專利名稱：襯底處理裝置以及半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及襯底處理裝置以及半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法，例如涉及在半導(dǎo)體集成電路裝置(下面稱為IC)的制造方法中，用于在植入IC的半導(dǎo)體晶片(下面稱為晶片)上形成氧化膜或金屬膜等的CVD膜的成膜工序中使用的、有效的襯底處理裝置以及半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法。
背景技術(shù)：
在將氮化硅(Si3N4)或氧化硅(SiOx)以及多晶硅等堆積(沉積)在晶片上的IC的制造方法的成膜工序中，廣泛使用間歇式立式熱壁型減壓CVD裝置。
該間歇式立式熱壁型減壓CVD裝置具有形成收容晶片并通過熱CVD反應(yīng)進(jìn)行成膜的處理室的處理管；將多片晶片保持在整齊排列的狀態(tài)下，并運(yùn)入以及運(yùn)出處理室的舟皿；形成在處理管的正下方，并等待舟皿運(yùn)入運(yùn)出處理室的待機(jī)室；以及使舟皿升降而運(yùn)入運(yùn)出處理室的舟皿升降機(jī)。
作為以往的這種CVD裝置，有通過能承受不足大氣壓的壓力的真空容器(被稱為真空隔絕室。)來形成待機(jī)室的真空隔絕方式的間歇式立式熱壁型減壓CVD裝置(下稱真空隔絕式CVD裝置。)。例如參照專利文獻(xiàn)1以及專利文獻(xiàn)2。
并且，真空隔絕方式是指使用門閥等的隔離閥，分隔處理室和預(yù)備室(待機(jī)室)，防止空氣流入處理室，減少溫度或壓力等的干擾，使處理穩(wěn)定的方式。
專利文獻(xiàn)1特開2003-151909號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開平09-298137號(hào)公報(bào)一般，在真空隔絕式CVD裝置中作為預(yù)備室的待機(jī)室中，針對(duì)在進(jìn)行真空排氣時(shí)使用的真空用排氣口(排氣口)或凈化氣體供給口(供給口)、以及作為在達(dá)到大氣壓以上的壓力后進(jìn)行排氣的排氣口的通氣用排氣口(通氣口)的配置，沒有充分地考慮，因此，由于舟皿升降機(jī)產(chǎn)生的異物被卷入處理室，或由于沉淀在待機(jī)室的底部的粒子被揚(yáng)起，所以存在制造合格率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠改善真空隔絕方式的預(yù)備室中的氣體流動(dòng)的襯底處理裝置以及半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法。
在本申請(qǐng)所公開的發(fā)明中，具有代表性的發(fā)明如下。
(1)一種襯底處理裝置，包括收容襯底并對(duì)襯底進(jìn)行處理的處理室；與上述處理室連續(xù)設(shè)置的預(yù)備室；將層疊著多片襯底的襯底保持件運(yùn)入及/或運(yùn)出上述處理室的襯底保持件用機(jī)構(gòu)部；向上述預(yù)備室供給惰性氣體的惰性氣體供給口；以位于上述惰性氣體供給口上側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室，并對(duì)上述惰性氣體進(jìn)行排氣的第一排氣口；對(duì)上述預(yù)備室抽真空的第二排氣口；控制部，該控制部在對(duì)通過上述第二排氣口進(jìn)行了真空排氣的上述預(yù)備室內(nèi)進(jìn)行升壓后、維持在規(guī)定壓力時(shí)，控制從上述惰性氣體供給口供給的惰性氣體僅從上述第一排氣口進(jìn)行排氣。
(2)一種襯底處理裝置，包括收容襯底并進(jìn)行處理的處理室；與上述處理室連續(xù)設(shè)置的預(yù)備室；將層疊保持著多片襯底的襯底保持件運(yùn)入及/或運(yùn)出上述處理室的襯底保持件用機(jī)構(gòu)部；惰性氣體供給口，其以位于襯底保持區(qū)域下側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室，并向上述預(yù)備室供給惰性氣體的惰性氣體供給口，所述襯底保持區(qū)域?qū)⒁r底層疊保持在上述襯底保持件上；以位于上述襯底保持區(qū)域上側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室，并對(duì)上述惰性氣體進(jìn)行排氣的第一排氣口。
(3)上述(2)中所述的襯底處理裝置，上述預(yù)備室在上述襯底保持區(qū)域上端的下側(cè)，具有與上述第一排氣口不同的其它排氣口；并具有控制部，該控制部在將層疊保持著多片襯底的上述襯底保持件從上述預(yù)備室運(yùn)入上述處理室及/或從上述處理室向上述預(yù)備室運(yùn)出時(shí)，控制從上述惰性氣體供給口供給的惰性氣體使其從上述襯底保持區(qū)域下側(cè)向上述襯底保持區(qū)域上側(cè)流動(dòng)，僅從上述預(yù)備室所具有的多個(gè)排氣口中的位于上述襯底區(qū)域上側(cè)的第一排氣口進(jìn)行排氣。
(4)上述(2)中所述的襯底處理裝置，具有與上述第一排氣口不同的、以位于上述襯底保持區(qū)域下側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室的第二排氣口；并具有控制部，該控制部以使從上述第二排氣口排氣時(shí)的上述預(yù)備室內(nèi)的壓力與從上述第一排氣口排氣時(shí)的上述預(yù)備室內(nèi)的壓力相比成為低壓的方式進(jìn)行控制。
(5)上述(1)所述的襯底處理裝置，上述襯底保持件用機(jī)構(gòu)部由驅(qū)動(dòng)部和與該驅(qū)動(dòng)部連接的襯底保持件設(shè)置部構(gòu)成，上述預(yù)備室被分隔板分隔成設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)部的區(qū)域和在上述襯底保持件設(shè)置部設(shè)置上述襯底保持件的區(qū)域，上述第一排氣口被設(shè)成與設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)部的區(qū)域連通，上述惰性氣體供給口被設(shè)成與設(shè)置上述襯底保持件的區(qū)域連通。
(6)上述(2)所述的襯底處理裝置，上述襯底保持件用機(jī)構(gòu)部由驅(qū)動(dòng)部和與該驅(qū)動(dòng)部連接的襯底保持件設(shè)置部構(gòu)成，上述預(yù)備室被分隔板分隔成設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)部的區(qū)域和在上述襯底保持件設(shè)置部設(shè)置上述襯底保持件的區(qū)域，上述第一排氣口被設(shè)成與設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)部的區(qū)域連通，上述惰性氣體供給口被設(shè)成與設(shè)置上述襯底保持件的區(qū)域連通。
(7)上述(1)～(6)中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，在上述惰性氣體供給口上設(shè)有多孔質(zhì)部件，上述惰性氣體被從該惰性氣體供給口供給到上述預(yù)備室。
(8)上述(1)所述的襯底處理裝置，上述規(guī)定壓力是接近大氣壓的壓力。
(9)上述(5)或(6)所述的襯底處理裝置，在上述預(yù)備室的側(cè)壁和上述分隔板之間設(shè)有間隙。
(10)一種半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法，該方法使用襯底處理裝置，所述襯底處理裝置包括收容襯底并對(duì)襯底進(jìn)行處理的處理室；與上述處理室連續(xù)設(shè)置的預(yù)備室；將層疊著多片襯底的襯底保持件運(yùn)入及/或運(yùn)出上述處理室的襯底保持件用機(jī)構(gòu)部；向上述預(yù)備室供給惰性氣體的惰性氣體供給口；以位于上述惰性氣體供給口上側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室，并對(duì)上述惰性氣體進(jìn)行排氣的第一排氣口；對(duì)上述預(yù)備室抽真空的第二排氣口；以及控制部，該控制部在對(duì)通過上述第二排氣口進(jìn)行了真空排氣的上述預(yù)備室內(nèi)進(jìn)行升壓后，維持在規(guī)定壓力時(shí)，控制從上述惰性氣體供給口供給的惰性氣體僅從上述第一排氣口進(jìn)行排氣；具有一面使從上述惰性氣體供給口供給到上述預(yù)備室的惰性氣體向上側(cè)流動(dòng)，并僅從第一排氣口進(jìn)行排氣，一面將層疊保持著上述多片襯底的襯底保持件從上述預(yù)備室運(yùn)入上述處理室及/或從上述處理室向上述預(yù)備室運(yùn)出的步驟，以及在上述處理室對(duì)上述襯底進(jìn)行處理的步驟。
(11)一種半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法，是使用上述(2)～(6)中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法，具有一面使從上述惰性氣體供給口供給到上述預(yù)備室的惰性氣體從上述襯底保持區(qū)域下側(cè)向上述襯底保持區(qū)域上側(cè)流動(dòng)，并僅從上述第一排氣口進(jìn)行排氣，一面將層疊保持著上述多片襯底的襯底保持件從上述預(yù)備室運(yùn)入上述處理室及/或從上述處理室向上述預(yù)備室運(yùn)出的步驟；以及在上述處理室對(duì)上述襯底進(jìn)行處理的步驟。
根據(jù)上述手段(1)，從惰性氣體供給口供給的惰性氣體從以層疊狀態(tài)被保持在襯底保持件的襯底的區(qū)域下側(cè)向以層疊狀態(tài)被保持在襯底保持件的襯底的區(qū)域上側(cè)流動(dòng)，并從排氣口(第一排氣口)進(jìn)行排氣。通過該流動(dòng)以及排氣，可以將從機(jī)構(gòu)部產(chǎn)生的異物從通氣用排氣口進(jìn)行排氣。
另外，在襯底保持件裝載以及襯底保持件卸載時(shí)，由于預(yù)備室與處理室連通且預(yù)備室以及預(yù)備室的環(huán)境氣體被加熱，所以被加熱的環(huán)境氣體從下向上流動(dòng)。因此，沒有擾亂從惰性氣體供給口朝向第一排氣口(通氣用排氣口)從下向上流動(dòng)的惰性氣體的氣流，能夠進(jìn)行凈化。其結(jié)果為，可以更有效地排出異物，能夠有效地防止預(yù)備室的襯底保持件區(qū)域、處理室以及晶片的污染。


圖1a是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的真空隔絕式CVD裝置的整體的局部省略立體圖。
圖1b是同樣地表示側(cè)清潔單元的局部省略立體圖。
圖2是表示其主要部分的后視剖視圖。
圖3是沿圖2的III-III線的剖視圖。
圖4是表示惰性氣體供給口的斷流閥、通氣用排氣口的斷流閥以及真空用排氣口的斷流閥的開關(guān)的時(shí)序圖。
圖5是表示舟皿運(yùn)入時(shí)的局部省略后視剖視圖。
圖6是表示比較例的真空隔絕式CVD裝置中的氣體的流動(dòng)的線圖。
圖7是表示本實(shí)施方式的氣體的流動(dòng)的線圖。
符號(hào)說明1...晶片(襯底)、2...盒子、10...真空隔絕式CVD裝置(襯底處理裝置)、11...箱體、12...盒子轉(zhuǎn)交單元、13...盒子載置臺(tái)、14...盒子升降機(jī)、15...盒子移載裝置、16...滑動(dòng)載置臺(tái)、17...盒子架、18...緩沖盒子架、19...清潔單元、19A...側(cè)清潔單元、20...晶片移載裝置、21...移載室、22...耐壓箱體(容器)、23...待機(jī)室、24...晶片運(yùn)入運(yùn)出口、25...真空隔絕門、26...凸緣、27...舟皿運(yùn)入運(yùn)出口、28...閘門、29...加熱器單元設(shè)置室、30...加熱器單元、31...處理管、32...外管、33...內(nèi)管、34...處理室、35...排氣路、36...歧管、37...排氣管、38...氣體導(dǎo)入管、40...舟皿升降機(jī)、40a...進(jìn)給絲杠、40b...導(dǎo)軸、40c...升降基臺(tái)、40d...馬達(dá)、41...臂、42...基臺(tái)、43...密封帽、43a...密封環(huán)、44...舟皿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)用馬達(dá)、45...旋轉(zhuǎn)軸、46...舟皿支架、47...分隔板、47a...縱槽、47b...冷卻水配管、48...間隙、49...分隔板、50...舟皿、51、52...端板、53...保持部件、54...保持槽、61...惰性氣體供給口、62...惰性氣體供給管線、63...斷流閥、64...惰性氣體供給裝置、65、66...比較例的惰性氣體供給噴嘴、67...中斷過濾器、71...通氣用排氣口、72...通氣管線、73...斷流閥、74...排氣管道裝置、75、76、77...比較例的通氣用排氣口、78...壓力計(jì)、81...真空用排氣口、82...排氣管線、83...斷流閥、84...排氣裝置、91、92...惰性氣體的流動(dòng)線、100...控制部。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。
在本實(shí)施方式中，有關(guān)本發(fā)明的襯底處理裝置作為真空隔絕式CVD裝置(真空隔絕方式的間歇式立式熱壁型減壓CVD裝置)而構(gòu)成。該真空隔絕式CVD裝置是作為在IC的制造方法中用于在作為被處理襯底的晶片上形成CVD膜的成膜工序中使用的裝置而構(gòu)成。
如圖1a所示，真空隔絕式CVD裝置10具有箱體11。在箱體11的前面設(shè)有盒子轉(zhuǎn)交單元12。盒子轉(zhuǎn)交單元12具有盒子載置臺(tái)13，該盒子載置臺(tái)13能夠載置兩臺(tái)作為晶片1的載體的盒子2。
在盒子載置臺(tái)13上由外部運(yùn)送裝置(未圖示)運(yùn)送來的盒子2以垂直姿勢(shì)(被收納在盒子2內(nèi)的晶片1成為垂直的狀態(tài))載置在盒子載置臺(tái)13上。若盒子2以垂直姿勢(shì)被載置，則盒子載置臺(tái)13通過旋轉(zhuǎn)90度，將盒子2轉(zhuǎn)換成水平姿勢(shì)。
在盒子載置臺(tái)13的后側(cè)設(shè)置著盒子升降機(jī)14，盒子升降機(jī)14使盒子移載裝置15升降。
在盒子升降機(jī)14的后側(cè)設(shè)置通過滑動(dòng)載置臺(tái)16而橫向移動(dòng)的盒子架17，在盒子架17的上方設(shè)置著緩沖盒子架18。
在盒子架17的后側(cè)，以可旋轉(zhuǎn)以及可升降的方式設(shè)置晶片移載裝置(wafer transfer equipment)20，晶片移載裝置20可以將多片晶片1一起或者每片分別移載。
箱體11內(nèi)的、設(shè)置有晶片移載裝置20并可使其工作的空間是移載室21。
在緩沖盒子架18的后側(cè)設(shè)置著使清潔空氣在箱體11的內(nèi)部流通的清潔單元19。
另外，如圖1b所示，在箱體11的側(cè)壁，設(shè)置有使清潔空氣向移載室21流通的側(cè)清潔單元19A。
在箱體11的后端部的下部設(shè)置著耐壓箱體22。耐壓箱體22形成為具有能承受不足大氣壓(約10萬Pa)的壓力(下面稱為負(fù)壓)的構(gòu)造的箱體。耐壓箱體22形成真空隔絕方式的預(yù)備室即待機(jī)室23。
在耐壓箱體22的前面壁上，開設(shè)晶片運(yùn)入運(yùn)出口24，晶片運(yùn)入運(yùn)出口24被真空隔絕門25開關(guān)。
如圖2所示，在耐壓箱體22的頂壁設(shè)置有凸緣26，在凸緣26上開設(shè)襯底保持件即運(yùn)入運(yùn)出舟皿的舟皿運(yùn)入運(yùn)出口27。舟皿運(yùn)入運(yùn)出口27被真空隔絕方式的隔離閥即閘門28開關(guān)。
在耐壓箱體22上通過箱體11構(gòu)架加熱器單元設(shè)置室29，將作為加熱構(gòu)件的加熱單元30沿垂直方向設(shè)置在加熱器單元設(shè)置室29上。
省略詳細(xì)說明以及圖示，加熱器單元30具有由隔熱材料形成為圓筒形狀的隔熱層，以及由電阻發(fā)熱體形成并配置在隔熱層的內(nèi)周面的加熱器。加熱器單元30由控制部100控制，控制成遍及內(nèi)側(cè)空間全長且為均勻或規(guī)定的溫度分布，例如500℃以上。
以同心圓的方式將處理管31設(shè)置在加熱器單元30的內(nèi)部。
處理管31具有配置成互為同心圓的外管32和內(nèi)管33。
外管32使用石英(SiO2)或碳化硅(SiC)，一體形成為上端封閉、下端開口的圓筒形狀。
內(nèi)管33使用石英或碳化硅，形成為上下兩端開口的圓筒形狀。
內(nèi)管33的筒中空部形成處理室34，處理室34構(gòu)成為可以運(yùn)入被舟皿保持成同心層疊狀態(tài)的多片晶片。內(nèi)管33的下端開口被設(shè)定成比晶片的最大外徑大的口徑。
通過外管32和內(nèi)管33的間隙，形成圓形環(huán)狀的排氣路35。
如圖5所示，在外管32的下端，將歧管36配設(shè)成與外管32同心圓。歧管36使用不銹鋼并形成為上下兩端開口的短尺寸圓筒形狀。
由于歧管36被設(shè)置在耐壓箱體22上的凸緣26支承，所以外管32成為被垂直地支承的狀態(tài)。
在歧管36的側(cè)壁的上側(cè)部分連接著大口徑的排氣管37的一端，排氣管37的另一端連接于真空排氣裝置(未圖示)。排氣管37對(duì)由外管32和內(nèi)管33的間隙所形成的排氣路35進(jìn)行排氣。
在處理室34的下側(cè)空間，以與處理室34內(nèi)連通的方式插入氣體導(dǎo)入管38，氣體導(dǎo)入管38的另一端與供給原料氣體或氮?dú)獾鹊亩栊詺怏w的氣體供給裝置(未圖示)、或供給對(duì)晶片1進(jìn)行處理的處理氣體的氣體供給裝置(未圖示)連接。
設(shè)置在待機(jī)室23上的襯底保持件用機(jī)構(gòu)部具有驅(qū)動(dòng)部和與該驅(qū)動(dòng)部連接的舟皿設(shè)置部。在舟皿設(shè)置部上設(shè)置著舟皿。
如圖2以及圖3所示，驅(qū)動(dòng)部是在待機(jī)室23內(nèi)，由進(jìn)給絲杠40a、導(dǎo)軸40b、升降基臺(tái)40c以及馬達(dá)40d等構(gòu)成的舟皿升降機(jī)40。進(jìn)給絲杠40a由馬達(dá)40d驅(qū)動(dòng)。
在舟皿40的升降基臺(tái)40c上連接著臂41，在該臂41上設(shè)置著基臺(tái)42。在該基臺(tái)42上水平地支承著密封帽43。
在該密封帽43的外側(cè)周圍配置著密封環(huán)43a。另外，密封帽43形成為與凸緣26的外徑大致相等的圓盤形狀。
密封帽43構(gòu)成為借助密封環(huán)43a封閉凸緣26的下端面，并密封舟皿運(yùn)入運(yùn)出口27。
在基臺(tái)42的中心線上沿垂直方向插通旋轉(zhuǎn)軸45，旋轉(zhuǎn)軸45由軸承裝置(未圖示)以可自由旋轉(zhuǎn)的方式支承。旋轉(zhuǎn)軸45構(gòu)成為通過舟皿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)用馬達(dá)44旋轉(zhuǎn)。
在旋轉(zhuǎn)軸45的上端水平地固定配置著舟皿支架46，在舟皿支架46上垂直地立設(shè)著舟皿50。
通過該臂41、基臺(tái)42、密封帽43、舟皿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)用馬達(dá)44、旋轉(zhuǎn)軸45、舟皿支架46以及密封環(huán)43a等，形成用于將舟皿50設(shè)置在襯底保持件用機(jī)構(gòu)部上的舟皿設(shè)置部。
并且，可省略針對(duì)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的舟皿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)用馬達(dá)44。在該情況下，旋轉(zhuǎn)軸45不旋轉(zhuǎn)，是固定的軸。
舟皿50具有上下一對(duì)端板51以及52、和垂直地配設(shè)在兩端板51、52之間的多根保持部件53。在各保持部件53上沿長度方向等間隔地分別刻設(shè)著多條保持槽54。各保持部件53的保持槽54彼此被配置成相互在同一平面內(nèi)開口。
這樣，通過使晶片1的外周邊部插入多條保持槽54之間，晶片1被水平地且以中心相互大致對(duì)齊的狀態(tài)被排列，而以層疊狀態(tài)被保持在舟皿50上。
如圖2以及圖3所示，在待機(jī)室23中，垂直地豎立設(shè)置將待機(jī)室23分成兩個(gè)部分的分隔板47。分隔板47被配置成將待機(jī)室23分隔成襯底保持件用機(jī)構(gòu)部的驅(qū)動(dòng)部即舟皿升降機(jī)40的設(shè)置區(qū)域(下面稱為舟皿升降機(jī)區(qū)域。)、和在襯底保持件用機(jī)構(gòu)部設(shè)置有襯底保持件即舟皿50的區(qū)域(下面稱為舟皿設(shè)置區(qū)域。)。
在分隔板47的兩肋，在垂直方向，細(xì)長的一對(duì)間隙48在與待機(jī)室23的側(cè)壁內(nèi)面之間分別形成，兩間隙48、48被設(shè)定成在能允許臂41升降的范圍內(nèi)盡可能地狹窄。即，臂41形成為間隔寬、橫向?qū)挾刃〉膬刹嫘螤?，并分別被插入兩間隙48、48中。
如圖3所示，在分隔板47的中間部形成多條縱槽47a，沿這些縱槽47a分別鋪設(shè)冷卻水配管47b。
通過這些冷卻水配管47b，在舟皿卸載時(shí)等，可以減少來自加熱器單元30的熱的影響。
另外，也可以省略縱槽47a。
在耐壓箱體22的舟皿設(shè)置區(qū)域中的以層疊狀態(tài)保持在舟皿50上的多片晶片(襯底)的區(qū)域(下面稱為襯底保持區(qū)域)下側(cè)，開設(shè)有惰性氣體供給口61，惰性氣體供給口61向待機(jī)室23供給氮?dú)獾鹊亩栊詺怏w。
在惰性氣體供給口61上連接著惰性氣體供給管線62。在惰性氣體供給管線62上連接著可借助斷流閥63進(jìn)行氣體流量調(diào)整的惰性氣體供給裝置64。
惰性氣體供給裝置64以及斷流閥63被控制部100控制。
另外，如圖2所示，也可以使惰性氣體供給管線62延伸到密封罩43的側(cè)方附近，在其前端設(shè)置中斷過濾器(break filter)67。該中斷過濾器67是多孔質(zhì)部件，通過該多孔質(zhì)部件的惰性氣體從多孔質(zhì)部件向待機(jī)室23內(nèi)多方向供給。
在耐壓箱體22的舟皿升降機(jī)設(shè)置區(qū)域中的襯底保持區(qū)域上側(cè)，開設(shè)有對(duì)待機(jī)室23的惰性氣體進(jìn)行排氣的第一排氣口即通氣用排氣口71，在通氣用排氣口71上連接著通氣管線72。在通氣管線72上，借助斷流閥73，連接著IC制造工廠的排氣管道裝置74。
在待機(jī)室23和斷流閥73之間的通氣管線72上安裝著壓力計(jì)78。
若檢測(cè)出壓力計(jì)78為大氣壓以上，則將達(dá)到大氣壓以上的情況通知控制部100。據(jù)此，因?yàn)槟軌虼蜷_斷流閥73的條件齊備，所以若收到來自控制部100的打開信號(hào)，則將斷流閥73打開。
壓力計(jì)78若檢測(cè)出為大氣壓以下，則因?yàn)榇蜷_斷流閥73的條件沒有齊備，所以控制部100不會(huì)發(fā)出打開信號(hào)，則斷流閥73關(guān)閉?；蛘呖刂撇?00發(fā)出關(guān)閉信號(hào)，斷流閥73關(guān)閉。
另外，也可以替代在通氣管線72上連接IC制造工廠的排氣管道裝置74，借助排氣流量調(diào)整器，與真空泵連接。
再有，如圖2以及圖3所示，在耐壓箱體22的下端部中的與一個(gè)間隙48相對(duì)的位置上，開設(shè)對(duì)待機(jī)室23抽真空的真空用排氣口(第二排氣口)81，在真空用排氣口81上連接著排氣管線82。
在排氣管線82上借助斷流閥83連接著由真空泵構(gòu)成的排氣裝置84。排氣裝置84以及斷流閥83由控制部100控制。
將真空用排氣口81設(shè)置在耐壓箱體22的下端部，即，襯底保持區(qū)域下側(cè)的理由是為了在對(duì)待機(jī)室23內(nèi)進(jìn)行真空排氣時(shí)，不會(huì)將因重力滯留在待機(jī)室23下部的粒子揚(yáng)起到晶片1上而進(jìn)行排氣。
在真空排氣的情況下，與進(jìn)行接近大氣壓的排氣不同，在排氣初期的排氣量大，另外，在排氣中被排氣的氣體的流速快，揚(yáng)起粒子的影響極大。
接著，說明使用上述構(gòu)成的真空隔絕式CVD裝置的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式即IC制造方法中的成膜工序。
收納著多片晶片1的盒子2通過外部運(yùn)送裝置被供給到盒子轉(zhuǎn)交單元12的盒子載置臺(tái)13上。被供給的盒子2通過盒子載置臺(tái)13旋轉(zhuǎn)90度而成為水平姿勢(shì)。
成為水平姿勢(shì)的盒子2通過盒子移載裝置15向盒子架17或者緩沖盒子架18運(yùn)送移載。
此后應(yīng)成膜的被收納在盒子2的晶片1由晶片移載裝置20，通過耐壓箱體22的晶片運(yùn)入運(yùn)出口24運(yùn)入待機(jī)室23，并裝填(裝載)在舟皿50上。
在該裝載步驟，因?yàn)榫\(yùn)入運(yùn)出口24開放，所以如圖4所示，惰性氣體供給口61的斷流閥63關(guān)閉，惰性氣體的供給停止，通氣用排氣口71的斷流閥73打開，待機(jī)室23的環(huán)境氣體被排氣(通氣)。真空用排氣口81的斷流閥83關(guān)閉，抽真空停止。據(jù)此，移載室21的環(huán)境氣體借助晶片運(yùn)入運(yùn)出口24供給到待機(jī)室23，從通氣用排氣口71排出。
因?yàn)橐戚d室21從側(cè)清潔單元19A供給清潔空氣，所以即使清潔空氣進(jìn)入移載室21，也不會(huì)成為污染源。另外，因?yàn)閺闹勖?0的設(shè)置區(qū)域向舟皿升降機(jī)40的設(shè)置區(qū)域存在清潔空氣的流動(dòng)，所以使從舟皿升降機(jī)40產(chǎn)生的異物或粒子不會(huì)流到舟皿50的設(shè)置區(qū)域，從而抑制了污染。
并且，即使從惰性氣體供給口61持續(xù)供給惰性氣體，因?yàn)槟軌蚓S持從舟皿50的設(shè)置區(qū)域向舟皿升降機(jī)40的氣體流動(dòng)，所以也可以持續(xù)供給惰性氣體。
順便提及一下，此時(shí)，如圖2所示，通過舟皿運(yùn)入運(yùn)出口27被閘門28關(guān)閉，能夠防止處理室34的高溫環(huán)境氣體流入待機(jī)室23。因此，裝填過程中的晶片1以及已被裝填的晶片1不會(huì)曝露在高溫環(huán)境氣體中，防止由于晶片1被曝露于高溫環(huán)境氣體而造成的自然氧化等不良情況的發(fā)生。
若將被預(yù)先指定片數(shù)的晶片1裝填到舟皿50，則晶片運(yùn)入運(yùn)出口24被真空隔絕門25關(guān)閉。
接著，如圖4所示，通氣用排氣口71的斷流閥73關(guān)閉，真空用排氣口81的斷流閥83打開，并通過排氣裝置84抽真空，待機(jī)室83被減壓到規(guī)定壓力(例如200Pa)(減壓步驟)。
此時(shí)，惰性氣體供給口61的斷流閥63關(guān)閉，惰性氣體的供給停止。但是，也可以通過排氣裝置(例如，蝸輪分子泵)，極其緩慢地供給惰性氣體。待機(jī)室23的氧(O2)和水分通過該抽真空被除去。
待機(jī)室23被減壓到規(guī)定壓力后，如圖4所示，真空用排氣口81的斷流閥83關(guān)閉，排氣裝置84的抽真空被停止，惰性氣體供給口61的斷流閥63打開，惰性氣體(例如，氮?dú)饷糠昼?00-200升)被供給到待機(jī)室23，待機(jī)室23的空氣被惰性氣體驅(qū)逐(惰性氣體凈化步驟)。
若由壓力計(jì)78檢測(cè)到待機(jī)室23的環(huán)境氣體被惰性氣體置換，并且，待機(jī)室23的壓力回復(fù)到大氣壓，則通氣用排氣口71的斷流閥73打開，進(jìn)行排氣，將待機(jī)室23維持在接近大氣壓。據(jù)此，在將晶片1向舟皿50裝填的過程中，進(jìn)入到待機(jī)室23的環(huán)境氣體從待機(jī)室23排出。
然后，處理室34的爐口即舟皿運(yùn)入運(yùn)出口27由于閘門28打開而被開放。此時(shí)，因?yàn)樘幚硎?4的環(huán)境氣體被惰性氣體預(yù)先置換，同時(shí)，壓力比待機(jī)室23高一些，所以能夠防止待機(jī)室23內(nèi)的環(huán)境氣體侵入處理室34。
另外，因?yàn)榇龣C(jī)室23的氧和水分被預(yù)先除去，所以即使晶片1被曝露于來自處理室34的輻射熱中，在晶片1的表面也不會(huì)生成自然氧化膜。
接著，借助基臺(tái)42、旋轉(zhuǎn)軸45以及舟皿支架46被支承在舟皿升降機(jī)40的臂41上的舟皿50從舟皿運(yùn)入運(yùn)出口27逐漸被運(yùn)入(舟皿裝載)處理管31的處理室34中。
然后，如圖5所示，因?yàn)槿糁勖?0達(dá)到上限位置，則密封帽43的上面的周邊部的密封環(huán)43a將舟皿運(yùn)入運(yùn)出口27封閉為密封狀態(tài)，所以處理管31的處理室34成為氣密關(guān)閉的狀態(tài)。
在該舟皿裝載步驟中，如圖4所示，惰性氣體供給口61的斷流閥63打開，惰性氣體(氮?dú)饷糠昼?00-200升)被供給，通氣用排氣口71的斷流閥73打開，待機(jī)室23內(nèi)的環(huán)境氣體進(jìn)行排氣。真空用排氣口81的斷流閥83關(guān)閉。
另外，從氣體導(dǎo)入管38也向處理室34供給惰性氣體(例如，氮?dú)饷糠昼?-50升)。這樣，待機(jī)室23以及處理室34也被維持在接近大氣壓。
在該舟皿裝載步驟中，從惰性氣體供給口61供給的惰性氣體從與以層疊狀態(tài)被保持在舟皿50的多片襯底的區(qū)域即襯底保持區(qū)域下側(cè)向襯底保持區(qū)域上側(cè)流動(dòng)，從通氣用排氣口71(第一排氣口)進(jìn)行排氣。此時(shí)，真空用排氣口81(第二排氣口)被斷流閥83阻止排氣。因此，僅從通氣用排氣口71排氣，僅從襯底保持區(qū)域的上側(cè)排氣，從與襯底保持區(qū)域相比的下側(cè)流動(dòng)到與襯底保持區(qū)域相比的上側(cè)的惰性氣體的氣流被整流，沒有被擾亂。
但是，因?yàn)樘幚硎?4的爐口由于閘門28打開而被開放，所以來自加熱器單元30的輻射熱借助處理室34的爐口向待機(jī)室23輻射，待機(jī)室23以及待機(jī)室23的環(huán)境氣體被加熱，成為高溫，產(chǎn)生欲使待機(jī)室23內(nèi)的環(huán)境氣體從下向上流動(dòng)的原因。
但是，在本實(shí)施方式中，因?yàn)榕艢饬Ξa(chǎn)生的流動(dòng)方向與待機(jī)室23的被加熱的環(huán)境氣體的流動(dòng)方向?qū)嵸|(zhì)上是大致相同的方向，所以被加熱的環(huán)境氣體的流動(dòng)不會(huì)擾亂排氣力產(chǎn)生的氣流。
假設(shè)，惰性氣體想要從待機(jī)室23的上方向下流動(dòng)時(shí)，熱的待機(jī)室23的環(huán)境氣體想要向與該惰性氣體的流動(dòng)實(shí)質(zhì)上大致相反的方向流動(dòng)，所以其結(jié)果為，擾亂了待機(jī)室23的排氣力產(chǎn)生的氣流，將來自待機(jī)室23的舟皿升降機(jī)40的異物從舟皿升降機(jī)區(qū)域運(yùn)到舟皿設(shè)置區(qū)域，污染晶片1。
但是，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠有效地抑制這樣的問題，能夠在整個(gè)襯底保持區(qū)域維持晶片1的清潔。
而且，此時(shí)，因?yàn)槎栊詺怏w供給口61被設(shè)置在舟皿設(shè)置區(qū)域，通氣用排氣口71被設(shè)置在舟皿升降機(jī)區(qū)域，所以惰性氣體從舟皿設(shè)置區(qū)域向舟皿升降機(jī)區(qū)域流動(dòng)，若將來自舟皿升降機(jī)40的異物運(yùn)到舟皿設(shè)置區(qū)域，則防止污染晶片1。
此后，處理管31的處理室34在氣密關(guān)閉的狀態(tài)下，通過排氣管37被排氣，以便達(dá)到規(guī)定的壓力，被加熱器單元30加熱到規(guī)定的溫度，僅通過氣體導(dǎo)入管38供給規(guī)定流量的規(guī)定原料氣體。
據(jù)此，對(duì)晶片1實(shí)施與預(yù)先設(shè)定的處理?xiàng)l件相對(duì)應(yīng)的熱處理。
此時(shí)，由于舟皿50因舟皿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)用馬達(dá)44而旋轉(zhuǎn)，原料氣體與晶片1的表面均勻地接觸，所以在晶片1上形成均勻的CVD膜。
在此期間，如圖4所示，惰性氣體供給口61的斷流閥63繼續(xù)打開，通氣用排氣口71的斷流閥73也繼續(xù)打開，待機(jī)室23的環(huán)境氣體被排氣，另外，真空用排氣口81的斷流閥83也繼續(xù)關(guān)閉，待機(jī)室23維持接近大氣壓的壓力。
若經(jīng)過了預(yù)先設(shè)定的處理時(shí)間，則借助密封帽43被支承在舟皿升降機(jī)40的臂41上的舟皿50從處理管31的處理室34被運(yùn)出(舟皿卸載)。
然后，在該舟皿卸載步驟中，如圖4所示，惰性氣體供給口61的斷流閥63打開，供給惰性氣體(氮?dú)饷糠昼?00-200升)，通氣用排氣口71的斷流閥73打開，待機(jī)室23的環(huán)境氣體被排氣。真空用排氣口81的斷流閥83關(guān)閉。
另外，從氣體導(dǎo)入管38也向處理室34供給惰性氣體(氮?dú)饷糠昼?-50升)。這樣，待機(jī)室23以及處理室34也被維持在大氣壓。
在該舟皿卸載步驟中，從惰性氣體供給口61供給的惰性氣體從與襯底保持區(qū)域相比的下側(cè)向與襯底保持區(qū)域相比的上側(cè)流動(dòng)，從通氣用排氣口71(第一排氣口)被排氣。此時(shí)，真空用排氣口81(第二排氣口)被斷流閥83阻止排氣。因此，僅從通氣用排氣口71進(jìn)行排氣，僅從襯底保持區(qū)域的上側(cè)進(jìn)行排氣，從與襯底保持區(qū)域相比的下側(cè)流動(dòng)到與襯底保持區(qū)域相比的上側(cè)的惰性氣體的氣流被整流，沒有被擾亂。
但是，因?yàn)樘幚硎?4的爐口由于密封帽43打開而被開放，所以來自加熱器單元30的輻射熱借助處理室34的爐口向待機(jī)室23輻射。再有，因?yàn)樵谔幚硎?4被加熱器單元30加熱(例如500℃以上)的舟皿50以及晶片1也從處理室34被運(yùn)出，所以由于來自該舟皿50以及晶片1的熱輻射、熱對(duì)流加熱待機(jī)室23以及待機(jī)室23的環(huán)境氣體，成為高溫。而且，在襯底保持件用驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的臂41下降到待機(jī)室23的底部附近的狀態(tài)下(舟皿卸載結(jié)束的位置)，因?yàn)樵摫患訜岬闹勖?0以及晶片1被運(yùn)到待機(jī)室23的下部側(cè)，所以產(chǎn)生欲使被加熱的待機(jī)室23內(nèi)的環(huán)境氣體的氣流從待機(jī)室23的下部側(cè)向上部側(cè)(待機(jī)室的頂板側(cè))流動(dòng)的作用與舟皿裝載步驟相比要大很多。
例如，因?yàn)樵谂c襯底保持區(qū)域相比的下側(cè)具有被加熱的舟皿支架46、旋轉(zhuǎn)軸45等，所以待機(jī)室23的環(huán)境氣體想要從與襯底保持區(qū)域相比的下側(cè)流動(dòng)到與襯底保持區(qū)域相比的上側(cè)。
但是，在本實(shí)施方式中，因?yàn)榕艢饬Ξa(chǎn)生的流動(dòng)方向與待機(jī)室23的被加熱的環(huán)境氣體的流動(dòng)方向至少遍及襯底保持區(qū)域的整個(gè)區(qū)域，實(shí)質(zhì)上是大致相同的方向，所以至少在襯底保持區(qū)域不會(huì)擾亂惰性氣體的氣流。
假設(shè)，惰性氣體想要從待機(jī)室23的上方向下流動(dòng)時(shí)，被加熱的待機(jī)室23的環(huán)境氣體想要向與從上部向下部的惰性氣體的流動(dòng)實(shí)質(zhì)上大致相反的方向流動(dòng)，該流動(dòng)作用與舟皿裝載時(shí)相比要大很多，其結(jié)果為，嚴(yán)重地?cái)_亂了待機(jī)室23的惰性氣體的排氣力產(chǎn)生的氣流，將來自待機(jī)室23的舟皿升降機(jī)40的異物從舟皿升降機(jī)40區(qū)域運(yùn)到舟皿設(shè)置區(qū)域以及處理室34，對(duì)晶片1的污染量增大。
但是，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠有效地抑制這樣的問題，能夠在整個(gè)襯底保持區(qū)域維持晶片1的清潔。
而且，此時(shí)，因?yàn)槎栊詺怏w供給口61被設(shè)置在舟皿設(shè)置區(qū)域，通氣用排氣口71被設(shè)置在舟皿升降機(jī)區(qū)域，所以惰性氣體從舟皿設(shè)置區(qū)域向舟皿升降機(jī)區(qū)域流動(dòng)并被排氣，若將來自舟皿升降機(jī)40的異物運(yùn)到舟皿設(shè)置區(qū)域，則防止污染晶片1。
若舟皿50從處理室34運(yùn)至待機(jī)室23，則舟皿運(yùn)入運(yùn)出口27被閘門28封閉。
接著，如圖4所示，通氣用排氣口71的斷流閥73繼續(xù)打開，惰性氣體供給口61的斷流閥63也繼續(xù)打開，惰性氣體向待機(jī)室23供給。通過向該待機(jī)室23流通的新鮮的惰性氣體，成為高溫的處理后的晶片1組被有效地冷卻。
若處理后的晶片1組降低到規(guī)定的溫度(例如，能夠防止在晶片1的表面上生成自然氧化膜的溫度)，則待機(jī)室23的晶片運(yùn)入運(yùn)出口24被真空隔絕門25開放。
此時(shí)，如圖4所示，惰性氣體供給口61的斷流閥63關(guān)閉，通氣用排氣口71的斷流閥73的打開狀態(tài)被維持。據(jù)此，待機(jī)室23被維持在大氣壓狀態(tài)，來自清潔單元19的清潔空氣從晶片運(yùn)入運(yùn)出口24被導(dǎo)入待機(jī)室23，從通氣用排氣口71排氣。
并且，也可以從惰性氣體供給口61向待機(jī)室23連續(xù)供給惰性氣體。
接著，舟皿50的處理后的晶片1被晶片移載裝置20卸下(卸貨)，同時(shí)，被收納在空的盒子2中。
收納著規(guī)定片數(shù)的處理后的晶片1的盒子2通過盒子移載裝置15被移載到盒子轉(zhuǎn)交單元12。
若該晶片卸載步驟結(jié)束，則通過晶片移載裝置20，從盒子2向舟皿50裝載下一批晶片1。
以后，通過反復(fù)上述操作，晶片1按照例如25片、50片、75片、100片、150片，由真空隔絕式CVD裝置10逐漸進(jìn)行批量處理。
圖6是說明在以往裝置的待機(jī)室23中的惰性氣體的流動(dòng)的圖。
在待機(jī)室23的舟皿設(shè)置區(qū)域設(shè)有惰性氣體供給噴嘴65、66，從該惰性氣體供給噴嘴65、66供給惰性氣體。該惰性氣體供給噴嘴65、66為多孔噴嘴，沿高度方向設(shè)置多個(gè)氣體供給孔。對(duì)待機(jī)室23的環(huán)境氣體進(jìn)行排氣的是設(shè)置在舟皿升降機(jī)區(qū)域的上、中、下段的通氣用排氣口75、76、77。
另外，設(shè)有對(duì)舟皿設(shè)置區(qū)域和舟皿升降機(jī)設(shè)置區(qū)域進(jìn)行分隔的分隔板49，在該分隔板49上，一對(duì)間隙48、48相鄰地設(shè)于中央部。
然后，僅從惰性氣體供給噴嘴66的上方部的兩個(gè)位置供給惰性氣體情況下的惰性氣體的流動(dòng)如流動(dòng)線91所示，惰性氣體通過分隔板49的一對(duì)間隙48、48，從舟皿設(shè)置區(qū)域向舟皿升降機(jī)設(shè)置區(qū)域流動(dòng)。
雖然一部分惰性氣體從通氣用排氣口76排氣，但是沒有被排氣的惰性氣體向下流，再次通過一對(duì)間隙48、48，從舟皿升降機(jī)設(shè)置區(qū)域流入舟皿區(qū)域。
像這樣，即使僅僅觀察僅從惰性氣體供給噴嘴66的上方部的兩個(gè)位置供給惰性氣體的情況即可看出，舟皿升降機(jī)區(qū)域的環(huán)境氣體流入舟皿區(qū)域，由舟皿升降機(jī)40產(chǎn)生的粒子、油脂的蒸氣引起的污染物質(zhì)使晶片1污染。
另外，由于該污染物質(zhì)被卷入處理室34，污染了晶片的處理環(huán)境，進(jìn)一步使晶片1的污染量增大。
圖7是說明在本實(shí)施方式中的待機(jī)室23的惰性氣體的流動(dòng)的圖。
在待機(jī)室23的舟皿設(shè)置區(qū)域下端部設(shè)有惰性氣體供給口61，從該惰性氣體供給口61供給惰性氣體。對(duì)待機(jī)室23的環(huán)境氣體進(jìn)行排氣的是設(shè)置在舟皿升降機(jī)區(qū)域的上端部的通氣用排氣口71。
另外，設(shè)有對(duì)舟皿設(shè)置區(qū)域和舟皿升降機(jī)設(shè)置區(qū)域進(jìn)行分隔的分隔板47，且一對(duì)間隙48、48設(shè)于待機(jī)室23的側(cè)壁和分隔板47的左右端之間。
若使惰性氣體從惰性氣體供給口61流出，則惰性氣體如流動(dòng)線92所示那樣地流動(dòng)。即，若惰性氣體從舟皿區(qū)域底部向一端上升，在舟皿50的下部側(cè)沿舟皿區(qū)域的水平方向流動(dòng)到達(dá)分隔板47，則沿分隔板47向下流，通過設(shè)置在分隔板47下側(cè)和待機(jī)室23側(cè)壁之間的間隙48，從舟皿區(qū)域向舟皿升降機(jī)區(qū)域流動(dòng)。然后，在舟皿升降機(jī)區(qū)域，朝著設(shè)置在舟皿升降機(jī)區(qū)域的上端的通氣用排氣口71向上方流動(dòng)，從通氣用排氣口71排氣。
像這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，與圖6所示的以往的裝置不同，沒有從舟皿升降機(jī)區(qū)域向舟皿區(qū)域的惰性氣體的流動(dòng)。因此，沒有由舟皿升降機(jī)40產(chǎn)生的粒子、油脂的蒸氣引起的污染物質(zhì)使晶片1受到污染的情況。另外，也沒有污染物質(zhì)被卷入處理室34，從而能夠使晶片1的處理環(huán)境清潔化。
并且，因?yàn)橐部紤]了因自重而沉淀到待機(jī)室23的底部的粒子被揚(yáng)起的情況，所以如圖2所示，可以通過中斷過濾器67，使惰性氣體從密封帽43的側(cè)方流動(dòng)。
因?yàn)橹袛噙^濾器67為多孔質(zhì)部件，能夠多方向供給惰性氣體，所以能夠一面進(jìn)一步抑制惰性氣體的流速，一面更大量地供給惰性氣體，能夠有效地抑制因自重而沉淀到待機(jī)室23的底部的粒子被揚(yáng)起的氣體流動(dòng)。
并且，在圖6和圖7中，設(shè)置有間隙48、48的位置不同，其理由如下。
即，可以認(rèn)為，在圖6的以往裝置中，因?yàn)樵谥醒氩吭O(shè)置一對(duì)間隙48、48，所以在從舟皿升降機(jī)區(qū)域到舟皿區(qū)域存在惰性氣體的流動(dòng)的情況下，含有污染物質(zhì)的惰性氣體直接吹到載置于舟皿50的晶片1上，進(jìn)一步被污染。
因此，即使例如在從舟皿升降機(jī)區(qū)域到舟皿區(qū)域存在惰性氣體的流動(dòng)的情況下，使含有污染物質(zhì)的惰性氣體不直接吹到晶片1上，就能夠極力地抑制對(duì)晶片的污染，因此，在本實(shí)施方式中，如圖7所示，以一對(duì)間隙48、48成為分隔板47的最外側(cè)的方式，將一對(duì)間隙48、48設(shè)置在分隔板47和待機(jī)室23的側(cè)壁之間。
根據(jù)上述實(shí)施方式，能得到下述效果。
1)因?yàn)閷⒍栊詺怏w供給口配置在待機(jī)室的舟皿設(shè)置區(qū)域的下端部，并將通氣用排氣口配置在待機(jī)室的舟皿升降機(jī)設(shè)置區(qū)域的上端部，由此能夠防止將從舟皿升降機(jī)產(chǎn)生的粒子、從油脂產(chǎn)生的蒸氣等異物卷入處理室，或?qū)⒁蜃灾囟恋淼酱龣C(jī)室的底部的粒子揚(yáng)起的現(xiàn)象，所以能夠防止處理室因來自舟皿升降機(jī)的異物而被污染，另外，能夠防止粒子附著在晶片上。
2)通過防止處理室因來自舟皿升降機(jī)的異物而被污染，還有防止粒子附著在晶片上，能夠提高真空隔絕式CVD裝置的制造合格率，所以能夠提高成膜工序乃至IC的制造方法的制造效率。
另外，本發(fā)明并非僅限于上述實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)當(dāng)然可以進(jìn)行各種變更。
例如，惰性氣體供給口、通氣用排氣口以及真空用排氣口并非僅限于各配置一個(gè)，也可以各設(shè)置多個(gè)。
在將待機(jī)室23從真空狀態(tài)升壓到大氣壓時(shí)，若進(jìn)行調(diào)整，使排氣量少于惰性氣體供給量，則也可以在該升壓時(shí)，通過惰性氣體進(jìn)行凈化。
在該情況下，由于對(duì)待機(jī)室23進(jìn)行真空排氣的是第二排氣口，所以像上述那樣，不會(huì)揚(yáng)起滯留在待機(jī)室23的底部的粒子。
另外，在一面通過惰性氣體排氣一面升壓時(shí)使用的是第一排氣口。在該情況下，也是以使通過第二排氣口排氣時(shí)的待機(jī)室23的壓力低于通過第一排氣口排氣時(shí)的待機(jī)室23的壓力的方式來使用。
在上述實(shí)施方式中，對(duì)真空隔絕式CVD裝置的情況進(jìn)行了說明，本發(fā)明可以應(yīng)用在真空隔絕式的氧化裝置、擴(kuò)散裝置以及退火裝置等的所有襯底處理裝置。
在上述實(shí)施方式中，在IC的制造方法中，對(duì)在晶片上成膜CVD膜的成膜工序進(jìn)行了說明，本發(fā)明也能夠應(yīng)用到氧化工序、擴(kuò)散工序、回流工序、退火工序那樣的熱處理(thermal treatment)工序等的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法的各種工序。
權(quán)利要求
1.一種襯底處理裝置，其特征在于，包括收容襯底并對(duì)襯底進(jìn)行處理的處理室；與上述處理室連續(xù)設(shè)置的預(yù)備室；將層疊著多片襯底的襯底保持件運(yùn)入及/或運(yùn)出上述處理室的襯底保持件用機(jī)構(gòu)部；向上述預(yù)備室供給惰性氣體的惰性氣體供給口；以位于上述惰性氣體供給口上側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室，并對(duì)上述惰性氣體進(jìn)行排氣的第一排氣口；對(duì)上述預(yù)備室抽真空的第二排氣口；控制部，該控制部在對(duì)通過上述第二排氣口進(jìn)行了真空排氣的上述預(yù)備室內(nèi)進(jìn)行升壓后、維持在規(guī)定壓力時(shí)，控制從上述惰性氣體供給口供給的惰性氣體僅從上述第一排氣口進(jìn)行排氣。
2.一種襯底處理裝置，其特征在于，包括收容襯底并對(duì)襯底進(jìn)行處理的處理室；與上述處理室連續(xù)設(shè)置的預(yù)備室；將層疊保持著多片襯底的襯底保持件運(yùn)入及/或運(yùn)出上述處理室的襯底保持件用機(jī)構(gòu)部；惰性氣體供給口，其以位于襯底保持區(qū)域下側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室，并向上述預(yù)備室供給惰性氣體的惰性氣體供給口，所述襯底保持區(qū)域?qū)⒁r底層疊保持在上述襯底保持件上；以位于上述襯底保持區(qū)域上側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室，并對(duì)上述惰性氣體進(jìn)行排氣的第一排氣口。
3.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述預(yù)備室在上述襯底保持區(qū)域上端的下側(cè)，具有與上述第一排氣口不同的其它排氣口；并具有控制部，該控制部在將層疊保持著多片襯底的上述襯底保持件從上述預(yù)備室運(yùn)入上述處理室及/或從上述處理室向上述預(yù)備室運(yùn)出時(shí)，控制從上述惰性氣體供給口供給的惰性氣體使其從上述襯底保持區(qū)域的下側(cè)向上述襯底保持區(qū)域的上側(cè)流動(dòng)，并僅從上述預(yù)備室所具有的多個(gè)排氣口中的位于上述襯底區(qū)域上側(cè)的第一排氣口進(jìn)行排氣。
4.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其特征在于，具有與上述第一排氣口不同的、以位于上述襯底保持區(qū)域下側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室的第二排氣口；并具有控制部，該控制部以使從上述第二排氣口排氣時(shí)的上述預(yù)備室內(nèi)的壓力與從上述第一排氣口排氣時(shí)的上述預(yù)備室內(nèi)的壓力相比成為低壓的方式進(jìn)行控制。
5.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述襯底保持件用機(jī)構(gòu)部由驅(qū)動(dòng)部和與該驅(qū)動(dòng)部連接的襯底保持件設(shè)置部構(gòu)成，上述預(yù)備室被分隔板分隔成設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)部的區(qū)域和在上述襯底保持件設(shè)置部設(shè)置上述襯底保持件的區(qū)域，上述第一排氣口被設(shè)成與設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)部的區(qū)域連通，上述惰性氣體供給口被設(shè)成與設(shè)置上述襯底保持件的區(qū)域連通。
6.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述襯底保持件用機(jī)構(gòu)部由驅(qū)動(dòng)部和與該驅(qū)動(dòng)部連接的襯底保持件設(shè)置部構(gòu)成，上述預(yù)備室被分隔板分隔成設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)部的區(qū)域和在上述襯底保持件設(shè)置部設(shè)置上述襯底保持件的區(qū)域，上述第一排氣口被設(shè)成與設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)部的區(qū)域連通，上述惰性氣體供給口被設(shè)成與設(shè)置上述襯底保持件的區(qū)域連通。
7.如權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，其特征在于，在上述惰性氣體供給口上設(shè)有多孔質(zhì)部件，上述惰性氣體被從該惰性氣體供給口供給到上述預(yù)備室。
8.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述規(guī)定壓力是接近大氣壓的壓力。
9.如權(quán)利要求5或6所述的襯底處理裝置，其特征在于，在上述預(yù)備室的側(cè)壁和上述分隔板之間設(shè)有間隙。
10.一種半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法，其特征在于，該方法使用襯底處理裝置，所述襯底處理裝置包括收容襯底并對(duì)襯底進(jìn)行處理的處理室；與上述處理室連續(xù)設(shè)置的預(yù)備室；將層疊著多片襯底的襯底保持件運(yùn)入及/或運(yùn)出上述處理室的襯底保持件用機(jī)構(gòu)部；向上述預(yù)備室供給惰性氣體的惰性氣體供給口；以位于上述惰性氣體供給口上側(cè)的方式設(shè)置在上述預(yù)備室，并對(duì)上述惰性氣體進(jìn)行排氣的第一排氣口；對(duì)上述預(yù)備室抽真空的第二排氣口；以及控制部，該控制部在對(duì)通過上述第二排氣口進(jìn)行了真空排氣的上述預(yù)備室內(nèi)進(jìn)行升壓后、維持在規(guī)定壓力時(shí)，控制從上述惰性氣體供給口供給的惰性氣體僅從上述第一排氣口進(jìn)行排氣；所述半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法具有以下步驟一面使從上述惰性氣體供給口供給到上述預(yù)備室的惰性氣體向上側(cè)流動(dòng)，并僅從第一排氣口進(jìn)行排氣，一面將層疊保持著上述多片襯底的襯底保持件從上述預(yù)備室運(yùn)入上述處理室及/或從上述處理室向上述預(yù)備室運(yùn)出的步驟，以及在上述處理室對(duì)上述襯底進(jìn)行處理的步驟。
11.一種半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法，是使用權(quán)利要求2～6中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法，其特征在于，具有一面使從上述惰性氣體供給口供給到上述預(yù)備室的惰性氣體從上述襯底保持區(qū)域下側(cè)向上述襯底保持區(qū)域上側(cè)流動(dòng)，并僅從上述第一排氣口進(jìn)行排氣，一面將層疊保持著上述多片襯底的襯底保持件從上述預(yù)備室運(yùn)入上述處理室及/或從上述處理室向上述預(yù)備室運(yùn)出的步驟；以及在上述處理室對(duì)上述襯底進(jìn)行處理的步驟。
全文摘要
改善真空隔絕方式的預(yù)備室中的氣體的流動(dòng)。真空隔絕方式的襯底處理裝置包括收容襯底(1)并對(duì)襯底進(jìn)行處理的處理室(34)；與處理室(34)連續(xù)設(shè)置的預(yù)備室(23)；將保持著多片襯底(1)的襯底保持件(50)運(yùn)入以及運(yùn)出處理室(34)的襯底保持件用機(jī)構(gòu)部(40)；向預(yù)備室(23)供給惰性氣體的惰性氣體供給口(61)；以位于惰性氣體供給口(61)上側(cè)的方式設(shè)置在預(yù)備室(23)，并對(duì)惰性氣體進(jìn)行排氣的第一排氣口(71)；對(duì)預(yù)備室(23)抽真空的第二排氣口(81)；控制部(100)，該控制部在對(duì)通過第二排氣口(81)進(jìn)行了抽真空的預(yù)備室(23)內(nèi)進(jìn)行升壓后，維持在規(guī)定壓力時(shí)，控制從惰性氣體供給口(61)供給的惰性氣體僅從第一排氣口(71)進(jìn)行排氣。
文檔編號(hào)H01L21/31GK101019213SQ200580030740
公開日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2005年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月1日
發(fā)明者中島誠世, 谷山智志, 壽崎健一, 高島義和 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立國際電氣