專利名稱：通過分子黏附進(jìn)行鍵合的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鍵合的方法和設(shè)備。同樣，本發(fā)明還延及以下構(gòu)造體的 形成，所述構(gòu)造體包括位于支持基片上的由半導(dǎo)體材料制成的薄層。為 了形成這樣的構(gòu)造體，常規(guī)的做法是，將施主基片與支持基片緊密接觸 放置，從而通過分子黏附實現(xiàn)所述基片間的彼此鍵合。隨后，將施主基 片的一部分轉(zhuǎn)移至支持基片上，由此在支持基片上形成所述薄層。
背景技術(shù)：
通過分子黏附進(jìn)行鍵合(英語術(shù)語為"direct wafer bonding [晶片直 接鍵合]"或"fusionbonding [熔融鍵合]")是在不使用任何黏合劑(黏膠 型、膠水等)的情況下能夠使兩個具有非常平的表面(拋光鏡面)的基 片彼此黏合的技術(shù)。
所涉及的表面通常是由絕緣材料(例如石英、玻璃)或半導(dǎo)體材料 (例如Si、 GaAs、 SiC、 Ge等)制成的基片的表面。
通常對被緊密接觸放置的兩個基片局部施加光壓而引發(fā)鍵合。隨后， 鍵合前沿在數(shù)秒鐘之內(nèi)展開到整個基片。
相對于在以共價鍵、離子鍵或金屬鍵結(jié)合的兩個固體之間觀測到的 鍵合能，室溫下獲得的所述鍵合能通常相當(dāng)?shù)汀?br> 因此，在許多用途中，通過進(jìn)行熱退火來強(qiáng)化鍵合。對于一個硅表 面黏合于另一個硅表面或二氧化硅表面的情況，在大約1100。C 1200。C 的溫度下進(jìn)行強(qiáng)化鍵合的退火后，鍵合能達(dá)到最大。
另外，為使兩基片的鍵合令人滿意，通常的做法是，在鍵合之前對 一個和/或另一個待黏合表面進(jìn)行預(yù)處理。這意味增強(qiáng)機(jī)械性能和/或改善 鍵合界面的品質(zhì)。在用來改善鍵合時基片之間的力學(xué)行為的這類處理手段中， 一個例 子是，對待黏合表面進(jìn)行預(yù)處理，以使其更為親水。在親水鍵合的情況 下，待黏合表面優(yōu)選具有下列性質(zhì)。
-不存在顆粒；
-不存在碳?xì)浠衔铮?br> -不存在金屬污染物；
-低表面粗糙度，通常小于5ARMS;
-強(qiáng)親水性，也即，待黏合表面具有較大密度的Si-OH硅烷醇鍵。
通常采用一種或多種化學(xué)處理來完成待黏合表面的預(yù)處理。以(親 水)黏附前的化學(xué)處理為例，可以提及下列手段
-RCA型清潔，即適于減少顆粒和碳?xì)浠衔锏腟C1(NH40H、H202、 H20)浴與適于減少金屬污染物的SC2 (HC1、 H202、 H20)浴的結(jié)合；
-利用適于減少有機(jī)污染物的臭氧溶液(03)的清潔；
-利用包含硫酸與加氧水的混合物的溶液(即SPM溶液，Sulphuric Peroxide Mixture [硫酸過氧化物混合物])的清潔。
待黏合表面的預(yù)處理同樣可以包括所述表面的機(jī)械預(yù)處理(拋光、 刷光)，輔以或不輔以化學(xué)處理。
作為通過分子黏附進(jìn)行鍵合的常規(guī)方法的補充，最近已經(jīng)開發(fā)出了 用以制得異質(zhì)結(jié)構(gòu)體(兩種不同類型的材料的黏附)的在低溫下進(jìn)行的 強(qiáng)鍵合技術(shù)，該技術(shù)用于黏合包括部分或完全人造的電子元件的基片 (aka圖案化基片和結(jié)構(gòu)化晶片)，或者甚至用于黏合能夠在高溫退火時 被改變的基片。
通過分子黏附與等離子體激活進(jìn)行的鍵合是這種在低溫下進(jìn)行的強(qiáng) 鍵合技術(shù)的一個實例。
在鍵合一個和/或另一個待黏合表面之前，使待黏合表面與等離子體 接觸，使得在低溫(通常小于60(TC)下對鍵合進(jìn)行較短時間的強(qiáng)化退火 (約2小時)后，可以達(dá)到強(qiáng)的鍵合能。例如，可以提及下列文章
-T. Suni等人的"Effects of plasma activation on hydrophilic bonding of Si and SiQ2" , J. Electroch. Soc., Vol. 149， No. 6， p. 348 (2002);-M. Wiegand等人的"Time-dependent surface properties and wafer bonding of C)2-plasma treated silicon (100) surfaces", J. Electroch. Soc. Vol. 147, No. 7, p. 2734 (2000)。
有證據(jù)表明，以上提及的表面預(yù)處理的不同技術(shù)系統(tǒng)地結(jié)合了至少 一個潤濕步驟，也就是至少利用去離子水漂洗所述表面。
隨后例如通過離心(干燥旋轉(zhuǎn))來干燥基片。根據(jù)其親水程度的不 同，干燥后，基片的表面上具有由吸附水形成的若干個單分子層，這些 單分子層是接觸時導(dǎo)致黏附的分子間力的來源。
通過分子黏附使基片彼此鍵合通常會造成缺陷。鍵合導(dǎo)致的缺陷的 顯著例子有，在兩個基片之間的鍵合界面處的氣泡型缺陷(或氣泡)，以 及在最終構(gòu)造體的薄層(轉(zhuǎn)移后得到的"支持基片上的薄層")處的邊緣 型缺陷(邊緣空位)。
氣泡被視為由在兩個基片之間的鍵合界面處結(jié)合的氣體和/或水產(chǎn) 生的缺陷。在對黏附的構(gòu)造體施加少量熱之后(例如，于20(TC進(jìn)行熱退 火2小時之后)會出現(xiàn)氣泡，通過使用紅外攝像機(jī)或者利用聲學(xué)顯微鏡 檢査鍵合界面時，可以觀察到這種氣泡。氣泡會使轉(zhuǎn)移后得到的最終構(gòu) 造體上出現(xiàn)未轉(zhuǎn)移的區(qū)域。
X. Zhang禾卩J-P. Raskin在Electrochemical and Solid-State Letters, 7(8) G 172-G 174 (2004)中的文章"Low-Temperature Wafer Bonding, Optimal 02 Plasma Surface Pretreatment Time"描述了在鍵合界面處形成氣泡的現(xiàn)象。
邊緣空位被視為鍵合產(chǎn)生的平均(mean)缺陷， 一般在最終構(gòu)造體 (通常為圓板形狀)的外周觀察到邊緣空位。
在制造"絕緣體上半導(dǎo)體"SeOI型(Semiconductor On Insulator)構(gòu) 造體，尤其是"絕緣體上硅"SOI構(gòu)造體(Silicon On Insulator)時應(yīng)用 直接鍵合。在該用途中，待黏合基片中的至少一個基片具有氧化物表面 層；舉例來說，通常采取Si/Si02鍵合或Si(VSi02鍵合以形成SOI結(jié)構(gòu)。
通過直接鍵合制造SeOI構(gòu)造體有三種主要的方法SMART CUT 、 BSOI(和BESOI)和ELTRAN⑧。與這些方法中的每一種有關(guān)的過程的描 述見論文"Silicon wafer bonding technology for VLSI and MEMSapplications", S. S. Lyer and A. J. Auberton-HervS, IEE(2002)。
但是，在上述薄層由施主基片轉(zhuǎn)移至支持基片之后，會出現(xiàn)由鍵合 步驟導(dǎo)致的邊緣空位型缺陷。
如形成SOI構(gòu)造體的圖1所示，邊緣空位P是被轉(zhuǎn)移的薄層中的孔 洞(直徑一般為100nm lmm)，其對應(yīng)于未轉(zhuǎn)移至支持基片A上的施 主基片的區(qū)域。
邊緣空位最常在"支持基片上薄層"構(gòu)造體(圓形晶片)的邊緣(外 周區(qū)域)顯現(xiàn)；它們位于距晶片邊緣通常為1 mm 5 mm的位置。
邊緣空位是與晶片邊緣的不良鍵合有關(guān)的宏觀缺陷。它們可能是致 命缺陷，因為當(dāng)不存在用作于邊緣空位處形成電子元件的活性層的薄層 時，在這個位置不能制造任何元件?？紤]到邊緣空位的尺寸，包括至少 一個邊緣空位的電子元件必然是有缺陷的。
另外，SMARTCUT⑧型的轉(zhuǎn)移過程的特別引人關(guān)注之處在于，它允 許施主基片的再循環(huán)。因此當(dāng)再循環(huán)的施主基片完成黏附時(也就是， 施主基片已經(jīng)用于對薄層的移除和轉(zhuǎn)移；稱為"再生"晶片)，所觀察到 的邊緣空位的數(shù)目多于原始的施主基片(從未用于移除和/或轉(zhuǎn)移薄層； 稱為"新鮮"晶片)完成鍵合時觀察到的數(shù)目。所存在的這種邊緣空位 的增加會妨礙再循環(huán)。
由于邊緣空位的存在導(dǎo)致品質(zhì)和產(chǎn)量的損失，因而需要抑制這種缺 陷的產(chǎn)生。
在文獻(xiàn)EP 1 566 830中已經(jīng)提出限制通過分子鍵合而得到的SOI晶 片邊緣處的空位型缺陷數(shù)目的方法。根據(jù)該文獻(xiàn)，這些缺陷總是位于相 對于晶片中心的特定位置，且似乎是由于晶片邊緣的構(gòu)型所致。因此， 為減少缺陷的數(shù)目，該文獻(xiàn)建議在晶片的制造過程中改變其邊緣的構(gòu)型。 更準(zhǔn)確地說，該文獻(xiàn)建議在距晶片外周為3 mm 10 mm的區(qū)域內(nèi)改變邊 緣落差的曲線。于是，該解決方案的缺點為，需要預(yù)先對晶片進(jìn)行機(jī)械 干預(yù)。
直接鍵合的另一個用途是DSB型(直接Si鍵合)的Si/Si鍵合。正 如早先提及的，氣泡型缺陷仍然能夠在鍵合界面處出現(xiàn)。減少氣泡形成的一個方案包括，對待黏合表面進(jìn)行等離子體激活， 從而獲得良好的鍵合能。事實證明，該方案仍然不能令人滿意地減少鍵 合界面處的氣泡數(shù)目。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種消除現(xiàn)有技術(shù)的這些缺點的鍵合技術(shù)。 在第一方面，本發(fā)明涉及通過分子黏附使兩個基片彼此鍵合的方法， 其中，將所述基片的表面緊密接觸放置，通過所述基片之間的鍵合前沿 的擴(kuò)展而發(fā)生鍵合，其特征在于，所述方法包括下述步驟在鍵合之前， 改變一個和/或另一個所述基片的表面狀態(tài)，以調(diào)節(jié)所述鍵合前沿的擴(kuò)展 速度。
在該方法的第一個可能的實施方式中，優(yōu)選但非限制性的各個特定 方面如下
-所述表面狀態(tài)的改變是指，減小吸附于一個和/或另一個待黏合的
所述基片表面上的水層厚度；
-所述表面狀態(tài)的改變通過加熱完成；
-在所述基片被彼此緊密接觸放置之前加熱，且至少加熱至開始鍵
-加熱的持續(xù)時間為1秒 90秒，優(yōu)選30秒； -通過支撐一個待黏合的所述基片的板的熱傳遞而利用熱傳導(dǎo)進(jìn)行 加熱；
-通過照射一個待黏合的所述基片的燈的輻射來進(jìn)行加熱； -所述燈是在紅外線范圍內(nèi)以0.8 pm 5 pm的波長輻射的燈； -加熱在30。C 90。C的溫度進(jìn)行；優(yōu)選在50。C 6(TC的溫度進(jìn)行； -在待黏合的所述基片的整個表面上均勻地進(jìn)行加熱； -在待黏合的所述基片的外周區(qū)域局部地進(jìn)行加熱； -黏附于中心處引發(fā)，所述外周區(qū)域包括待黏合的所述基片的整個 周邊；
-黏附于邊緣處開始，所述的外周區(qū)域勾勒出一段圓弧，該圓弧與所述的引發(fā)邊緣沿直徑相對，并且被約120。的中心角所限定；
-鍵合前，所述方法包括對一個和/或另一個待黏合的所述表面進(jìn)行
等離子體激活的步驟。
該方法的第二個可能實施方式的優(yōu)選但非限制性的各個特定方面如
下
-通過使所述表面粗糙化來改變所述表面狀態(tài)；
-改變所述表面狀態(tài)的步驟包括在一個和/或另一個待黏合的所述 基片的表面形成粗糙層；
-為了形成所述粗糙層，所述方法包括對一個和/或另一個所述基 片進(jìn)行熱氧化操作，以在一個和/或另 一個所述基片的表面形成熱氧化物 層；和對所述熱氧化物層進(jìn)行處理以適合蝕刻所述氧化物層的操作；
-對所述熱氧化物層的處理是化學(xué)處理；
-所述熱氧化物層是Si02層，所述化學(xué)處理是SC1處理，所述SC1 處理在50。C 8(TC的溫度進(jìn)行，持續(xù)時間大于3分鐘，優(yōu)選為10分鐘；
-為了形成所述粗糙層，所述方法包括在一個和/或另一個所述基片 的表面上沉積氧化物表面層的操作；
-所述沉積操作包括沉積TEOS氧化物層、LTO氧化物層或氮化物
層；
-所述方法包括以下步驟在鍵合之前和所述的改變表面狀態(tài)的步 驟之后，對一個和/或另一個待黏合的所述基片進(jìn)行等離子體激活。
在第二個方面，本發(fā)明涉及通過分子黏附使兩個基片彼此鍵合的鍵 合設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備包括用于改變表面狀態(tài)的裝置，所述用于 改變表面狀態(tài)的裝置在鍵合之前改變一個和/或另一個所述基片的表面狀 態(tài)，從而調(diào)節(jié)所述鍵合前沿的擴(kuò)展速度，尤其是加熱裝置，所述加熱裝 置適于在鍵合前升高并控制一個和/或另 一個所述基片的溫度。
在另一個方面，本發(fā)明還涉及形成構(gòu)造體的方法，所述構(gòu)造體包括 形成于支持基片上的由半導(dǎo)體材料制成的薄層，所述方法包括下列步驟: 放置施主基片，例如由再循環(huán)產(chǎn)生的"再生"基片，使其與所述支持基 片緊密接觸，從而隨著所述基片之間的鍵合前沿的擴(kuò)展，通過所述基片之間的分子黏附使所述基片彼此鍵合；和將所述施主基片的一部分轉(zhuǎn)移 至所述支持基片，從而在所述支持基片上形成所述薄層，所述方法的特 征在于包括下述步驟在鍵合之前，改變所述施主基片和/或所述支持基 片的表面狀態(tài)，以調(diào)節(jié)所述鍵合前沿的擴(kuò)展速度。當(dāng)然，本發(fā)明也延及 通過執(zhí)行該方法而得到的"支持基片上薄層"構(gòu)造體。


通過閱讀后述以非限制性實例給出的優(yōu)選實施方式的詳細(xì)說明，并 參照附圖，本發(fā)明的其他方面、目的和優(yōu)點將表現(xiàn)得更加清楚。 圖1是形成SOI構(gòu)造體的示意圖2顯示了隨黏附引發(fā)點的位置變化的邊緣空位的形成； 圖3代表本發(fā)明第二方面的設(shè)備的不同圖示；
圖4和5分別顯示對緊密接觸放置的兩個基片的均勻加熱和局部加 熱，從而通過分子黏附使其發(fā)生鍵合；
圖6是示出隨著鍵合前沿的擴(kuò)展速度變化的邊緣空位的形成的曲線
圖7是顯示本發(fā)明第一方面的鍵合方法的一個實施方式的圖。
具體實施例方式
在第一個方面，本發(fā)明涉及通過分子黏附使兩個基片彼此鍵合的方 法，其中，將所述基片緊密接觸放置，通過所述基片之間的鍵合前沿的 擴(kuò)展而發(fā)生鍵合。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不限于通過分子黏附使兩個基片彼此鍵合，同
樣，本發(fā)明延及構(gòu)造體的形成，所述構(gòu)造體包括形成于支持基片上的由 半導(dǎo)體材料制成的薄層，其中，在施主基片與支持基片之間通過分子黏 附進(jìn)行鍵合，隨后將上述薄層由施主基片轉(zhuǎn)移至支持基片。
如前所述，SMART CUT 、 BSOI(和BESOI)和ELTRAN⑧方法是通 過分子黏附進(jìn)行鍵合的方法的實例。
在SMART CUT⑧方法中，在鍵合之前，通過在施主基片的厚度中注入原子種或離子種而形成脆化區(qū)，并在鍵合之后，于脆化區(qū)剝離施主基 片以將上述薄層轉(zhuǎn)移至支持基片。
為進(jìn)行分子黏附，常用的手段是，將施主基片與支持基片緊密接觸 放置，然后在緊密接觸放置的兩個基片上局部施加光壓而引發(fā)鍵合。鍵 合前沿隨后展開至整個基片。
目前尚不能確切地斷定鍵合所產(chǎn)生的缺陷的根源。
申請人的分析表明，在Si/SiDSB型鍵合的情況下，由于待黏合基片
的表面處不存在氧化物層(除本身的外)，因此會出現(xiàn)缺陷，尤其是氣泡 型缺陷。申請人估計，實際上，對于存在氧化物層時進(jìn)行黏附的情況(例
如對于Si/Si02鍵合，例如考慮到SeOI結(jié)構(gòu)的形成)，鍵合時包封的或者 稍后出現(xiàn)(例如在鍵合的熱固結(jié)處理時)的水和氣體傾向于在氧化物層 中擴(kuò)散，因而不太容易擴(kuò)散至鍵合界面。然而，在DSB鍵合的情況中， 在缺乏這樣的氧化物層的情況下，申請人估計，鍵合時包封的或隨后出 現(xiàn)的水和氣體具有向鍵合界面擴(kuò)散的趨勢，在鍵合界面處它們將被結(jié)合 并形成氣泡。
關(guān)于邊緣空位型缺陷，申請人的分析顯示，這些缺陷是鍵合結(jié)束時 形成的缺陷，此時鍵合前沿到達(dá)被黏合的基片的邊緣。
圖2顯示了申請人對邊緣空位形成的分析。圖2中，箭頭表示鍵合 前沿的擴(kuò)展方向，虛線表示鍵合前沿在不同時刻的位置，點表示邊緣空 位。
如圖2的左圖所示，申請人能夠有效地確定，當(dāng)在中心處引發(fā)鍵合 時(通過施加局部壓力)，有可能在支持基片的整個外周發(fā)現(xiàn)邊緣空位。 但是，如圖2的右圖所示，當(dāng)在晶片的邊緣(一般在晶片邊緣形成的稱 為"切口"的凹陷處，以便于其操作)引發(fā)鍵合時，邊緣空位會出現(xiàn)在 支持基片的外周區(qū)域并勾勒出一段圓弧，該圓弧與引發(fā)點沿直徑相對， 并且被約120。的中心角所限定。
總的來說，本發(fā)明提出，通過調(diào)節(jié)鍵合前沿的擴(kuò)展速度，從而限制 由鍵合所導(dǎo)致的缺陷的形成，甚至完全抑制這類缺陷的形成。
應(yīng)當(dāng)理解，"調(diào)節(jié)"意指控制、維持和保持對某一現(xiàn)象的演變的掌控。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，所述現(xiàn)象是鍵合前沿擴(kuò)展的現(xiàn)象，該現(xiàn)象的演變對 應(yīng)于鍵合前沿的擴(kuò)展速度。
更精確地調(diào)節(jié)擴(kuò)展速度，使之小于通常在不存在該控制時所觀察到
的速度。
為調(diào)節(jié)鍵合前沿的擴(kuò)展速度，本發(fā)明提出，在鍵合前執(zhí)行改變一個 和/或另一個待黏合表面的表面狀態(tài)的步驟。
根據(jù)第一個可能的實施方式，這具體意味著控制表面上吸附的水的 量，更準(zhǔn)確地說，是使所吸附的水層的厚度小于正常吸附的水層的厚度， 而仍然沒有完全消除這些水。換言之，這意味著減少在表面上吸附的水 的單分子層的數(shù)目。
通過分子黏附進(jìn)行的鍵合也稱為直接鍵合，因為其是無須使用黏合 劑(黏膠型或其他膠水型)的鍵合。這實際上是在接觸放置的每一個表 面上吸附的水(水的數(shù)個單分子層)用作了黏合劑，并通過范德華力來 確保黏附。
在該第一實施方式的情況下，通過在鍵合前操縱基片的溫度，所述 基片的表面狀態(tài)被改變，并由此調(diào)節(jié)鍵合前沿的擴(kuò)展速度。
無論是人工鍵合的情況還是自動鍵合的情況，通過分子黏附進(jìn)行的
鍵合通常于室溫(20°C 25°C)進(jìn)行。
申請人能夠確定的是，在基片緊密接觸放置之前且直到緊密接觸放 置時，對其進(jìn)行預(yù)熱可以部分地或全部地消除邊緣空位和氣泡。加熱實 際上導(dǎo)致了接觸放置的基片的表面狀態(tài)的改變，能夠減小鍵合前沿的擴(kuò) 展速度。通過控制該加熱，可以調(diào)節(jié)鍵合前沿的擴(kuò)展速度，也就是說， 控制降低鍵合前沿的擴(kuò)展速度。
圖6描繪了在Si02上Si鍵合的情況中，轉(zhuǎn)移后觀察到的邊緣空位的 數(shù)目Np的曲線，它是鍵合前沿的擴(kuò)展速度Vp(以厘米每秒表示)的函數(shù)。
圖6僅僅是圖解方式的圖。另外，不同數(shù)值的例子顯然取決于用于 黏附的基片(來自再循環(huán)的基片"再生基片"，或是相反，即"新鮮基片"; 這類材料包括基片，尤其是其撓性等)。
對于較低的鍵合速度(通常小于1.7cm/s)，申請人沒有記錄到任何邊緣空位。對于1.7cm/s的速度，申請人觀察到0 1個邊緣空位。
然后，當(dāng)鍵合前沿的擴(kuò)展速度增大時，邊緣空位的數(shù)目快速增加。
申請人因而能夠在約2 cm/s的速度下計數(shù)出5個邊緣空位，在約3 cm/s的
速度下計數(shù)出50 100個邊緣空位。
當(dāng)在鍵合前對待黏合基片僅僅執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)清潔(例如RCA)時，申請
人能夠觀察到鍵合前沿的總擴(kuò)展速度為1 cm/s 2.5 cm/s (圖中的Gw范
圍)?？偟膩碚f，當(dāng)在RCA清潔后完成鍵合時，轉(zhuǎn)移后得到的所有構(gòu)造
體上均未觀察到邊緣空位。但某些構(gòu)造體具有大量的邊緣空位；這些通
常是鍵合前沿以大于1.7 cm/s的速度擴(kuò)展的構(gòu)造體。
這里必須提及的是，良好的鍵合能通常與鍵合前沿的快速擴(kuò)展相關(guān)。
文獻(xiàn)US 6 881 596提出，通過測定鍵合前沿的擴(kuò)展速度來確定鍵合界面
的品質(zhì)。
Rieutord、 Batalillou禾卩Moriceau在Physical Review Letters, PRL 94， 236101中的文章"Dynamics of a Bonding Front"提出了一個公式(參見 等式5)，該公式表明，鍵合能增大時擴(kuò)展速度增加。
正如上述已經(jīng)提及的，可以執(zhí)行等離子體激活作為標(biāo)準(zhǔn)RCA清潔的 補充。該等離子體激活尤其著眼于增大鍵合能。
申請人能夠確定的是，對待黏合基片進(jìn)行等離子體激活之后，擴(kuò)展 速度更為顯著。圖6示意性地描述了在RCA清潔處理+等離子體激活(這 里僅僅激活待黏合表面之一)情況下的擴(kuò)展速度?？梢钥闯?，隨之?dāng)U展 速度的增大，形成了大量的邊緣空位(參見圖中的Gw+p范圍)。
參考對本發(fā)明的描述，在鍵合前，改變一個和/或另一個待黏合基片 的表面狀態(tài)，以調(diào)節(jié)鍵合前沿的擴(kuò)展速度。在圖6的實例的情況下，進(jìn) 行該調(diào)節(jié)以使鍵合前沿的速度處于Gk范國(通常為0.8 cm/s 1.7 cm/s; 或者對于直徑為300 mm的晶片形式的基片，全部鍵合時間為18秒 35秒)內(nèi)，從而防止形成邊緣空位。
通過加熱調(diào)節(jié)進(jìn)行的第一用途涉及在兩個基片鍵合后形成SeOI構(gòu) 造體，這兩個基片中的一個至少具有表面氧化物層。
事實上，通過降低鍵合前沿的速度，可以實現(xiàn)質(zhì)量更好的鍵合(尤其是在晶片的邊緣處)，從而防止施主基片的某些區(qū)域未轉(zhuǎn)移至支持基 片，并由此阻止邊緣空位的形成。申請人發(fā)現(xiàn)，通過使用這樣的熱接觸， 未觀察到邊緣空位，而在室溫下接觸放置時鍵合生成的SOI構(gòu)造體上可
以數(shù)出多達(dá)80 100個邊緣空位。應(yīng)當(dāng)注意，實現(xiàn)這種品質(zhì)良好的鍵合
能夠進(jìn)行再循環(huán)，也就是能夠使用再生型的基片。
在該第一用途的情況下，在3(TC 90。C的溫度加熱，優(yōu)選在50。C 6(TC的溫度加熱。在接近25。C (室溫)的溫度下會出現(xiàn)邊緣空位，而溫 度過高時會觀察到鍵合能下降，在這二者之間折衷而采取上述溫度范圍。
如果將基片加熱至過高的溫度，則表面上吸附的水的大部分(甚至 全部)將蒸發(fā)，鍵合力有急劇下降的危險。過低的鍵合能會導(dǎo)致其他類 型的缺陷。在極端的情況下，甚至不會發(fā)生分子黏附。
為描述鍵合能的下降，可以參考Suni等人在J. Electrochem. Soc.， Vol. 149, No. 6, p. 348 351， 2002中的題為"Effects of Plasma Activation on Hydrophilic Bonding of Si and Si02"的文章，其中提及鍵合能由2.5 J/m2 (于室溫鍵合的情況)降至1 J/m2 (在15(TC進(jìn)行鍵合的情況)，這些鍵 合后增強(qiáng)退火均在20(TC進(jìn)行。
在該第一用途的情況下，本發(fā)明提出使用使得邊緣空位消失的最低 溫度，從而不會導(dǎo)致鍵合能的有害下降。
參考圖6中的實例，目的是鍵合前沿的擴(kuò)展速度不小于0.8 cm/s，從 而不會導(dǎo)致鍵合能的有害下降，但在任何情況下均小于1.7cm/s，以避免 邊緣空位的形成。因此，不論鍵合前是否進(jìn)行表面預(yù)處理，此處的目標(biāo) 是Gr范國內(nèi)的速度，尤其是以可控的方式通過加熱來減小該速度。上文 提到，在調(diào)節(jié)鍵合前沿的速度時，同樣可以使用等離子體激活，等離子 體激活有效地加速了鍵合前沿的擴(kuò)展(即增大了擴(kuò)展速度)。
該第一可能實施方式的第一變型方式包括均勻加熱一個和/或另一 個待黏合基片的全部。
第二變型方式包括對一個和/或另一個待黏合基片進(jìn)行局部加熱，限 于邊緣空位應(yīng)當(dāng)消失的區(qū)域。如上對圖2的討論，該圖顯示的是鍵合前 沿的終止區(qū)，該區(qū)域的位置和范圍取決于鍵合被引發(fā)的方式。因此，當(dāng)兩個圓形基片的鍵合由中心處引發(fā)時，本發(fā)明提議加熱整 個外周區(qū)域(也就是基片的所有周邊)。舉一個純粹示意性的例子，可以
認(rèn)為該外周區(qū)域占據(jù)距直徑為300 mm的晶片的邊緣為50 mm寬的周邊 地帶。
不過，當(dāng)兩個圓形基片的鍵合從邊緣處引發(fā)時，有利的是，本發(fā)明 提議僅僅加熱沿直徑與該點相對的邊緣(尤其是由約120。的中心角所界 定的外周區(qū)域)。
通過利用局部加熱，鍵合前沿僅在局部減緩。這防止了邊緣空位的 形成，且不會使鍵合的其余部分(非加熱區(qū))發(fā)生變化并遭受鍵合能的損失。
可以通過熱傳導(dǎo)進(jìn)行加熱(局部地或延伸至一個和/或另一個基片的 全部)?？梢蕴峁┢渖戏胖糜写ず匣坏陌?"卡"板)以傳遞其熱量。
也可以通過輻射進(jìn)行加熱，例如，通過使用一個或多個鹵素?zé)粽丈?待加熱基片的全部或部分來進(jìn)行加熱。
在待黏合表面以緊密接觸的方式放置之前(此時基片通常相對放置， 利用隔離物隔開幾毫米)且至少在鍵合開始之前(此時基片已經(jīng)緊密接 觸地放置)完成加熱。特別是，進(jìn)行加熱，使得使能夠出現(xiàn)邊緣空位的 區(qū)域保持在所需溫度下，直至基片在該區(qū)域中附著(假設(shè)局部解吸的水 不一定能夠在鍵合結(jié)束前冷凝)。
加熱的持續(xù)時間很大程度上取決于用于升高并隨后控制加熱區(qū)的溫 度的裝置。該持續(xù)時間一般為1秒 90秒。
舉例來說，利用500W的鹵素?zé)?，加熱的持續(xù)時間一般為30秒 90秒。
應(yīng)當(dāng)注意，該時間范圍同樣取決于其他參數(shù)，例如燈與基片間的距離。
用來加熱并使水解吸的燈的光譜分布也是影響加熱的持續(xù)時間的參 數(shù)。事實上，主要以紅外模式(平均波長為3 pm， 一般包括0.8 pm 5 pm) 發(fā)光的燈對于水的解吸(水分子的吸收帶有效地接近3pm)特別有效，因而導(dǎo)致超速加熱，幾乎瞬時減小吸附的水層的厚度。另外，利用這樣 的紅外輻射有助于有選擇地加熱吸附的水，同時對硅晶片(紅外區(qū)中相 對透明的材料)的加熱少得多。
加熱的第二用途涉及DSB型黏附的執(zhí)行。
申請人能夠有效地確定，在基片緊密接觸放置之前且直至其緊密接
觸放置時，均勻地加熱基片，在DSB型的Si/Si黏附的情況下，可以部 分或全部地消除氣泡。于是，IR觀察結(jié)果顯示，氣泡明顯減少甚至消失。 事實上，加熱減小了在基片的表面上吸附的水層厚度。此時，能夠 在鍵合界面處擴(kuò)散的水(和/或氣體)的量減少，使得在鍵合界面處出現(xiàn) 的氣泡消失。
涉及不同加熱方式的前述討論也適用于該第二用途，但是仍然應(yīng)當(dāng) 注意，此處優(yōu)選對一個和/或另一個待黏合基片進(jìn)行均勻加熱。 .
DSB鍵合尤其可用于進(jìn)行以下基片的Si/Si鍵合具有不同晶體取向 的基片；或者是具有不同摻雜的基片；或者甚至是具有不同水平的雜質(zhì) 的基片。將基片之一的一部分轉(zhuǎn)移至另一基片以形成薄層后，制得"支 持基片上薄層"構(gòu)造體，在這種構(gòu)造體中， 一側(cè)的薄層和另一側(cè)的支持 基片具有不同的性質(zhì)。
為了能夠調(diào)節(jié)鍵合前沿的擴(kuò)展速度，本發(fā)明提出在鍵合前實施對于 一個和/或另一個待黏合表面的表面狀態(tài)的改變步驟。根據(jù)第二可能實施 方式，通過在鍵合前改變表面粗糙度來改變基片的表面狀態(tài)。
該第二實施方式更特別地適合于形成在薄層和支持基片間插入有絕 緣層(也稱為嵌埋層)的SeOI構(gòu)造體。 一般通過對施主基片和/或支持基 片進(jìn)行熱氧化，或者進(jìn)一步通過在施主基片和/或支持基片的表面上沉積 氧化物層，從而形成該絕緣層。
事實證明，該實施方式對于形成具有超薄絕緣層的SeOI構(gòu)造體是尤 其有利的。事實上已經(jīng)證明，在薄層和支持基片之間插入這樣的超薄層 的情況下，利用現(xiàn)有領(lǐng)域的技術(shù)極難實現(xiàn)黏附和/或轉(zhuǎn)移，而不產(chǎn)生缺陷。 "超薄絕緣層"此處通?？梢岳斫鉃槠浜穸刃∮?00 A，甚至小于 200A的層。鍵合前沿的擴(kuò)展速度易受接觸放置的基片的表面狀態(tài)的影響。因此， 鍵合前實施的不同的表面清潔和/或可選的處理措施，以及表面粗糙度， 都會影響鍵合前沿展開的速度。在該第二實施方式中，申請人提出控制 氧化物層的表面粗糙度以調(diào)節(jié)鍵合前沿的擴(kuò)展速度，也就是說，以這樣 的方式控制鍵合前沿的擴(kuò)展速度的減小。由于鍵合前沿減緩，由此得到 的結(jié)果是，晶片邊緣處的邊緣空位的數(shù)目下降。
該第二實施方式的第一變型方式包括在鍵合前改變熱氧化物層的表 面狀態(tài)，所述熱氧化物層于施主基片或支持基片之一的表面上形成，并 通過對所述氧化物層的表面實施"超強(qiáng)"清潔而用于形成嵌埋層。
該清潔在任何等離子體激活之前實施。
當(dāng)然，熱氧化物層可以在施主基片和支持基片中的每一個上形成， 該"超強(qiáng)"清潔可以在所述熱氧化物層的一個和/或另一個表面上進(jìn)行。
例如，在形成包括約250A 500A的嵌埋的超薄熱氧化物層(這樣 的層稱為"超薄BOX")的SOI結(jié)構(gòu)的情況中，可以進(jìn)行適宜的化學(xué)處 理以輕微蝕刻氧化物層的表面。
例如，根據(jù)比標(biāo)準(zhǔn)清潔處理時有關(guān)的更重要的條件(溫度、持續(xù)時 間)施用SC1處理。因而可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行SC1處理，處理 溫度為50°C 80°C，例如約70°C，處理時間大于3分鐘，例如約10分鐘。
圖7是本發(fā)明第一方面的該變型方式的鍵合過程的示意圖。在階段 1，有兩個基片A和B。在階段2，手段包括對基片A進(jìn)行熱氧化，以在 基片A的表面上形成氧化物層O。在階段3，完成對氧化物層O的超強(qiáng) 清潔，從而在基片A的表面上獲得粗糙層O'。在階段4，利用粗糙層O， 將基片A與B緊密接觸放置并引發(fā)鍵合，以使鍵合前沿展開至鍵合界面。
該第二實施方式的第二變型方式包括，在鍵合前，通過在所述基片 中的一個和/或另一個上沉積粗糙層，從而改變施主基片和支持基片中的 一個和/或另一個的表面狀態(tài)。
在圖7的示例中，應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)該第二變型方式，通過在基片A 的表面上沉積粗糙層O'，同時完成圖7的步驟2和3。
例如，需要沉積TEOS氧化物層(例如通過LPCVD [低壓化學(xué)氣相沉積]或通過PECVD[等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積]進(jìn)行沉積)、LTO氧化 物層(通過硅垸與氧的化學(xué)反應(yīng))或氮化物層。
根據(jù)適合的沉積條件(決定于所需的最終厚度)實現(xiàn)沉積，以獲得 一定的粗糙度，尤其是使得表面狀態(tài)限制鍵合前沿的擴(kuò)展速度的粗糙度。
舉例來說，2 A RMS 5 A RMS的TEOS氧化物層的粗糙度限制了 鍵合前沿的擴(kuò)展速度，同時保持了良好的鍵合能。
本文提出，TEOS沉積尤其適合于形成超薄氧化物(厚度小于500 A， 甚至小于250 A)。事實上，通常如此沉積的氧化物的粗糙度即可滿足需 要，無需額外的處理。
有助于獲得合適的粗糙度的沉積條件例如如下壓力為300 mT 700mT;溫度為650。C 70(TC。應(yīng)當(dāng)注意，壓力的增大以及溫度的升高 會導(dǎo)致粗糙度下降。
應(yīng)當(dāng)注意，該第二變型方式同時適合于厚的氧化物沉積膜和超薄的 沉積膜，這些膜隨后經(jīng)歷或不經(jīng)歷等離子體激活處理。
在第二方面，本發(fā)明還提出能夠使兩個基片彼此分子黏附的設(shè)備。
用于通過分子黏附進(jìn)行人工鍵合的設(shè)備通常包括其上放置第一基片 的支持體，然后相對于第一基片返回第二基片。利用觸針確保鍵合的人 工引發(fā)(局部壓力)。
自動設(shè)備尤其可包括
-用于對齊晶片的中心和方位的校準(zhǔn)器(特別是由于稱為"切口" 的凹陷的存在)；
-鍵合前用于表面預(yù)處理(用于清潔、漂洗、干燥等的操作)的一 個或多個工位；
-容納第一基片且隨后在鍵合結(jié)束時容納第二基片的鍵合用支持 體。還可以提供隔離物，以使在基片接觸放置前維持第二基片處于第一 基片上方數(shù)毫米；
-確保引發(fā)鍵合的自動活塞；
-容納待黏合或已黏合基片的盒子的一個或多個裝載區(qū)；
-確保晶片由設(shè)備的一個單元傳送至另一個單元的自動裝置。通常，本發(fā)明第二方面的設(shè)備包括利用分子黏附(人工或自動)的 鍵合設(shè)備的傳統(tǒng)配置，還包括在鍵合前用于改變一個和/或另 一個待黏合 基片的表面狀態(tài)的裝置。這些裝置尤其是加熱裝置，在施主基片和支持 基片緊密接觸放置之前以及緊密接觸放置時(即，還在鍵合前沿擴(kuò)展時)， 該加熱裝置用于升高并控制其中 一個和/或另 一個基片的溫度。
這些加熱裝置可將熱量分布于待黏合基片的上方和/或下方。 以下面的加熱用裝置為例，參考圖3，可以提供"卡板"C以形成"加 熱晶片"。例如，該卡板為在其主體中整合有一個或一個以上的電阻器R
(參見圖3的左圖)的卡板，或者在其主體中整合有裝置F而用于循環(huán) 溫度受到調(diào)節(jié)的流體的卡板C (圖3的中圖)。同樣還可以利用(參見圖 3的右圖) 一個或多個加熱燈L，所述燈將其熱量傳遞至"卡板"或通過 透明板(至少對IR輻射透明)直接照射基片之一的背面。
顯然，在圖3中(以及后面提及的圖4和5中)顯示，施主基片與 支持基片在緊密接觸放置之前被對置(通常利用隔離物E隔開數(shù)毫米)。
這些不同的技術(shù)可以單獨地或結(jié)合地應(yīng)用于卡板的局部或全體?？?以在整個表面上形成溫度梯度，或者對溫度進(jìn)行局部控制。
以能夠從上方加熱的裝置為例，可以設(shè)置布置成直接照射基片的燈， 該燈均勻地照射基片或照射特定的局部(尤其在能夠出現(xiàn)邊緣空位的地 方)。
為了控制加熱區(qū)(無論是單個基片或者各個基片的部分還是全部) 的溫度，所述設(shè)備還可以有利地包括用于測定加熱區(qū)的溫度的裝置(未 示出；例如以高溫溫度計或熱電偶的形式)。
設(shè)備有人工或自動兩種方式。
實施例
以下提供兩個實施例，這兩個實施例通過SMART CUT⑧型轉(zhuǎn)移法形 成SOI構(gòu)造體，其中采用了本發(fā)明第一方面的方法的第一實施方式。
第一實施例利用加熱用卡板對基片進(jìn)行均勻加熱。不同階段如下所
示
-采用濕法清潔，并結(jié)合RCA清潔以及基于臭氧的處理，由此對待黏合表面進(jìn)行預(yù)處理；
-對施主基片的表面進(jìn)行可選的等離子體激活(02);
-通過刷掃，然后用超純水漂洗，并進(jìn)行離心干燥，由此在即將鍵 合之前清潔表面；
-利用加熱用卡板均勻加熱待黏合基片，所述卡板上放置的基片尚
未接觸但彼此對置，并隔開數(shù)毫米(參見圖4)。根據(jù)加熱裝置的功率的 不同，進(jìn)行數(shù)秒鐘(l秒 90秒，通常為30秒)的加熱；
-將基片緊密接觸放置并引發(fā)鍵合；
-終止加熱。
第二實施例對能夠出現(xiàn)邊緣空位的區(qū)域進(jìn)行局部加熱，包括下列階
段
-采用濕法清潔，并結(jié)合RCA清潔以及基于臭氧的處理，由此對待 黏合表面進(jìn)行預(yù)處理；
-對施主基片的表面進(jìn)行可選的等離子體激活(02);
-通過刷掃，然后用超純水漂洗，并進(jìn)行離心干燥，由此在即將鍵 合之前清潔表面；
-使用設(shè)置在基片上方的燈L，僅在與引發(fā)點相對的區(qū)域加熱待黏合 基片，所述基片尚未接觸放置但彼此對置，并隔開數(shù)毫米(參見圖5)。 根據(jù)加熱裝置的功率的不同，進(jìn)行數(shù)秒鐘(l秒 90秒，通常為30秒) 的加熱；
-接觸放置并引發(fā)鍵合(在晶片邊緣的Ic局部引發(fā))； -停止對晶片的加熱。
權(quán)利要求
1.通過分子黏附使兩個基片彼此鍵合的方法，其中，將所述基片的表面緊密接觸放置，通過所述基片之間的鍵合前沿的擴(kuò)展而發(fā)生鍵合，其特征在于，所述方法包括下述步驟在鍵合之前，改變一個和/或另一個所述基片的表面狀態(tài)，以調(diào)節(jié)所述鍵合前沿的擴(kuò)展速度。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面狀態(tài)的改變是 指，減小吸附于一個和/或另一個待鍵合的所述基片的表面上的水層厚度。
3. 如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，通過加熱進(jìn) 行所述表面狀態(tài)的改變。
4. 如前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，在所述基片緊密接觸放置之前，且至少直到引發(fā)所述基片的彼此鍵合，實施加熱。
5. 如前兩項權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，加熱的持續(xù)時 間為1秒 90秒，優(yōu)選30秒。
6. 如權(quán)利要求3 5中任一項所述的方法，其特征在于，通過支撐 一個待鍵合的所述基片的板的熱傳導(dǎo)來進(jìn)行加熱。
7. 如權(quán)利要求3 5中任一項所述的方法，其特征在于，通過照射 一個待黏合的所述基片的燈的輻射來進(jìn)行加熱。
8. 如前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述燈是在紅外線范 圍內(nèi)以0.8 |im 5 pm的波長輻射的燈。
9. 如權(quán)利要求3 8中任一項所述的方法，其特征在于，加熱在30°C 90。C的溫度進(jìn)行，優(yōu)選在5(TC 6(TC的溫度進(jìn)行。
10. 如權(quán)利要求3 9中任一項所述的方法，其特征在于，在待鍵合 的所述基片的整個表面上均勻地進(jìn)行加熱。
11. 如權(quán)利要求3 9中任一項所述的方法，其特征在于，在待鍵合 的所述基片的外周區(qū)域局部地進(jìn)行加熱。
12. 如權(quán)利要求ll所述的方法，其中黏附于中心處引發(fā)，所述方法 的特征在于，所述的外周區(qū)域包括待鍵合的所述基片的整個周邊。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中黏附于邊緣處引發(fā)，所述方法的特征在于，所述的外周區(qū)域勾勒出一段圓弧，該圓弧與所述的引發(fā)邊 緣沿直徑相對，并且被約120。的中心角所限定。
14. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過使所述表面粗糙 化來改變所述表面狀態(tài)。
15. 如前一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，改變所述表面狀態(tài)的步驟包括，在一個和/或另一個待鍵合的所述基片的表面形成粗糙層。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，為形成所述粗糙層，所述方法包括對一個和/或另一個所述基片進(jìn)行熱氧化操作，以在一個 和/或另一個所述基片的表面形成熱氧化物層；和對所述熱氧化物層進(jìn)行 處理以適合蝕刻所述氧化物層的操作。
17. 如前一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，對所述熱氧化物層 的所述處理是化學(xué)處理。
18. 如前一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述熱氧化物層是 Si02層，所述化學(xué)處理是SC1處理，所述SC1處理在50。C 8(TC的溫度 進(jìn)行，持續(xù)時間大于3分鐘，優(yōu)選為10分鐘。
19. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，為了形成所述粗糙層， 所述方法包括在一個和/或另一個所述基片的表面上沉積氧化物層的操 作。
20. 如前一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述沉積包括沉積 TEOS氧化物層、LTO氧化物層或氮化物層。
21. 如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法 還包括以下步驟在鍵合之前，對一個和/或另一個待鍵合的所述表面進(jìn) 行等離子體激活。
22. 如前一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，在對所述鍵合進(jìn)行 約2小時的加強(qiáng)退火后，所述等離子體激活使得獲得了強(qiáng)的鍵合能。
23. 如前一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述退火在低于 60(TC的溫度進(jìn)行。
24. 如權(quán)利要求21 23所述的方法，所述方法與權(quán)利要求3 13中 的任一項結(jié)合，其特征在于，在通過加熱改變所述表面狀態(tài)之前進(jìn)行所述等離子體激活。
25. 如權(quán)利要求21 23所述的方法，所述方法與權(quán)利要求14 20 中的任一項結(jié)合，其特征在于，在通過粗糙化改變所述表面狀態(tài)之后進(jìn) 行所述等離子體激活。
26. 形成構(gòu)造體的方法，所述構(gòu)造體包括位于支持基片上的由半導(dǎo) 體材料制成的薄層，所述方法包括下列步驟-將施主基片與所述支持基片緊密接觸放置，從而在所述基片之間 的鍵合前沿擴(kuò)展之后，利用分子黏附使所述基片彼此鍵合；-將所述施主基片的一部分轉(zhuǎn)移至所述支持基片，從而在所述支持 基片上形成所述薄層；所述方法的特征在于包括下述步驟在鍵合之前，改變所述施主基 片和/或所述支持基片的表面狀態(tài)，以調(diào)節(jié)所述鍵合前沿的擴(kuò)展速度。
27. 如前一權(quán)利要求所述的方法，其中，所述施主基片是再循環(huán)的 再生基片。
28. —種設(shè)備，所述設(shè)備用于在兩個基片之間的鍵合前沿擴(kuò)展之后 利用分子黏附使所述基片彼此鍵合，其特征在于，所述設(shè)備包括以下裝 置所述裝置用于在鍵合之前改變一個和/或另一個所述基片的表面狀態(tài)， 從而調(diào)節(jié)所述鍵合前沿的擴(kuò)展速度。
29. 如前一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于改變表面 狀態(tài)的裝置包括加熱裝置，所述加熱裝置適于在所述基片被緊密接觸放 置之前，且至少直至引發(fā)所述基片彼此之間的鍵合，升高并控制一個和/ 或另一個所述基片的溫度。
30. 如權(quán)利要求29所述的設(shè)備，所述設(shè)備包括一個板，所述板上放 置有所述待黏合的所述基片之一，其特征在于，所述板形成加熱晶片。
31. 如權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其特征在于， 一個或多個電阻器被 整合在所述板的主體中。
32. 如權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其特征在于，循環(huán)裝置被整合在所 述板的主體中，所述循環(huán)裝置的流體的溫度可被調(diào)節(jié)。
33. 如權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括一個或多個加熱燈，所述加熱燈照射所述晶片以對該晶片進(jìn)行加熱。
34. 如權(quán)利要求29所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置由一個或多個直接照射所述基片的加熱燈形成。
35. 如前一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于，所述燈是在紅外線 范圍內(nèi)以0.8 pm 5 )im的波長輻射的燈。
全文摘要
本發(fā)明在第一方面涉及通過分子黏附使兩個基片彼此鍵合的方法，其中，將所述基片的表面緊密接觸放置，通過所述基片之間的鍵合前沿的擴(kuò)展而發(fā)生鍵合，其特征在于，所述方法包括下述步驟在鍵合之前，改變一個和/或另一個所述基片的表面狀態(tài)，以調(diào)節(jié)所述鍵合前沿的擴(kuò)展速度。通過局部地或均勻地加熱一個和/或另一個待鍵合基片的表面，或者進(jìn)一步通過使一個和/或另一個基片的表面粗糙化而改變表面狀態(tài)。
文檔編號H01L21/762GK101317258SQ200680044312
公開日2008年12月3日 申請日期2006年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月28日
發(fā)明者亞歷山大·沃夫雷德茲, 卡里納·杜雷特, 塞巴斯蒂安·凱爾迪勒 申請人:硅絕緣體技術(shù)有限公司