專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備導(dǎo)入外氣進(jìn)行排氣的搬送室、負(fù)載鎖定室等基板處理裝置。
背景技術(shù)：
對玻璃基板(比如液晶基板)或半導(dǎo)體晶片(下面，也只稱為“晶片”)等被處理基板實施蝕刻處理、成膜處理等特定處理的基板處理裝置，具備在比如用于對晶片實施特定處理的處理室上連接負(fù)載鎖定室構(gòu)成的處理單元，同時，具備通過比如搬送臂等搬送機(jī)構(gòu)對該處理單元進(jìn)行晶片交接(晶片的搬進(jìn)搬出)的搬送室。
在這種搬送室中，比如通過搬送機(jī)構(gòu)，取出收納于箱容器中的未處理晶片，向處理裝置傳遞。這樣，未處理晶片通過負(fù)載鎖定室，被搬送到處理室，在處理室內(nèi)實行晶片的處理。在處理室內(nèi)的處理結(jié)束的處理完成晶片，從處理室返回到負(fù)載鎖定室。然后，在搬送室中，通過搬送機(jī)構(gòu)接收返回到負(fù)載鎖定室的處理完成晶片，向箱容器回收。
這種基板處理裝置中，為了阻止招致成品率降低的微粒(比如塵埃、垃圾、附著物、反應(yīng)生成物等)附著在晶片上，比如在大氣中進(jìn)行晶片傳遞的搬送室中，在其上部設(shè)置從供氣口吸入外氣的供氣扇，同時，在下部設(shè)置排氣口，通過驅(qū)動該供氣扇，從供氣口吸入外氣，從排氣口排氣，這樣，形成從搬送室內(nèi)的上部朝向下部的一定的氣流(比如，空氣的下降氣流)?；逄幚硌b置通常設(shè)置在清潔室內(nèi)，因此，清潔室內(nèi)的空氣被向搬送室導(dǎo)入，從搬送室返回到清潔室內(nèi)。
專利文獻(xiàn)1特許2001-15578號公報專利文獻(xiàn)2特開平6-224144號公報非專利文獻(xiàn)1Kanzawa.k，Kitano.J，“A semiconductor devicemanufacturer’seff orts for controlling and evaluating atmosphericpollution”，(Advanced Semicond uctor Manufacturing Conference andWorkshop，1995.ASMC 95Proceedings.IEEE/SEM I 1995)，13-15 Nov1995，pp.190-19
發(fā)明內(nèi)容可是，在通過搬送室回收處理完成晶片時，有時處理氣體的氣體成分附著在該處理完成晶片上，就那樣被搬送到搬送室。在這樣的情況下，根據(jù)上述那樣的搬送室，那種氣體成分和搬送室的空氣一起，比如向清潔室排氣，所以，根據(jù)該排氣中包含的氣體成分的種類不同，有可能污染清潔室內(nèi)部。比如，在以含有Cl、Br的氣體等腐蝕性氣體為處理氣體使用的情況下，如果含有那種氣體成分(比如，Cl2、Br2、HCl、HBr等)的空氣從搬送室向清潔室排氣，則清潔室內(nèi)的機(jī)械的材料有可能發(fā)生腐蝕。
這一點，也考慮到如果將搬送室的排氣口連接在工廠的排氣設(shè)備(比如除害設(shè)備)上，使從搬送室排出的氣體全部排出到工廠的排氣設(shè)備中，但是，這樣的話，存在增大工廠的排氣設(shè)備的負(fù)擔(dān)這樣的問題。
另外，目前，已知有這樣的設(shè)計在基板處理裝置或清潔室中，為了使微粒等不進(jìn)入其內(nèi)部，在基板處理裝置或清潔室的供氣側(cè)設(shè)置過濾器，除去微粒等。比如，專利文獻(xiàn)1及非專利文獻(xiàn)1為這樣的設(shè)計在配置基板處理裝置等的整個清潔室或區(qū)劃清潔室的區(qū)域中的供氣一側(cè)(上部側(cè))設(shè)置過濾器，專利文獻(xiàn)2為這樣的設(shè)計在縱型熱處理裝置的供氣一側(cè)(側(cè)部)設(shè)置過濾器。
可是，這種目前的基板處理裝置或清潔室，在其供氣一側(cè)設(shè)置過濾器，為了使微粒等不進(jìn)入基板處理裝置或清潔室內(nèi)，考慮了供氣一側(cè)，未考慮排氣一側(cè)。因此，即使將如現(xiàn)有技術(shù)那樣的供氣一側(cè)的過濾器就那樣適用于基板處理裝置的搬送室，也不能解決因從搬送室的排氣產(chǎn)生的上述那樣的問題。
因此，本發(fā)明鑒于這樣的問題而實施，其目的在于提供這樣的基板處理裝置可以防止比如附著在處理完成基板上的腐蝕性氣體等處理氣體的氣體成分和搬送室等的排氣一起，就那樣向外部排出，可以減輕工廠的排氣設(shè)備等負(fù)擔(dān)。
為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明某種觀點，提供一種基板處理裝置，其特征在于，具備用于對被處理基板實施特定處理的處理單元，和向該處理單元搬進(jìn)搬出被處理基板的搬送室，所述搬送室具備向所述搬送室內(nèi)導(dǎo)入外氣的供氣部；與所述供氣部相對地設(shè)置，對所述搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣部；和設(shè)置在所述排氣部，對所述排氣進(jìn)行過濾的排氣過濾機(jī)構(gòu)。在此情況下，所述排氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去比如所述排氣中含有的有害成分的有害成分除去過濾器構(gòu)成。具體地說，比如通過化學(xué)過濾器或活性炭過濾器構(gòu)成。
根據(jù)這種涉及本發(fā)明的基板處理裝置，在比如腐蝕性氣體等處理氣體附著在處理完成基板上，并原樣地被搬入搬送室的情況下，該處理氣體的氣體成分通過排氣過濾器而除去，之后，被向外部排氣。這樣，可以防止該氣體成分原樣地和搬送室等的排氣一起被向外部排出。另外，由于能夠除去附著在處理完成基板上而進(jìn)入搬送室的氣體成分之后進(jìn)行排氣，因此，可以不通過比如工廠的排氣設(shè)備，將搬送室的排氣就那樣排氣到搬送室外。這樣，能夠大幅度減輕工廠的排氣設(shè)備的負(fù)擔(dān)。
另外，所述排氣部具備設(shè)置在比所述排氣過濾機(jī)構(gòu)還靠近所述排氣下流一側(cè)的排氣扇，這樣，排氣扇不會暴露于排氣所包含的腐蝕成分中，因此，作為排氣扇，沒有必要使用耐腐蝕性的產(chǎn)品。
另外，上述基板處理裝置中的供氣部優(yōu)選具備對導(dǎo)入所述搬送室內(nèi)的外氣進(jìn)行過濾的供氣過濾機(jī)構(gòu)。在此情況下，供氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去導(dǎo)入搬送室內(nèi)的外氣所含有的胺類成分(氨、胺等)的胺類成分除去過濾器構(gòu)成。具體地說，例如由化學(xué)過濾器或活性炭過濾器構(gòu)成。
根據(jù)這樣設(shè)計，通過由設(shè)置在供氣部的供氣過濾機(jī)構(gòu)，從導(dǎo)入到搬送室的外氣中除去胺類成分(比如氨)，比如在腐蝕性氣體等的處理氣體的氣體成分附著在處理完成基板上，原樣地被搬入搬送室等的情況下，通過該氣體成分和胺類成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，可以防止在基板上產(chǎn)生微粒。這樣，通過不僅在排氣部設(shè)置排氣過濾機(jī)構(gòu)，而且在供氣部也設(shè)置供氣過濾機(jī)構(gòu)，可以使比如氣體附著在處理完成基板上并原樣地被搬入搬送室內(nèi)時的對策萬無一失。
另外，上述供氣過濾機(jī)構(gòu)不僅具備胺類成分除去過濾器，也可以具備除去導(dǎo)入所述搬送室內(nèi)的外氣中所含有的粒子的粒子除去過濾器。這樣，可以防止垃圾或塵埃等粒子和外氣一起進(jìn)入搬送室內(nèi)。
為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明另一觀點，提供一種基板處理裝置，其特征在于，具備用于對被處理基板實施特定處理的處理單元和通過負(fù)載鎖定室將被處理基板搬進(jìn)搬出該處理單元的搬送室，所述負(fù)載鎖定室具備向所述負(fù)載鎖定室內(nèi)導(dǎo)入外氣的供氣部；對所述負(fù)載鎖定室內(nèi)的酸進(jìn)行排氣的酸排氣部，和設(shè)置在所述酸排氣部，對所述酸排氣進(jìn)行過濾的排氣過濾機(jī)構(gòu)。在此情況下，所述排氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去所述排氣中所含有的有害成分的有害成分除去過濾器構(gòu)成。
根據(jù)這種涉及本發(fā)明的基板處理裝置，可以從通過負(fù)載鎖定室的酸排氣部排出的排氣中除去腐蝕性氣體的氣體成分等的有害成分。這樣，不將負(fù)載鎖定室的酸排氣部連接在工廠的排氣設(shè)備上，可以就那樣進(jìn)行排氣，因此，能夠減輕工廠排氣設(shè)備的負(fù)擔(dān)。
另外，在上述負(fù)載鎖定室的供氣部也可以具備過濾導(dǎo)入所述負(fù)載鎖定室內(nèi)的外氣的供氣過濾機(jī)構(gòu)。在此情況下，供氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去比如導(dǎo)入所述負(fù)載鎖定室內(nèi)的外氣中所含有的胺類成分的胺類成分除去過濾器構(gòu)成。這樣，比如在腐蝕性氣體等處理氣體的氣體成分附著在處理完成基板上，就那樣被搬入負(fù)載鎖定室的情況下，通過該氣體成分和氨等胺類成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，能夠防止在基板上產(chǎn)生微粒。
為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明另一觀點，提供一種基板處理裝置，其特征在于，具備用于對被處理基板實施特定處理的處理單元和向該處理單元搬進(jìn)搬出被處理基板的搬送室，還具備連接在所述搬送室上，具有基板待機(jī)室和對該基板待機(jī)室進(jìn)行排氣的排氣部的待機(jī)單元，所述基板待機(jī)室使通過所述處理裝置處理的被處理基板臨時待機(jī)；以及設(shè)置在所述待機(jī)單元的排氣部，對所述酸排氣進(jìn)行過濾的排氣過濾機(jī)構(gòu)。在此情況下，比如排氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去所述排氣中含有的有害成分的有害成分除去過濾器構(gòu)成。
根據(jù)這種涉及本發(fā)明的基板處理裝置，可以從通過待機(jī)單元的排氣部排出的排氣中除去腐蝕性氣體的氣體成分等有害成分。這樣，不將待機(jī)單元的排氣部連接在工廠的排氣設(shè)備上，可以就那樣進(jìn)行排氣，因此，能夠減輕工廠排氣設(shè)備的負(fù)擔(dān)。
另外，在此情況下，在所述搬送室上進(jìn)一步連接用于進(jìn)行所述被處理基板的位置確定的位置確定裝置，所述待機(jī)單元配置在所述位置確定裝置的正下方。通過這種配置，能夠提高在搬送室內(nèi)搬送被處理基板的搬送機(jī)構(gòu)的作業(yè)效率，能夠提高生產(chǎn)能力。
根據(jù)本發(fā)明，在比如腐蝕性氣體等處理氣體的氣體成分附著在處理完成基板上，就那樣被搬入搬送室等的情況下，可以防止該氣體成分就那樣和搬送室等的排氣一起向外部排出。據(jù)此，可以將搬送室等的排氣直接排到清潔室內(nèi)等。這樣，由于沒有必要將排氣量比較多的搬送室等的排氣向比如工廠的排氣設(shè)備排氣，因此，也能夠大幅度減輕對工廠的排氣設(shè)備施加的負(fù)擔(dān)。


圖1為表示涉及本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的構(gòu)成例的截面圖。
圖2為用于說明在處理完的晶片上產(chǎn)生微粒的過程的說明圖。
圖3為表示處理完的晶片的放置時間和在處理完的晶片上產(chǎn)生的微粒個數(shù)之間關(guān)系的說明圖。
圖4為表示搬送室的概略構(gòu)成的截面圖，為從端部方向看搬送室的截面的圖。
圖5為表示搬送室的概略構(gòu)成的截面圖，為從長度方向的側(cè)面看搬送室200的截面的圖。
圖6為用于說明化學(xué)過濾器的構(gòu)成的示意圖，是從上方看化學(xué)過濾器的一部分時的圖。
圖7為表示利用氧排氣單元進(jìn)行排氣的搬送室的構(gòu)成例的圖。
圖8為表示涉及本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的其他構(gòu)成例的截面圖。
符號說明基板處理裝置；110(110A、110B)真空處理單元；120搬送裝置；132(132A～132C)箱臺；134(134A～134C)箱容器；136(136A～136C)門閥；137定位器；138旋轉(zhuǎn)載置臺；139光學(xué)傳感器；140(140A、140B)各處理室；142(142A、142B)載置臺；144(144A、144B)門閥；150(150A、150B)負(fù)載鎖定室；152(152A、152B)門閥；154(154A、154B)緩沖用載置臺；156(156A、156B)緩沖用載置臺；160共通搬送機(jī)構(gòu)(大氣側(cè)搬送機(jī)構(gòu))；162基臺；170(170A、170B)個別搬送機(jī)構(gòu)；172(172A、172B)拾取部；180控制部；200搬送室；210框體；212、214、216搬進(jìn)搬出口；220天井部(上部)；222供氣口；230供氣部；232供氣扇；234供氣過濾機(jī)構(gòu)；236供氣過濾器；238框體；240底部(下部)；242排氣口；250排氣部；252排氣扇；254排氣過濾機(jī)構(gòu)；256排氣過濾器；258框體；260空間；280下降氣流；300酸排氣單元；310基板待機(jī)室；320酸排氣部；322排氣管；400搬送室；410排氣管；412排氣口；500基板處理裝置；510真空處理單元；520搬送單元；540(540A～540F)處理室；542(542A～542F)載置臺；544(544A～544F)門閥；550共通搬送室；554(554M、554N)門閥；560(560M、560N)負(fù)載鎖定室；564(564M、564N)門閥；570搬送機(jī)構(gòu)(真空側(cè)搬送機(jī)構(gòu))；572基臺；574導(dǎo)軌；576臂機(jī)構(gòu)；W晶片。
具體實施例方式
下面，參照附圖，關(guān)于本發(fā)明的合適的實施方式，詳細(xì)地進(jìn)行說明。另外，在本說明書及圖紙中，關(guān)于在實質(zhì)上具有同一功能構(gòu)成的構(gòu)成要素，通過賦予同一符號，省略重復(fù)說明。
(基板處理裝置的構(gòu)成例)首先，關(guān)于涉及本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的構(gòu)成例，參照附圖進(jìn)行說明。這里，以在搬送室上連接至少一個以上的真空處理單元的基板處理裝置為例進(jìn)行說明。圖1為表示涉及本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的構(gòu)成例的截面圖。
基板處理裝置100具備對被處理基板比如半導(dǎo)體晶片(以下僅稱為“晶片”)W進(jìn)行成膜處理、蝕刻處理等各種處理的一個或者兩個以上的真空處理單元110和向該真空處理單元110搬進(jìn)搬出晶片W的搬送單元120。搬送單元120具有在搬送晶片W時共用的搬送室200。
圖1表示在搬送單元120的側(cè)面設(shè)置比如兩個真空處理單元110A、110B。各真空處理單元110A、110B分別和處理室140A、140B連接設(shè)置，具有可抽真空地構(gòu)成的負(fù)載鎖定室150A、150B。各真空處理單元110A、110B這樣構(gòu)成在各處理室140A、140B內(nèi)對晶片實施比如同種處理或者互不相同的異種處理。在各處理室140A、140B內(nèi)，分別設(shè)置有用于載置晶片W的載置臺142A、142B。另外，由該處理室140及負(fù)載鎖定室150構(gòu)成的真空處理單元110不限于兩個，可以進(jìn)一步追加設(shè)置。
上述搬送單元120的搬送室200，通過比如N2氣體等惰性氣體或者清凈空氣進(jìn)行循環(huán)的截面為略矩形狀的箱體構(gòu)成。在構(gòu)成搬送室200上的截面為略矩形狀的長邊的一側(cè)面上，并列設(shè)置多個箱臺132A～132C。這些箱臺132A～132C作為載置箱容器134A～134C的被處理基板待機(jī)港發(fā)揮作用。圖1中，舉出比如在各箱臺132A～132C上可以分別各載置一臺箱容器134A～134C的例子，但是，箱臺和箱容器的數(shù)量不限于此，比如可以是一臺或兩臺，也可以設(shè)置四臺以上。
各箱容器134A～134C中，可以以等間距多層地載置收容最多25片晶片W，內(nèi)部成為比如N2氣體充滿的密閉構(gòu)造。另外，搬送室200這樣構(gòu)成通過門閥136A～136C可向其內(nèi)部搬進(jìn)搬出晶片W。
在搬送室200內(nèi)，設(shè)置沿其長度方向(圖1中表示的箭頭方向)搬送晶片W的共通搬送機(jī)構(gòu)(大氣側(cè)搬送機(jī)構(gòu))160。該共通搬送機(jī)構(gòu)160比如固定在基臺162上，該基臺162在搬送室200內(nèi)的中心部，沿長度方向設(shè)置的未圖示的引導(dǎo)軌道上比如可以通過線性驅(qū)動機(jī)構(gòu)滑動移動。共通搬送機(jī)構(gòu)160可以是具備如圖1所示的兩個拾取部的雙臂機(jī)構(gòu)，另外，也可以是具備一個拾取部的單臂機(jī)構(gòu)。
在構(gòu)成搬送室的截面為矩形狀的長邊的另一側(cè)面上，分別通過可開閉地構(gòu)成的門閥(大氣側(cè)門閥)152A、152B連接著上述兩個負(fù)載鎖定室150A、150B的基端。各負(fù)載鎖定室150A、150B的前端通過可開閉地構(gòu)成的門閥(真空側(cè)門閥)144A、144B分別連接在上述處理室140A、140B上。
在各負(fù)載鎖定室150A、150B內(nèi)，分別設(shè)置有臨時載置晶片W，進(jìn)行待機(jī)的一對緩沖用載置臺154A、156A及154B、156B。這里，以搬送室側(cè)的緩沖用載置臺154A、154B為第一緩沖用載置臺，以相對側(cè)的緩沖用載置臺156A、156B為第二緩沖用載置臺。另外，在兩緩沖用載置臺154A、156A之間及154B、156B之間，設(shè)置有可屈伸、旋轉(zhuǎn)及升降的由多關(guān)節(jié)臂構(gòu)成的個別搬送機(jī)構(gòu)(真空側(cè)搬送機(jī)構(gòu))170A、170B。
在這些個別搬送機(jī)構(gòu)170A、170B的前端，設(shè)置拾取部172A、172B，使用該拾取部172A、172B，在第一、第二兩緩沖用載置臺154A、156A，及154B、156B之間，能夠進(jìn)行晶片W的接收傳遞移載。另外，從負(fù)載鎖定室150A、150B向處理室140A、140B內(nèi)進(jìn)行的晶片W的搬進(jìn)搬出，分別使用上述個別搬送機(jī)構(gòu)170A、170B進(jìn)行。
在搬送室200的一端部，即構(gòu)成截面為略矩形狀的短邊的一側(cè)面上，設(shè)置作為晶片W的位置固定裝置的定位器(預(yù)調(diào)整臺)137。定位器137比如在內(nèi)部具備旋轉(zhuǎn)載置臺138和光學(xué)性檢測晶片W的周緣部的光學(xué)傳感器139，檢測晶片W的定位平面或凹口等，進(jìn)行位置確定。
在搬送室200的另一端部，即構(gòu)成截面為略矩形狀的短邊的另一側(cè)面上，設(shè)置作為待機(jī)單元的氧排氣單元300。該氧排氣單元300根據(jù)附著在處理完成的晶片W上的處理氣體的氣體成分等，使之待機(jī)到從處理完成的晶片W上放出的氣體不再放出為止。這種氧排氣單元300的構(gòu)成后面敘述。
另外，圖1所示的基板處理裝置的構(gòu)成例中，舉出在和定位器137的相反一側(cè)的端部設(shè)置氧排氣單元300的情況為例，但并不一定局限于此，也可以將氧排氣單元300設(shè)置在和定位器137相同一側(cè)的端部，即設(shè)置在搬送室200的一端部上。在此情況下，優(yōu)選將氧排氣單元300設(shè)置在定位器137的正下方。
通過做成這種配置，通過共通搬送機(jī)構(gòu)160比如從負(fù)載鎖定室150一搬出處理完成的晶片W，就使共通搬送機(jī)構(gòu)160向搬送室200一端部的特定位置移動，就這樣在將處理完成的晶片W搬入氧排氣單元300的同時，可以從定位器137中搬出未處理的晶片W。這樣，能夠提高共通搬送機(jī)構(gòu)160的作業(yè)效率，可以提高生產(chǎn)能力。
在通過這種構(gòu)成的基板處理裝置進(jìn)行晶片處理的情況下，通過共通搬送機(jī)構(gòu)160，從各箱容器134A～134C取出進(jìn)行處理的晶片W。通過共通搬送機(jī)構(gòu)160取出的晶片W，被搬送到定位器137，移載于定位器137的旋轉(zhuǎn)載置臺138上，在此被固定位置。被固定位置的晶片W再次通過上述共通搬送機(jī)構(gòu)160接受保持，被搬送到對該晶片W進(jìn)行處理的真空處理單元110A或110B的負(fù)載鎖定室150A或150B的正前方。然后，一旦門閥152A或152B被打開，則被共通搬送機(jī)構(gòu)160保持的晶片W就從搬送室200向負(fù)載鎖定室150A或150B內(nèi)搬送。向負(fù)載鎖定室150A或150B進(jìn)行的晶片W的搬送一結(jié)束，門閥152A或152B就被關(guān)閉。
一打開門閥144A或144B，向負(fù)載鎖定室150A或150B內(nèi)搬入的晶片W，就通過個別搬送機(jī)構(gòu)170A或170B向處理室140A或140B搬入。向處理室140A或140B進(jìn)行的晶片W的搬入一結(jié)束，門閥144A或144B就被關(guān)閉，在處理室140A或140B內(nèi)，比如以腐蝕性氣體為處理氣體使用，對晶片W實施蝕刻處理等特定處理。
然后，在處理室140A或140B內(nèi)的晶片W的處理結(jié)束，一打開門閥144A或144B，晶片W通過個別搬送機(jī)構(gòu)170A或170B就向負(fù)載鎖定室150A或150B搬出。向負(fù)載鎖定室150A或150B進(jìn)行的晶片W的搬出一結(jié)束，門閥144A或144B就被關(guān)閉，進(jìn)行向搬送室200的晶片W的搬出動作。即，為了消除處于大氣壓狀態(tài)的搬送室200和負(fù)載鎖定室150A或150B內(nèi)的壓力差，在進(jìn)行了負(fù)載鎖定室150A或150B內(nèi)的大氣開放后，打開門閥152A或152B。于是，處理完成的晶片W通過共通搬送機(jī)構(gòu)160從負(fù)載鎖定室150A或150B向搬送室200返回，門閥152A或152B被關(guān)閉。
(附著在處理完成的晶片W上的氣體對策)然而，處理氣體的氣體附著在處理后的完成處理的晶片W上，有時就這樣從處理室140通過負(fù)載鎖定室150向搬送室200返回。通過這種附著在完成處理的晶片W上的氣體，產(chǎn)生下述問題。
比如，氣體附著在完成處理的晶片W上，如果就這樣被搬送到搬送室200，則和完成處理的晶片W一起，附著在完成處理的晶片W上的處理氣體的氣體成分進(jìn)入搬送室200，因此，在搬送室200的排氣中，有時含有那種氣體成分。所以，比如在以含有Cl、Br等氣體等的腐蝕性氣體為處理氣體使用的情況下，如果就那樣將搬送室200內(nèi)的空氣向外部排出，則有可能就這樣使含有該氣體成分(比如Cl2、Br2、HCl、HBr)等有害成分被排氣。
所以，本發(fā)明中，在搬送室200的排氣一側(cè)設(shè)置除去含有Cl、Br的氣體等氣體成分(比如Cl2、Br2、HCl、HBr)的排氣過濾機(jī)構(gòu)，通過排氣過濾機(jī)構(gòu)排出來自搬送室200的排氣。這樣，包含在來自搬送室200的排氣中的成分通過排氣過濾機(jī)構(gòu)被除去，所以，可以防止在含有包含Cl、Br的氣體等氣體成分的狀態(tài)下向搬送室200的外部(比如設(shè)置基板處理裝置100的清潔室)排氣。
另外，有時，上述那種附著在剛處理后的完成處理的晶片W上的處理氣體的氣體成分(比如含有F、Br、Cl的氣體等鹵素類的氣體成分)與完成處理的晶片W的表面結(jié)合，形成化合物。如果在完成處理的晶片W上形成這種化合物，則比如通過包含在包圍完成處理的晶片W的氛圍中的成分，有可能在完成處理的晶片W上產(chǎn)生微粒(反應(yīng)生成物)。
這里，關(guān)于起因于這種附著在完成處理的晶片W上的處理氣體的氣體成分，在完成處理的晶片W上產(chǎn)生的微粒，參照附圖進(jìn)行說明。圖2為用于說明在完成處理的晶片W上產(chǎn)生微粒的過程的圖。
如圖2(a)所示，附著在完成處理的晶片W上的處理氣體的氣體成分與完成處理的晶片W的表面結(jié)合，形成化合物A。比如，如果在處理氣體中含有鹵素類氣體成分(比如含有F、Cl、Br等氣體的氣體成分)，則這些氣體成分比如和完成處理的晶片W上的SiO2等結(jié)合，在完成處理的晶片W上形成化合物A。
在此情況下，在包圍完成處理的晶片W的氛圍中，如果含有比如胺類成分，則完成處理的晶片W的化合物A的鹵素類化合物和氛圍中的胺類成分反應(yīng)，如圖2(b)所示，在完成處理的晶片W的表面上形成鹽B。這里，胺類成分中比如包含氨、胺等。胺中比如含有三甲胺、三乙胺、有機(jī)堿胺等。
這樣，如果用化學(xué)式表示在完成處理的晶片W上形成鹽B的一系列過程，則如下列化學(xué)式(1-1)～(1-3)所示。這里表示如下過程完成處理的晶片W的表面成分(SiO2)和處理氣體的氣體成分(HF)結(jié)合，形成化合物(SiF4)，該化合物(SiF4)和氛圍中的氨(NH3)反應(yīng)，形成鹵素類氨鹽[比如(NH4)2SiF6]。
……(1-1)……(1-2)……(1-3)完成處理的晶片W的表面成分(SiO2)和處理氣體的氣體成分(HF)結(jié)合，形成化合物(SiF4)，在此情況下，一般地考慮到如上列化學(xué)式(1-1)那樣發(fā)生反應(yīng)。
但是，在此情況下，如果在氛圍中含有氨(NH3)，則也會想到如上列化學(xué)式(1-2)那樣的反應(yīng)。在這樣的化學(xué)式(1-1)中，從左側(cè)向右側(cè)反應(yīng)所需要的反應(yīng)能量為1.0eV，與此相對，在化學(xué)式(1-2)中，從左側(cè)向右側(cè)反應(yīng)所需要的反應(yīng)能量，比上列化學(xué)式(1-1)低很多，為0.4eV。
這樣，如果在氛圍中包含氨(NH3)，則由于上述化學(xué)式(1-2)的反應(yīng)更容易進(jìn)行，所以，在完成處理的晶片W的表面上變得容易形成化合物(SiF4)。因此，由于上列化學(xué)式(1-3)的反應(yīng)也容易進(jìn)行，所以，容易形成鹵素類的氨鹽[(NH4)2SiF6]。
這樣，如果附著鹵素類氣體成分的完成處理的晶片W被置于含有氨(NH3)的氛圍中，則在完成處理的晶片W的表面上形成鹵素類的氨鹽[如(NH4)2SiF6]。
這樣，如果在完成處理的晶片W的表面上形成像鹵素類氨鹽這樣的鹽B，則該完成處理的晶片W上的鹽B慢慢地吸收包圍完成處理的晶片W的氛圍中所含有的水分(H2O)。于是，隨著時間的經(jīng)過，產(chǎn)生如圖2(c)所示的微粒C。即，最初產(chǎn)生即使用0.001μm左右的電子顯微鏡也不能測到的小微粒C，隨著其數(shù)量慢慢地增加，這些微粒C的大小也慢慢增大。比如經(jīng)過一小時左右，成長為0.1μm左右，再經(jīng)過二十四小時左右，則也有成長為0.5μm～0.7μm左右的微粒C。
其后，經(jīng)過兩三天左右，鹽B被氛圍中的水分(H2O)潮解，凝聚。然后，在微粒C中比如含有SiO2的情況下，如圖2(d)所示，在微粒C的揮發(fā)結(jié)束后，SiO2作為殘渣D殘留在完成處理的晶片W上。另外，如果在微粒C中未含有比如SiO2，則微粒C揮發(fā)消失。
這里，關(guān)于將通過含有比如F成分的處理氣體實施了蝕刻等處理的完成處理的晶片W放置于不含氨成分的氛圍中的情況和放置于含有氨成分的氛圍中的情況下，其放置時間和在完成處理的晶片W上產(chǎn)生的微粒個數(shù)之間的關(guān)系作成圖表，表示在圖3中。
圖3(a)為將完成處理的晶片W放置于不含氨成分的氛圍中的情況，圖3(b)為將完成處理的晶片W放置于含氨成分的氛圍中的情況。圖3中，在橫軸上表示時間，在縱軸上表示微粒個數(shù)。圖3表示的圖表為這樣的圖表在處理前tp、處理后(0小時后)t0、處理后一小時后t1、處理后二十四小時后t24通過比如電子顯微鏡在完成處理的晶片W上測到的能夠觀察到的0.12μm以上大小的微粒。
根據(jù)這種實驗結(jié)果，如圖3(a)所示，在將完成處理的晶片W放置于不含氨成分的氛圍中的情況下，完成處理的晶片W上的微粒個數(shù)，即使時間經(jīng)過，也幾乎不發(fā)生變化。與此相反，如圖3(b)所示，在將完成處理的晶片W放置于含氨成分的氛圍中的情況下，發(fā)現(xiàn)僅僅是放置，完成處理的晶片W上的微粒個數(shù)隨時間的經(jīng)過而增加了。另外，在上述實驗中，舉出這樣的例子進(jìn)行了說明在完成處理的晶片W的處理氣體中含有F成分的情況下，在完成處理的晶片W上形成氨鹽[如(NH4)2SiF6]，但是，在完成處理的晶片W的處理氣體中含有其他鹵素成分(如Br等)的情況下，也與上述情況同樣地，在完成處理的晶片W上形成氨鹽[如(NH4)2SiBr6等]，因此，在完成處理的晶片W上產(chǎn)生微粒。
這樣，在處理剛結(jié)束后的完成處理的晶片W上，根據(jù)處理氣體的種類，該處理氣體的氣體成分(如含有F、Br、Cl的鹵素類氣體成分)和完成處理的晶片W的表面結(jié)合，形成化合物，該化合物和氛圍中所包含的氨等胺類成分反應(yīng)，形成成為微粒的鹽。這樣，關(guān)于處理剛結(jié)束后的完成處理的晶片W，僅僅通過放置在含有氨等胺類成分的氛圍中，就產(chǎn)生微粒。因此，在完成處理的晶片W被搬送到搬送室200的情況下，如果導(dǎo)入含有氨成分的外氣，則即使通過搬送室200內(nèi)的氛圍，也可能在完成處理的晶片W上產(chǎn)生微粒。
這種氨成分，比如從清潔室內(nèi)的作業(yè)員身體也放出，所以，如果以清潔室的空氣為外氣，就那樣導(dǎo)入搬送室200內(nèi)，則在被導(dǎo)入的空氣中必定含有氨成分，因此，在完成處理的晶片W上產(chǎn)生微粒的可能性高。此時，可以想到通過過濾清潔室本身，從清潔室本身除去氨成分，但是，如果這樣，存在為維持清潔室內(nèi)的環(huán)境耗費大量成本等這樣的問題。
特別是，近年來，從上述那樣的成本問題考慮，有這樣的趨勢并非對工廠內(nèi)或清潔室內(nèi)進(jìn)行高清潔化，如采用SMIF(StandardMechanical Interface)等的小型環(huán)境系統(tǒng)等那樣，進(jìn)行僅對基板處理裝置內(nèi)等必要的部分進(jìn)行高潔凈化的局部潔凈化。
但是，在導(dǎo)入了像這樣的采用SMIF等的小型環(huán)境系統(tǒng)的最新工廠中，盡管使用局部潔凈化技術(shù)，進(jìn)行了垃圾或塵埃等微粒對策，但現(xiàn)狀是，如上述那樣的腐蝕性氣體成分的微粒比如由氨成分產(chǎn)生的微粒的產(chǎn)生對策沒有被實施。
為此，本發(fā)明中，在搬送室200的供氣口設(shè)置除去氨等胺類成分的化學(xué)過濾器等供氣過濾機(jī)構(gòu)，通過該供氣過濾機(jī)構(gòu)，向搬送室200內(nèi)導(dǎo)入外氣。據(jù)此，包含在向搬送室200內(nèi)導(dǎo)入的空氣中含有的胺類成分通過供氣過濾機(jī)構(gòu)被除去，所以，能夠防止產(chǎn)生起因于附著在完成處理的晶片W上的處理氣體的氣體成分的微粒(比如腐蝕性氣體成分的微粒、比如基于氨成分產(chǎn)生的微粒)。
這樣，本發(fā)明中，不僅搬送室200的排氣一側(cè)，而且在供氣一側(cè)，通過設(shè)置過濾裝置，也可以使對于附著在完成處理的晶片W上的氣體的對策萬無一失。
(搬送室的構(gòu)成例)下面，參照

涉及這種本發(fā)明的實施方式的搬送室的構(gòu)成例。圖4、圖5為表示涉及本實施方式的搬送室200的概略構(gòu)成的截面圖。圖4為從端部方向看搬送室200的截面的圖，圖5為從長度方向的側(cè)面方向(設(shè)置箱臺132的一側(cè))看搬送室200的截面的圖。另外，圖4中，省略了共通搬送機(jī)構(gòu)160，圖5中省略了定位器137。
如圖所示，搬送室200通過比如不銹鋼或鋁制框體210區(qū)劃構(gòu)成。在框體210的天井部(上部)220上，配置將空氣導(dǎo)入搬送室200內(nèi)部的供氣部230，在框體210的底部(下部)240上，配置將從供氣部230導(dǎo)入的空氣(外氣)向搬送室200的外部排氣的排氣部250。這樣，通過與供氣部230相對地置排氣部250，在搬送室200內(nèi)形成從天井部(上部)220朝向底部(下部)240的空氣下降氣流280。下面，關(guān)于這種供氣部230及排氣部250的構(gòu)成，詳細(xì)地進(jìn)行說明。
首先，關(guān)于供氣部230進(jìn)行說明。供氣部230具備從設(shè)置在框體210的天井部(上部)220上的供氣口222導(dǎo)入空氣的供氣扇232、過濾通過供氣扇232從供氣口222導(dǎo)入的空氣的供氣過濾機(jī)構(gòu)234。
具體地說，在框體210的天井部(上部)220的長度方向上，大致等間隔地設(shè)置多個供氣口222(222A～222C)，在這些供氣口222(222A～222C)的正下方分別配置多個供氣扇232(232A～232C)。另外，在這些供氣扇232(232A～232C)的正下方配置供氣過濾機(jī)構(gòu)234。
供氣過濾機(jī)構(gòu)234通過比如供氣過濾器236和自由拆卸地保持供氣過濾器236的框體238構(gòu)成。另外，供氣過濾機(jī)構(gòu)234也可以將供氣過濾器236直接自由拆卸地安裝在框體210等上構(gòu)成。
供氣過濾器236由除去包含在從供氣口222(222A～222C)導(dǎo)入的空氣中的胺類成分的胺類成分除去過濾器等構(gòu)成。這里，胺類成分中比如含有氨、胺等。胺中比如含有三甲胺、三乙胺、有機(jī)堿胺等。具體地說，供氣過濾器236比如由化學(xué)過濾器、活性炭過濾器等構(gòu)成。
另外，供氣過濾機(jī)構(gòu)234也可以做成上述胺類成分除去過濾器和除去導(dǎo)入搬送室200內(nèi)的外氣中所含有的塵埃或垃圾等粒子(微粒)的粒子除去過濾器這樣的兩層構(gòu)成。據(jù)此，可以防止與外氣一起，垃圾或塵埃等粒子進(jìn)入搬送室200內(nèi)。作為粒子除去過濾器，比如可以舉出ULPA(Ultra Low Penetration Air)過濾器。
另一方面，排氣部250具備從形成在框體210的底部(下部)240上的排氣口242排出空氣的排氣扇252，和過濾通過排氣扇252從排氣口242排出的空氣的排氣過濾機(jī)構(gòu)254。
具體地說，在框體210的底部240的長度方向上，大致等間隔地設(shè)置多個排氣口242(242A～242E)，在這些排氣口242(242A～242E)的正下方，分別配置多個排氣扇252(252A～252E)。另外，在這些排氣口242(242A～242E)的上方，覆蓋著排氣口242(242A～242E)配置排氣過濾機(jī)構(gòu)254。
各排氣扇252(252A～252E)由比如通過DC(直流)馬達(dá)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)控制，可控制扇的旋轉(zhuǎn)數(shù)的DC扇構(gòu)成。這樣，通過個別地調(diào)整各排氣扇252(252A～252E)的風(fēng)速，可以按照使在搬送室200內(nèi)形成的空氣的下降氣流280形成直線的方式進(jìn)行調(diào)整。假如在搬送室200內(nèi)形成的下降氣流280傾斜，流動發(fā)生混亂，則比如有發(fā)生微粒上卷，在搬送室200內(nèi)通過共通搬送機(jī)構(gòu)160附著在搬送中的晶片W上的可能。本實施方式中，由于可以進(jìn)行調(diào)整，使空氣的下降氣流280形成直線，因此，可以防止比如微粒上卷這樣的情況。
另外，排氣扇252(252A～252E)的數(shù)量，不限于如圖5表示的五個，既可以是四個以下，也可以是六個以上。這樣，通過沿搬送室200的長度方向設(shè)置多個排氣扇252，可以進(jìn)行搬送室200的長度方向上的空氣下降氣流280的精細(xì)調(diào)整。
另外，本實施方式中，關(guān)于在供氣部230處設(shè)置供氣扇232的同時，在排氣部250處也設(shè)置排氣扇252的情況進(jìn)行了說明，但是，也可以僅設(shè)置供氣扇232和排氣扇252的任一個。如果設(shè)置供氣扇232和排氣扇252的任一個，是因為使外氣進(jìn)入搬送室200內(nèi)，能夠產(chǎn)生空氣流動，比如產(chǎn)生上述下降氣流280。
不過，上述那樣的空氣的下降氣流280，僅通過供氣扇232，隨著向搬送室200內(nèi)的下方行進(jìn)，空氣的流動有可能發(fā)生混亂，所以，如本實施方式這樣，通過在排氣部250處也設(shè)置排氣扇252，通過向下方也給予吸引力，能夠更加使空氣的下降氣流280成為直線。
另外，在圖5中表示的排氣部250處，將排氣扇252設(shè)置在了排氣過濾機(jī)構(gòu)254的下方，所以，通過排氣過濾機(jī)構(gòu)254除去了含有Cl、Br的氣體等氣體成分(如Cl2、Br2、HCl、HBr等)的空氣通過排氣扇252。這樣，排氣扇252不會處于排氣中所包含的腐蝕成分中，所以，作為排氣扇252，沒有必要使用耐腐蝕性的排氣扇。因此，作為排氣扇252，可以使用便宜的排氣扇。不過，作為排氣部250，并不限于上述那樣的情況，也可以將排氣扇252設(shè)置在排氣過濾機(jī)構(gòu)254的下方。在這樣的情況下，作為排氣扇252，優(yōu)選使用耐腐蝕性的。
排氣過濾機(jī)構(gòu)254比如由排氣過濾器256和自由拆卸地保持排氣過濾器256的框體258構(gòu)成?？蝮w258在排氣過濾器256的下方留開空間260，保持排氣過濾器256。這樣，通過從各排氣扇252(252A～252E)隔離空間260而配置排氣過濾器256，可以使空氣幾乎均等地進(jìn)入排氣過濾器256(256A、256B)的整個面上。
另外，排氣過濾機(jī)構(gòu)254的框體258也可以這樣構(gòu)成在端部的一方或兩方設(shè)置開口部，從該開口部在長度方向上可自由滑動地拆卸排氣過濾器256。這樣，排氣過濾器256可以容易地從框體258上拆卸，所以，過濾器更換變得容易。
在此情況下，也可以將排氣過濾器256分割為多個進(jìn)行構(gòu)成。這樣，排氣過濾器256從排氣過濾機(jī)構(gòu)254中滑動，變得容易抽出放入，因此，更換變得更加容易。另外，排氣過濾器256的數(shù)量越多，越能縮小用于從排氣過濾機(jī)構(gòu)254取出排氣過濾器256的、在框體210內(nèi)確保的空間。這種排氣過濾器256的數(shù)量雖然無論分割為幾個都可以，但是，如果排氣過濾器256的數(shù)量過多，則反而耗費更換時間。
因此，考慮搬送室200內(nèi)的空間大小或者更換時間等，排氣過濾器256的數(shù)量最好做成比如兩個左右。另外，排氣過濾機(jī)構(gòu)254也可以將排氣過濾器256直接自由拆卸地安裝在框體210等上來構(gòu)成。
另外，在上述排氣過濾機(jī)構(gòu)254的上部，比如通過維修等成為作業(yè)人員進(jìn)入搬送室200內(nèi)的立腳地，也可以安裝上梯子。
作為上述排氣過濾器256，通過可以除去包含在比如從排氣口242(242A～242E)排氣的空氣中的有害成分的有害成分除去過濾器構(gòu)成。作為有害成分，可以舉出比如含有Cl、Br的氣體等腐蝕性氣體等氣體成分(如Cl2、Br2、HCl、HBr等)。
作為這種排氣過濾器256，適用這樣的化學(xué)過濾器通過碳酸鹽進(jìn)行的中和反應(yīng)化學(xué)地吸附除去排氣中所含有的有害成分(比如HCl、HBr等)。用化學(xué)式表示通過這種化學(xué)過濾器除去比如作為有害成分HCl、HBr的過程的話，分別如下列化學(xué)式(2-1)、(2-2)所示。
……(2-1)……(2-2)通過這種化學(xué)過濾器的空氣中包含的比如HCl、HBr，分別通過上列化學(xué)式(2-1)、(2-2)表示的反應(yīng)，成為氯化鉀(KCl)、溴化鉀(HBr)等鹽，附著在化學(xué)過濾器的表面，這樣被除去。另外，一旦附著在化學(xué)過濾器上的氯化鉀、溴化鉀等鹽，只要比如不施加加熱等一定的能量，就不會從化學(xué)過濾器上脫離。
這里，關(guān)于上述那樣的化學(xué)過濾器的構(gòu)成，參照附圖進(jìn)行說明。圖6為用于說明化學(xué)過濾器的構(gòu)成的示意圖，為從上方看化學(xué)過濾器的一部分時的圖?；瘜W(xué)過濾器比如成為圖6表示的蜂房式構(gòu)造。這種化學(xué)過濾器中，如果空氣從化學(xué)過濾器的上方向下方通過，則空氣中所含有的比如含有Cl、Br的氣體的氣體成分等有害成分附著在構(gòu)成蜂房式構(gòu)成的各構(gòu)成體的側(cè)面上，通過發(fā)生上述那樣的化學(xué)反應(yīng)(比如碳酸鹽的中和反應(yīng)等)，從空氣中除去比如HCl、HBr等有害成分。
因此，這種化學(xué)過濾器中，構(gòu)成蜂房式構(gòu)成的各構(gòu)成體的表面面積即空氣接觸的面積越大，有害成分的除去能力就越高。因此，比如化學(xué)過濾器的高度越高，或厚度越厚，則面積越大，因此，除去能力也越大。
這一點制約在搬送室200內(nèi)配置排氣過濾機(jī)構(gòu)254的部分的高度和厚度。即使在這樣的情況下，為了盡量提高有害成分的除去能力(除去效率)，也可以縮小構(gòu)成化學(xué)過濾器的蜂房式構(gòu)成的各構(gòu)成體的波形，擴(kuò)大整體面積。比如，圖6(a)、(b)為擴(kuò)大化學(xué)過濾器的相同厚度L的部分的圖。其中，將比起圖6(a)中表示的，縮小了構(gòu)成蜂房式構(gòu)成的各構(gòu)成體k的波的圖形表示為圖6(b)。這樣，通過縮小構(gòu)成蜂房式構(gòu)成的各構(gòu)成體k的波，即使為同樣厚度，也可以擴(kuò)大整體面積，因此，能夠提高有害成分的除去能力。
另外，排氣過濾機(jī)構(gòu)254的排氣過濾器256的更換時期，比如，通過實驗等測定耐久時間，據(jù)此設(shè)定更換時期，將其預(yù)先存儲在設(shè)置在比如基板處理裝置100的控制部的存儲器等中。然后，比如在上述控制部測定排氣過濾器256的使用時間，在達(dá)到上述更換時期后，比如也可以進(jìn)行將通知更換時期的表示顯示在控制部的顯示部等的處理。
另外，也可以在排氣過濾機(jī)構(gòu)254上安裝檢測排氣過濾器256的壽命的壽命傳感器。在此情況下，比如也可以這樣在上述控制部監(jiān)視壽命傳感器，壽命傳感器一檢測到排氣過濾器256的壽命，就進(jìn)行將通知更換時期的表示等顯示在控制部的顯示部等的處理。作為這種壽命傳感器，可以舉出檢測搬送室200內(nèi)的空氣中包含的比如HCl、HBr等氣體成分的量的傳感器等。除此之外，作為壽命傳感器，也可以將根據(jù)HCl等氣體成分的量，顏色發(fā)生變化的硅膠類檢測片等貼在比如排氣過濾機(jī)構(gòu)254上，作業(yè)人員進(jìn)行目視觀測。
另外，在搬送室200的框體210上，如圖4所示，分別設(shè)置用于從載置于箱臺132上的箱容器134搬進(jìn)搬出晶片W的搬進(jìn)搬出口212、用于在和上述負(fù)載鎖定室560之間搬進(jìn)搬出晶片W的搬進(jìn)搬出口214。在這些搬進(jìn)搬出口212、214上，分別設(shè)置上述門閥136、564，密封且自由開閉地構(gòu)成。圖4中省略了門閥136、564。
另外，在搬送室200的框體210上，如圖5所示，設(shè)置有用于向作為待機(jī)單元的酸排氣單元300搬進(jìn)搬出晶片W的搬進(jìn)搬出口216。酸排氣單元300具備使比如從搬送室200搬入的完成處理的晶片W暫時待機(jī)的基板待機(jī)室310和進(jìn)行該基板待機(jī)室310的排氣的酸排氣部320。
基板待機(jī)室310多層地可搭載多片(如十九片)地構(gòu)成。具體地說，比如，基板待機(jī)室310在其內(nèi)部具備基盤、固定在該基盤上，具有保持晶片周緣部的多層(如晶片十九片)保持溝的多根(如四根)基板保持支柱和作為設(shè)置在該基板保持支柱內(nèi)部的加熱部材的棒狀加熱器。
酸排氣部320的排氣管322比如連接在設(shè)置基板處理裝置100的工廠的排氣設(shè)備(比如清潔室的除害設(shè)備等)上。在酸排氣部320上，比如設(shè)置用于控制差壓或排氣的可變閥。通過由酸排氣部320的可變閥控制排氣量，可以使酸排氣部320的排氣量適合比如配置基板處理裝置100的工廠的排氣設(shè)備中的排氣用力。
比如通過共通搬送機(jī)構(gòu)160從處理裝置110一側(cè)向搬送室200返回的完成處理的晶片W，在回到箱容器134之前，臨時搬入酸排氣單元300的基板待機(jī)室310。此時，完成處理的晶片W保持在板保持支柱上，通過棒狀加熱器被加熱到特定溫度，待機(jī)到經(jīng)過特定時間。這樣，附著在完成處理的晶片W上的處理氣體的氣體成分從完成處理的晶片W放出。
另一方面，酸排氣部320中，通過來自連接在排氣管322的工廠的排氣設(shè)備的排氣吸引力，產(chǎn)生對基板待機(jī)室310進(jìn)行排氣的吸引力。這樣，即使比如從收納于基板待機(jī)室310內(nèi)的完成處理的晶片W上放出上述氣體成分(比如HCl、HBr)，該氣體也通過酸排氣部320排向工廠的排氣設(shè)備。
其后，經(jīng)過特定時間后，比如通過共通搬送機(jī)構(gòu)160，晶片W從基板待機(jī)室310被取出，返回到箱容器134。這樣，氣體附著在完成處理的晶片W上返回到箱容器134，因此，可以防止比如通過附著在完成處理的晶片W上的腐蝕性氣體的氣體成分污染箱容器134的內(nèi)部或收納于箱容器134內(nèi)的其他晶片W等。
(搬送室的動作例)下面，關(guān)于如以上那樣構(gòu)成的搬送室200的動作例進(jìn)行說明?；逄幚硌b置100一開始工作，搬送室200的供氣部230的各供氣扇232(232A～232C)及排氣部250的各供氣扇252(252A～252E)就驅(qū)動運轉(zhuǎn)。于是，從外部來的空氣從供氣口222(222A～222C)導(dǎo)入搬送室200內(nèi)，導(dǎo)入的空氣從排氣口242(242A～242E)被強(qiáng)制地向外部排氣。這樣，在搬送室200內(nèi)，形成從供氣部230向排氣部250，即從搬送室200的框體210的天井部(上部)朝向底部(下部)240的空氣的下降氣流280。
在此情況下，從外部(比如設(shè)置基板處理裝置100的清潔室)來的空氣，通過供氣部230的供氣過濾機(jī)構(gòu)234，向框體210內(nèi)導(dǎo)入。這樣，即使比如清潔室的空氣中含有氨等胺類成分，通過供氣過濾機(jī)構(gòu)234除去這種胺類成分的空氣也被向搬送室200內(nèi)導(dǎo)入。
這樣，由于搬送室200內(nèi)的氛圍中不含有胺類成分，所以，在比如從負(fù)載鎖定室560通過共通搬送機(jī)構(gòu)160使在處理室處理的完成處理的晶片W返回到搬送室200內(nèi)的情況下，可以防止在該完成處理的晶片W上產(chǎn)生起因于附著在上述處理完成晶片上的處理氣體的氣體成分的微粒。
另外，比如從清潔室導(dǎo)入搬送室200內(nèi)的空氣，通過排氣部250的排氣過濾機(jī)構(gòu)254排氣，再次向清潔室返回。這樣，比如在從負(fù)載鎖定室560通過共通搬送機(jī)構(gòu)160使完成處理的晶片W返回到搬送室200內(nèi)時，通過附著在完成處理的晶片W上的處理氣體的氣體成分，即使與完成處理的晶片W一起，含有包括Cl、Br氣體的氣體成分等有害成分的處理氣體進(jìn)入搬送室200內(nèi)，通過排氣過濾機(jī)構(gòu)254除去了這種有害成分的空氣也被向搬送室200的外部排氣。因此，可以防止比如在含有有害成分的狀態(tài)下搬送室200內(nèi)的空氣被向清潔室排氣。
(與利用酸排氣裝置排氣的搬送室的比較)但是，如基板處理裝置100那樣，在具備酸排氣單元300的情況下，關(guān)于從搬送室200進(jìn)行的排氣，能夠想到也可以全部利用酸排氣單元300的酸排氣部320，向工廠的排氣設(shè)備(如清潔室的除害設(shè)備)排氣。這樣的話，如本實施方式那樣，不將來自搬送室200的排氣向清潔室排氣也可以。
這里，以利用酸排氣裝置排氣的搬送室的構(gòu)成例為和本發(fā)明的比較例，更加具體地進(jìn)行說明。圖7表示利用酸排氣單元300對比如圖5表示的搬送室200進(jìn)行排氣時的構(gòu)成例。圖7表示的搬送室400，如圖5表示的搬送室200那樣，代替設(shè)置排氣部250，比如在框體210的底部240上設(shè)置略方筒狀的排氣管410，使該排氣管410的一端部開口，連接在酸排氣單元300的酸排氣部320上。
圖7表示的搬送室400，如圖5表示的搬送室200那樣，代替在框體210的底部240上設(shè)置排氣口242(242A～242E)，通過在排氣管410的上部設(shè)置排氣口412(412A～412E)，從該排氣口412(412A～412E)通過排氣管410，將搬送室200內(nèi)的空氣導(dǎo)向酸排氣單元300的酸排氣部320。
這種構(gòu)成的搬送室400中，通過從連接在酸排氣單元300的酸排氣部320的排氣管322上的工廠的排氣設(shè)備產(chǎn)生的排氣吸引力，通過酸排氣部320，從排氣管410的排氣口412(412A～412E)產(chǎn)生吸引力。這樣，搬送室200內(nèi)的空氣從排氣口412(412A～412E)被吸入，通過排氣管410，通過酸排氣部320，被向工廠的排氣設(shè)備排氣。因此，即使在從搬送室400進(jìn)行的排氣中含有有害成分，該有害成分也不會排出到清潔室中。
可是，來自搬送室400的排氣量，比來自酸排氣單元300的酸排氣部320的排氣量大很多，所以，如圖7表示的搬送室400那樣，如果將從搬送室400產(chǎn)生的全部排氣向工廠的排氣設(shè)備排氣，則對工廠的排氣設(shè)備產(chǎn)生較大負(fù)擔(dān)。這種搬送室的排氣量也根據(jù)基板處理裝置的處理能力不同而不同，比如，來自酸排氣單元300的酸排氣部320的排氣量為2m3/min，則來自搬送室400的排氣量達(dá)到其大致六倍的11.5m3/min。因此，如果通過工廠的排氣設(shè)備處理這些全部的排氣(比如13.5m3/min)，則對工廠的排氣設(shè)備施加的負(fù)擔(dān)也大。
與此相反，通過涉及本實施方式的圖5表示的搬送室200，關(guān)于搬送室200內(nèi)的排氣，因為可以從設(shè)置在底部240的排氣口242(242A～242E)直接排氣，因此，可以大幅度減輕對工廠的排氣設(shè)備施加的負(fù)擔(dān)。根據(jù)上述例子，關(guān)于搬送室200內(nèi)的排氣(比如11.5m3/min)，由于從搬送室200可以直接排氣，所以，向工廠的排氣設(shè)備排氣，成為只從酸排氣單元300的酸排氣部320的排氣(比如2m3/min)，對工廠的排氣設(shè)備施加的負(fù)擔(dān)大幅度減少。
而且，通過圖5表示的搬送室400，將具有除去排氣中所包含的有害成分的排氣過濾機(jī)構(gòu)254的排氣部250設(shè)置在框體210的底部240，因此，即使由于附著在完成處理的晶片W上的處理氣體的氣體成分，使得來自搬送室200的排氣中包含腐蝕成分等有害成分，也通過排氣過濾機(jī)構(gòu)254除去，因此，潔凈空氣從搬送室200被排出。這樣，即使從搬送室200比如向清潔室直接排氣，也不會在從搬送室200進(jìn)行的排氣中含有腐蝕成分等有害成分而被排氣，因此，可以防止清潔室內(nèi)的機(jī)材發(fā)生腐蝕。
另外，通過涉及本實施方式的搬送室200，如上述那樣，不利用酸排氣單元300可以進(jìn)行排氣，所以，也可以適用于未設(shè)置酸排氣單元300的基板處理裝置100。
另外，在上述酸排氣單元300的酸排氣部320處，也可以設(shè)置如本實施方式的排氣部250那樣的排氣扇和排氣過濾器，通過該排氣過濾器，從酸排氣部320進(jìn)行排氣。通過這樣設(shè)置，從酸排氣部320的排氣通過排氣過濾器，也可以除去比如像鹵素類成分等那樣的有害成分，因此，不將酸排氣部320的排氣管322連接在工廠的排氣設(shè)備上，可以比如向清潔室直接排氣。這樣，能夠更加減輕對工廠的排氣設(shè)備施加的負(fù)擔(dān)。
在此情況下，也可以將上述排氣過濾器設(shè)置在酸排氣部320的比如和基板待機(jī)室310的連接部位一側(cè)。通過這樣設(shè)置，被排氣過濾器除去有害成分的空氣進(jìn)入酸排氣部320的內(nèi)部，因此，可以不需要關(guān)于酸排氣部320的內(nèi)部的腐蝕對策。這樣，比如設(shè)置在酸排氣部320的內(nèi)部的差壓傳感器或可變閥等部件，也可以使用便宜的。
另外，本實施方式中，關(guān)于在排氣部250設(shè)置排氣過濾機(jī)構(gòu)254；同時，在供氣部230處也設(shè)置供氣過濾機(jī)構(gòu)234的情況進(jìn)行了說明，但是，并不一定局限于此，也可以只設(shè)置排氣部250的排氣過濾機(jī)構(gòu)254。這是因為如果至少在排氣部250設(shè)置排氣過濾機(jī)構(gòu)254，則能夠防止通過附著在完成處理的晶片W上的氣體，比如含有如鹵素類氣體那樣的有害的氣體成分的空氣被排氣。
但是，如果在供氣部230處也設(shè)置供氣過濾機(jī)構(gòu)234，則可以防止在該完成處理的晶片W上產(chǎn)生通過附著在完成處理的晶片W上的氣體，比如氨成分導(dǎo)致的微粒。這樣，通過在排氣過濾機(jī)構(gòu)254上進(jìn)一步組合供氣過濾機(jī)構(gòu)234，能夠使附著在完成處理的晶片W上的氣體對策萬無一失。
(基板處理裝置的其他構(gòu)成例)下面，關(guān)于涉及本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的其他構(gòu)成例，參照附圖進(jìn)行說明。比如，本發(fā)明不限于圖1表示的基板處理裝置100，能夠適用于種種基板處理裝置。圖8表示以多容器構(gòu)成真空處理單元的基板處理裝置的概略構(gòu)成。
圖8表示的基板處理裝置500具備具有對于基板比如晶片W進(jìn)行成膜處理、蝕刻處理等各種處理的多個處理室540的真空處理單元510、對于該真空處理單元510，搬進(jìn)搬出晶片W的搬送單元120。搬送單元120的構(gòu)成由于和圖1幾乎相同，故關(guān)于實質(zhì)上具有同一功能構(gòu)成的構(gòu)成部分，通過賦予同一符號，省略重復(fù)說明。
圖8表示的搬送單元120為以具備一個拾取部的單臂機(jī)構(gòu)構(gòu)成配置在搬送室200內(nèi)的共通搬送機(jī)構(gòu)(大氣側(cè)搬送機(jī)構(gòu))160的例子。固定共通搬送機(jī)構(gòu)160的基臺162，在沿長度方向設(shè)置的導(dǎo)軌(未圖示)上，在搬送室200的中心部可滑動移動地被支撐著。在該基臺162和導(dǎo)軌上，分別設(shè)置有線性馬達(dá)的可動元件和固定元件。在導(dǎo)軌的端部設(shè)置有用于驅(qū)動該線性馬達(dá)的線性馬達(dá)驅(qū)動機(jī)構(gòu)(未圖示)。在線性馬達(dá)驅(qū)動機(jī)構(gòu)上連接著控制部(未圖示)。這樣，根據(jù)從控制部發(fā)出的控制信號，線性馬達(dá)驅(qū)動機(jī)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動，共通搬送機(jī)構(gòu)160和基臺162一起，沿著導(dǎo)軌向箭頭方向移動。
圖8中，表示將比如具有六個處理室540A～540F的真空處理單元510配置在搬送裝置520的側(cè)面。真空處理單元510具備向六個處理室540A～540F搬進(jìn)搬出晶片的共通搬送室550，在該共通搬送室550的周圍，分別通過門閥544A～544F配置各處理室540A～540F。在該共通搬送室550中，分別通過門閥554M，554N配置可真空吸引的第一、第二負(fù)載鎖定室560M，560N。這些第一、第二負(fù)載鎖定室560M、560N分別通過門閥564M、564N連接在搬送室200的側(cè)面上。
這樣，上述共通搬送室550和上述六個各處理室540A～540F之間以及上述共通搬送室550和上述各負(fù)載鎖定室560M、560N之間，分別可密封且開閉地構(gòu)成，被分組工具化，根據(jù)需要，和共通搬送室550能夠連通。另外，上述第一及第二各負(fù)載鎖定室560M、560N和上述搬送室200之間也分別可密封地開閉。
上述各處理室540A～540F對于晶片W，比如實施同種處理或互不相同的異種處理。在各處理室540A，540B內(nèi)分別設(shè)置有用于載置晶片W的載置臺542A～542F。
上述負(fù)載鎖定室560M、560N具有在臨時保持晶片W，進(jìn)行壓力調(diào)整后，推向下一層的功能。上述負(fù)載鎖定室560M、560N也可以進(jìn)一步具有冷卻機(jī)構(gòu)或加熱機(jī)構(gòu)。
在共通搬送室550內(nèi)，設(shè)置有由比如可屈伸、升降、旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成的多關(guān)節(jié)臂構(gòu)成的搬送機(jī)構(gòu)(真空側(cè)搬送機(jī)構(gòu))570。該搬送機(jī)構(gòu)570可旋轉(zhuǎn)地支撐在基臺572上?；_572這樣構(gòu)成通過比如臂機(jī)構(gòu)576，從共通搬送室550內(nèi)的基端側(cè)到前端側(cè)設(shè)置的導(dǎo)軌574上，自由滑動。
根據(jù)這樣構(gòu)成的搬送機(jī)構(gòu)570，通過使搬送機(jī)構(gòu)570沿導(dǎo)軌574進(jìn)行滑動移動，可以進(jìn)入各負(fù)載鎖定室560M、560N及各處理室540A～540F。比如，在進(jìn)入上述各負(fù)載鎖定室560M、560N及相對配置的處理室540A、540F時，使搬送機(jī)構(gòu)570沿導(dǎo)軌574位于靠近共通搬送室550的基端一側(cè)。
另外，在進(jìn)入上述六個處理室540B～540E時，使搬送機(jī)構(gòu)570沿導(dǎo)軌574位于靠近共通搬送室550的前端一側(cè)。這樣，通過一個搬送機(jī)構(gòu)570，可以進(jìn)入連接在共通搬送室550上的所有負(fù)載鎖定室560M、560N或各處理室540A～540F。搬送機(jī)構(gòu)570具有兩個拾取部，一次可以處理兩片晶片。
另外，搬送機(jī)構(gòu)570的構(gòu)成，不限于上述構(gòu)成，也可以通過兩個搬送機(jī)構(gòu)構(gòu)成。比如也可以在靠近共通搬送室550的基端一側(cè)設(shè)置由可屈伸、升降、旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成的多關(guān)節(jié)臂構(gòu)成的第一搬送機(jī)構(gòu)的同時，在靠近共通搬送室550的前端一側(cè)設(shè)置由可屈伸、升降、旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成的多關(guān)節(jié)臂構(gòu)成的第二搬送機(jī)構(gòu)。另外，上述搬送機(jī)構(gòu)570的拾取部數(shù)量，不限于兩個，也可以比如僅具有一個。
關(guān)于圖8表示的基板處理裝置500的搬送室200，也可以適用圖5表示的構(gòu)成。這樣，關(guān)于圖8表示的類型的基板處理裝置500，也可以起到和圖1表示的類型的基板處理裝置100同樣的效果。
另外，基板處理裝置500中的處理室540的數(shù)量，不限于如圖8表示的六個，既可以是五個以下，也可以進(jìn)一步追加設(shè)置。另外，圖8表示的真空處理單元510中，關(guān)于在一個共通搬送室550的周圍連接多個處理室的處理室單元為一個的情況進(jìn)行了說明，但是，并不一定限于此，也可以做成這樣的構(gòu)成在一個共通搬送室550的周圍，通過緩沖室連接兩個以上已連接了多個處理室的處理室單元的，所謂串聯(lián)型的構(gòu)成。
以上，參照附圖，關(guān)于本發(fā)明的適合的實施方式進(jìn)行了說明，但是，不用說，本發(fā)明不限于所述例子。很明顯，如果是本行業(yè)人員，在記載于權(quán)利要求范圍內(nèi)的范疇內(nèi)，可以想到各種變更例或修正例，那些當(dāng)然被認(rèn)為也屬于本發(fā)明的技術(shù)性范圍。
比如，上述實施方式中，關(guān)于將具備除去腐蝕性氣體等含有的鹵素類氣體成分等的有害氣體成分的排氣過濾器的排氣部設(shè)置在基板處理裝置的搬送室的情況，進(jìn)行了說明，但是，并不一定限于此，也可以適用于基板處理裝置的負(fù)載鎖定室(比如圖1表示的負(fù)載鎖定室150A、150B，圖8表示的負(fù)載鎖定室560M、560N等)。
在設(shè)置在基板處理裝置中的負(fù)載鎖定室中，比如與連接在用于進(jìn)行負(fù)載鎖定室內(nèi)的真空排氣的真空泵等上的真空排氣部不同，另外設(shè)置進(jìn)行負(fù)載鎖定室內(nèi)的酸排氣的酸排氣部。該酸排氣部的酸排氣管連接在工廠的排氣設(shè)備上。在這種負(fù)載鎖定室中，通過上述各排氣管的閥控制，在特定時機(jī)進(jìn)行附著在處理完成晶片上進(jìn)入負(fù)載鎖定室內(nèi)的處理氣體的氣體成分(比如，HCl、HBr等鹵素類氣體成分)的排氣(酸排氣)。因此，即使在這種負(fù)載鎖定室中，通過設(shè)置在酸排氣管上具備排氣過濾器和排氣扇的排氣部，能夠從通過負(fù)載鎖定室的酸排氣管排氣出的排氣中，除去腐蝕性氣體的氣體成分等的有害成分。這樣，可以不將負(fù)載鎖定室的酸排氣管連接在工廠的排氣設(shè)備上，就那樣進(jìn)行排氣，因此，可以減輕工廠的排氣設(shè)備的負(fù)擔(dān)。
另外，上述實施方式中，關(guān)于比如將具備除去氨等胺類成分的供氣過濾器的供氣部設(shè)置在基板處理裝置的搬送室的情況進(jìn)行了說明，但是，并不一定局限于此，也可以適用于基板處理裝置的負(fù)載鎖定室。
在設(shè)置在基板處理裝置中的負(fù)載鎖定室內(nèi)，比如為了進(jìn)行大氣開放，設(shè)置有和外氣(比如清潔室)連通的連通口。這樣，含有氨等胺類成分的空氣有可能從連通口進(jìn)入負(fù)載鎖定室內(nèi)，所以，比如有可能在負(fù)載鎖定室內(nèi)附著在處理完成晶片上的處理氣體的氣體成分和進(jìn)入負(fù)載鎖定室內(nèi)的氨等反應(yīng)，在處理完成晶片上產(chǎn)生微粒。因此，即使在這種負(fù)載鎖定室的連通口中，通過設(shè)置比如具備除去氨等胺類成分的供氣過濾器的供氣部，從通過負(fù)載鎖定室的連通口導(dǎo)入的空氣中也可以除去胺類成分，因此，可以防止在處理完成的晶片上產(chǎn)生因附著的氣體產(chǎn)生的微粒。
另外，除了上述實施方式的基板處理裝置，本發(fā)明也可以適用于各種的基板處理裝置。作為其他基板處理裝置，比如也可以適用于縱型熱處理裝置、涂敷顯像裝置等。
(產(chǎn)業(yè)上的實用性)本發(fā)明可以適用于具備導(dǎo)入外氣，進(jìn)行排氣的搬送室和負(fù)載鎖定室等的基板處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具備用于對被處理基板實施特定處理的處理單元，和向該處理單元搬進(jìn)搬出被處理基板的搬送室，所述搬送室具備向所述搬送室內(nèi)導(dǎo)入外氣的供氣部；與所述供氣部相對地設(shè)置，對所述搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣部；和設(shè)置在所述排氣部，對所述排氣進(jìn)行過濾的排氣過濾機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述排氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去所述排氣中含有的有害成分的有害成分除去過濾器構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述排氣過濾機(jī)構(gòu)由化學(xué)過濾器或活性炭過濾器制成。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述排氣部具備設(shè)置在比所述排氣過濾機(jī)構(gòu)還靠近所述排氣的下游側(cè)的排氣扇。
5.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述供氣部具備對導(dǎo)入所述搬送室內(nèi)的外氣進(jìn)行過濾的供氣過濾機(jī)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，所述供氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去導(dǎo)入所述搬送室內(nèi)的外氣所含有的胺類成分的胺類成分除去過濾器構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，所述供氣過濾機(jī)構(gòu)由化學(xué)過濾器或活性炭過濾器制成。
8.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，所述供氣過濾機(jī)構(gòu)具備至少除去導(dǎo)入所述搬送室內(nèi)的外氣所含有的胺類成分的胺類成分除去過濾器，和除去導(dǎo)入所述搬送室內(nèi)的外氣中所含有的粒子的粒子除去過濾器。
9.一種基板處理裝置，其特征在于，具備用于對被處理基板實施特定處理的處理單元，和通過負(fù)載鎖定室向該處理單元搬進(jìn)搬出被處理基板的搬送室，所述負(fù)載鎖定室具備向所述負(fù)載鎖定室內(nèi)導(dǎo)入外氣的供氣部；進(jìn)行所述負(fù)載鎖定室內(nèi)的酸排氣的酸排氣部；和設(shè)置在所述酸排氣部，對所述酸排氣進(jìn)行過濾的排氣過濾機(jī)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，所述排氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去所述排氣中所含有的有害成分的有害成分除去過濾器構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，所述負(fù)載鎖定室的供氣部具備對導(dǎo)入所述負(fù)載鎖定室內(nèi)的外氣進(jìn)行過濾的供氣過濾機(jī)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，所述供氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去導(dǎo)入所述負(fù)載鎖定室內(nèi)的外氣中所含有的胺類成分的胺類成分除去過濾器構(gòu)成。
13.一種基板處理裝置，其特征在于，具備用于對被處理基板實施特定處理的處理單元，和向該處理裝置搬進(jìn)搬出被處理基板的搬送室，還具備與所述搬送室連接的待機(jī)單元，所述待機(jī)單元具有使通過所述處理單元處理的被處理基板臨時待機(jī)的基板待機(jī)室，和進(jìn)行該基板待機(jī)室的酸排氣的酸排氣部；以及設(shè)置在所述待機(jī)單元的酸排氣部，對所述酸排氣進(jìn)行過濾的排氣過濾機(jī)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，所述排氣過濾機(jī)構(gòu)由至少除去所述排氣中含有的有害成分的有害成分除去過濾器構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述搬送室上連接有用于進(jìn)行所述被處理基板的位置確定的位置確定裝置，所述待機(jī)單元配置在所述位置確定裝置的正下方。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，防止比如附著在處理完成的基板上的腐蝕性氣體等處理氣體的氣體成分和搬送室等的排氣一起，原樣地向外部排出，可減輕工廠的排器設(shè)備等的負(fù)擔(dān)。該基板處理裝置具備用于對晶片實施特定處理的處理單元和向該處理單元搬進(jìn)搬出晶片的搬送室(200)，搬送室(200)具有向搬送室(200)內(nèi)導(dǎo)入外氣的供氣部(230)、與供氣部(230)相對地設(shè)置，排出搬送室(200)內(nèi)氣體的排氣部(250)、設(shè)置在排氣部(250)上，由至少除去排氣中所含有的有害成分的有害成分除去過濾器(256)構(gòu)成的排氣過濾機(jī)構(gòu)(254)。
文檔編號H01L21/67GK1841655SQ20061006711
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者佐佐木義明, 村木雄介, 西村榮一, 小野優(yōu)子 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社