片接合時靜電放電防護(hù)的 巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，使 其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后， 終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是在于提供一種晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式 半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，借由增厚凸塊或增厚引腳可以在晶片接合時接地連接與 一般電性連接形成鍵合時間差，達(dá)到制程中靜電放電(ESD)防護(hù)的功效，以 避免晶片損毀。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明， 一種晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造主要包含一可撓性基板以及一晶片。該可撓性基板是具有復(fù)數(shù)個引腳，其中至少一 引腳是為一接地引腳。該晶片是具有復(fù)數(shù)個凸塊，其中至少一凸塊是為一增厚凸塊，其接合面是稍高于其它凸塊。其中，當(dāng)凸塊金屬鍵合至引腳，該增厚凸塊是對準(zhǔn)接合于該接地引腳。在不同實施例中，該接地引腳是具有一增厚內(nèi)引腳，且至少一凸塊是為一接地凸塊。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。 在前述的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，該增厚凸塊是具有一凸塊本體與一增設(shè)導(dǎo)電層。在前述的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，該增設(shè)導(dǎo)電層的厚度約在2至3 微米。在前述的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，該增設(shè)導(dǎo)電層是設(shè)于該凸塊本體 的頂層。在前述的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，該增設(shè)導(dǎo)電層是設(shè)于該凸塊本體 的底層。在前述的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造中，另包含有一封膠體，其是填充于 該晶片與該可撓性基板之間，以密封該些凸塊。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體 封裝構(gòu)造至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明一種晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，借由 增厚凸塊或增厚引腳可以在晶片接合時接地連接與一般電性連接形成鍵合 時間差，達(dá)到制程中靜電放電(ESD)防護(hù)的功效，以避免晶片損毀。綜上所述，本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實用 的效果，且較現(xiàn)有的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造具有增進(jìn)的突出功效，從而更 加適于實用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新 設(shè)計。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。附豳說璣圖l現(xiàn)有習(xí)知巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的截面示意圖。 圖2現(xiàn)有習(xí)知巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造在晶片接合時產(chǎn)生靜電放電的截 面示意圖。圖3依椐本發(fā)明的第一具體實施例， 一種晶片接合時靜電放電防護(hù)的根據(jù)本發(fā)明的第3觀點，提供一種TFT的制造方法，該TFT具有源 電極以及漏電極、被規(guī)定在這些源電極以及漏電極之間的溝道部、分別 與所迷源電極以及所述漏電極連接的布線，該方法包括如下步驟在形 成于襯底上的金屬膜上形成抗蝕劑膜；利用光刻技術(shù)對所述抗蝕劑膜進(jìn) 行圖形形成，形成源電極用抗蝕劑掩膜、漏電極用抗蝕劑掩膜以及布線 用抗蝕劑掩膜；將所述源電極用抗蝕劑掩膜、所述漏電極用抗蝕劑掩膜 以及所述布線用抗蝕劑掩膜作為掩膜對所述金屬膜進(jìn)行刻蝕，形成所述 源電極、所述漏電極、所述布線；使溶劑對所述源電極用抗蝕劑掩膜、 所述漏電極用抗蝕劑掩膜以及所述布線用抗蝕劑掩膜進(jìn)行作用，使其軟 化，使其回流并且進(jìn)行變形，由此，以變形抗蝕劑覆蓋所述源電極和所 述漏電極之間，其中，在進(jìn)行所述回流并進(jìn)行變形的步驟中，使所述源 電極用抗蝕劑掩膜以及所述漏電極用抗蝕劑掩膜的任意一個或者這二 者的平均單位長度L的體積V,相對所述布線用抗蝕劑掩膜的平均單位長 度L的體積V2為1,5~3倍。根據(jù)本發(fā)明的第4觀點，提供一種TFT的制造方法，該TFT具有源 電極以及漏電極、被規(guī)定在這些源電極以及漏電極之間的溝道部、分別 與所述源電極以及所述漏電極連接的布線，該方法包括如下步驟在形 成于襯底上的金屬膜上形成抗蝕劑膜；利用光刻技術(shù)對所述抗蝕劑膜進(jìn) 行圖形形成，形成源電極用抗蝕劑掩膜、漏電極用抗蝕劑掩膜以及布線 用抗蝕劑掩膜；將所述源電極用抗蝕劑掩膜、所述漏電極用抗蝕劑掩膜 以及所述布線用抗蝕劑掩膜作為掩膜對所述金屬膜進(jìn)行刻蝕,形成所述 源電極、所述漏電極、所述布線；使溶劑對所述源電極用抗蝕劑掩膜、 所述漏電極用抗蝕劑掩膜以及所述布線用抗蝕劑掩膜進(jìn)行作用，使其軟 化，使其回流并且進(jìn)行變形，由此，以變形抗蝕劑覆蓋所述源電極和所 述漏電極之間，其中，在進(jìn)行所述回流并進(jìn)行變形的步驟中，使所述源 電極用抗蝕劑掩膜以及所述漏電極用抗蝕劑掩膜的任意一個或者這二 者的平均單位長度L的體積V,相對所述布線用抗蝕劑掩膜的平均單位長 度L的體積V2為0.2-0. 7倍。此外，根椐本發(fā)明的第5觀點，提供一種TFT的制造方法，包括如 下步驟在襯底上形成柵電極；形成覆蓋所述柵電極的柵極絕緣膜；在 所述柵極絕緣膜上，從下依次堆積a-Si膜、歐姆接觸用Si膜以及金屬 膜；在所述金屬膜上形成抗蝕劑膜；使用預(yù)定的曝光掩膜對所述抗蝕劑細(xì)說明如后。圖3及圖4是有關(guān)于本發(fā)明的第一具體實施例所揭示的一種晶片接合 時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。如圖3所示， 一種晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造 200至少包含一可撓性基板210以及一晶片220。該可撓性基板210是具有 復(fù)數(shù)個引腳211，其中至少一引腳是為一接地引腳240,其是可與外部接地 裝置連接，以構(gòu)成一內(nèi)部積存靜電荷傳導(dǎo)出去的通路。此外，該可撓性基 板210可另具有一防焊層212，其是以局部覆蓋該些引腳211(包含該接地引 腳240)，以保護(hù)該些引腳211的中間區(qū)段。該防焊層212是具有一開口 213, 該開口 213是不小于該晶片220,以供該晶片220的接合。該晶片220是具有復(fù)數(shù)個凸塊221，其中至少一凸塊是為一增厚凸塊 250，其接合面是稍高于其它凸塊221。在本實施例中，該增厚凸塊250是 具有一凸塊本體251與一增設(shè)導(dǎo)電層252,且該凸塊本體251的結(jié)構(gòu)與高度 是與其它凸塊221大致相同。其中，該增設(shè)導(dǎo)電層252是以電鍍形成，且 其厚度約在2至3微米，而稍大于該些凸塊221的制程能力可容許誤差值。 該增設(shè)導(dǎo)電層252是設(shè)于該凸塊本體251的頂層，可為電鍍金或是多加打 線形成的結(jié)線凸塊。此外，該增設(shè)導(dǎo)電層252的材質(zhì)是可包含金或其他可 導(dǎo)電材料。其中，當(dāng)該些凸塊221金屬鍵合至該些引腳211,該增厚凸塊 250是對準(zhǔn)接合于該接地引腳240。因該晶片220與該可撓性基板210之間 的接地連接會稍快于一般訊號的電性連接。由于靜電放電的時間很短，通 常幾十納秒或幾百納秒便能完成放電(一納秒等于十億分的一秒)。上述的時 間差便可足以達(dá)到靜電放電而不損毀晶片內(nèi)部積體電路的功效。在本實施例中，該巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200另包含有一封膠體230， 其是以涂劃膠的方式流動填充于該晶片220與該可撓性基板210之間，再 經(jīng)固化成形，以密封該些凸塊221。如圖4所示，在本實施例中，該增厚凸塊250的接合面是由該增厚金 屬層252所構(gòu)成，以稍高于其它凸塊221，當(dāng)該晶片220與該可撓性基板 210的接合過程中，會使該增厚凸塊250與該接地引腳240預(yù)先接觸，才會 進(jìn)行引腳211與凸塊221的接合，形成一可供安全地靜電放電的時間差。 當(dāng)該增厚凸塊250與該接地引腳240接觸的瞬間，該晶片220內(nèi)部累積的 靜電荷可經(jīng)由該增厚凸塊250傳導(dǎo)至該接地引腳240并與外部接地裝置形 成導(dǎo)靜電的通路，以消除靜電荷。因此，該巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200在 晶片接合過程中可達(dá)到靜電放電(ESD)防護(hù)的功效，避免因靜電放電(ESD) 導(dǎo)致該晶片220的損毀。在本發(fā)明的第二具體實施例中，配合參閱圖5,揭示另一種晶片接合時 靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，主要元件是與第一實施例相同，不再重復(fù)贅述。其中，在該晶片220的主動面上設(shè)有復(fù)數(shù)個凸塊221，其中該 些凸塊221的其中至少一凸塊是為一增厚凸塊260，其是具有一凸塊本體 261與一增設(shè)導(dǎo)電層262。在本實施例中，該增設(shè)導(dǎo)電層262是設(shè)于該凸塊 本體261的底層。該增設(shè)導(dǎo)電層262是可為現(xiàn)有習(xí)知UBM結(jié)構(gòu)中的一加厚 層，以降低制造的成本規(guī)格。通常該增設(shè)導(dǎo)電層262的厚度是稍大于該些 凸塊221的制程能力可容許誤差值。在本發(fā)明的第三具體實施例中，配合參閱圖6，揭示另一種晶片接合時 靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造300，主要包含一可撓性基板310以 及一晶片320。該可撓性基板310是具有復(fù)數(shù)個引腳311，其是形成于一介 電層上且被一防焊層312局部覆蓋。該防焊層312是具有一開口 313，該開 口 313是不小于該晶片320,其是顯露該些引腳311的內(nèi)端，以利接合該晶 片320的復(fù)數(shù)個凸塊321。其中至少一引腳是為一接地引腳340。該接地引腳，其是具有一增厚內(nèi) 引腳341。該接地引腳340在封裝制程中可與一外部接地裝置連接，以形成 一可將內(nèi)部靜電荷傳導(dǎo)出去的通路(如圖7所示)。在本實施例中，該增厚內(nèi)引腳341是具有一引腳本體342與一增設(shè)導(dǎo) 電層343,且該引腳本體342的結(jié)構(gòu)與高度是與其它引腳311大致相同。在 本實施例中，該增設(shè)導(dǎo)電層343的厚度約在2至3微米，或是依可能制程 能力比該些引腳340的厚度容許誤差值稍高即可，其是可利用電鍍或是微 蝕刻技術(shù)形成，使該增厚內(nèi)引腳341與其它引腳31〗形成接合高度差，以 4秦合對應(yīng)的凸塊。該晶片320是具有復(fù)數(shù)個凸塊321，其中至少一凸塊321是為 一接地凸 塊350。其中，當(dāng)該些凸塊321金屬鍵合至該些引腳311，該接地凸塊350 是對準(zhǔn)接合于該接地引腳340的增厚內(nèi)引腳341，而在晶片接合時形成可供 靜電放電的時間差。在本實施例中，該巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造300另包含 有一封膠體330，其是填充于該晶片320與該可撓性基板310之間，以密封 該些凸塊321及該接地凸塊350。如圖7所示，當(dāng)該晶片320與該可撓性基板310接合過程中，該晶片 320的內(nèi)部累積靜電荷會在該接地凸塊350與該增厚內(nèi)引腳341接觸的瞬間 傳導(dǎo)至該接地引腳340,再借由該接地引腳340連通的通路將靜電荷傳導(dǎo)至 外部接地裝置。由于該增厚內(nèi)引腳341的接合面是稍高于其它引腳311,故 在靜電放電的瞬間其他引腳311與凸塊321尚未接合故不會損毀該晶片320 的內(nèi)部積體電路。因此，該巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造300具有在晶片接合過 程中靜電放電(ESD)防護(hù)的功效。在本發(fā)明的第四具體實施例中，配合參閱圖8，揭示另一種晶片接合時 靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，主要元件大致是與第三實施例相同，相同圖號的元件不再重復(fù)贅述。除了使用同樣具有增厚內(nèi)引腳341的 可撓性基板310。該晶片320是具有復(fù)數(shù)個凸塊321，其中至少一凸塊321 是為一接地凸塊360。在本實施例中，該接地凸塊360是具有一增設(shè)導(dǎo)電層 361，且其是為增厚以使其接合面是稍高于其它凸塊321,以利在晶片接合 過程中可先接合至增厚內(nèi)引腳341，以將電荷傳導(dǎo)出去，再進(jìn)行其他引腳 311與凸塊321的接合，以達(dá)到在晶片接合過程中靜電放電(ESD)防護(hù)的功 效。通常該接地凸塊360與其它一般凸塊321的接合高度差是稍大于該些 凸塊321的制程容許誤差值，以確保靜電放電防護(hù)的功效。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種晶片接合時靜電放電防護(hù)的卷帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于包含一可撓性基板，其是具有復(fù)數(shù)個引腳，其中至少一引腳是為一接地引腳；以及一晶片，其是具有復(fù)數(shù)個凸塊，其中至少一凸塊是為一增厚凸塊，其接合面是稍高于其它凸塊；其中，當(dāng)上述凸塊金屬鍵合至上述引腳，該增厚凸塊是對準(zhǔn)接合于該接地引腳。
2、 根據(jù)杈利要求1所述的晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造，其特征在于所迷的增厚凸塊是具有一凸塊本體與一增設(shè)導(dǎo)電層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造，其特征在于所述的增設(shè)導(dǎo)電層的厚度約在2至3微米。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造，其特征在于所述的增設(shè)導(dǎo)電層是設(shè)于該凸塊本體的頂層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造，其特征在于所述的增設(shè)導(dǎo)電層是設(shè)于該凸塊本體的底層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造，其特征在于，另包含有一封膠體，其是填充于該晶片與該可撓性 基板之間，以密封該些凸塊。
7、 一種晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在 于包含一可撓性基板，其是具有復(fù)數(shù)個引腳，其中至少一引腳是為一接地引腳，其是具有一增厚內(nèi)引腳；以及一晶片，其是具有復(fù)數(shù)個凸塊，其中至少一凸塊是為一接地凸塊； 其中，當(dāng)上述凸塊金屬鍵合至上述引腳，該接地凸塊是對準(zhǔn)接合于該接地引腳的增厚內(nèi)引腳。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造，其特征在于所述的增厚內(nèi)引腳是具有一引腳本體與一增設(shè)導(dǎo)電層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體封 裝構(gòu)造，其特征在于所述的增設(shè)導(dǎo)電層的厚度約在2至3微米。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片接合時靜電放電防護(hù)的巻帶式半導(dǎo)體 封裝構(gòu)造，其特征在于所述的接地凸塊是為增厚以使其接合面是稍高于其 它凸塊。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種晶片接合時靜電放電防護(hù)的卷帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，主要包含一具有復(fù)數(shù)個引腳的可撓性基板以及一凸塊化晶片。其中至少一引腳是為一接地引腳，該晶片位置對應(yīng)的一凸塊是為一增厚凸塊，其接合面是稍高于其它凸塊。當(dāng)該些凸塊金屬鍵合至該些引腳，該增厚凸塊是對準(zhǔn)接合于該接地引腳。因此，該卷帶式半導(dǎo)體封裝構(gòu)造能在晶片接合過程中能提供一安全的靜電放電通路，避免損毀晶片。在另一實施例中，該接地引腳的內(nèi)引腳亦可為增厚型態(tài)。
文檔編號H01L23/498GK101231978SQ200710000369
公開日2008年7月30日 申請日期2007年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月22日
發(fā)明者劉宏信, 李世富, 沈弘哲, 沈更新 申請人:南茂科技股份有限公司