專利名稱：用于封裝發(fā)光器件的芯片級方法和芯片級封裝的發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地說，涉及封裝的發(fā)光器件和發(fā)光器件的封裝方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管和激光二極管是熟知的固態(tài)電子器件，能夠在施加足夠電壓時發(fā)光。發(fā)光二極管和激光二極管一般可稱為發(fā)光器件(LED)。發(fā)光器件一般包括在諸如藍寶石、硅、碳化硅、砷化鎵等的襯底上生長的外延層中形成的p-n結(jié)。由LED發(fā)的光的波長分布取決于制成p-n結(jié)的材料和包括器件活動區(qū)的薄外延層結(jié)構(gòu)。
一般情況下，LED包括襯底、在襯底上形成的n型外延區(qū)以及在n型外延區(qū)上形成的p型外延區(qū)(或反之亦然)。為便于施加電壓到器件上，在器件的p型區(qū)(一般情況下，暴露的p型外延層)上形成陽極歐姆觸點，并且在器件的n型區(qū)(如襯底或暴露的n型外延層)上形成陰極歐姆觸點。
為了在電路中使用LED，最好封裝LED以免它受到環(huán)境危害和機械損害。LED封裝也包括用于將LED芯片電連接到外部電路的部件，如電線。在圖1A所示的典型封裝70中，LED 72通過焊料或環(huán)氧樹脂安裝在反射杯73上。一個或多個絲焊將LED的歐姆觸點連接到導(dǎo)線75A、75B，這些導(dǎo)線可附在反射杯73上或與其結(jié)合在一起。整個組件隨后密封在透明的保護樹脂74中，其可模壓成透鏡的形狀，以校準從LED芯片72發(fā)出的光。
在圖1B所示的另一常規(guī)封裝80中，多個LED芯片82安裝到印刷電路板(PCB)載體83上。在LED 82上的歐姆觸點與PCB 83上的電跡線85A、85B之間形成一個或多個絲焊連接。每個安裝的LED82然后覆蓋有一滴透明樹脂84，其可對芯片提供環(huán)境和機械保護，同時也充當透鏡。隨后，通過將PCB板83鋸成小方塊，每個方塊包括一個或多個LED芯片82，來分離各個封裝的LED 82。
這些封裝LED芯片方法的一個缺陷是，一次在載體上安裝芯片。也就是說，每個LED單獨安裝到PCB或反射鏡杯上。另外，絲焊連接一般是到每個LED芯片。這些操作可能成本高、耗時，并可能需要大量的人力和/或?qū)ｉT的設(shè)備。絲焊連接的問題也可能在野外引起器件故障。此外，與安裝LED芯片相關(guān)聯(lián)的對齊和放置問題可能導(dǎo)致所得到的封裝芯片的光學(xué)特性出現(xiàn)不合需要的變化。
對于發(fā)光器件的用戶而言，一個品質(zhì)因素是每流明的成本，即，獲得給定光輸出水平的成本。常規(guī)封裝技術(shù)的高成本可能是使固態(tài)發(fā)光的每流明成本較高的一個因素。此外，常規(guī)封裝技術(shù)可導(dǎo)致龐大的封裝，不適合某些小型化應(yīng)用，如蜂窩電話背光。常規(guī)封裝技術(shù)也可能具有差的熱阻特性，限制了可驅(qū)動LED芯片的功率電平，并對系統(tǒng)設(shè)計人員提出了關(guān)于LED放置的約束。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，封裝的發(fā)光器件包括具有上表面和下表面的載體襯底、從所述襯底上表面延伸到所述襯底下表面的第一和第二導(dǎo)電通孔、以及在所述襯底上表面與第一導(dǎo)電通孔電接觸的焊盤。具有第一和第二電極的二極管安裝在所述焊盤上，第一電極與所述焊盤電接觸。在所述二極管上形成鈍化層，暴露所述二極管的第二電極。在所述載體襯底的上表面上形成導(dǎo)電跡線，與第二導(dǎo)電通孔和第二電極電接觸。所述導(dǎo)電跡線在所述鈍化層上并延伸過所述鈍化層，以接觸第二電極。
在一些實施例中，所述鈍化層可以在導(dǎo)電跡線形成后部分或完全去除，在第二電極與第二導(dǎo)電通孔之間留下所謂的空中橋接。
在一些實施例中，鈍化層覆蓋部分所述載體襯底。在其它實施例中，鈍化層還覆蓋部分所述焊盤。
在一些實施例中，在所述載體襯底上圍繞所述二極管形成反射層，以在所需方向上反射所述二極管發(fā)出的光?？筛采w部分鈍化層和導(dǎo)電跡線的反射層可限定所述二極管上面的空腔，所述空腔可填充有密封劑材料。密封劑材料可包括波長轉(zhuǎn)換材料，如波長轉(zhuǎn)換磷光體。在一些實施例中，密封劑材料可設(shè)計為使用例如納米粒子和環(huán)氧樹脂或硅樹脂的合成物以具有高折射率。在一些實施例中，密封劑材料的折射率可以為大約1.6或更大。在一些實施例中，波長轉(zhuǎn)換材料可以涂在二極管的表面上。
在一些實施例中，封裝的發(fā)光器件可還包括反射層上的密封層，該密封層在二極管上面形成氣密封以實現(xiàn)環(huán)境和機械保護。
在一些實施例中，二極管包括生長襯底和所述生長襯底上的外延結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，生長襯底具有小于約150μm的厚度。在其它實施例中，二極管包括從中去除了生長襯底的外延結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的一些方法實施例包括提供包括生長襯底和所述生長襯底上外延結(jié)構(gòu)的外延片，將載體襯底焊接到外延片的外延結(jié)構(gòu)，形成通過載體襯底的多個導(dǎo)電通孔，在外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管，以及將至少一個導(dǎo)電通孔電連接到多個隔離的二極管中相應(yīng)的二極管。根據(jù)本發(fā)明實施例的方法可還包括用密封劑密封至少一個隔離的二極管，并將密封的二極管分離成單獨的封裝器件。
在一些實施例中，將載體襯底焊接到外延結(jié)構(gòu)后面是從所述外延結(jié)構(gòu)去除所述生長襯底。
在一些實施例中，根據(jù)本發(fā)明的方法包括使所述生長襯底變薄為小于大約150μm的厚度。
在一些實施例中，形成通過所述載體襯底的多個導(dǎo)電通孔包括為每個隔離的二極管形成通過所述載體襯底的至少一對通孔。在一些實施例中，所述載體襯底本身可從導(dǎo)電材料形成，并因此可用于充當每個隔離的二極管的導(dǎo)電通孔對之一。其余導(dǎo)電通孔可與載體襯底電隔離。在一些實施例中，附加的電路和/或電路元件可添加到載體晶片以幫助發(fā)光二極管操作。此類電路和/或元件可包括用于靜電放電保護的齊納二極管、調(diào)節(jié)二極管操作期間電壓或電流的電子驅(qū)動電路、和/或在某些應(yīng)用中幫助尋址LED的數(shù)字電路。
在其它實施例中，用密封劑密封多個二極管中的至少一個包括用包括諸如磷光體的波長轉(zhuǎn)換材料的密封劑材料密封二極管。
在一些實施例中，在所述外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管包括在所述外延結(jié)構(gòu)中形成多個臺面結(jié)構(gòu)，例如，通過選擇性地蝕刻所述外延結(jié)構(gòu)。選擇性地蝕刻所述外延結(jié)構(gòu)以形成多個臺面可以在將所述載體襯底焊接到所述外延結(jié)構(gòu)之前執(zhí)行。在一些實施例中，選擇性地蝕刻所述外延結(jié)構(gòu)以形成多個臺面是在將所述外延結(jié)構(gòu)焊接到所述載體襯底并去除所述生長襯底之后執(zhí)行。
在一些實施例中，在所述外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管先于將所述外延結(jié)構(gòu)焊接到所述載體襯底。在其它實施例中，去除所述生長襯底先于在所述外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管。
在一些實施例中，將所述載體襯底焊接到所述外延結(jié)構(gòu)之前是在所述載體襯底上形成多個焊盤，其中每個所述隔離的二極管焊接到至少一個所述焊盤。每個導(dǎo)電通孔可與至少一個焊盤電接觸。
在其它實施例中，方法包括在與焊接有多個二極管的載體襯底一側(cè)相對的載體襯底一側(cè)上形成多個焊盤，使得每個焊盤與至少一個導(dǎo)電通孔電接觸。
本發(fā)明的一些實施例包括在至少一個二極管上形成鈍化層，使得所述鈍化層暴露二極管上的電極。在焊接有二極管的載體襯底一側(cè)上可形成多個導(dǎo)電跡線。一些導(dǎo)電跡線可將二極管的上表面電連接到導(dǎo)電通孔。
在一些實施例中，根據(jù)本發(fā)明的方法包括在載體襯底上表面上形成反射層，所述反射層限定二極管上面的空腔。密封材料可包含波長轉(zhuǎn)換材料，可淀積在所述空腔中。此外，所述空腔可覆蓋有可在所述空腔上面形成氣密封的密封件。
在本發(fā)明的一些實施例中，至少兩個隔離的二極管可覆蓋有透明樹脂。在一些實施例中，將隔離的二極管分離成封裝器件包括形成其中具有至少兩個二極管的封裝器件。
本發(fā)明的一些實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有具有上表面和下表面的載體襯底；焊接到所述載體襯底上表面的多個發(fā)光二極管，每個發(fā)光二極管具有第一和第二電極；以及從所述載體襯底上表面延伸到所述襯底下表面的多對第一和第二導(dǎo)電通孔，其中每對導(dǎo)電通孔電連接到多個發(fā)光二極管中一個發(fā)光二極管的第一和第二電極。
在一些實施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述載體襯底上表面與多個發(fā)光二極管之間的多個焊盤，其中至少一個所述發(fā)光二極管安裝在所述焊盤之一上。
在至少一個發(fā)光二極管上可形成密封劑材料。在一些實施例中，在載體襯底的下表面上形成多個焊盤，其中載體襯底下表面上多個焊盤中的每個焊盤與第一或第二導(dǎo)電通孔中的至少一個電接觸。
在一些實施例中，通過為每個二極管形成通過載體襯底的附加通孔，可降低封裝的熱阻和/或電阻。此外，根據(jù)本發(fā)明一些實施例的封裝的發(fā)光器件可包括延伸過襯底的至少一個附加的導(dǎo)電通孔。
在其它實施例中，封裝的發(fā)光器件包括具有上表面和下表面的導(dǎo)電載體襯底。導(dǎo)電通孔從所述襯底上表面延伸到所述襯底下表面。電流阻擋層在所述導(dǎo)電通孔與所述襯底之間。焊盤在所述襯底的上表面。具有第一和第二電極的二極管安裝在所述焊盤上。第一電極與所述焊盤電接觸。導(dǎo)電跡線在所述載體襯底的上表面上，并與所述導(dǎo)電通孔和第二電極電接觸。
在又一些實施例中，封裝的發(fā)光器件包括具有上表面和下表面的載體襯底。第一和第二導(dǎo)電通孔從所述襯底上表面延伸到所述襯底下表面。焊盤在所述襯底的上表面上，并與第一導(dǎo)電通孔電接觸。具有第一和第二電極的二極管安裝在所述焊盤上。第一電極與所述焊盤電接觸。導(dǎo)電跡線在所述載體襯底的上表面上，并與第二導(dǎo)電通孔和第二電極電接觸。
從詳細說明和附圖中將明白本發(fā)明的其它特征、實施例和方面。


圖1A-1B顯示常規(guī)LED封裝；圖2A-2H是顯示本發(fā)明一些實施例的截面圖；圖3A-3D是顯示本發(fā)明其它實施例的截面圖；圖4A-4J是顯示本發(fā)明其它實施例的截面圖；圖5A-5I是顯示本發(fā)明其它實施例的截面圖；圖6是顯示本發(fā)明其它實施例的截面圖；圖7是顯示本發(fā)明其它實施例的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照顯示本發(fā)明實施例的附圖，在下文更全面地描述本發(fā)明。本發(fā)明不應(yīng)視為局限于本文所述的實施例；相反，這些實施例的提供使得此公開內(nèi)容將全面和完整，并且將本發(fā)明的范圍全面?zhèn)鬟_給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。所有圖中類似的標號指類似的部件。此外，圖中所示的不同層和區(qū)域是以示意圖的方式顯示。雖然相對于半導(dǎo)體晶片和切成小塊的芯片描述了本發(fā)明，但正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的一樣，此類芯片可切成任意的大小。因此，本發(fā)明不限于附圖所示的相對大小和間隔。此外，為圖清晰起見和便于說明，以擴大的尺寸顯示了諸如層厚度和特征尺寸等圖中的某些特征。
要理解的是，表述一個元件或?qū)釉诹硪辉驅(qū)印吧厦妗薄ⅰ斑B接到”或“耦合到”另一元件或?qū)訒r，它可直接在另一元件或?qū)由厦?，直接連接或耦合到另一元件或?qū)?，或者可能存在中間元件或?qū)?。與此相反，表述一個元件“直接在另一元件或?qū)由厦妗薄ⅰ爸苯舆B接到”或“直接耦合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或?qū)印Ｔ诒疚氖褂脮r，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)聯(lián)所列項目的任一和所有組合。
要理解的是，雖然術(shù)語第一、第二等可在本文用于描述不同的元件、組件、區(qū)、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語只用于區(qū)分一個元件、組件、區(qū)、層或部分與另一區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明講授內(nèi)容的情況下，下述的第一元件、組件、區(qū)、層或部分可稱為第二元件、組件、區(qū)、層或部分。
此外，諸如“下部”或“底部”和“上部”或“頂部”等相對術(shù)語可在本文用于描述如圖所示一個元件與另一元件的關(guān)系。要理解的是，相對術(shù)語旨在包括器件除圖中所示定向外的不同定向。例如，如果倒轉(zhuǎn)圖中的器件，則描述為在其它元件“下部”側(cè)的元件將因而定向在另一元件的“上部”側(cè)。示范術(shù)語“下部”因此可根據(jù)圖的特殊定向而包括“下部”和“上部”兩種定向。類似地，如果倒轉(zhuǎn)一個圖中的器件，則描述為在其它元件“下面”或“底下”的元件因而將定向為在其它元件“上面”。示范術(shù)語“下面”或“底下”因此可包括上面和下面兩種定向。本領(lǐng)域的技術(shù)人員也將理解，對處于與另一特征“相鄰”的結(jié)構(gòu)或特征的引用可能具有重疊或支承該相鄰特征的部分。
在本文使用的術(shù)語只用于描述特殊的實施例，并無意限制本發(fā)明。在本文使用時，除非上下文有明確指示，否則，單數(shù)形式還將包括復(fù)數(shù)形式。還將可理解，術(shù)語“包括在本說明書中使用時用于表示所述特征、元件或組件的存在，而不排除存在或添加一個或多個其它特征、元件或組件。
本發(fā)明的實施例在本文參照截面、平面和/或透視圖進行描述，這些圖是本發(fā)明理想實施例的示意圖示。因此，要預(yù)計例如由于制造技術(shù)和/或容限引起的圖示形狀變化。因此，本發(fā)明實施例應(yīng)不被視為限制本文所述特殊的區(qū)形狀，而是要包括例如由制造產(chǎn)生的形狀偏差。例如，顯示為矩形的區(qū)一般在其邊緣具有圓形、曲線狀或分級特征，而不是從一個區(qū)到下一區(qū)的離散變化。因此，圖中所示的區(qū)本質(zhì)上是示意性的，并且其形狀不是要顯示器件區(qū)的精確形狀，也無意限制本發(fā)明的范圍。
除非另有規(guī)定，否則，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的相同含意。還可理解，除非在本文中有明確定義，否則，諸如常用詞典中定義的那些術(shù)語等術(shù)語應(yīng)理解為具有與相關(guān)技術(shù)和本公開內(nèi)容上下文中含意一致的含意，并且不以理想化或過分正式的方式理解。
現(xiàn)在將一般性地相對于在基于碳化硅的襯底上的基于氮化鎵的發(fā)光二極管，描述本發(fā)明的實施例。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，本發(fā)明的許多實施例可采用許多不同的襯底和外延層的組合。例如，組合可包括GaP襯底上的AlGaInP二極管、GaAs襯底上的InGaAs二極管、GaAs襯底上的AlGaAs二極管、SiC或藍寶石(Al2O3)襯底上的SiC二極管、和/或氮化鎵、碳化硅、氮化鋁、藍寶石、硅、氧化鋅和/或其它襯底上的基于氮化物的二極管。
基于GaN的發(fā)光器件一般包括絕緣或?qū)щ娨r底，如SiC或藍寶石，上面形成了多個基于GaN的外延層。外延層可包括一個活動區(qū)，具有在通電時發(fā)光的p-n結(jié)。
雖然本文公開的LED不同實施例包括襯底，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，生長包括LED的外延層的晶體外延生長襯底可以去除，并且獨立式外延層可安裝在可能具有比原襯底更佳的熱、電、結(jié)構(gòu)和/或光學(xué)特征的替代載體襯底或次載具上。本文所述的發(fā)明不限于具有晶體外延生長襯底的結(jié)構(gòu)，并可與外延層已從其原生長襯底去除并焊接到替代載體襯底的結(jié)構(gòu)結(jié)合利用。
在本發(fā)明實施例中使用的發(fā)光器件可以為在碳化硅襯底上制造的基于氮化鎵的發(fā)光二極管或激光器，如北卡羅來納州達勒姆Cree，Inc.制造和銷售的那些器件。例如，本發(fā)明可適合用于如以下美國專利中所述的LED和/或激光器No.6740906、No.6201262、No.6187606、No.6120600、No.5912477、No.5739554、No.5631190、No.5604135、No.5523589、No.5416342、No.5393993、No.5338944、No.5210051、No.5027168、No.5027168、No.4966862和/或No.4918497，這些專利的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了一樣。題為“具有量子井和超晶格的基于第三族氮化物的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)、基于第三族氮化物的量子井結(jié)構(gòu)和基于第三族氮化物的超晶格結(jié)構(gòu)(GROUP III NITRIDE BASED LIGHTEMITTING DIODE STRUCTURES WITH A QUANTUM WELL ANDSUPERLATTICE，GROUP III NITR IDE BASED QUANTUM WELLSTRUCTURES AND GROUP III NITRIDE BASED SUPERLATTICESTRUCTURES)”的美國專利出版物No.2003/0006418中描述了其它適用的LED和/或激光器，該專利的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了一樣。
在本發(fā)明的一些實施例中，發(fā)光器件可包括提供反射層以將在活動區(qū)中生成的光反射回通過器件的p電極。反射的p電極和相關(guān)結(jié)構(gòu)在題為“包括光提取的襯底改型的發(fā)光二極管及其制造方法(LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATEMODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION ANDMANUFACTURING METHODS THEREFOR)”的美國專利出版物No.2003/0123164中有所描述，該專利的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了一樣。
現(xiàn)在參照圖2A的實施例，根據(jù)本發(fā)明一些實施例的封裝LED方法采用了具有襯底12和外延生長層14的外延片10。如上所述，襯底12可以是4H或6H多型的碳化硅單晶。外延生長層14可包括形成了p-n結(jié)二極管結(jié)構(gòu)的p型和n型層(未顯示)、同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)二極管結(jié)構(gòu)、或其它二極管結(jié)構(gòu)。通常，n型層可直接在襯底12上形成，而p型層在n型層上形成。在一些實施例中，外延層包括一個或多個第三族氮化物半導(dǎo)體材料，如GaN、AlGaN和/或InGaN。因此，外延生長層14可包括多個層，全部共同稱為外延層14。
外延片10可使用常規(guī)的濕蝕和/或干蝕技術(shù)進行掩蔽、形成圖案和蝕刻，以形成多個二極管16，每個二極管可包括如圖2B所示的p-n結(jié)發(fā)光二極管。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，二極管16可包括發(fā)光二極管、超輻射發(fā)光二極管、激光二極管和/或任何其它固態(tài)發(fā)光器件。
參照圖2C的實施例，外延片10隨后可倒置晶片焊接(即，外延側(cè)以倒裝形式向下)到載體襯底20，該襯底可包括Si、SiC、GaAs、A1N或任何其它合適的襯底。具體而言，載體襯底20可以為半導(dǎo)體晶片、或絕緣或半絕緣材料的晶片。在一些實施例中，載體襯底20絕緣，并具有高熱導(dǎo)電性。載體襯底20可包括通過其的多個導(dǎo)電通孔22A、22B。正如下面將更詳細論述的一樣，通孔22A、22B可用于電連接到二極管16的電極，例如，二極管16的陽極(正)和陰極(負)觸點。通孔22A、22B可形成為載體襯底20中的透孔，其填充和/或鍍有導(dǎo)電材料，如金屬。至少一個通孔22A可與每個二極管16的表面電接觸，由此形成二極管16的陽極或陰極觸點。相鄰的通孔22B可通過鍍金屬(未顯示)而連接到二極管16的相反表面，由此形成到二極管16的相反(陰極或陽極)連接。通孔22A、22B與二極管16的互連在下面有更詳細地描述。通孔22A、22B可以在外延片10焊接之前或之后在載體襯底20中形成。
如圖2D所示，襯底12可以例如通過蝕刻、機械研磨或磨削和拋光而變薄，以減小結(jié)構(gòu)的整體厚度。具體而言，襯底12可變薄為小于150微米的厚度。將襯底12變薄也可減小操作二極管16所需的正向電壓(Vf)。2004年11月12日提交的題為“處理其上帶有發(fā)光器件(LED)的半導(dǎo)體晶片背面的方法及因此形成的LED(Methodsof Processing Semiconductor Wafer Backsides Having Light EmittingDevices(LEDs)Thereon and LEDs So Formed)”的美國專利申請No.10/987135中描述了將襯底12變薄的技術(shù)，該申請的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了一樣。此外，襯底12可使用鋸切、激光切劃或其它技術(shù)成形或變粗糙，以產(chǎn)生諸如斜角側(cè)壁等可增大光提取的幾何特征。襯底12可使用例如在2004年3月26日提交的題為“發(fā)光二極管的襯底蝕刻(ETCHING OFSUBSTRATES OF LIGHT EMITTING DIODES)”的美國專利申請No.10/811350中所述的蝕刻過程進行蝕刻以改善光提取，該申請的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了一樣。
隨后，可通過例如蝕刻和/或鋸切以如圖2E所示隔離每個單獨的二極管16，選擇性地去除部分襯底12。或者，如圖2F所示，通過如美國專利No.6559075、No.6071795、No.6800500和/或No.6420199和/或美國專利出版物No.2002/0068201中講授的技術(shù)等襯底去除技術(shù)，可完全去除襯底，這些專利的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了一樣。
一旦在載體襯底20上隔離了二極管16(帶有或不帶有所附的部分襯底12)，便可為各個二極管16涂上可選的波長轉(zhuǎn)換層25。波長轉(zhuǎn)換層25可包括波長轉(zhuǎn)換磷光體，諸如美國專利No.5998925、美國專利出版物No.2002/0105266和/或美國專利出版物No.2004/0051111中所述的一種或多種磷光體，以便將二極管16發(fā)出的光下變頻為更低頻率(更高波長)的光。二極管16發(fā)出的未轉(zhuǎn)換的光可與轉(zhuǎn)換層25發(fā)出的轉(zhuǎn)換的光組合在一起，以形成感覺為第三色的光，這在本領(lǐng)域已為人所熟知。例如，二極管16發(fā)出的藍光可與轉(zhuǎn)換層25發(fā)出的黃光組合在一起，以形成觀察者可感覺為白色或接近白色的光。
如圖2G所示，可在每個二極管16上放一滴密封劑材料26，如透明環(huán)氧樹脂。密封劑材料26可提供二極管16的機械和環(huán)境保護，并且也可充當透鏡。通過使用折射率大約為1.6或更高的復(fù)合密封劑材料，例如包括高折射率納米粒子的復(fù)合密封劑材料，可提高二極管的效率。如圖2H所示，載體襯底20隨后被切成小塊(例如通過鋸切)，以形成各個封裝的器件30，這些器件隨時可安裝在電路或系統(tǒng)中。
載體襯底下表面耦合到通孔22A、22B，通過到該表面上焊盤(未顯示)的連接，可形成到封裝器件30的觸點。因此，封裝器件可通過焊料焊接、環(huán)氧樹脂焊接或其它方法而直接接連到電路板或其它載體。由于在最后進行器件分離，因此大多數(shù)封裝處理在晶片級完成，這可大大降低封裝器件的總成本。降低每管芯封裝成本又可降低封裝部分輸出的光每流明成本。此外，得到的封裝器件會比較小，這使得封裝器件可放置在與常規(guī)封裝相比更小的封裝區(qū)中，因而節(jié)省了PCB上的空間。通過提供更小的芯片級封裝，二次光學(xué)器件(例如系統(tǒng)中的其它透鏡或反射鏡)也可變得更小且費用更合適。
根據(jù)本發(fā)明一些實施例從封裝的光抽取可與從常規(guī)封裝的光提取一樣好，甚至更好。具體而言，通過在封裝上或封裝內(nèi)諸如二極管16未焊接表面和/或載體襯底20未焊接表面等不同表面上形成光提取特征，可增加根據(jù)本發(fā)明一些實施例從封裝的光提取。二極管16表面上的光提取特征例如可包括表面粗糙度、斜面、棱形或錐形特征以及可減少在器件表面的總內(nèi)部反射的諸如此類。載體襯底20的未焊接表面可涂有反射層，和/或可被織構(gòu)。此外，包括高折射率材料的光散射劑可添加到密封劑材料26中，并且密封劑材料26的表面可弄糙或刻面，以改善光提取。
根據(jù)本發(fā)明一些實施例的封裝的熱阻由于在二極管16與載體襯底20之間的晶片焊接連接而可能低于常規(guī)封裝的熱阻。具體而言，在載體晶片含有諸如SiC或AIN等高熱導(dǎo)性材料的情況下，封裝會具有低熱阻?；蛘?，通過為每個二極管16形成通過載體襯底的附加通孔，可使封裝的熱阻和/或電阻甚至更低。
圖3A-3D中顯示了本發(fā)明的其它實施例。如圖所示，包括襯底12和外延層14的外延片10可以晶片焊接到載體襯底20，而未先將外延層14形成圖案和蝕刻，以限定其中的各個二極管。隨后，可使用上面提到的常規(guī)剝離技術(shù)去除襯底12。隨后，可蝕刻晶片焊接到載體襯底20的所得到的外延層14，以形成限定各個二極管16的臺面。所得到的結(jié)構(gòu)隨后可如上結(jié)合圖2F-2H所述的進行處理。這些實施例的一個優(yōu)點可在于，外延片10在焊接到載體襯底20上時不必與載體襯底20上的焊盤精確對齊。
圖4A-4J更詳細地顯示了根據(jù)本發(fā)明一些實施例制造器件的過程。為清晰起見，圖4A-4J中只顯示了單個二極管16。如圖4A所示，形成有多個二極管16的襯底12晶片焊接到形成有多個焊盤24的載體襯底20。二極管16上的金屬疊層26焊接到焊盤24。金屬疊層26可包括如美國專利出版物No.2003/0045015、美國專利出版物No.2003/0042507、美國專利No.6747298和/或PCT出版物WO04/010509中所述的歐姆層、阻擋層、反射層和/或焊接層，這些文件的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了一樣。在將晶片12焊接到載體襯底20后，可根據(jù)上述方法去除生長晶片12。在一些實施例中，可將晶片12變薄，而不是完全去除。隨后，如圖4C所示，可在襯底20中形成多個通孔22A、22B。對于每個二極管16，可在每個焊盤24下形成至少一個通孔22B。隨后可為通孔22A、22B鍍上或填充金屬或其它導(dǎo)電材料，如圖4D所示，并可在襯底20的背面(即與二極管16相對)上形成分別與導(dǎo)電通孔22A、22B電接觸的焊盤28A、28B，如圖4E所示。鈍化層32可在與二極管16相鄰的襯底20上表面上形成，并形成圖案，以便如圖4F所示暴露二極管16表面上至少部分電極和至少部分通孔22B。注意，通孔22A和22在形成時彼此電隔離(并且同樣地，焊盤28A和28B彼此隔離)。這種隔離可以多種方式提供。例如，載體襯底可由絕緣或半絕緣材料制成。或者，如果載體襯底是導(dǎo)電材料，則包括未填充通孔的載體襯底的表面可涂上絕緣材料。
參照圖4G的實施例，可使用常規(guī)技術(shù)(如蒸發(fā))形成金屬互連33，以使導(dǎo)電通孔22B與二極管16暴露的電極連接。在一些實施例中，歐姆觸點(未顯示)可在與通孔22B互連之前在二極管16的露出表面上形成。在一些實施例中，在形成金屬互連33后，可部分或完全地去除鈍化層32，從而在二極管16的露出表面與通孔22B之間留下所謂的空中橋接。如圖4H所示，例如通過使用電鍍，可在每個二極管16周圍形成反射表面34，以在所需方向上反射器件發(fā)出的光。隨后，可在二極管16上面由反射表面34限定的空腔35內(nèi)淀積密封劑材料36(圖4I)。在一些實施例中，由反射表面34限定的空腔35可能很淺，例如使得它不會延伸超過二極管16，但其周長仍可用于通過表面張力作用而限定密封劑材料的形狀。在一些實施例中，密封劑材料36可包括如上所述的波長轉(zhuǎn)換材料。最后，如圖4J所示，可在空腔35上面形成可選的密封層38。可包括SiO2的密封層38可在空腔35上面形成氣密封，以便為二極管16提供附加的保護。隨后可分離完成的封裝器件，以提供單獨的封裝器件。
圖5A-5I顯示了根據(jù)本發(fā)明其它實施例制造封裝器件的方法。參照圖5A的實施例，可以蝕刻包括襯底12和外延層14的外延片10，以形成多個二極管16。為清晰起見，圖5A-5I中只顯示了單個二極管16。每個二極管16的頂層16A具有導(dǎo)電類型(p或n)。每個二極管16的一部分進一步被蝕刻，以暴露具有與頂層16A導(dǎo)電類型相反導(dǎo)電類型的接觸層16B。鈍化層32可施加到結(jié)構(gòu)并形成圖案，以隔離二極管16的邊緣，并且也隔離頂層16A與接觸層16B。隨后，如圖5B所示，可分別在頂層16A和接觸層16B上形成金屬疊層34A和34B。金屬疊層34A和34B可包括如上所述的歐姆層、阻擋層、反射層和/或焊接層。
參照圖5C-5E的實施例，提供了載體襯底20。載體襯底20可包括SiC、AlN、GaAs、Si或任一其它適合的襯底材料。在一些實施例中，載體襯底20絕緣并具有高熱導(dǎo)性。通孔22A、22B可蝕刻通過載體襯底20，并鍍有或填充有金屬或另一導(dǎo)電材料。如圖5D-5E所示，在載體襯底20的底部上可形成背面跡線28A、28B，而在載體襯底的上表面上可形成焊盤24A、24B。跡線28A、28B例如可用于將成品器件安裝在PCB上，而焊盤24A、24B可用于分別焊接到二極管16的金屬疊層34A、34B，如圖5F所示。
參照圖5G的實施例，在外延片10焊接到載體襯底20后，可去除襯底12，從而留下焊接到載體襯底20的各個二極管16?；蛘撸蓪⒁r底12變薄而不是完全去除。襯底12可在晶片焊接到載體襯底20之前或之后變薄。
二極管16可如圖5H所示通過使用例如電泳淀積而涂上可選的波長轉(zhuǎn)換層25，以及可如圖5I所示覆蓋有一滴透明樹脂密封劑27，這可對芯片提供環(huán)境和機械保護，同時也充當透鏡。隨后，可例如通過將載體襯底20切成小塊而分離各個封裝的器件30。在一些實施例中，波長轉(zhuǎn)換層25可延伸過載體襯底的部分表面。
圖6顯示在單個封裝器件60內(nèi)提供多個二極管36A、36B的本發(fā)明實施例。二極管36A、36B可使用上述技術(shù)以串聯(lián)或并聯(lián)形式互連?；蛘?，二極管可彼此電隔離。再者，由于可在晶片級進行所有互連，因此可降低制造封裝器件所需的處理步驟和成本。因此，器件冗余可以內(nèi)置，從而提高器件的可靠性。
圖7顯示本發(fā)明實施例，其中載體襯底20由導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料(例如Si、SiC)制成，并且因此可用于在例如焊盤24A與背面跡線28A之間提供電連接。因此，可不必為提供電連接而形成連接焊盤24A與背面跡線28A的通孔(雖然如上所述仍可形成通孔以提高熱導(dǎo)性)。在這些實施例中，可在通孔22B、焊盤24B和/或背面跡線28B與導(dǎo)電襯底20之間形成阻擋層29，以提供電隔離。阻擋層29可包括通孔形成后淀積在襯底上的薄絕緣體層(例如SiN)?；蛘?，可通過在通孔填充和焊盤與背面跡線形成之前形成電流阻擋半導(dǎo)體結(jié)(例如通過摻雜劑擴散)而提供阻擋層。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將可輕松明白形成阻擋層29的其它方法。電流阻擋半導(dǎo)體結(jié)也可充當用于靜電放電保護的齊納二極管，如2004年11月12日提交的題為“半導(dǎo)體發(fā)光器件與次載具及其形成方法(Semiconductor Light EmittingDevices and Submounts and Methods for Forming the Same)”的美國專利申請No.10/987894更詳細描述的，該申請的內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了一樣。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，上述及圖中所示的各個元件可以許多不同的配置分別組合或組合在一起。也將理解，制造步驟的精確順序可與所示順序不同。本發(fā)明的實施例已在本文公開，雖然采用了特定的術(shù)語，但這些術(shù)語的使用和理解只是一般性和描述性意義，并不是要進行限制。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在不脫離所附權(quán)利要求書所述的本發(fā)明精神和范圍的情況下，可在形式和細節(jié)上進行多種更改。
權(quán)利要求
1.一種封裝的發(fā)光器件，包括載體襯底，具有上表面和下表面；第一和第二導(dǎo)電通孔，從所述襯底的所述上表面延伸到所述襯底的所述下表面；焊盤，在所述襯底的所述上表面上，與第一導(dǎo)電通孔電接觸；二極管，具有第一和第二電極，其中所述二極管安裝在所述焊盤上，并且其中第一電極與所述焊盤電接觸；所述二極管上的鈍化層，所述鈍化層暴露所述二極管的第二電極；以及導(dǎo)電跡線，在所述載體襯底的所述上表面上，并與第二導(dǎo)電通孔和第二電極電接觸，其中所述導(dǎo)電跡線在所述鈍化層上并延伸過所述鈍化層，以接觸第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述鈍化層覆蓋部分所述載體襯底。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述鈍化層還覆蓋部分所述焊盤。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝的發(fā)光器件，還包括在所述載體襯底上圍繞所述二極管的反射層。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述反射層覆蓋部分所述鈍化層和所述導(dǎo)電跡線。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝的發(fā)光器件，還包括在所述載體襯底上圍繞所述二極管的反射層。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述反射層覆蓋部分所述鈍化層和所述導(dǎo)電跡線。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述反射層限定所述二極管上面的空腔。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述空腔填充有密封劑材料。
10.如權(quán)利要求9所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述密封劑材料包括波長轉(zhuǎn)換材料。
11.如權(quán)利要求6所述的封裝的發(fā)光器件，還包括在所述反射層上的密封層。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述密封層形成對所述反射層的氣密封。
13.如權(quán)利要求9所述的封裝的發(fā)光器件，還包括在所述反射層上的密封層。
14.如權(quán)利要求13所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述密封層形成對所述反射層的氣密封。
15.如權(quán)利要求1所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述二極管包括生長襯底和所述生長襯底上的外延結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求15所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述生長襯底具有小于約150μm的厚度。
17.如權(quán)利要求1所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述二極管包括已從中去除生長襯底的外延結(jié)構(gòu)。
18.一種形成封裝的發(fā)光器件的方法，包括提供包括生長襯底和所述生長襯底上外延結(jié)構(gòu)的外延片；將載體襯底焊接到所述外延片的所述外延結(jié)構(gòu)；形成通過所述載體襯底的多個導(dǎo)電通孔；在所述外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管；以及將所述多個導(dǎo)電通孔電連接到所述多個隔離的二極管中相應(yīng)的二極管。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括將所述載體襯底焊接到所述外延結(jié)構(gòu)后面是從所述外延結(jié)構(gòu)去除所述生長襯底。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括將所述生長襯底變薄到小于約150μm的厚度。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中形成通過所述載體襯底的多個導(dǎo)電通孔包括為每個隔離的二極管形成通過所述載體襯底的一對通孔。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中用密封劑密封所述多個二極管中的至少一個包括用包括波長轉(zhuǎn)換材料的密封劑材料密封所述多個二極管中的至少一個。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括磷光體。
24.如權(quán)利要求18所述的方法，其中在所述外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管包括在所述外延結(jié)構(gòu)中形成多個臺面結(jié)構(gòu)。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中在所述外延結(jié)構(gòu)中形成多個臺面包括選擇性地蝕刻所述外延結(jié)構(gòu)。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中選擇性地蝕刻所述外延結(jié)構(gòu)以形成多個臺面是在將所述載體襯底焊接到所述外延結(jié)構(gòu)之前執(zhí)行。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括在將所述載體襯底焊接到所述外延結(jié)構(gòu)之后從所述外延結(jié)構(gòu)去除所述生長襯底，其中選擇性地蝕刻所述外延結(jié)構(gòu)以形成多個臺面是在去除所述生長襯底之后執(zhí)行。
28.如權(quán)利要求18所述的方法，其中在所述外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管先于將所述外延結(jié)構(gòu)焊接到所述載體襯底。
29.如權(quán)利要求19所述的方法，其中去除所述生長襯底先于在所述外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管。
30.如權(quán)利要求18所述的方法，其中將所述載體襯底焊接到所述外延結(jié)構(gòu)之前為在所述載體襯底上形成多個焊盤，并且其中所述多個隔離的二極管中的每個都焊接到所述多個焊盤中的至少一個。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其中每個所述導(dǎo)電通孔與所述多個焊盤中的至少一個電接觸。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中形成多個導(dǎo)電通孔包括為每個隔離的二極管形成一對導(dǎo)電通孔。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，還包括在與焊接有所述多個二極管的所述載體襯底一側(cè)相對的所述載體襯底一側(cè)上形成多個焊盤，所述多個焊盤中的每個與所述多個導(dǎo)電通孔中的至少一個電接觸。
34.如權(quán)利要求30所述的方法，還包括在所述多個二極管中的至少一個二極管上形成鈍化層，所述鈍化層暴露所述至少一個二極管上的電極。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，還包括在與焊接有所述多個二極管的所述載體襯底一側(cè)上形成多個導(dǎo)電跡線，所述多個導(dǎo)電跡線中的每個導(dǎo)電跡線將二極管的上表面與導(dǎo)電通孔電連接。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，還包括在所述載體襯底的所述上表面上形成反射層，所述反射層限定所述至少一個二極管上面的空腔。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，還包括在所述至少一個二極管上面的所述空腔中淀積密封材料。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中所述密封材料包括波長轉(zhuǎn)換材料。
39.如權(quán)利要求36所述的方法，還包括用密封件覆蓋所述空腔和所述反射層。
40.如權(quán)利要求24所述的方法，還包括在所述臺面結(jié)構(gòu)的相應(yīng)結(jié)構(gòu)上形成鈍化層。
41.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括在將所述載體襯底焊接到所述外延結(jié)構(gòu)并在所述外延結(jié)構(gòu)中限定多個二極管之后，將多個限定的二極管中的每個二極管涂上包含波長轉(zhuǎn)換材料的涂層。
42.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括在分離所述至少一個二極管之前用透明樹脂覆蓋所述至少一個二極管。
43.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括用透明樹脂覆蓋至少兩個隔離的二極管，并且其中將所述多個隔離的二極管中的所述至少一個二極管分離成封裝的器件包括形成具有至少兩個二極管的封裝的器件。
44.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括用密封劑密封所述多個隔離的二極管中的至少一個；以及將所述多個隔離的二極管中的所述至少一個分離成單獨的封裝器件。
45.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括載體襯底，具有上表面和下表面；多個發(fā)光二極管，焊接到所述載體襯底的所述上表面，每個所述發(fā)光二極管具有第一和第二電極；以及多對第一和第二導(dǎo)電通孔，從所述載體襯底的所述上表面延伸到所述襯底的所述下表面；其中每對導(dǎo)電通孔電連接到所述多個發(fā)光二極管中發(fā)光二極管的第一和第二電極。
46.如權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述載體襯底的所述上表面與所述多個發(fā)光二極管之間的多個焊盤，其中所述多個發(fā)光二極管中的至少一個安裝在所述多個焊盤之一上。
47.如權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括在所述多個發(fā)光二極管中至少一個上的密封劑材料。
48.如權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括在所述載體襯底的所述下表面上的多個焊盤，其中所述載體襯底的所述下表面上所述多個焊盤中的每個焊盤與第一或第二導(dǎo)電通孔中的至少一個電接觸。
49.如權(quán)利要求1所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電跡線在第二導(dǎo)電通孔與第二電極之間形成空中橋接。
50.如權(quán)利要求1所述的封裝的發(fā)光器件，其中至少一個附加的導(dǎo)電通孔從所述襯底的所述上表面延伸到所述襯底的所述下表面。
51.如權(quán)利要求1所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述密封劑材料包括波長轉(zhuǎn)換材料。
52.如權(quán)利要求1所述的封裝的發(fā)光器件LED，還包括在至少部分所述二極管表面上的波長轉(zhuǎn)換材料。
53.如權(quán)利要求18所述的方法，其中形成通過所述載體襯底的多個導(dǎo)電通孔先于將所述處延結(jié)構(gòu)焊接到所述載體襯底。
54.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述多個二極管中的至少一個用密封劑材料密封。
55.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述多個二極管中的至少一個用折射率大于1.6的密封劑材料密封。
56.如權(quán)利要求18所述的方法，其中用包括波長轉(zhuǎn)換材料的密封劑材料密封所述多個二極管中的至少一個。
57.如權(quán)利要求37所述的方法，其中所述密封劑材料具有大于1.6的折射率。
58.一種封裝的發(fā)光器件，包括導(dǎo)電載體襯底，具有上表面和下表面；導(dǎo)電通孔，從所述襯底的所述上表面延伸到所述襯底的所述下表面；電流阻擋層，在所述導(dǎo)電通孔與所述襯底之間；焊盤，在所述襯底的所述上表面上；二極管，具有第一和第二電極，其中所述二極管安裝在所述焊盤上，并且其中第一電極與所述焊盤電接觸；以及導(dǎo)電跡線，在所述載體襯底的所述上表面上，并與所述導(dǎo)電通孔和第二電極電接觸。
59.如權(quán)利要求58所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述電流阻擋層是絕緣體。
60.如權(quán)利要求58所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電載體襯底是半導(dǎo)體。
61.如權(quán)利要求60所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述半導(dǎo)體載體襯底包括用于控制所述二極管操作的附加電路。
62.如權(quán)利要求58所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述電流阻擋層提供對所述二極管的靜電放電保護。
63.如權(quán)利要求9所述的封裝的發(fā)光器件，其中所述密封劑材料具有大于1.6的折射率。
64.一種封裝的發(fā)光器件，包括載體襯底，具有上表面和下表面；第一和第二導(dǎo)電通孔，從所述襯底的所述上表面延伸到所述襯底的所述下表面；焊盤，在所述襯底的所述上表面上，并與第一導(dǎo)電通孔電接觸；二極管，具有第一和第二電極，其中所述二極管安裝在所述焊盤上，并且其中第一電極與所述焊盤電接觸；以及導(dǎo)電跡線，在所述載體襯底的所述上表面上，并與第二導(dǎo)電通孔和第二電極電接觸。
全文摘要
封裝的發(fā)光器件包括具有上表面和下表面的載體襯底(20)、從襯底(20)上表面延伸到襯底下表面的第一和第二導(dǎo)電通孔(22S、B)以及在襯底上表面與第一導(dǎo)電通孔(22A)電接觸的焊盤(24)。具有第一和第二電極的二極管(16)安裝在焊盤上，第一電極(26)與焊盤(24)電接觸。在二極管(16)上形成鈍化層(32)，暴露二極管(16)的第二電極。在載體襯底的上表面上形成導(dǎo)電跡線(33)，與第二導(dǎo)電通孔(22B)和第二電極電接觸。導(dǎo)電跡線在鈍化層上并延伸過鈍化層，以接觸第二電極。封裝發(fā)光器件的方法包括提供包括生長襯底和生長襯底上外延結(jié)構(gòu)的外延片，將載體襯底焊接到外延片的外延結(jié)構(gòu)，形成通過載體襯底的多個導(dǎo)電通孔，在外延結(jié)構(gòu)中限定多個隔離的二極管，以及將至少一個導(dǎo)電通孔電連接到多個隔離的二極管中相應(yīng)的二極管。
文檔編號H01L33/48GK101032034SQ200580028538
公開日2007年9月5日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者J·伊貝森, B·凱勒, P·帕里克 申請人:克里公司