專利名稱：激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備和激光誘導(dǎo)熱成像方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備和激光誘導(dǎo)熱成像方法，特別是，涉及通過利用磁力執(zhí)行施主薄膜(donor film)和受體基板(acceptors substrate)的層壓過程的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備和激光誘導(dǎo)熱成像方法。
背景技術(shù)：
有機光發(fā)射裝置是具有設(shè)置在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層的裝置。當電壓施加在該電極之間時，該有機光發(fā)射裝置通過結(jié)合該發(fā)光層中的空穴和電子而發(fā)射光。在下文中，將參照用于制造有機光發(fā)射裝置的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備描述現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明，然而，本發(fā)明不限于此。
該激光誘導(dǎo)熱成像方法用激光照射包括基板、光-熱轉(zhuǎn)換層和傳輸層(成像層)的施體基板，并且轉(zhuǎn)換通過該基板的激光成為該光-熱轉(zhuǎn)換層中的熱量，這樣該光-熱轉(zhuǎn)換層變形和膨脹以使鄰近的傳輸層變形和膨脹。這樣，該傳輸層粘附到該受體基板上，從而該傳輸層可以轉(zhuǎn)換成該受體基板。
當執(zhí)行該激光誘導(dǎo)熱成像方法時，完成成像的腔體的內(nèi)部應(yīng)該是真空狀的，以與形成該發(fā)光裝置的沉積過程相一致。然而，當根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在該真空態(tài)下執(zhí)行該激光誘導(dǎo)熱成像時，有一個問題是，由于在該施體基板和該受體基板之間產(chǎn)生的外來物質(zhì)(不純物)或間隔(空隙或間隙)的影響，成像層中的像不能很好的顯示出來。因此，在該激光誘導(dǎo)熱成像方法中，層壓該施體基板和該受體基板的方法就很重要，并且考慮了多種解決該間隔或不純物問題的方案。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中用于克服上述問題的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備的部分截面圖。根據(jù)圖1，激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備10包括位于腔體11內(nèi)側(cè)的基板臺(substrate stage)12和位于該腔體11上部的激光振蕩器13。
該基板臺12是放置受體基板14和施主薄膜15的臺階，他們都引入該腔體11中。
在這種情況下，為了層壓受體基板14和該施主薄膜15，而同時不在該受體基板14和該施體基板15之間產(chǎn)生外來物質(zhì)(foreign substance)或間隔，執(zhí)行該激光誘導(dǎo)熱成像的該腔體11的內(nèi)側(cè)不保持真空態(tài)，而是通過連接軟管16到該基板臺12的下部，用真空抽氣機P抽氣，從而粘附該受體基板14和該施主薄膜15。然而，在這樣的現(xiàn)有技術(shù)中，由于不能完全防止該受體基板14和該施主薄膜15之間的外來物質(zhì)1和空隙的產(chǎn)生，而且不能保持該腔體11內(nèi)部的真空態(tài)，因此對產(chǎn)品的可靠性和有效期會產(chǎn)生不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面是提供激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備和激光誘導(dǎo)熱成像方法，用于采用磁力在真空條件下層壓受體基板和施主薄膜。
在根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備。該設(shè)備包括基板臺，其中，該基板臺包括電磁鐵，并且適應(yīng)于容放受體基板和施主薄膜，該受體基板具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的有機光發(fā)射層；激光振蕩器，其發(fā)射激光到該施主薄膜上；接觸框架(contact frame)，其適應(yīng)于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間并且包括對應(yīng)于施主薄膜的成像部分的圖案開口部分和用于與該基板臺形成磁力的磁鐵；和接觸框架移動機構(gòu)，其用于向該基板臺移動該接觸框架。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備。該設(shè)備包括基板臺，其中，該基板臺包括永磁鐵，并且適應(yīng)于容放受體基板和施主薄膜，該受體基板具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的有機光發(fā)射層；激光振蕩器，其發(fā)射激光到該施主薄膜上；接觸框架，其適應(yīng)于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間并且包括對應(yīng)于施主薄膜的成像部分的圖案的開口部分和用于與該基板臺形成磁力的磁鐵；和接觸框架移動機構(gòu)，其用于向該基板臺移動該接觸框架。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備。該設(shè)備包括基板臺，其中，該基板臺包括永磁鐵，并且適應(yīng)于容放受體基板和施主薄膜，該受體基板具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的有機光發(fā)射層；激光振蕩器，其發(fā)射激光到該施主薄膜上；接觸框架，其適應(yīng)于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間并且包括對應(yīng)于施主薄膜的成像部分的圖案的開口部分和用于與該基板臺形成磁力的電磁鐵；和接觸框架移動機構(gòu)，其用于向該基板臺移動該接觸框架。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備。該設(shè)備包括基板臺，其中，該基板臺包括磁鐵，并且適應(yīng)于容放受體基板和施主薄膜，該受體基板具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的有機光發(fā)射層；激光振蕩器，其發(fā)射激光到該施主薄膜上；接觸框架，其適應(yīng)于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間并且包括用于激光通過的透明材料的至少一個傳輸部分和用于與該基板臺形成磁力的磁鐵；和接觸框架移動機構(gòu)，其用于向該基板臺移動該接觸框架。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備。該設(shè)備包括基板臺，其中，該基板臺包括磁性物質(zhì)，并且適應(yīng)于容放該受體基板和施主薄膜，該受體基板具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的有機光發(fā)射層；激光振蕩器，其發(fā)射激光到該施主薄膜上；接觸框架，其適應(yīng)于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間并且包括用于激光通過的透明材料的至少一個傳輸部分和用于與該基板臺形成磁力的磁鐵；和接觸框架移動機構(gòu)，其用于向該基板臺移動該接觸框架。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備。該設(shè)備包括基板臺，其中，該基板臺包括磁鐵，并且適應(yīng)于容放受體基板和施主薄膜，該受體基板具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的有機光發(fā)射層；激光振蕩器，其發(fā)射激光到該施主薄膜上；接觸框架，其適應(yīng)于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間并且包括用于激光通過的透明材料的至少一個傳輸部分和用于與該基板臺形成磁力的磁性物質(zhì)；和接觸框架移動機構(gòu)，其用于向該基板臺移動該接觸框架。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像方法。該方法包括在包括電磁鐵的接觸框架和包括永磁鐵的基板臺之間，設(shè)置具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)的受體基板和包括成像在該象素區(qū)上的該有機光發(fā)射層的施主薄膜；利用在該接觸框架和該基板臺之間形成的電磁力粘附該受體基板和該施主薄膜；和通過發(fā)射激光到對應(yīng)于該有機光發(fā)射層的該施主薄膜上，成像該施主薄膜的該有機光發(fā)射層到該受體基板上。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像方法。該方法包括在包括永磁鐵的接觸框架和包括永磁鐵的基板臺之間，設(shè)置具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)的受體基板和包括成像在該象素區(qū)上的該有機光發(fā)射層的施主薄膜；利用在該接觸框架和該基板臺之間形成的電磁力粘附該受體基板和該施主薄膜；和通過發(fā)射激光到對應(yīng)于該有機光發(fā)射層的該施主薄膜上，成像該施主薄膜的該有機光發(fā)射層到該受體基板上。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例中，提供有用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像方法。該方法包括在包括永磁鐵的接觸框架和包括電磁鐵的基板臺之間，設(shè)置具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)的受體基板和包括成像在該象素區(qū)上的該有機光發(fā)射層的施主薄膜；利用在該接觸框架和該基板臺之間形成的電磁力粘附該受體基板和該施主薄膜；和通過發(fā)射激光到對應(yīng)于該有機光發(fā)射層的該施主薄膜上，成像該施主薄膜的該有機光發(fā)射層到該受體基板上。


結(jié)合附圖，通過下面對示范性實施例的描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面和特征將會變得更加明顯和更加容易理解，其中圖1展示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的激光熱成像設(shè)備的部分截面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例至第六實施例的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備的分解透視圖。
圖3展示了用于本發(fā)明的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備中激光振蕩器實施例的結(jié)構(gòu)視圖。
圖4是沿著圖2中A-A′線剖取的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備的接觸框架的示意性截面圖。
圖5展示了根據(jù)本發(fā)明的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備的接觸框架移動機構(gòu)的透視圖。
圖6是展示根據(jù)本發(fā)明實施例的激光誘導(dǎo)熱成像方法的流程圖。
具體實施例方式
在下文中，將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的特定示范性實施例。圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例至第六實施例的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備的分解透視圖。根據(jù)該圖，激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備100包括基板臺110、激光振蕩器120、接觸框架130、接觸框架移動機構(gòu)140和腔體150。
<第一實施例>
根據(jù)本發(fā)明的第一實施例闡述了采用基板臺110的施主薄膜200和受體基板300的接觸過程(或粘附過程)，該基板臺110包括電磁鐵、具有開口部分預(yù)定圖案和永磁鐵的接觸框架130。該接觸框架130上的該開口部分可以是開口或用透明材料，如玻璃或透明聚合物覆蓋的傳輸部分。該基板臺110包括一個或多個磁鐵111，其可以是永磁鐵、電磁鐵、磁性物質(zhì)、或任何其它具有磁性的合適材料。
該腔體150可以是用在傳統(tǒng)的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備中的腔體，并且該腔體150的內(nèi)部至少安裝有基板臺110并且適應(yīng)于容放該接觸框架130等。在該腔體150內(nèi)側(cè)，該施主薄膜200和該受體基板300可以傳送或定位，在此，用于傳送該施主薄膜200和該受體基板300至該腔體150內(nèi)側(cè)的傳送機構(gòu)(未示出)提供在該腔體150的外側(cè)。從制造過程的觀點來看，該腔體150的內(nèi)側(cè)應(yīng)該保持為真空態(tài)，但本發(fā)明不限于此。
該基板臺110位于該腔體150上或其底側(cè)附近，在該第一實施例中，該基板臺110至少提供有電磁鐵(圖2中未示出)。在所述實施例中，電磁鐵提供在該基板臺110的內(nèi)側(cè)。在此，該電磁鐵可以設(shè)置在一個平面內(nèi)。然而，當用到多個電磁鐵時，該電磁鐵可以形成為同心圓模式或具有長度和寬度的多列。
該基板臺110還可以包括移動該基板臺的驅(qū)動機構(gòu)(未示出)。當該基板臺110移動時，可以設(shè)置該激光振蕩器120使其只在一個方向發(fā)射激光。例如，當該激光縱向發(fā)射并且該基板臺110還包括移動該基板臺的驅(qū)動機構(gòu)時，該激光可以發(fā)射在該施主薄膜200的整個區(qū)域上。
同樣，該基板臺110可以包括容放和安裝該受體基板300和該施主薄膜200的安裝機構(gòu)。該安裝機構(gòu)允許利用該傳送機構(gòu)傳送該受體基板300和該施主薄膜200到該腔體150的內(nèi)側(cè)，以便精確安裝在期望的位置(例如，預(yù)定的位置)。
在本實施例中，該安裝機構(gòu)可以形成為具有通孔410、510、導(dǎo)向桿420、520、移動板430、530、支座440、40、和安裝凹槽450、550。在此，沿著該移動板430和該支座440的提供提升動作或下降動作的該導(dǎo)向桿420具有這樣的結(jié)構(gòu)，以使其通過并且穿過該通孔410提升時容放該受體基板300，當通過并且穿過該通孔410下降時允許該受體基板300安全地到達形成在該基板臺110上的該安裝凹槽450。對該安裝機構(gòu)的多種修改可以由本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員實現(xiàn)，因此，在此略去對其的詳細解釋。
該激光振蕩器120可以安裝在該腔體150的內(nèi)側(cè)或外側(cè)。在所述實施例中，該激光振蕩器120安裝在該腔體的內(nèi)側(cè)以使激光可以從該腔體150的上部發(fā)射。根據(jù)圖3，其為該激光振蕩器120的示意性結(jié)構(gòu)圖，在本實施例中，該激光振蕩器120采用CW ND:YAG激光(1604mm)并且包括兩個振鏡(galvanometer scanners)121、123、掃描透鏡125和圓柱透鏡127，但不限于此。
圖4是沿著圖2中A-A′線剖取的接觸框架130的示意性截面圖。該接觸框架130包括一個或多個永磁鐵以形成與該基板臺的電磁鐵之間的磁力，從而有力地層壓(彼此粘附)位于該基板臺110和該接觸框架130之間的該施主薄膜200和該受體基板300。在此，該接觸框架130本身可以形成為永磁鐵，或一個或多個永磁鐵形成在該接觸框架130的上側(cè)或下側(cè)。在所述實施例中，該永磁鐵包括永磁鐵納米粒子。該接觸框架130也包括開口部分(或開口)133，在其它實施例中，該開口部分可以為由透明材料(例如，玻璃或透明聚合物)覆蓋的傳輸部分。
該接觸框架130包括激光束通過的一個或多個開口部分。即，對應(yīng)于該施主薄膜200的成像部分，該施主薄膜200的期望區(qū)域可以采用該圖案的開口部分成像在(或傳送到)該受體基板300上。因此，該接觸框架130可以在一個或多個期望的位置或部位(例如，預(yù)定位置)并行執(zhí)行發(fā)射激光的屏蔽。
該接觸框架130可以彼此交換或替換和操作，形成有至少一個開口部分，對應(yīng)于該開口部分，形成有采用有機光發(fā)射層成像的有機光發(fā)射裝置的每個子象素。
該接觸框架移動機構(gòu)140為向該基板臺移動該接觸框架130的機構(gòu)，其可以制造成各種形式。然而，根據(jù)圖5中展示的實施例，其包括托架141，包括托架槽142；連接桿143，連接到該腔體150上側(cè)的該托架141上；和驅(qū)動機構(gòu)(未示出)，用于驅(qū)動連接桿143和連接到其上的該托架141上下運動。當圖5所示的移動機構(gòu)移動時，該接觸框架130安裝并移動在包括托架投影134的托盤135上。該接觸框架130包括一個或多個磁鐵137，其可以為電磁鐵、永磁鐵或磁性物質(zhì)。
交換機構(gòu)如機器臂等可以用來交換該第一接觸框架和該第二接觸框架。例如，在形成設(shè)置在該托架上的第一接觸框架的第一子象素和第二子象素后，該機器臂可以從該托架傳送該第一接觸框架至外側(cè)，并且可以放置第二接觸框架到該托架上，以便它們可以彼此交換。
接下來，將參照圖2和圖6描述采用上述激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備的有機光發(fā)射裝置的形成方法。在形成該有機光發(fā)射裝置時，采用上述激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備的方法包括以下步驟傳送(放置)該受體基板ST100；傳送(放置)該施主薄膜ST200；接觸(或粘附)該接觸框架ST300；成像(或傳送)對應(yīng)于該子象素ST400的有機層；分隔該接觸框架ST500。
在傳送該受體基板ST100的步驟中，放置或安放形成該有機光發(fā)射層的該受體基板300在包括磁鐵或磁性物質(zhì)的該基板臺110上。該象素區(qū)限定在該受體基板300上，其上形成有從該施主薄膜上成像的發(fā)光層。
在傳送該施主薄膜ST200的步驟中，傳送或放置包括成像的該發(fā)光層的該施主薄膜在(或傳送到)該受體基板300上。同時，該發(fā)光層可以構(gòu)造成具有任何合適的顏色，如紅色。
在接觸(或粘附)該接觸框架ST300的步驟中，用磁引力移動該接觸框架向該基板臺，其中，該接觸框架包括開口部分和永磁鐵，其中，成像該施主薄膜的有機光發(fā)射層的激光通過該開口部分。因此，該施主薄膜和位于其間的該受體基板彼此層壓或緊密接觸或粘附在一起。在所述的實施例中，該接觸框架首先采用該接觸框架移動結(jié)構(gòu)移動并且朝著和/或與該受體基板接觸。然后，采用磁引力更有力地與其接觸(或粘附)。
在成像該子象素ST400的步驟中，通過該接觸框架的該開口部分發(fā)射激光到該施主薄膜上來擴張?zhí)峁┰谠撌┲鞅∧ぶ械脑撚袡C光發(fā)射層，并且成像(或傳送)該有機光發(fā)射層到該受體基板的該象素區(qū)域中。同時，控制激光的發(fā)射范圍以使激光只發(fā)射在對應(yīng)于該開口部分的象素區(qū)域中。
在分隔該接觸框架ST500的步驟中，采用該接觸框架移動機構(gòu)把該接觸框架從該受體基板分隔開來，其中，在所述實施例中，首先通過磁引力分隔該接觸框架，然后，用該接觸框架移動機構(gòu)把該接觸框架提升到該腔體的上部。
盡管參照第一實施例已經(jīng)基本解釋了本發(fā)明，但在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的條件下可以對其進行多種修改和變化。例如，基于本申請中的揭示，在該接觸框架移動機構(gòu)的結(jié)構(gòu)上，在傳輸部分的形狀上，在開口部分的形狀上，在包括的磁鐵(采用磁鐵納米粒子等)的形狀上等的變化可以通過本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員獲得。下文中，將描述與參照圖2的第一實施例的結(jié)構(gòu)一致的第二至第六個實施例，然而，各自的基板臺和接觸框架應(yīng)用的范圍不同。因此，除了基板臺和接觸框架外，由于對第一實施例的描述可以應(yīng)用到其它組件和過程方法的描述中，下文將略去對其的描述。
<第二實施例>
根據(jù)本發(fā)明的第二實施例闡述了采用基板臺的施主薄膜200和受體基板300的接觸(或粘附)過程，其中該基板臺包括一個或多個永磁鐵和包括開口部分圖案(例如，預(yù)定的圖案)和一個或多個永磁鐵的接觸框架。
參照圖2，該基板臺110位于該腔體150上或其底側(cè)附近，并且在該第二實施例中，該基板臺110至少提供有一個永磁鐵。在所述的實施例中，永磁鐵提供在該基板臺110的內(nèi)側(cè)。
該接觸框架130包括一個或多個永磁鐵以與該基板臺的該一個或多個電磁鐵形成磁力，從而有力地層壓位于該基板臺110和該接觸框架130之間的該施主薄膜200和該受體基板300。在所述的實施例中，該接觸框架130本身可以形成為永磁鐵，或一個或多個形成在該接觸框架130的上側(cè)或下側(cè)。在所述實施例中，該永磁鐵包含(或包括)永磁鐵納米粒子。
該接觸框架130包括開口部分(或傳輸部分)133(圖5中所示)，其中激光可以通過。即，通過對應(yīng)于該施主薄膜200的成像(或傳送)部分的圖案的開口部分，該施主薄膜200的期望區(qū)域可以成像在(或傳送到)該受體基板300上。因此，該接觸框架130可以只在一個期望的位置(例如，預(yù)定位置)同時執(zhí)行發(fā)射激光的屏蔽任務(wù)。
該接觸框架130可以彼此交換或替換，其形成有至少一個開口部分，對應(yīng)于該開口部分，利用有機光發(fā)射層成像(或傳送)形成有機光發(fā)射裝置的每個子象素。
<第三實施例>
根據(jù)本發(fā)明的第三實施例闡述了采用基板臺的施主薄膜200和受體基板300的接觸過程，其中該基板臺包括一個或多個永磁鐵和包括開口部分預(yù)定圖案和一個或多個永磁鐵的接觸框架。
該基板臺110位于該腔體150上或其底側(cè)附近，并且在該第三實施例中，該基板臺110至少提供有一個永磁鐵。在所述的實施例中，永磁鐵提供在該基板臺110的內(nèi)側(cè)。在所述的實施例中，該永磁鐵可以包含(或包括)永磁鐵納米粒子。
在所述的實施例中，該接觸框架130包括一個或多個電磁鐵以與該基板臺110的一個或多個永磁鐵形成電磁力，從而有力地層壓位于該基板臺110和該接觸框架130之間的該施主薄膜200和該受體基板300。在此，該電磁鐵可以設(shè)置在一個平面內(nèi)，然而，當用到多個電磁鐵時，該電磁鐵可以形成為同心圓模式或具有長度和寬度的多列。
該接觸框架130包括開口部分133，其中激光可以通過。即，通過對應(yīng)于該施主薄膜200的成像部分的圖案的開口部分，該施主薄膜200的期望區(qū)域可以成像在(或傳送到)該受體基板300上。因此，該接觸框架130可以只在一個期望的位置(例如，預(yù)定位置)同時執(zhí)行發(fā)射激光的屏蔽任務(wù)。
該接觸框架130可以彼此交換或替換，其形成有至少一個開口部分，對應(yīng)于該開口部分，采用有機光發(fā)射層成像形成有機光發(fā)射裝置的每個子象素。
<第四實施例>
根據(jù)本發(fā)明的第四實施例闡述了采用基板臺的施主薄膜200和受體基板300的接觸過程，其中該基板臺包括一個或多個磁鐵和包括由透明材料制造的傳輸部分和一個或多個磁鐵的接觸框架。
該基板臺110位于該腔體150上或其底側(cè)附近，并且在該第四實施例中，該基板臺110提供有至少一個磁鐵。在所述的實施例中，一個或多個磁鐵提供在該基板臺110的內(nèi)側(cè)。
該接觸框架130包括一個或多個磁鐵以與該基板臺110的一個或多個磁鐵形成電磁力，從而有力地層壓(或彼此緊密地粘結(jié))位于該基板臺110和該接觸框架130之間的該施主薄膜200和該受體基板300。在此，該基板臺110和該接觸框架130可以各自形成為(或包括)電磁鐵和永磁鐵；該基板臺110和該接觸框架130可以各自形成為(或包括)永磁鐵和電磁鐵；并且該基板臺110和該接觸框架130都可以形成為(或包括)電磁鐵和永磁鐵。在所述的實施例中，該永磁鐵包含(或包括)永磁鐵納米粒子。
該接觸框架130包括傳輸部分133，其可以允許激光通過。圖4是沿著圖2中A-A′線剖取的展示該傳輸部分133的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。由于該傳輸部分133，該接觸框架130可以只在一個期望的位置(例如，預(yù)定位置)同時執(zhí)行發(fā)射激光的屏蔽任務(wù)。對該傳輸部分133的透明材料沒有限制。在所述的實施例中，可以用玻璃或透明聚合物作為該傳輸部分的材料。同樣，由于在所述的實施例中該傳輸部分133不能有磁性，因此，保持該傳輸部分133在適當?shù)乃剑员阌迷摻佑|框架130的磁力把該施主薄膜和該受體基板層壓在一起。因此，在所述的實施例中，該傳輸部分133的總面積限制到該接觸框架130總面積的1％至50％。
該接觸框架130可以彼此交換或替換，其形成有至少一個開口部分(傳輸部分)，其中采用有機光發(fā)射層成像形成有機光發(fā)射裝置的每個子象素。
<第五實施例>
根據(jù)本發(fā)明的第五實施例闡述了采用基板臺110的施主薄膜200和受體基板300的接觸過程，其中該基板臺包括磁性物質(zhì)和包括透明材料的傳輸部分133和至少一個磁鐵的接觸框架130。
該基板臺110位于該腔體150上或其底側(cè)附近，并且在該第五實施例中，該基板臺110至少提供有一種磁性物質(zhì)。在所述的實施例中，該磁性物質(zhì)可以是強磁材料或弱磁材料，并且包括選自由Fe、Ni，、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4和其組合物組成的組中的其中之一。
該接觸框架130包括磁鐵以與該基板臺110的磁性物質(zhì)形成電磁力，從而有力地層壓(或彼此緊密地粘結(jié))位于該基板臺110和該接觸框架130之間的該施主薄膜200和該受體基板300。在此，該基板臺110和該接觸框架130可以各自形成為電磁鐵和永磁鐵；并且該基板臺110和該接觸框架130可以各自形成為永磁鐵和電磁鐵。
該接觸框架130包括傳輸部分133，其可以允許激光通過。圖4是沿著圖2中A-A′線剖取的展示該傳輸部分133的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。由于該傳輸部分133，該接觸框架130可以只在該施主薄膜200的期望位置(例如，預(yù)定位置)同時執(zhí)行發(fā)射激光的屏蔽任務(wù)。對該傳輸部分133的透明材料沒有限制。在所述的實施例中，可以用玻璃或透明聚合物作為該傳輸部分的材料。同樣，由于該傳輸部分133典型地不具有磁性，因此，該傳輸部分133所在的區(qū)域應(yīng)該保持在適當?shù)乃?，以便給該接觸框架130提供有足夠的磁力來層壓該施主薄膜和該受體基板。通過示例，在一個實施例中，該傳輸部分133的面積限制到該接觸框架130總面積的1％至50％。
該接觸框架130可以彼此交換或替換，其形成有至少一個開口部分(即，傳輸部分)，通過該開口部分，采用有機發(fā)光層成像形成有機發(fā)光裝置的每個子象素。
<第六實施例>
根據(jù)本發(fā)明的第六實施例闡述了采用基板臺110的施主薄膜200和受體基板300的接觸(或粘附)過程，其中該基板臺包括一個或多個磁鐵和包括透明材料的透明部分133和磁性物質(zhì)的接觸框架130。
參照圖2，該基板臺110位于該腔體150上或其底側(cè)附近，并且在該第六實施例中，該基板臺110提供有至少一種磁性物質(zhì)。在所述的實施例中，該磁性物質(zhì)可以是電磁鐵或永磁鐵，當該磁鐵是永磁鐵時，其可以包括永磁鐵納米粒子。
該接觸框架130包括磁性物質(zhì)以與該基板臺110的磁鐵形成電磁力，從而有力地層壓(或彼此緊密地粘結(jié))位于該基板臺110和該接觸框架130之間的該施主薄膜200和該受體基板300。該磁性物質(zhì)可以包括強磁材料或弱磁材料，并且包括選自由Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4和其組合物組成的組中的其中之一。該基板臺110和該接觸框架130可以各自形成為(或包括)一個或永磁鐵和電磁鐵；或該基板臺110和該接觸框架130可以各自形成為(或包括)電磁鐵和永磁鐵。
該接觸框架130包括傳輸部分133，其可以允許激光通過。圖5是沿著圖2中A-A′線剖取的展示該傳輸部分133的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。由于該傳輸部分133，該接觸框架130可以只在該施主薄膜200的期望位置(例如，預(yù)定位置)同時執(zhí)行發(fā)射激光的屏蔽任務(wù)。對該傳輸部分133的透明材料沒有限制。在一個實施例中，可以用玻璃或透明聚合物作為透明材料。同樣，由于該傳輸部分133典型地不具有磁性，因此，該傳輸部分133的總面積應(yīng)該保持在適當?shù)乃?，以便該接觸框架130提供有足夠的磁力層壓該施主薄膜和該受體基板。這例如通過限制該傳輸部分133的面積到該接觸框架130總面積的1％至50％來完成。
該接觸框架130可以彼此交換或替換，其形成有至少一個開口部分(即，傳輸部分)，其中采用有機光發(fā)射層成像形成有機發(fā)光裝置的每個子象素。
根據(jù)本發(fā)明的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備和激光誘導(dǎo)熱成像方法適用于在真空下采用磁力層壓施體基板和受體基板，因此，能同現(xiàn)有的有機光發(fā)射裝置過程一樣保持該真空態(tài)，并且可以層壓該施體基板和該受體基板，而在其間不產(chǎn)生外來物質(zhì)或空隙(間隔)，因此，使得該有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層更加有效地成像。
盡管已經(jīng)展示和描述了本發(fā)明的特定示范性實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以在這些實施例上作變化，而不脫離本發(fā)明的原理和精神，本發(fā)明的范圍限定在所附權(quán)利要求中及其等同物。
權(quán)利要求
1.一種用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，該設(shè)備包括基板臺，其中，該基板臺包括磁鐵，并且適應(yīng)于容放受體基板和施主薄膜，該受體基板具有該有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的該有機光發(fā)射層；激光振蕩器，用于在該施主薄膜上發(fā)射激光；接觸框架，適于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間，并且包括對應(yīng)于該施主薄膜的成像部分的圖案的開口部分和用于與該基板臺形成磁力的磁鐵；和接觸框架移動機構(gòu)，用于向該基板臺移動該接觸框架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，還包括真空腔體，該基板臺設(shè)置在其中，并且適應(yīng)于容放該接觸框架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該接觸框架形成為磁鐵，或該磁鐵形成在該接觸框架的上側(cè)或下側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該基板臺中的該磁鐵包括電磁鐵或永磁鐵，并且該接觸框架中的該磁鐵包括永磁鐵或電磁鐵。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該基板臺或該接觸框架至少一個的該磁鐵包括永磁鐵納米粒子。
6.一種用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，該設(shè)備包括基板臺，其中，該基板臺包括磁鐵，并且適應(yīng)于容放受體基板和施主薄膜，該受體基板具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的有機光發(fā)射層；激光振蕩器，用于在該施主薄膜上發(fā)射激光；接觸框架，其適應(yīng)于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間，并且包括用于允許激光通過的透明材料的至少一個傳輸部分和用于與該基板臺形成磁力的磁鐵；和接觸框架移動機構(gòu)，其用于向該基板臺移動該接觸框架。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，還包括真空腔體，該基板臺設(shè)置在其中，并且適應(yīng)于容放該接觸框架。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該接觸框架的該傳輸部分的總面積為該接觸框架總面積的1％至50％。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該透明材料包括玻璃或透明聚合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，提供在該接觸框架中的該磁鐵為電磁鐵或永磁鐵。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，提供在該基板臺中的該磁鐵為電磁鐵或永磁鐵。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該基板臺中的該磁鐵包括磁性物質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該磁性物質(zhì)是選自由Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4和其組合物組成的組中的其中之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該接觸框架的該磁鐵包括磁性物質(zhì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備，其中，該磁性物質(zhì)是選自由Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4和其組合物組成的組中的其中之一。
16.一種用于形成有機光發(fā)射裝置的發(fā)光層的激光誘導(dǎo)熱成像方法，該方法包括設(shè)置具有該有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)的受體基板和包括成像在該象素區(qū)上的該有機光發(fā)射層的施主薄膜在包括磁鐵的接觸框架和包括磁鐵的基板臺之間；利用在該接觸框架和該基板臺之間形成的磁力粘結(jié)該受體基板和該施主薄膜；和通過發(fā)射激光到對應(yīng)于該有機光發(fā)射層的該施主薄膜上，成像該施主薄膜的該有機光發(fā)射層到該受體基板上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該接觸框架的該磁鐵包括電磁鐵，并且該基板臺的該磁鐵包括永磁鐵。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該接觸框架的該磁鐵包括永磁鐵，并且該基板臺的該磁鐵包括永磁鐵。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該接觸框架的該磁鐵包括永磁鐵，并且該基板臺的該磁鐵包括電磁鐵。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的激光誘導(dǎo)熱成像方法，其中，該磁鐵中的其中之一包括磁性物質(zhì)。
全文摘要
一種用于成像施主薄膜的成像層到受體基板上的激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備。該激光誘導(dǎo)熱成像設(shè)備包括基板臺和施主薄膜，其中，該基板臺包括磁鐵，并且適于容放具有有機光發(fā)射裝置的象素區(qū)的受體基板，該施主薄膜包括成像在該象素區(qū)上的有機光發(fā)射層；激光振蕩器，其發(fā)射激光到該施主薄膜上；接觸框架，其適應(yīng)于設(shè)置在該基板臺和該激光振蕩器之間，并且包括對應(yīng)于施主薄膜的成像部分的圖案的開口部分和用于與該基板臺形成磁力的永磁鐵；和接觸框架移動機構(gòu)，其用于向該基板臺移動該接觸框架。
文檔編號H01L21/00GK1958302SQ20061014336
公開日2007年5月9日 申請日期2006年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月4日
發(fā)明者魯碩原, 金茂顯, 李城宅, 金善浩, 成鎮(zhèn)旭, 宋明原, 李相奉 申請人:三星Sdi株式會社