專利名稱：高密度元件制造結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是揭露一種高密度元件制造結(jié)構(gòu)，適用于至少一元件并實(shí)現(xiàn)高密度及高彈性的制造結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來政府甚至推行兩兆雙星重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展計畫，其中便包含影像顯示產(chǎn)業(yè)的培植與發(fā)展計畫，以提升國家在國際上的高科技競爭優(yōu)勢。同時，在影像顯示器上發(fā)光二極體已普遍的被應(yīng)用，再者，發(fā)光二極體于次世代照明上的應(yīng)用也已經(jīng)越來越廣泛的被使用。因此，隨著發(fā)光二極體亮度的提高，以發(fā)光二極體為主的照明世代的序幕也漸漸升起，除了傳統(tǒng)的指示器、交通燈，發(fā)光二極體逐漸地被應(yīng)用于傳統(tǒng)的照明市場。另外，借著科技制造技術(shù)的進(jìn)步以及高功率發(fā)光二極體的出現(xiàn)，更提升了發(fā)光二極體照明的廣度及應(yīng)用性。
請參閱圖1，是顯示習(xí)知技藝的一實(shí)施例單一個發(fā)光元件制造結(jié)構(gòu)示意圖，其中此單一個發(fā)光元件11包含一基板111、一槽孔112、八個晶粒113以及一電性標(biāo)記114，而此單一個發(fā)光元件11的基板111為陶瓷基板。一般此種元件制造結(jié)構(gòu)在習(xí)知技藝中大多是在基板111上挖好一個大的槽孔112，然后于此槽孔112里設(shè)置八個晶粒113，且此晶粒113可為發(fā)光二極體。最后，在此基板111左上角標(biāo)示一電性標(biāo)記114以注記設(shè)置在基板111上的這些晶粒113的電性連接。此種制造結(jié)構(gòu)的單一個發(fā)光元件11的陶瓷基板上有一大部份因?yàn)闆]有擺設(shè)發(fā)光二極體的晶粒113而造成空間的浪費(fèi)。
進(jìn)一步請參閱圖2，是顯示習(xí)知技藝的一實(shí)施例多個發(fā)光元件制造結(jié)構(gòu)示意圖，為達(dá)成此多個發(fā)光元件制造是利用一塊較大型的基板111制成多個如圖1所示的單一個發(fā)光元件11于其上。由此制造結(jié)構(gòu)所得多個發(fā)光元件11會有一大部部分的陶瓷基板因?yàn)闆]有擺放晶粒113而造成浪費(fèi)，同時也因?yàn)閿[放晶粒113的不均勻亦會造成發(fā)光不均勻的情況發(fā)生。
再者，如圖3所示，為習(xí)知分割多個發(fā)光元件的一實(shí)施例示意圖。此實(shí)施例是以圖2所示多個發(fā)光元件11為基礎(chǔ)來進(jìn)行分割，而這種分割方式只能以八個發(fā)光二極體的晶粒113為單位來進(jìn)行分割，如圖中分割面積31所示，廠商無法根據(jù)所需的形狀進(jìn)行分割而必須牽就以八個晶粒為單位的方式進(jìn)行分割。如此缺乏彈性的分割方式不僅會造成額外的成本浪費(fèi)，同樣的也具有發(fā)光不均勻的缺點(diǎn)存在。
藉此，開發(fā)一種具有高密度及高彈性的制造結(jié)構(gòu)以解決上述習(xí)知發(fā)光元件制造時的諸多缺點(diǎn)，實(shí)為消費(fèi)者殷切盼望及本人努力之所在，而本人基于多年從事于制造結(jié)構(gòu)的研究開發(fā)與諸多實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)，乃思及改良的意念，窮其個人專業(yè)知識，并且經(jīng)多方研究設(shè)計與專題探討，至此提出一種高密度元件制造結(jié)構(gòu)以作為上述問題一解決方式與依據(jù)。
新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的為揭露一種高密度元件制造結(jié)構(gòu)，適用于至少一元件以實(shí)現(xiàn)高密度及高彈性的制造結(jié)構(gòu)，藉此解決因分割方式造成成本浪費(fèi)的問題，并改善分割后發(fā)光元件發(fā)光不均勻的缺點(diǎn)。
此種高密度元件制造結(jié)構(gòu)包含一基板以及至少一槽孔，而這些槽孔以一陣列排列于基板之上，其中，槽孔的尺寸與單一個元件尺寸大小相符以一一設(shè)置元件于各槽孔內(nèi)。同時，更進(jìn)一步地在基板上以單一個元件作為選取單位選取出一分布區(qū)域來進(jìn)行分割。藉由前述使制造結(jié)構(gòu)具有高密度及高彈性的優(yōu)勢，可以避免制造成本的浪費(fèi)。
另外，此制造結(jié)構(gòu)中所包含的基板可為陶瓷基板、玻璃基板或硅基板，且基板上的槽孔可以是方形槽孔、圓形槽孔或其他形狀的槽孔，又，元件一般是以晶粒為主可為發(fā)光二極體或積體電路元件，藉由前述制造結(jié)構(gòu)使分割發(fā)光二極體后不會產(chǎn)生發(fā)光不均勻的問題。


圖1是顯示習(xí)知技藝的一實(shí)施例單一個發(fā)光元件制造結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是顯示習(xí)知技藝的一實(shí)施例多個發(fā)光元件制造結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為習(xí)知分割多個發(fā)光元件的一實(shí)施例示意圖；圖4乃顯示依據(jù)本實(shí)用新型的一高密度元件制造結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5為本實(shí)用新型以單一晶粒作為選取單位分割元件的一圖號說明11發(fā)光元件；111基板； 112槽孔；113晶粒； 114電性標(biāo)記； 31分割面積；41方形槽孔；51元件形狀；61十六個并列發(fā)光二極體；611輸入端； 612輸出端；71圓形槽孔。
具體實(shí)施方式
以下將參照相關(guān)圖式，以說明依本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的制造結(jié)構(gòu)，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明，以利參照。
請參閱圖4，其乃顯示依據(jù)本實(shí)用新型的一高密度元件的制造結(jié)構(gòu)示意圖，其中至少包含一如前述的基板111、至少一晶粒113以及結(jié)合先進(jìn)技術(shù)所獲得與晶粒113尺寸相符的方形槽孔41，又，基板111可為一陶瓷基板且晶粒113可為一發(fā)光二極體。同時，這些方形槽孔41更以陣列的排列獲得高密度的晶粒113，相較于習(xí)知技藝圖2所示以八個晶粒113為單位僅能設(shè)置96個晶粒113，而以本實(shí)用新型的制造結(jié)構(gòu)可在相同尺寸基板111上則可設(shè)置192個晶粒113甚至可得更高密度，意即可獲得高亮度及高均勻度的發(fā)光元件。
更進(jìn)一步，請參閱圖5所示為本實(shí)用新型以單一晶粒作為選取單位以分割元件的一實(shí)施例示意圖。由圖4制造結(jié)構(gòu)所得元件為基礎(chǔ)進(jìn)行分割，以單一晶粒113為單位依所欲獲得的元件形狀51進(jìn)行分割，此高彈性的分割可以降低元件制造成本避免不必要的成本浪費(fèi)，且具有同樣的高密度、高亮度及高均勻度的效果。
接續(xù)請參閱圖6所示為十六個發(fā)光二極體并列示意圖，其中包含十六個并列發(fā)光二極體61具有相同輸入端611以及輸出端612。以本實(shí)用新型制造結(jié)構(gòu)來制造此十六個并列發(fā)光二極體61請一并參閱圖7所示，以圓形槽孔71來作為輸入端611的電性標(biāo)記，以與其他方形槽孔41產(chǎn)生一識別效果，如此更可提供于應(yīng)用此元件時對電性上判定的方便性。
由上述的實(shí)施例說明，是結(jié)合本實(shí)用新型提供的一種制造結(jié)構(gòu)適用于設(shè)置元件，可以降低元件制造成本并提供高密度及高彈性的元件制造，以提升競爭優(yōu)勢以滿足產(chǎn)業(yè)日益艱困的挑戰(zhàn)。
以上所述者，僅為本專利的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍。凡依本專利申請范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及理論等所為的變化或修飾，均應(yīng)包括于本專利的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種高密度元件制造結(jié)構(gòu)，用于至少一元件，其特征在于，該高密度元件制造結(jié)構(gòu)至少包含一基板；至少一槽孔，產(chǎn)生于該基板上且設(shè)置該元件于該槽孔內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該槽孔是排列成一陣列。
3.如權(quán)利要求1所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板是選取一分布區(qū)域進(jìn)行分割。
4.如權(quán)利要求3所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該分布區(qū)域是由至少一選取單位所構(gòu)成，該選取單位為單一個該元件。
5.如權(quán)利要求1所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該元件為一晶粒。
6.如權(quán)利要求5所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該晶粒為一發(fā)光二極體。
7.如權(quán)利要求1所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為一陶瓷基板。
8.如權(quán)利要求1所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為一玻璃基板。
9.如權(quán)利要求1所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為一硅基板。
10.如權(quán)利要求1所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該槽孔的一尺寸是相對應(yīng)該元件的一尺寸。
11.如權(quán)利要求10所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該槽孔為一圓形槽孔。
12.如權(quán)利要求10所述的高密度元件制造結(jié)構(gòu)，其特征在于，該槽孔為一方形槽孔。
專利摘要本實(shí)用新型揭露一種高密度元件制造結(jié)構(gòu)，適用于至少一元件并實(shí)現(xiàn)高密度及高彈性的制造結(jié)構(gòu)。此種高密度元件制造結(jié)構(gòu)包含一基板以及至少一槽孔，而這些槽孔以一陣列的排列于基板之上，其中，槽孔的尺寸與單一個元件尺寸大小相符以一一設(shè)置元件于各槽孔內(nèi)。同時，更進(jìn)一步地在基板上以單一個元件作為選取單位選取出一分布區(qū)域來進(jìn)行分割。藉由前述的制造可獲得一高密度及高彈性的制造結(jié)構(gòu)，也可以避免制造成本的浪費(fèi)。
文檔編號H01L33/00GK2840329SQ200520018648
公開日2006年11月22日 申請日期2005年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月20日
發(fā)明者蘇驊, 王希維 申請人:炬鑫科技股份有限公司