專利名稱：一種大功率發(fā)光二極管的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子元器件的生產(chǎn)制造工藝，具體與發(fā)光二極管的封裝方法有關(guān)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管已經(jīng)成為電子工業(yè)上最重要的原器件，而大功率發(fā)光二極管更具有廣泛的用途，可用在手電、礦燈、臺燈、戶外廣告、大型電子顯示裝置、太陽能路燈、背光系統(tǒng)等。其結(jié)構(gòu)形式是在碗形支架內(nèi)裝設(shè)晶片、金線、反射蓋等，在組裝過程中，晶片與支架之間采用的是銀膠連接，即先在支架內(nèi)層上涂布一層銀膠，然后再將晶片利用銀膠的粘性與支架內(nèi)層連接。由于銀膠的熱阻高，導(dǎo)熱性較差，因此采用此種方法組裝的發(fā)光二極管其散熱不佳，當(dāng)二極管的功率提升時，往往會因產(chǎn)品過熱而導(dǎo)致產(chǎn)品極易損壞，即使使用高導(dǎo)熱銀膠也無法解決大功率高超亮度發(fā)光二極管的散熱問題；另外，采用銀膠的發(fā)光二極管容易引起漏電，也容易縮短大功率發(fā)光二極管的壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種新的發(fā)光二極管的封裝方法，以提高大功率發(fā)光二極管的散熱性能、發(fā)光效率和使用壽命。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種大功率發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于包括如下步驟A、在碗形支架的內(nèi)層中底部鍍上導(dǎo)電優(yōu)良的金屬層；B、將發(fā)光晶片的底部與碗形支架內(nèi)層底部的金屬層通過共晶鍵合(Eutectic Bonding)的方式壓焊結(jié)合；C、將晶片的正負(fù)極通過金線與基板的正負(fù)極相連接；D、填充膠水封裝并烘干。
更優(yōu)的，步驟B中采用加熱管對碗形支架進(jìn)行加熱，并使用壓力對支架上的金屬鍍層與晶片間進(jìn)行共晶鍵合連接，使兩個接觸面融為一體。
由于采用了共晶鍵合的方式對晶片與金屬鍍層進(jìn)行連接并融為一體，且具有高導(dǎo)熱及導(dǎo)電的特性，使發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)接觸良好，熱阻值可以降到14°/W，相比于采用銀膠結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管而言重點(diǎn)解決了散熱性差的難題，從而增加了大功率發(fā)光二極管的發(fā)光效率和使用壽命。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明本發(fā)明公開了一種大功率發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于包括如下步驟A、碗形支架的內(nèi)層中底部鍍上導(dǎo)電優(yōu)良的金屬銀鍍或金鍍層；B、將發(fā)光晶片的底部與碗形支架內(nèi)層底部的金屬層通過共晶鍵合(Eutectic Bonding)的方式壓焊結(jié)合，具體是用加熱管對碗形支架進(jìn)行加熱，并使用壓力對支架上的金屬鍍層與晶片間進(jìn)行共晶鍵合連接，使兩個接觸面融為一體。
C、將晶片的正負(fù)極通過金線與基板的正負(fù)極相連接；D、填充膠水封裝并烘干。
由于采用了共晶鍵合的方式對晶片與金屬鍍層進(jìn)行連接并融為一體，且具有高導(dǎo)熱及導(dǎo)電的特性，使發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)接觸良好，熱阻值可以降到14°/W，相比于采用銀膠結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管而言重點(diǎn)解決了散熱性差的難題，從而增加了大功率發(fā)光二極管的發(fā)光效率和使用壽命。
權(quán)利要求
1.一種大功率發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于包括如下步驟A、在碗形支架的內(nèi)層中底部鍍上導(dǎo)電優(yōu)良的金屬層；B、將發(fā)光晶片的底部與碗形支架內(nèi)層底部的金屬層通過共晶鍵合(Eutectic Bonding)的方式壓焊結(jié)合；C、將晶片的正負(fù)極通過金線與基板的正負(fù)極相連接；D、填充膠水封裝并烘干。
2.如權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于步驟B中采用加熱管對碗形支架進(jìn)行加熱，并使用壓力對支架上的金屬鍍層及晶片間進(jìn)行共晶鍵合連接，使兩個接觸面融為一體。
3.如權(quán)利要求2所述的大功率發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于步驟A中的金屬層為鍍銀或鍍金層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種大功率發(fā)光二極管的封裝方法，其包括如下步驟A.在碗形支架的內(nèi)層中底部鍍上導(dǎo)電優(yōu)良的金屬層；B.將發(fā)光晶片的底部與碗形支架內(nèi)層底部的金屬層通過共晶鍵合(Eutectic Bonding)的方式壓焊結(jié)合；C.將晶片的正負(fù)極通過金線與基板的正負(fù)極相連接；D.填充膠水封裝并烘干。由于采用了共晶鍵合的方式使晶片與金屬鍍層進(jìn)行連接并融為一體，使發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)接觸良好，相比于采用銀膠結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管而言重點(diǎn)解決了散熱性差的難題，從而增加了大功率發(fā)光二極管的發(fā)光效率和使用壽命。
文檔編號H01L21/60GK101047214SQ200610034670
公開日2007年10月3日 申請日期2006年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月30日
發(fā)明者廖海 申請人:廖海