專利名稱：智能卡以及智能卡讀卡器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種智能卡，其具有用來與讀取智能卡用的智能卡讀卡器 的讀卡器接觸元件建立電接觸的卡接觸元件，所述卡接觸元件具有涂覆4妻 觸層的接觸表面，所述接觸表面設(shè)置成與讀卡器接觸元件接觸，其中接觸 層包括多元素材料。
本發(fā)明還涉及用于讀取智能卡的讀卡器，所述讀卡器具有用于與智能 卡上的卡接觸元件建立電接觸的讀卡器接觸元件，所述讀卡器接觸元件具 有涂覆接觸層的接觸表面，所述接觸表面設(shè)置成與卡接觸元件接觸，其中 接觸層包括多元素材料。
背景技術(shù)：
今天，智能卡用在許多應(yīng)用場合，且它們的用途日益擴(kuò)增。 一個(gè)用途
是用于手機(jī)的用戶身份模塊或SIM卡。另 一個(gè)用途是用于銀行部門內(nèi)部， 在這里智能卡可以替代具有磁條的信用卡。類似的用途是在交通部分內(nèi) 部，在這里智能卡可以用于支付高速公路費(fèi)或者在公共交通中作為票據(jù)。 智能卡還用于付費(fèi)TV中的數(shù)字權(quán)利管理。
智能卡通常是信用卡大小的塑料卡，其在一側(cè)具有芯片，但還可以更 小，如或多或少減小到實(shí)際芯片的尺寸，如在SIM卡中。
這些智能卡中的許多卡可以重復(fù)地插入讀卡器中用于確認(rèn)或從與智 能卡相匹配的帳戶中扣除一定量的錢。因此，智能卡的接觸元件需要具有 非常耐磨的表面，而同時(shí)確保智能卡和讀卡器之間良好的電接觸。同樣的 要求適用于讀取智能卡的讀卡器的接觸元件。
為了實(shí)現(xiàn)此要求，通常采用含有金的涂層。然而，金的不足之處在于
它高昂的價(jià)格。因此，仍需要一種用于智能卡和智能卡讀卡器的涂層，該 涂層確保耐磨性以及良好的電接觸，但是更加成本有效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有接觸元件的智能卡，該接觸元件是 耐磨的并保證與讀卡器良好的電接觸以及其可以成本有效的方式制造。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種具有接觸元件的智能卡讀卡器，該接 觸元件是耐磨的并保證與智能卡良好的電接觸以及其可以成本有效的方 式制造。
根據(jù)本發(fā)明，通過根據(jù)權(quán)利要求1的智能卡的方式可以實(shí)現(xiàn)這些目的。
其優(yōu)選的實(shí)施方案界定在從屬權(quán)利要求2 - 16中。
通過根據(jù)權(quán)利要求17的讀卡器也可以實(shí)現(xiàn)上述目的。其優(yōu)選的實(shí)施 方案界定在從屬權(quán)利要求18 - 24中。
在本發(fā)明的智能卡中，多元素材料具有由式MqAyXz描述的至少一種
碳化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或過渡金屬的組合，A是A 族元素或A族元素的組合，X是碳或氮或者是兩者，以及q、 y和z是大
于0的數(shù)字，以及所述多元素材料還包括含有基于相應(yīng)的MqAyXz化合物
中的原子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更高階相的至少一種 納米復(fù)合材料。
組合物可以是，如Mo.2AX、 M。.2AX。.i、 M4AX或M2AX2。
"納米復(fù)合材料(nanocomposite)"是包含具有大于0.1 nm而小于1000 nm的長度數(shù)值范圍特征的晶體、區(qū)域或結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料。
采有這樣的接觸層可以獲得非常好的耐磨性，同時(shí)確保良好的電接 觸。所用的多元素材料的成本小于金的成本。
在一個(gè)實(shí)施方案中，多元素材料具有由式M^AXn描述的至少一種碳 化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或過渡金屬的組合，A是A 族元素或A族元素的組合，X是碳或氮或者是兩者，以及n是l、 2、 3或
更大，以及所述多元素材料還包括含有基于相應(yīng)的MnMAXn化合物中的原 子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更高階相的至少一種納米復(fù) 合材料(4)。就耐磨性和電接觸而言，本發(fā)明的這些特定形式的多元素材 料已經(jīng)顯示出具有非常好的性能。
納米復(fù)合材料優(yōu)選包括選自由M-A、 A - X、 M-A-X、 X和M-X 組成的組中的至少兩相。這樣，接觸層變得特別耐震并賦予特別低的接觸 電阻。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，過渡金屬是鈦，X是碳以及A族元素是 硅、鍺或錫中的至少一種。采用這樣的多元素材料，可以獲得低的接觸電阻。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，多元素材料是Ti3SiC2以及所述納米復(fù)合 材料包括選自由Ti-C、 Si-C、 Ti-Si-C、 Ti _ Si和C組成的組中的至 少一相。
納米復(fù)合材料可以至少部分是無定形態(tài)或納米晶體態(tài)，以及可以具有 與納米晶體區(qū)域混合的無定形區(qū)域。
接觸層還可以包括金屬層。
金屬層優(yōu)選是金、銀、釔、柏、銠、銥、錸、鉬、鵪、鎳或具有至少 一種前述金屬的合金中的任何一種。
在一個(gè)實(shí)施方案中，金屬層是任何金屬或金屬復(fù)合材料，其中所述復(fù) 合材料可以是氧化物、碳化物、氮化物或硼化物。
在本發(fā)明的智能卡讀卡器中，多元素材料具有由式MqAyXz描述的至
少一種碳化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或過渡金屬的組合， A是A族元素或A族元素的組合，X是碳或氮或者是兩者，以及q、 y和 z是大于0的數(shù)字，以及所述多元素材料還包括含有基于相應(yīng)的MqAyXz 化合物中的原子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更高階相的至 少一種納米復(fù)合材料。具有這種接觸層的讀卡器是非常耐磨的且確保了與 智能卡良好的電接觸，但是該讀卡器可以比金用于接觸層的情況下更低的 成本來制造。 在一個(gè)實(shí)施方案中，多元素材料具有由式Mn+,AXn描述的至少一種碳
化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或過渡金屬的組合，A是A 族元素或A族元素的組合，X是碳或氮或者是兩者，以及n是l、 2、 3或 更大，以及所述多元素材料還包括含有基于相應(yīng)的Mn^AXn化合物中的原 子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更高階相的至少一種納米復(fù) 合材料(4)。就耐磨性和電接觸而言，本發(fā)明的這些特定形式的多元素材 料已經(jīng)顯示出具有非常好的性能。
納米復(fù)合材料優(yōu)選包括選自由M - A、 A-X、 M-A - X、 X和M-X 組成的組中的至少兩相。這樣，接觸層變得特別耐震并賦予特別低的接觸 電阻。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，過渡金屬是鈦，X是^^以及A族元素是 硅、鍺或錫中的至少一種。采用這樣的多元素材料，可以獲得低的接觸電 阻，同時(shí)耐磨性非常高。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，多元素材料是Ti3SiC2以及所述納米復(fù)合 材料包括選自由Ti-C、 Si-C、 Ti-Si-C、 Ti - Si和C組成的組中的至 少一相。
納米復(fù)合材料可以至少部分是無定形態(tài)或納米晶體態(tài)，以及可以具有 與納米晶體區(qū)域混合的無定形區(qū)域。
附圖簡述
參考示意性的附圖將更詳細(xì)地描述本發(fā)明，附圖顯示了本發(fā)明目前優(yōu) 選的實(shí)施方案的實(shí)例。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的信用卡形式的智能卡的俯視圖。
圖2a是具有納米復(fù)合材料的多元素材料層的結(jié)構(gòu)的示意圖，納米復(fù)合 材料具有與無定形區(qū)域混合的納米晶體。
圖2b是具有納米晶體的多元素材料層的另一種結(jié)構(gòu)的示意圖，納米 晶體具有與無定形區(qū)域混合的納米晶體層和無定形層。
圖2c是具有納米晶體態(tài)的區(qū)域的多元素材料層的另一種結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的讀卡器的示意性透視圖。 圖4是多元素層和金屬層的示意圖。
圖5是用重復(fù)結(jié)構(gòu)中的金屬層層壓的多元素材料的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1中的智能卡1具有芯片2,該芯片具有被多元素材料接觸層涂覆
的接觸表面3，該多元素材料具有由通式Mn+,AXn給出的組合物以及還包 括含有基于相應(yīng)的M。+,AXn化合物中的原子元素的單元素、二元相、三元
相、四元相或更高階相的納米復(fù)合材料4 (參見圖2)。即使多元素基于式
Mn+!AXn給出的組合物，不同元素的比例可以變化，以使Mn和Xn從1/10
直到通式所確定的比例的2倍。作為實(shí)施例，組合物可以是M。.2AX、 M0.2AXai、 M4AX或M2AX2，因此，符合于更通常的式子MqAyXz,其中q、 y和z是大于0的數(shù)。
圖3顯示了用于讀取圖1中的智能卡1的讀卡器7。讀卡器7具有插 槽8,智能卡1插入插槽8中用于讀取。當(dāng)智能卡1插入插槽8中時(shí)，芯 片2接觸讀卡器的接觸元件9。就像智能卡1的芯片2 —樣，讀卡器7的 接觸元件9具有帶多元素材料的接觸層的接觸表面10,多元素材料描述為 Mn +,AXn以及還包括含有基于相應(yīng)的Mn +,AXn化合物中的原子元素的單元 素、二元相、三元相、四元相或更高階相的納米復(fù)合材料4。就4象智能卡
y和z是大于0的數(shù)字。
最近發(fā)現(xiàn)具有通式Mn + 1AXn的化合物具有良好的機(jī)械性能和電性能。 在這些化合物中，M是過渡金屬或過渡金屬的組合，A是A族元素或A 族元素的組合，X是碳或氮或者是兩者，以及n是l、 2、 3或更大。A族 元素是鋁、硅、磷、硫、鎵、鍺、砷、鎘、銦、錫、鉈和鉛。過渡金屬是 鈧、鈥、釩、鉻、鋯、鈮、鉬、鉿和鉭。
Mn"AXn化合物的特征在于將A族元素層分隔開的過渡金屬層的凄t
目。因此，所謂的211化合物具有兩個(gè)過渡金屬層，312化合物具有三個(gè) 過渡金屬層以及413化合物具有四個(gè)過渡金屬層。211化合物是最常見的 化合物，其例子是Ti2AlC、 Ti2AlN、 Hf2PbC、 Nb2AlC、 ( NbTi) 2A1C、 Ti2AlN05C05、 Ti2GeC、 Zr2SnC、 Ta2GaC、 Hf2SnC、 Ti2SnC、 Nb2SnC、 Zr2PbC 以及Ti2PbC。只有三個(gè)312化合物是已知的，Ti3AlC2、 Ti3GeC2和Ti3SiC2。 兩種413化合物是已知的，即Ti4AlN3和Ti4SiC3。
Mn+,AXn化合物可以是三元相、四元相或更高相。三元相具有三個(gè)元 素，Mi3SiC2,四元相具有四個(gè)元素，如Ti2雄o.5Co.5等。從彈性、熱、 化學(xué)、電性能角度來看，更高相具有二元相中許多特征。
Mn+IAXn化合物的研究包括"The Mn + ,AXn phase: A new class of Solids", Barsoum， Progessive solid state chemistry,Vol.28, pp201-281, 2000， "Magnetron sputtered epitaxial single-phase Ti3SiC2 thin films", Palmquist et al., Applied Physics Letters, 2002.81: p.835"，以及"Structural characterization of epitaxial Ti3SiC2 film", Seppgnen et al" Proc.53rd Annual Meeting of the Scandinavian Society for Electron Microscopy, Tampere, Finland, 12-15 Junem 2002 Ed.丄Ker汪nen and K. Sillanp膽,University of Tampere, Finland, ISSN 1445-4518, 2002, pp.l42-143。
在智能卡1以及讀卡器7的一個(gè)實(shí)施方案中，接觸層的多元素材料是 Ti3SiC2以及納米復(fù)合材料4含有納米晶體5為Ti - C、 Si - C、 Ti - Si - C、 Ti - Si和C。每種相的單獨(dú)量可以從一種應(yīng)用場合到另 一種應(yīng)用場合變化， 以及這些相中并不是全部的都必須存在于每一種情況中。
接觸層的多元素材料還可以具有不同的組合物。例如，可以有多于一
種A族元素且在Mn+iAXn化合物中可以有碳和氮兩者。另一種優(yōu)選的多元 素材料的一個(gè)實(shí)施例是Ti3Sio.5Sri().5C2。錫和硅的結(jié)合是有利的，因?yàn)閱为?dú) 用錫會(huì)使接觸層吸濕性太大，而單獨(dú)用硅會(huì)氧化以使孤立的氧化物形成在 芯片2上。
在一個(gè)實(shí)施方案中，多元素材料具有根據(jù)圖2a的結(jié)構(gòu)，包括由與無定 形區(qū)域6混合的納米晶體5構(gòu)成的納米復(fù)合材料4。納米晶體5可以全都
是相同的相或全都是不同的相。
在可替代的實(shí)施方案中，多元素材料具有根據(jù)圖2b的結(jié)構(gòu)，包括由 與納米晶體5混合的無定形區(qū)域6構(gòu)成的納米復(fù)合材料4，其中一些納米 晶體5被無定形層11或納米晶體層12包圍。
在又一個(gè)可替代的實(shí)施方案中，多元素材料具有根據(jù)圖2c的結(jié)構(gòu)，包 括由納米晶體區(qū)域5構(gòu)成的納米復(fù)合材料4。
接觸層的厚度優(yōu)選在0.001 pm到l，OOO pm的范圍內(nèi)以及摩擦力通常 是非常低的，通常在0.01到0.1。
在其他實(shí)施方案中，納米晶體可以涂覆由另 一相組成的薄膜。
納米復(fù)合材料可以差不多完全是晶體的或者差不多完全是無定形的。
接觸層優(yōu)選通過物理氣相沉積(PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD),如 采用申請(qǐng)人的WO 04/044263方法來沉積在芯片2上。接觸層還可以電化 學(xué)方式，通過化學(xué)鍍沉積或通過等離子噴射法沉積。還可以設(shè)想形成分開 的多元素材料膜和納米復(fù)合材料以及將此膜應(yīng)用到智能卡1的芯片2上或 讀卡器7的接觸元件9上。
納米復(fù)合材料可以包括至少一種M-X和M-A-X納米晶體以及在 一個(gè)或多個(gè)相中具有至少一種M, A和X元素，如M-A， A-X, M-A -X或X的無定形區(qū)域。
在一個(gè)實(shí)施方案中，納米復(fù)合材料包括單獨(dú)區(qū)域的單元素、二元相、 三元相或更高階相的碳化物和氮化物。
納米復(fù)合材料還可以是不同的Mn+ ,AXn相的組合。
接觸層優(yōu)選在整個(gè)接觸元素2， 9上是連續(xù)的，但還可以是不連續(xù)的。
在一個(gè)實(shí)施方案中，接觸層的多元素材料13可以涂覆薄的金屬層14, 如圖4所示。優(yōu)選地，設(shè)置金屬層以使接觸層的表面是金屬。
在另一個(gè)實(shí)施方案中，接觸層可以是具有交替的金屬層14和多元素 層13的夾層結(jié)構(gòu)，如圖5所示，即在多層結(jié)構(gòu)中，通常在圖中所示的重
復(fù)結(jié)構(gòu)中，多元素層用金屬層層壓。
在又一個(gè)實(shí)施方案中，多元素層可以包括納米晶體態(tài)5的區(qū)域以及可
以涂覆薄的金屬層14,如圖6所示。
在又一個(gè)實(shí)施方案中，多元素層可以包括納米晶體態(tài)的區(qū)域以及在重 復(fù)的結(jié)構(gòu)中多元素層可以用金屬層層壓，如圖7所示。
金屬優(yōu)選是金、銀、把、鉑、銠、銥、錸、鉬、鵠、鎳或具有這些金 屬中的至少一種的合金，但也可以使用其他金屬。
在其他實(shí)施方案中，可以采用金屬層，即，該層并不必須是"純"金屬。 關(guān)注的金屬層包括金屬復(fù)合材料，其中復(fù)合材料可以是氧化物、碳化物、 氮化物或硼化物。復(fù)合材料可以包括聚合物，有機(jī)材料或諸如氧化物、碳 化物、氮化物或硼化物等陶資材料。
還可以采用含有M， A和X元素以及一種或多種金屬的多元素材料的 合金。合金材料可以完全溶解或以沉淀的形式存在。所采用的金屬應(yīng)該是 非碳化物形成(carbideformning)的金屬。優(yōu)選地，添加0 - 30 %的金屬。
上述類型的含金屬的層，即包括金屬層，厚度優(yōu)選在幾分之一原子層 到1000 um的范圍內(nèi)，優(yōu)選在幾分之一原子層到5 um的范圍內(nèi)。例如， 此范圍可以從1 nm到1000 um。
上述金屬層可以覆蓋多元素材料的顆?；騾^(qū)域。金屬層和多元素材料 層的總厚度通常在0.0001畫到1000 um的范圍內(nèi)。
多元素材料可以含有過量的碳，如呈具有通式Tin + ,SiCn + Cm的化合物 的形式。游離的碳元素輸送到接觸層的表面并改進(jìn)電接觸，而同時(shí)避免表 面氧化。
用于改進(jìn)諸如摩擦力、熱性能、機(jī)械性能和/或電性能等性能的摻雜類 似種類的接觸層可以涉及下面的名單中的任何一種或組合的化合物單獨(dú) 的A族元素，A族元素的組合，X是碳，X是氮，X既是碳又是氮，M-X的納米復(fù)合材料，納米晶體和/或在一種或幾種相中具有M, A和X元 素，如M-A, A-X, M-A-X的無定形區(qū)i或。在一個(gè)實(shí)施方案中，接觸層包括在相應(yīng)的MdmAXd化合物中的以重量
計(jì)，0-50。/。范圍內(nèi)的至少一種單元素M、 A、 X。
具有納米復(fù)合材料的多元素材料還可以用在其他應(yīng)用中，如作為簧片 開關(guān)的涂層。
權(quán)利要求
1.一種智能卡，其具有用來與讀取智能卡(1)的智能卡讀卡器(7)的讀卡器接觸元件(9)建立電接觸的卡接觸元件(2)，所述卡接觸元件(2)具有涂覆接觸層的接觸表面(3)，所述接觸表面(3)設(shè)置成接觸所述讀卡器接觸元件(9)，其中所述接觸層包括多元素材料，其特征在于所述多元素材料具有由式MqAyXz描述的至少一種碳化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或過渡金屬的組合，A是A族元素或A族元素的組合，X是碳或氮或者是兩者，以及q、y和z是大于0的數(shù)字，以及所述多元素材料還包括含有基于相應(yīng)的MqAyXz化合物中的原子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更高階相的至少一種納米復(fù)合材料(4)。
2. 如權(quán)利要求1所述的智能卡，其中所述多元素材料具有由式 Mn + ,AXn描述的至少一種碳化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或 過渡金屬的組合，A是A族元素或A族元素的組合，X是碳或氮或者是兩 者，以及n是l、 2、 3或更大，以及所述多元素材料還包括含有基于相應(yīng)的MnHAXn化合物中的原子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更高階相的至少一種納米復(fù)合材料(4)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的智能卡，其中所述納米復(fù)合材料(4)包 括選自由M-A、 A-X、 M-A-X、 X和M-X組成的組中的至少兩相。
4. 如權(quán)利要求1 - 3任一項(xiàng)所述的智能卡，其中所述過渡金屬是鈦，X 是碳以及A族元素是硅、鍺或錫中的至少一種。
5. 如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的智能卡，其中所述多元素材料是 Ti3SiC2以及所述納米復(fù)合材料(4 )包括選自由Ti - C、 Si - C、 Ti - Si - C、 Ti - Si和C組成的組中的至少一相。
6. 如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的智能卡，其中所述納米復(fù)合材料(4) 至少部分是無定形態(tài)。
7. 如權(quán)利要求1 - 4任一項(xiàng)所述的智能卡，其中所述納米復(fù)合材料(4) 至少部分是納米晶體態(tài)。
8. 如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的智能卡，其中所述納米復(fù)合材料(4) 具有與納米晶體區(qū)域(5)混合的無定形區(qū)域(6)。
9. 如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的智能卡，其中所述接觸層包括金屬層。
10. 如權(quán)利要求9所述的智能卡，其中所述金屬層是Au、 Ag、 Pd、 Pt、 Rh、 Ir、 Re、 Mo、 W、 Ni或具有任意前述金屬的至少一種的合金中的 任何一種。
11. 如權(quán)利要求9或IO所述的智能卡，其中所述金屬層是任何金屬或 金屬復(fù)合材料，其中所述復(fù)合材料可為氧化物、碳化物、氮化物或硼化物。
12. 如權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的智能卡，其中所述金屬層是任何 金屬或金屬復(fù)合材料，所述復(fù)合材料包括聚合物、有機(jī)材料或諸如氧化物、 碳化物、氮化物或硼化物等陶資材料。
13. 如權(quán)利要求9-12任一項(xiàng)所述的智能卡，其中所述多元素材料在 多層結(jié)構(gòu)中用金屬層層壓。
14. 如權(quán)利要求8-12任一項(xiàng)所述的智能卡，其中所述多元素材料具 有金屬層的涂層以使所述接觸層是金屬的。
15. 如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的智能卡，其中所述接觸層摻雜了一 種或多種化合物或元素來改變或改進(jìn)所述接觸層的摩擦性能、機(jī)械性能、 熱性能和電性能。
16. 如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的智能卡，其中所述接觸層包括在相 應(yīng)的Mn+,AXn化合物中的以重量計(jì)0 - 50%范圍內(nèi)的至少一種單元素M、 A、 X。
17. —種用于讀取智能卡(1)的讀卡器，所述讀卡器(7)具有用于 與所述智能卡(1 )上的卡接觸元件(2 )建立電接觸的讀卡器接觸元件(9 ), 所述讀卡器接觸元件(9)具有涂覆接觸層的接觸表面(10)，所述接觸表 面(10)設(shè)置成與所述卡接觸元件(2)接觸，其中所述接觸層包括多元 素材料，其特征在于所述多元素材料具有由式MqAyXz描述的至少一種碳 化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或過渡金屬的組合，A是A 族元素或A族元素的組合，X是石灰或氮或者是兩者，以及q、 y和z是大 于0的數(shù)字，以及所述多元素材料還包括含有基于相應(yīng)的MqAyXz化合物中的原子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更高階相的至少一種納米復(fù)合材料(4)。
18. 如權(quán)利要求17所述的讀卡器，其中所述多元素材料具有由式Mn+,AXn描述的至少一種碳化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或過渡金屬的組合，A是A族元素或A族元素的組合，X是碳或氮或者是兩 者，以及n是l、 2、 3或更大，以及所述多元素材料還包括含有基于相應(yīng) 的MnuAXn化合物中的原子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更 高階相的至少一種納米復(fù)合材料(4)。
19. 如權(quán)利要求17或18所述的智能卡讀卡器，其中所述納米復(fù)合材 料(4)包括選自由M-A、 A-X、 M-A-X、 X和M-X組成的組中的至少兩才目。
20. 如權(quán)利要求17 - 19任一項(xiàng)所述的智能卡讀卡器，其中所述過渡金 屬是鈦，X是碳以及A族元素是硅、鍺或錫中的至少一種。
21. 如權(quán)利要求17-20任一項(xiàng)所述的智能卡讀卡器，其中所述多元素 材料是Ti3SiC2和所述納米復(fù)合材料(4 )包括選自由Ti _ C、 Si - C、 Ti -Si-C、 Ti-Si和C組成的組中的至少一相。
22. 如權(quán)利要求17-21任一項(xiàng)所述的智能卡讀卡器，其中所述納米復(fù) 合材料(4)至少部分是無定形態(tài)。
23. 如權(quán)利要求17-21任一項(xiàng)所述的智能卡讀卡器，其中所述納米復(fù) 合材料(4)至少部分是納米晶體態(tài)。
24. 如權(quán)利要求17-23任一項(xiàng)所述的智能卡讀卡器，其中所述納米復(fù) 合材料(4)具有與納米晶體區(qū)域(5)混合的無定形區(qū)域(6)。
全文摘要
一種智能卡(1)，其具有用來與讀取智能卡用的智能卡讀卡器的讀卡器接觸元件建立電接觸的卡接觸元件(2)，所述卡接觸元件(2)具有涂覆接觸層的接觸表面(3)，所述接觸表面(3)設(shè)置成與讀卡器接觸元件接觸。接觸層包括多元素材料，該材料具有由式MqAyXz描述的至少一種碳化物或氮化物的組合物，其中M是過渡金屬或過渡金屬的組合，A是A族元素或A族元素的組合，X是碳或氮或者是兩者，以及q、y和z是大于0的數(shù)字。多元素材料還包括含有基于相應(yīng)的MqAyXz化合物中的原子元素的單元素、二元相、三元相、四元相或更高階相的至少一種納米復(fù)合材料。還公開了用于讀取智能卡(1)的讀卡器。
文檔編號(hào)H01R13/03GK101185201SQ200680013681
公開日2008年5月21日 申請(qǐng)日期2006年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月25日
發(fā)明者亨里克·榮格克蘭茨 申請(qǐng)人:因派科特涂料公司