專(zhuān)利名稱(chēng)：一次可編程內(nèi)存及其數(shù)據(jù)燒錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及一種一次可編程內(nèi)存，特別涉及一種一次可編程內(nèi)存的架構(gòu)及其燒錄數(shù)據(jù)的方法。
背景技術(shù)：
可編程熔絲陣列一般可用于需要調(diào)整的電子電路的連接，以提供適當(dāng)?shù)牟僮?。這樣的熔絲陣列電路根據(jù)熔絲是否燒斷來(lái)提供邏輯高電位與邏輯低電位。然后，可通過(guò)選擇性地?zé)龜嚓嚵兄械娜劢z來(lái)供給數(shù)字字符。例如，可將數(shù)字字符供給數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)，以提供所希望的調(diào)整電壓。例如，運(yùn)算放大器可進(jìn)行上述設(shè)計(jì)，使得其漂移電壓可調(diào)整。
在可編程熔絲陣列中的熔絲只能編程一次，即，已被燒斷的熔絲無(wú)法再次被燒斷。照慣例，可將這樣的可編程熔絲陣列制作于集成電路中，以測(cè)量或控制電子裝置。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其示出了一次可編程熔絲陣列電路的電路方框圖(如美國(guó)專(zhuān)利第6690193號(hào))。在公知的技術(shù)中，這種一次可編程熔絲陣列電路40可提供數(shù)字信號(hào)給可編程模擬組件。而集成電路通過(guò)數(shù)字接口42將數(shù)字位組合(bit pattern)傳送給熔絲陣列電路40。最初，熔絲陣列電路40的輸出44將終端用戶所指定的位組合提供給可編程模擬組件。終端用戶可按照需要修改位組合。
熔絲陣列電路40也包括程序電路(programming circuit)46與至少N個(gè)可編程數(shù)據(jù)熔絲陣列48。根據(jù)從程序電路46所接收的程序信號(hào)使每一可編程數(shù)據(jù)熔絲從完好的狀態(tài)變成燒斷的狀態(tài)。程序電路46接收終端用戶所指定的數(shù)字位組合。為保證數(shù)據(jù)熔絲已被正確編程而配置確認(rèn)裝置52，并產(chǎn)生輸出信號(hào)來(lái)指示匹配所指定位組合的數(shù)據(jù)熔絲的狀態(tài)。程序電路46接收確認(rèn)裝置52的輸出信號(hào)，且在確認(rèn)裝置52指出數(shù)據(jù)熔絲匹配指定位組合時(shí)，燒斷鎖入(lock)熔絲。
終端用戶指定的位組合和數(shù)據(jù)熔絲的狀態(tài)以多路傳輸?shù)姆绞酵ㄟ^(guò)多路復(fù)用器(multiplexer)56被傳送至可編程模擬組件。最初，指定位組合被傳送至可編程模擬組件，而必要時(shí)還可修改位組合，以使可編程模擬組件達(dá)到所要的結(jié)果。當(dāng)達(dá)到所要的結(jié)果時(shí)，則燒斷數(shù)據(jù)熔絲，且將數(shù)據(jù)熔絲的狀態(tài)傳送至可編程模擬組件，由此提供一個(gè)永久的調(diào)整(trim)信號(hào)。
在上述公知技術(shù)中，使用多個(gè)緩存器來(lái)測(cè)試與燒錄數(shù)據(jù)，使得一次可編程內(nèi)存的燒錄變得相當(dāng)麻煩，而且整個(gè)電路設(shè)計(jì)也會(huì)相當(dāng)復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種一次可編程內(nèi)存，其可在芯片制作完成后，通過(guò)程序?qū)⑿畔⒂涗浻谄渲?，可省去重新修改電路而再次制作芯片的步驟，并精簡(jiǎn)電路設(shè)計(jì)和節(jié)省成本。
本發(fā)明提出一種一次可編程內(nèi)存，該一次可編程內(nèi)存包括數(shù)字接口、熔絲控制電路、熔絲數(shù)據(jù)緩存器以及可編程熔絲陣列。數(shù)字接口接收用戶端所傳來(lái)的熔絲數(shù)據(jù)。熔絲控制電路根據(jù)熔絲數(shù)據(jù)而輸出程序信號(hào)。熔絲數(shù)據(jù)緩存器接收及暫時(shí)存儲(chǔ)熔絲數(shù)據(jù)?？删幊倘劢z陣列具有多個(gè)可編程數(shù)據(jù)熔絲，可編程熔絲陣列接收程序信號(hào)和熔絲數(shù)據(jù)，并根據(jù)程序信號(hào)和熔絲數(shù)據(jù)而燒斷可編程數(shù)據(jù)熔絲。
本發(fā)明提出一種一次可編程內(nèi)存的數(shù)據(jù)燒錄方法，包括接收熔絲數(shù)據(jù)；暫時(shí)存儲(chǔ)熔絲數(shù)據(jù)；根據(jù)熔絲數(shù)據(jù)而輸出程序信號(hào)；以及接收程序信號(hào)和熔絲數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述程序信號(hào)和熔絲數(shù)據(jù)燒入可編程熔絲陣列。


圖1示出了本發(fā)明的一種一次可編程內(nèi)存的電路方框圖；圖2示出了本發(fā)明的一種在信號(hào)焊墊與VDDF(熔絲修整電壓源)焊墊之間進(jìn)行切換的電路示意圖；圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)的一次可編程熔絲陣列電路的電路方框圖。附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下10-一次可編程內(nèi)存11、42-數(shù)字接口12-熔絲控制電路 13-熔絲數(shù)據(jù)緩存器14-可編程熔絲陣列15-用戶端16-可編程組件202-信號(hào)接腳204-VDDF接腳 206-芯片接腳208-模式控制信號(hào)焊墊 40-一次可編程熔絲陣列電路44-可編程模擬組件46-程序電路48-熔絲陣列 52-確認(rèn)裝置54-鎖入熔絲 56-多路復(fù)用器58-用戶端位組合緩存器60-熔絲緩存器具體實(shí)施方式
為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)限制本發(fā)明。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，其示出了本發(fā)明的一種一次可編程內(nèi)存的電路方框圖。其中，一次可編程內(nèi)存10包括數(shù)字接口11、熔絲控制電路12、熔絲數(shù)據(jù)緩存器13以及可編程熔絲陣列14，并且，一次可編程內(nèi)存10電連接至用戶端15與可編程組件16。
在本實(shí)施例中，數(shù)字接口11電連接至用戶端15，并接收用戶端15所傳來(lái)的熔絲數(shù)據(jù)。其中，如本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的那樣，數(shù)字接口11可使用例如I2C通信協(xié)議。
熔絲控制電路12電連接至數(shù)字接口11，并根據(jù)熔絲數(shù)據(jù)而輸出程序信號(hào)至可編程熔絲陣列14。
熔絲數(shù)據(jù)緩存器13電連接至數(shù)字接口11及可編程熔絲陣列14，而熔絲數(shù)據(jù)緩存器13接收并暫時(shí)存儲(chǔ)熔絲數(shù)據(jù)。
可編程熔絲陣列14具有多個(gè)可編程數(shù)據(jù)熔絲。可編程熔絲陣列14接收程序信號(hào)和熔絲信號(hào)，并根據(jù)程序信號(hào)和熔絲數(shù)據(jù)而燒斷可編程數(shù)據(jù)熔絲。其中，每一可編程數(shù)據(jù)熔絲根據(jù)各自的程序信號(hào)從完整狀態(tài)轉(zhuǎn)變成燒斷狀態(tài)。
在本實(shí)施例中，可編程熔絲陣列14在熔絲燒斷模式時(shí)，輸出確認(rèn)結(jié)果至可編程組件16。
在本實(shí)施例中，一次可編程內(nèi)存10的操作之前，用戶端15首先使一次可編程內(nèi)存10進(jìn)入燒斷模式。接著，用戶端15輸出想要燒錄的熔絲數(shù)據(jù)至數(shù)字接口11，并由數(shù)字接口11將其存儲(chǔ)于熔絲數(shù)據(jù)緩存器13中。
接著，熔絲控制電路12檢查在可編程熔絲陣列14中的鎖入熔絲的狀態(tài)。如果檢查得知鎖入熔絲為開(kāi)啟狀態(tài)，則表示一次可編程內(nèi)存10是允許寫(xiě)入數(shù)據(jù)的，然后將暫時(shí)存儲(chǔ)于熔絲數(shù)據(jù)緩存器13的熔絲數(shù)據(jù)燒入至可編程熔絲陣列14。反之，如果檢查得知鎖入熔絲為關(guān)閉狀態(tài)，則表示一次可編程內(nèi)存10是不允許寫(xiě)入數(shù)據(jù)的。
鎖入熔絲為可編程熔絲陣列14中的熔絲位。而燒入于可編程熔絲陣列14中的數(shù)據(jù)為可編程組件16的輸入。當(dāng)完成所有內(nèi)存的可編程程序后，用戶端15將燒入鎖入熔絲位，以表示一次可編程內(nèi)存10已不能再燒錄數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，可編程組件16可以例如是模擬可編程組件或數(shù)字可編程組件，但并不局限于此。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，用戶端15進(jìn)一步輸出讀取信號(hào)至數(shù)字接口11。數(shù)字接口11則接收及輸出該讀取信號(hào)，并使熔絲控制電路12輸出可編程熔絲陣列內(nèi)的熔絲數(shù)據(jù)。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其示出了本發(fā)明的一種在信號(hào)焊墊與VDDF焊墊之間進(jìn)行切換的電路示意圖。
在本實(shí)施例中，鎖入熔絲位還可用來(lái)控制焊墊間的切換，例如，信號(hào)接腳202與VDDF接腳204。其中，在燒斷模式時(shí)，芯片接腳206經(jīng)由模式控制信號(hào)焊墊208耦接至VDDF接腳204。換句話說(shuō)，如果一次可編程內(nèi)存10已不能再燒入數(shù)據(jù)時(shí)，芯片接腳206經(jīng)模式控制信號(hào)焊墊208耦接至信號(hào)接腳202(根據(jù)設(shè)計(jì)者的設(shè)計(jì)而定)，以用于一般模式或確認(rèn)模式。
這樣的切換可使得用戶端15輕易地對(duì)已完成封裝的芯片進(jìn)行編程。此外，也不需要為VDDF接腳204設(shè)計(jì)額外的芯片接腳206。
綜上所述，本發(fā)明的一次可編程內(nèi)存可在芯片制作完成后，通過(guò)程序?qū)⑿畔⒂涗浻谄渲校墒∪ブ匦滦薷碾娐范俅沃谱餍酒牟襟E，并可精簡(jiǎn)電路設(shè)計(jì)以及節(jié)省成本。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此即限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，凡是運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專(zhuān)利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種一次可編程內(nèi)存，適用于對(duì)可編程組件進(jìn)行編程，所述一次可編程內(nèi)存電連接至用戶端以及所述可編程組件，所述一次可編程內(nèi)存包括數(shù)字接口，電連接至所述用戶端，用以接收所述用戶端所傳來(lái)的熔絲數(shù)據(jù)；熔絲控制電路，電連接至所述數(shù)字接口，用以根據(jù)所述熔絲數(shù)據(jù)而輸出程序信號(hào)；熔絲數(shù)據(jù)緩存器，電連接至所述數(shù)字接口，用以接收及暫時(shí)存儲(chǔ)所述熔絲數(shù)據(jù)；以及可編程熔絲陣列，具有多個(gè)可編程數(shù)據(jù)熔絲，所述可編程熔絲陣列電連接至所述熔絲數(shù)據(jù)緩存器以及所述熔絲控制電路，用以接收所述程序信號(hào)和所述熔絲數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述程序信號(hào)和所述熔絲數(shù)據(jù)燒斷所述可編程數(shù)據(jù)熔絲。
2.如權(quán)利要求1所述的一次可編程內(nèi)存，其中，每一所述可編程數(shù)據(jù)熔絲根據(jù)各自的所述程序信號(hào)從完整狀態(tài)轉(zhuǎn)變成燒斷狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的一次可編程內(nèi)存，其中，所述數(shù)字接口接收并輸出讀取信號(hào)，并使所述熔絲控制電路將所述可編程熔絲陣列內(nèi)的所述熔絲數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出。
4.如權(quán)利要求1所述的一次可編程內(nèi)存，其中，所述可編程熔絲陣列在熔絲燒斷模式時(shí)，輸出確認(rèn)結(jié)果至所述可編程組件。
5.如權(quán)利要求1所述的一次可編程內(nèi)存，其中，所述可編程熔絲陣列包括鎖入熔絲，所述熔絲控制電路對(duì)所述鎖入熔絲進(jìn)行檢查，用以確認(rèn)所述可編程熔絲陣列是否已進(jìn)行過(guò)燒入動(dòng)作。
6.如權(quán)利要求5所述的一次可編程內(nèi)存，其中，所述鎖入熔絲對(duì)信號(hào)接腳進(jìn)行控制，當(dāng)所述鎖入熔絲未被燒斷時(shí)，則所述信號(hào)接腳連接至電壓源，當(dāng)所述鎖入熔絲被燒斷時(shí)，則所述信號(hào)接腳連接至信號(hào)輸入端。
7.如權(quán)利要求4所述的一次可編程內(nèi)存，其中，所述可編程組件為模擬可編程組件。
8.如權(quán)利要求4所述的一次可編程內(nèi)存，其中，所述可編程組件為數(shù)字可編程組件。
9.一種一次可編程內(nèi)存的數(shù)據(jù)燒錄方法，所述一次可編程內(nèi)存包括可編程熔絲陣列，所述可編程熔絲陣列包括鎖入熔絲，所述數(shù)據(jù)燒錄方法包括接收熔絲數(shù)據(jù)；暫時(shí)存儲(chǔ)所述熔絲數(shù)據(jù)；根據(jù)所述熔絲數(shù)據(jù)而輸出程序信號(hào)；以及接收所述程序信號(hào)和所述熔絲數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述程序信號(hào)和所述熔絲數(shù)據(jù)燒入所述可編程熔絲陣列。
10.如權(quán)利要求9所述的一次可編程內(nèi)存的數(shù)據(jù)燒錄方法，其中，所述數(shù)據(jù)燒錄方法包括將所述熔絲數(shù)據(jù)暫時(shí)存儲(chǔ)于熔絲數(shù)據(jù)緩存器。
11.如權(quán)利要求9所述的一次可編程內(nèi)存的數(shù)據(jù)燒錄方法，其中，在燒斷所述可編程數(shù)據(jù)熔絲之前，先檢查所述鎖入熔絲的狀態(tài)。
12.如權(quán)利要求11所述的一次可編程內(nèi)存的數(shù)據(jù)燒錄方法，其中，當(dāng)完成對(duì)所述一次可編程內(nèi)存的編程之后，所述鎖入熔絲將被燒入一位，用以表示所述一次可編程內(nèi)存已不能再被燒入。
13.如權(quán)利要求11所述的一次可編程內(nèi)存的數(shù)據(jù)燒錄方法，其中，當(dāng)檢查得知所述鎖入熔絲為關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，停止燒入所述可編程熔絲陣列。
14.一種用于燒錄可編程熔絲陣列的燒錄電路，至少包括數(shù)字接口，電連接至用戶端，用以接收所述用戶端所傳來(lái)的熔絲數(shù)據(jù)；熔絲控制電路，電連接至所述數(shù)字接口，用以根據(jù)所述熔絲數(shù)據(jù)而輸出程序信號(hào)；熔絲數(shù)據(jù)緩存器，電連接至所述數(shù)字接口，用以接收及暫時(shí)存儲(chǔ)所述熔絲數(shù)據(jù)，其中，用所述熔絲控制電路檢查可編程熔絲陣列是否已經(jīng)被燒入，如果沒(méi)有，則所述熔絲控制電路從熔絲數(shù)據(jù)緩存器燒入數(shù)據(jù)至可編程熔絲陣列。
15.如權(quán)利要求14所述的用于燒錄可編程熔絲陣列的燒錄電路，其中，所述可編程熔絲陣列在熔絲燒斷模式時(shí)，將確認(rèn)結(jié)果輸出至可編程組件。
16.如權(quán)利要求14所述的用于燒錄可編程熔絲陣列的燒錄電路，其中，所述可編程熔絲陣列包括鎖入熔絲，且所述熔絲控制電路對(duì)所述鎖入熔絲進(jìn)行檢查，用以確認(rèn)所述可編程熔絲陣列是否已進(jìn)行過(guò)燒入動(dòng)作。
17.如權(quán)利要求16所述的用于燒錄可編程熔絲陣列的燒錄電路，其中，所述鎖入熔絲對(duì)信號(hào)接腳進(jìn)行控制，當(dāng)所述鎖入熔絲未被燒斷時(shí)，則所述信號(hào)接腳連接至電壓源，當(dāng)所述鎖入熔絲被燒斷時(shí)，則所述信號(hào)接腳連接至信號(hào)輸入端。
18.如權(quán)利要求15所述的用于燒錄可編程熔絲陣列的燒錄電路，其中，所述可編程組件為模擬可編程組件。
19.如權(quán)利要求15所述的用于燒錄可編程熔絲陣列的燒錄電路，其中，所述可編程組件為數(shù)字可編程組件。
全文摘要
一種一次可編程內(nèi)存，包括數(shù)字接口、熔絲控制電路、熔絲數(shù)據(jù)緩存器以及可編程熔絲陣列。數(shù)字接口接收用戶端所傳來(lái)的熔絲數(shù)據(jù)。熔絲控制電路根據(jù)熔絲數(shù)據(jù)輸出程序信號(hào)。接著，熔絲數(shù)據(jù)緩存器接收及暫時(shí)存儲(chǔ)熔絲數(shù)據(jù)?？删幊倘劢z陣列具有多個(gè)可編程數(shù)據(jù)熔絲，可編程熔絲陣列接收程序信號(hào)和熔絲數(shù)據(jù)，并根據(jù)程序信號(hào)與熔絲數(shù)據(jù)燒斷可編程數(shù)據(jù)熔絲。
文檔編號(hào)H01L27/115GK1988042SQ20051013216
公開(kāi)日2007年6月27日 申請(qǐng)日期2005年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月22日
發(fā)明者黃一洲, 吳曉龍 申請(qǐng)人:富晶半導(dǎo)體股份有限公司