專利名稱：光傳感器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種光傳感器CIS封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著影音多媒體的盛行，影像數(shù)字化成為必然的趨勢，數(shù)字相機、數(shù)字攝影機及影像掃瞄器等產(chǎn)品的推出，代表著影像數(shù)字化時代的來臨，而CMOS是決定該數(shù)字化時代的重要技術(shù)之一，其產(chǎn)品的優(yōu)劣、成本、人性化更是企業(yè)于此一競爭成敗的關(guān)鍵。
請參閱圖1，其是現(xiàn)有的CMOS光感測組件(CMOS image sensor)的COG封裝結(jié)構(gòu)，如圖所示其包含有一可透光的基板10，其上設(shè)置有金屬布線12，與多數(shù)個用以與金屬布線12形成電性連接的金屬球(solder balls)14；一光學(xué)感測組件16，其包含有一光感測區(qū)域(sensing region)18、多數(shù)個焊墊20(pads)，其上設(shè)有多數(shù)個金屬連接點(metal connection points)22，光感測組件16透過金屬連接點22設(shè)置于基板10上并與基板10上的金屬布線12形成電性連接；以及一位于基板10與光學(xué)感測組件16間用來封合光感組件16與基板10間孔隙，以隔絕外來污染物污染感測區(qū)域的膠體層17。
但上述的結(jié)構(gòu)，于形成膠體層17時，往往因為膠體層17的膠體略帶流動性，因此相當(dāng)容易發(fā)生膠體控制不易的情況發(fā)生，例如，當(dāng)光感測組件16上的焊墊20與光感測區(qū)域18過近時，膠體將溢流到光感測區(qū)域18，而造成光感測功能失常；當(dāng)光感測組件16的焊墊20與金屬球14距離過近時，膠體會流到金屬球14區(qū)域，污染金屬球14，此時當(dāng)金屬球14再經(jīng)過回焊(SMT IR Reflow)制程時，將造成制程上良率損失。特別是上述兩種情況將隨著對多媒體產(chǎn)品要求輕、薄、短、小的趨勢下，焊墊20與金屬球14間的距離隨的日漸縮短，而污染問題將日益嚴重，嚴重影響制程成本與產(chǎn)品良率。
因此，本發(fā)明是針對上述問題，提供一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，來解決上述的問題，并提升產(chǎn)品的市場競爭力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其為一種呈現(xiàn)CIS封裝結(jié)構(gòu)的光傳感器，其能夠解決光傳感器在進入輕、薄、短、小的趨勢下，膠體層污染金屬球與光感測區(qū)域的問題，并大幅度提升光傳感器封裝的良率。
本發(fā)明的又一目的，在于提供一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其能有效阻擋膠體溢流，防止光感測區(qū)域遭受外來污染物到污染。
本發(fā)明的再一目的，在于提供一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其能夠有效提升制程的良率，進而降低生產(chǎn)成本，使產(chǎn)品更具市場競爭力。
本發(fā)明的另一目的，在于提供一種能實現(xiàn)縮小封裝面積可能性的光感測封裝結(jié)構(gòu)。
為達以上的目的，本發(fā)明提供一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其包含有一兩側(cè)邊具有第一金屬布線的基板，在第一金屬布線有多數(shù)個第一金屬連接點；一位于基板上的光感測組件，其具有一光感測區(qū)域、多數(shù)個焊墊，焊墊上有多數(shù)個第二金屬連接點；以及一表面上有第二金屬布線的透光層，其覆蓋于基板與光感測組件上，且第一金屬布線、第一金屬接點、第二金屬布線與第二金屬接點形成電性連接。
本發(fā)明提供另一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其包含有一兩側(cè)邊具有第一金屬布線的基板，且第一金屬布在線設(shè)有導(dǎo)電膠；一位于基板上的光感測組件，光感測組件上具有一光感測區(qū)域、多數(shù)個焊墊，其上具有多數(shù)個第一金屬連接點；以及一表面上有第二金屬布線的透光層，透光層是覆蓋于基板與光感測組件上，且第一金屬布線、導(dǎo)電膠、第二金屬布線與第一金屬接點形成電性連接。
由本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)，可知本發(fā)明將具有下列有點1.可利用位于基板上的金屬布線來方便完成與PCB板上的電性連接。
2.無現(xiàn)有膠體層污染金屬球等的問題。
3.透過間隙壁的使用，可有效限制膠體層溢流的范圍，進而避免膠體層溢流污染光感測區(qū)域，并達到縮小封裝面積的目的。
4.本發(fā)明舍棄現(xiàn)有使用金屬球良率較低的COG封裝結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)而改變電性連接傳遞關(guān)是成為良率較高的CIS封裝結(jié)構(gòu)。為能對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達成的功效更有進一步的了解與認識，謹佐以較佳的實施例圖及配合詳細的說明，說明如后


圖1是現(xiàn)有CMOS光感測組件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是本發(fā)明的一實施例示意圖；圖3是本發(fā)明的另一實施例示意圖；圖4是本發(fā)明的又一實施例示意圖。
圖號說明10透光層12金屬布線14金屬球16光感測組件17膠體層18光感測區(qū)域20焊墊 22金屬連接點24光感測組件26光感測區(qū)域28焊墊 30金屬連接點32基板 34粘著層36金屬布線 38金屬連接點40透光層42金屬布線44間隙壁46膠體層47間隙壁48異向性導(dǎo)電膠具體實施方式
本發(fā)明是關(guān)于一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)請參閱圖2，其是本發(fā)明的一實施例示意圖，本發(fā)明主要包含有一光感測組件24，其包含有一光感測區(qū)域26與多數(shù)個焊墊28，焊墊28上具有多數(shù)個金屬連接點30；一基板32，其上具有一用以將光感測組件24粘著于基板32上的粘著層34，且基板32邊緣側(cè)設(shè)置有金屬布線36與多數(shù)個位于金屬布線36上的金屬連接點38，一覆蓋于光感測組件24與該基板32上的透光層40，其可以為一可過濾某一特定波長的透光玻璃，透光層40上設(shè)置有金屬布線42，金屬連接點30、金屬布線42、金屬連接點38與金屬布線36形成電性連接；一位于透光層40的金屬布線42上且在金屬連接點38內(nèi)側(cè)靠近光感測區(qū)域26端的間隙壁44；以及一用以封合透光層40與基板32間的膠體層46，其中間隙壁44是可采用網(wǎng)版印刷的方式來形成，且其材質(zhì)可選自略具彈性的絕緣高分子材，如聚亞胺等。
請參閱圖3，其是本發(fā)明的另一實施例示意圖，其是將間隙壁47的位置變更形成于基板32上，來達到避免膠體層46溢流污染的問題。
請參閱圖4，其是本發(fā)明的又一實施例示意圖，本發(fā)明主要包含有一基板32，其上具有一粘著層34，兩側(cè)邊具有金屬布線36，金屬布線36上粘著有一異向性導(dǎo)電膠48；一通過由粘著層34粘著于基板32上的光感測組件24，其包含有一光感測區(qū)域26與多數(shù)個焊墊28；一覆蓋于基板32與光感測組件24上的透光層40，透光層40上設(shè)置有金屬布線42，且金屬接點30、金屬布線42、導(dǎo)電膠48與金屬布線36將形成電性連接。
如圖所示，本發(fā)明的實施例與先前的實施例的主要差異在于此一實施例使用導(dǎo)電膠的導(dǎo)電性與略具壓縮與密封的特性，來完成封裝所需的電性傳遞與避免外來污染物污染光感測區(qū)域的需求。
綜上所述，本發(fā)明為一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其是跳脫現(xiàn)有的COG封裝結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)而以一種全新的電性連接傳遞關(guān)是的CIS封裝結(jié)構(gòu)，來達到防止外界污染物或膠體污染影響光感測區(qū)域以及金屬球等問題，進而確保組件的良率與正常運作，特別是，在隨著組件日益輕薄短小的趨勢化下，解決了現(xiàn)有技術(shù)面對縮小化時，存在無法克服的溢膠污染問題。
以上所述，僅為本發(fā)明一較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，故舉凡依本發(fā)明申請專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包含有一基板，其兩側(cè)邊具有第一金屬布線，該第一金屬布在線具有多數(shù)個第一金屬連接點；一光感測組件，其是位于該基板上，該光感測組件上具有一光感測區(qū)域、多數(shù)個焊墊，該焊墊上具有多數(shù)個第二金屬連接點；以及一透光層，其表面上有第二金屬布線，該透光層是覆蓋于該基板與該光感測組件上，且該第一金屬布線、該第一金屬接點、該第二金屬布線與該第二金屬接點形成電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，另外包含有一間隙壁，其是位于該第一金屬連接點與該光感測組件的該光感測區(qū)域之間。
3.如權(quán)利要求1所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該基板上更包含有一粘著層，其是用以粘著該光感測組件與該基板。
4.如權(quán)利要求1所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，另外包含有一膠體層，其是位于該透光層與該基板間，用以封合該透光層與該基板間的孔隙。
5.如權(quán)利要求1所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該透光層為一玻璃。
6.如權(quán)利要求1所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該透光層可過濾特定光波長。
7.如權(quán)利要求1所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該第二金屬布線形成有一相對應(yīng)于該第一金屬連接點與該第二金屬連接點間位置的間隙壁。
8.如權(quán)利要求1所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該基板上形成有一相對應(yīng)于該第一金屬連接點與該第二金屬連接點間位置的間隙壁。
9.一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含有一基板，兩側(cè)邊具有第一金屬布線，該第一金屬布在線設(shè)置有導(dǎo)電膠；一光感測組件，其是位于該基板上，該光感測組件上具有一光感測區(qū)域、多數(shù)個焊墊，該焊墊上具有多數(shù)個第一金屬連接點；以及一透光層，其表面上有第二金屬布線，該透光層是覆蓋于該基板與該光感測組件上，且該第一金屬布線、該導(dǎo)電膠、該第二金屬布線與該第一金屬接點形成電性連接。
10.如權(quán)利要求9所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該導(dǎo)電膠為異向性導(dǎo)電膠。
11.如權(quán)利要求9所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該透光層可過濾特定光波長。
12.如權(quán)利要求9所述的光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該基板上更包含有一粘著層，其是用以粘著該光感測組件與該基板。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種光傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其是利用具有金屬布線與粘著層的基板，來將光傳感器固定于基板上，并將封裝結(jié)構(gòu)的電性行徑路徑由COG制程改變?yōu)镃IS制程，以提高電性的良率，于適當(dāng)位置形成能阻止膠體層溢流的間隙壁，以達到避免膠體溢流污染光感測區(qū)域與金屬球的情況，特別是本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)能縮小封裝面積使良率與品質(zhì)大幅度提升。
文檔編號H01L23/31GK1971924SQ20051012411
公開日2007年5月30日 申請日期2005年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月24日
發(fā)明者陳柏宏, 陳懋榮 申請人:矽格股份有限公司