專利名稱：在層間介質(zhì)互連中形成低電阻和可靠過孔的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體電路器件的制造，更具體地說，涉及在銅(Cu)互連中改善冗余過孔的電阻和可靠性的新穎方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件典型地包括互連，例如過孔和接觸，該互連連接在半導(dǎo)體器件內(nèi)的非連續(xù)層中的導(dǎo)電元件。過孔一般連接在半導(dǎo)體器件的不同層中的兩個(gè)金屬元件。接觸一般連接在半導(dǎo)體器件的不同層中的金屬和非金屬導(dǎo)電或半導(dǎo)電(例如硅、多晶硅，或硅化物)元件。這里所用的“導(dǎo)電”元件或?qū)佣x為包括導(dǎo)電和半導(dǎo)電元件或?qū)?。典型地在將要連接的層之間設(shè)置的層間介質(zhì)(“ILD”)層中形成互連。隨著半導(dǎo)體技術(shù)尺寸遞減為低于亞-四分之一微米，互連延遲(RC延遲)成為集成電路性能的一個(gè)最重要的限制因素。過孔的接觸電阻是互連總電阻的一個(gè)主要部分。從而，降低過孔的接觸電阻非常重要。用于ILD的常用介質(zhì)材料是二氧化硅(SiO2)，但最近已引入包括提供低介電常數(shù)(低k)材料的無(wú)機(jī)碳，以進(jìn)一步降低互連的RC延遲。隨著半導(dǎo)體技術(shù)尺寸的不斷遞減，尤其隨著包括低k ILD材料的無(wú)機(jī)碳的引入，由于低k ILD通常具有比SiO2差的機(jī)械特性，過孔的可靠性成為目益重要的考慮因素。
一般地，在將要連接的一個(gè)導(dǎo)電層上形成ILD，并利用例如等離子體蝕刻或反應(yīng)離子蝕刻，在ILD中蝕刻孔或溝槽。下導(dǎo)電層形成孔的底部。可通過用擴(kuò)散阻擋材料，例如氮化鎢、氮化鉭、氮化鈦或鈦鎢覆蓋孔的壁和底部，例如利用物理氣相沉積，在孔中形成襯里。一般通過在孔中沉積(例如利用化學(xué)氣相沉積或電鍍)導(dǎo)電材料(例如鎢或銅)形成塞栓(plug)。然后可用例如化學(xué)機(jī)械拋光平坦化晶片的表面，然后在ILD上形成將要連接的第二導(dǎo)電層。雖然可由其它導(dǎo)電材料構(gòu)成，該層典型地是金屬層，例如鋁合金(例如鋁銅)或銅。
在蝕刻孔之后，但在形成襯里或塞栓之前，典型地清洗(也稱為“預(yù)清洗”)孔，以從下導(dǎo)電層表面去除任何氧化物，以及任何其它的來(lái)自用于形成孔的蝕刻化學(xué)物的殘留物。可用濕法蝕刻技術(shù)進(jìn)行清洗，但一般優(yōu)選利用干法蝕刻方法，例如用例如氬等離子體的射頻(“RF”)濺射，以物理蝕刻表面氧化物。然而，現(xiàn)有技術(shù)的濺射清洗方法本身引起互連的問題，尤其是當(dāng)利用包括低k的ILD的碳時(shí)?，F(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)缺點(diǎn)是，當(dāng)?shù)入x子體離子碰撞側(cè)壁時(shí)，包括低k的ILD材料的碳被從孔的側(cè)壁去除，然后在下導(dǎo)電層上沉積并污染下導(dǎo)電層，從而增大接觸電阻?，F(xiàn)有技術(shù)的另一個(gè)缺點(diǎn)是，包括副產(chǎn)物的再沉積碳可降低襯里或塞栓與下面的導(dǎo)電層的粘附性。另外，包括材料的再沉積碳可引起互連可靠性的問題，例如在熱應(yīng)力期間的互連電阻變化。
在共同待審的已公開美國(guó)專利申請(qǐng)公開號(hào)2003/0045115中說明了解決上述問題的清洗層間介質(zhì)互連的現(xiàn)有方法，該申請(qǐng)包括與濺射清洗方法結(jié)合進(jìn)行各向異性有機(jī)介質(zhì)蝕刻。
然而，即使在過孔清洗之后，當(dāng)晶片在預(yù)清洗室與用于過孔金屬化的沉積室之間移動(dòng)時(shí)，金屬表面還可能暴露于環(huán)境(空氣或真空)。在這些例子中，金屬層從環(huán)境中吸附污染物，這些污染物(即氧、碳)與金屬層的頂部反應(yīng)，產(chǎn)生阻礙金屬層的電連接的高阻層，并影響過孔的電接觸和可靠性。
鑒于上述情況，現(xiàn)有技術(shù)需要這樣的系統(tǒng)和方法，在對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)人員公知的處理過程期間，防止在金屬接觸過孔結(jié)構(gòu)中高阻層的形成。
在具有改善的電阻率和過孔可靠性的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)中，非常希望提供生產(chǎn)ILD過孔的制造技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明直接提出了一種清洗和鈍化互連過孔底部的導(dǎo)體表面的方法，以在過孔的底部形成低電阻接觸，并改善過孔的可靠性。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種在多層互連半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成低電阻過孔接觸的改善方法。所述方法包括蝕刻穿過無(wú)機(jī)ILD層，例如包括低k(例如，約為3.5或更小)的ILD層的碳，并露出下面的金屬層，低能量離子注入氮，以使在所述下面的金屬層的頂層中聚積氮，并且在所述過孔中沉積薄耐熔金屬襯里。隨后的處理包括完成用低電阻導(dǎo)體填充所述過孔，以及CMP拋光以從所述過孔頂部去除多余的導(dǎo)電材料。
本發(fā)明的第一方面旨在一種在半導(dǎo)體器件中形成具有低接觸電阻的過孔的方法，所述方法包括以下步驟第一步，穿過無(wú)機(jī)ILD層和覆蓋層蝕刻開口，以露出下面的金屬層表面；第二步，在所述露出的下面的金屬中進(jìn)行惰性氣體的低能量離子注入；以及第三步，在所述過孔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部中沉積耐熔襯里，由于進(jìn)行了惰性氣體注入，所述耐熔襯里將具有較低的接觸電阻。優(yōu)選地，所述惰性氣體包括氮?dú)猓龅獨(dú)馀c下面的露出的銅金屬反應(yīng)，以形成薄CuN層。
本發(fā)明的第二方面旨在一種通過層間介質(zhì)材料將在半導(dǎo)體器件中形成的導(dǎo)電層連接至后續(xù)導(dǎo)電層的接觸結(jié)構(gòu)。所述接觸結(jié)構(gòu)包括過孔結(jié)構(gòu)，在所述導(dǎo)電層上形成，所述導(dǎo)電層包括銅金屬，所述銅金屬具有包括一濃度的注入氮離子的表面區(qū)域；以及，薄耐熔金屬襯里材料，在所述過孔結(jié)構(gòu)的底部具有所述濃度的注入氮離子的所述區(qū)域上和沿所述結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成；以及金屬塞栓，在所述過孔結(jié)構(gòu)中形成，其中所述接觸過孔結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出改善的電阻率。優(yōu)選地，所述惰性氣體包括氮?dú)猓龅獨(dú)馀c下面的露出的銅金屬反應(yīng)，以形成薄CuN層。所述接觸過孔結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出改善的電阻率。
除了形成較低電阻的接觸結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明在層間接觸過孔位置鈍化金屬表面和形成CuN，有利地產(chǎn)生增大的與隨后形成的金屬接觸襯里的粘附性，從而改善了接觸的可靠性。


通過下面與所附的附圖結(jié)合進(jìn)行的詳細(xì)說明，對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)人員來(lái)說，本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，其中圖1-3通過截面圖分別示出了根據(jù)本發(fā)明在呈現(xiàn)出改善的過孔可靠性的過孔底部形成改善的低電阻接觸的第一、第二和第三方法步驟；圖4示出了與現(xiàn)有技術(shù)相比根據(jù)本發(fā)明形成的實(shí)例接觸結(jié)構(gòu)的代表性俄歇(Auger)化學(xué)分析；圖5示出了與現(xiàn)有技術(shù)相比由本發(fā)明產(chǎn)生的改善的過孔接觸電阻；以及圖6示出了與現(xiàn)有技術(shù)相比根據(jù)本發(fā)明形成的過孔襯里的晶體結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
參考結(jié)合附圖，圖1-3示出了根據(jù)本發(fā)明在半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)過孔中清洗和鈍化銅表面，并沉積具有低接觸電阻的耐熔襯里的方法的示意性截面表示。
如圖1所示，提供襯底10，該襯底10可以是體半導(dǎo)體，包括例如Si、SiGe、SiC、SiGeC、GaAs、InP、InAs以及其它半導(dǎo)體，或者多層半導(dǎo)體，例如絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上SiC(SiCOI)或絕緣體上硅鍺(SGOI)。當(dāng)采用多層半導(dǎo)體時(shí)，這些襯底的頂層表示為圖1所示的頂層10。在襯底10上形成代表性金屬層(M1)12，該金屬層12可以是導(dǎo)電材料例如Cu、Al或其合金的構(gòu)圖布線層。在金屬層上是隨后形成的可包括氮化硅(SiN)或碳化硅(SiC)的底部介質(zhì)覆蓋層14。形成的介質(zhì)底部覆蓋層14可用作Cu擴(kuò)散阻擋層，并且也用作RIE掩膜和CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)的拋光停止層。在底部覆蓋層上是低k介質(zhì)材料的低k有機(jī)或無(wú)機(jī)層間介質(zhì)層(ILD)16，該層間介質(zhì)層16可通過任何例如濺射、旋涂或PECVD的多種公知的技術(shù)沉積。在低k介質(zhì)層的頂部形成頂部介質(zhì)覆蓋層18，該頂部介質(zhì)覆蓋層18包括，例如BLOK(Applied Materials公司的商標(biāo))的硬掩膜層和氮化硅，以用作隔氣層。BLOK是PECVD沉積的碳化硅膜。各層可包括用于層各自目的的任何現(xiàn)在公知或不久將發(fā)展的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，無(wú)機(jī)ILD層16可包括單層低k層間介質(zhì)或多層介質(zhì)結(jié)構(gòu)。當(dāng)采用多層介質(zhì)作為層間介質(zhì)時(shí)，可以可選地在多層介質(zhì)之間形成掩埋的蝕刻停止層。
無(wú)論層間介質(zhì)是由單層介質(zhì)或者多層介質(zhì)構(gòu)成，采用的層間介質(zhì)可包括常規(guī)的具有約3.5或更小的介電常數(shù)的旋涂有機(jī)介質(zhì)、旋涂無(wú)機(jī)介質(zhì)或其結(jié)合?？稍诒景l(fā)明中采用的合適的有機(jī)介質(zhì)包括，包括C、O和H的介質(zhì)?？稍诒景l(fā)明中采用的多種有機(jī)介質(zhì)的實(shí)例包括但不限于芳香族熱固性聚合物樹脂，例如，由DOW Chemical Company以商品名稱SiLK、Honeywell以商品名稱Flare出售的樹脂，以及來(lái)自其它供應(yīng)商的類似樹脂，以及其它相似的有機(jī)介質(zhì)。用作層間介質(zhì)16的有機(jī)介質(zhì)可以是也可以不是多孔的，由于降低的k值而高度優(yōu)選多孔有機(jī)介質(zhì)層。當(dāng)采用多孔有機(jī)介質(zhì)作為層間介質(zhì)時(shí)，有機(jī)介質(zhì)的孔尺寸在體積百分比孔隙率從約5至約35％下典型地為從約1至約50nm。當(dāng)利用無(wú)機(jī)介質(zhì)作為層間介質(zhì)時(shí)，無(wú)機(jī)介質(zhì)典型地包括Si、O和H，可選地包括C，例如通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)沉積的SiCOH、SiOCH、摻碳氧化物(CDO)、碳氧化硅(silicon-oxicarbide)、有機(jī)硅酸玻璃(OSG)?？稍诒景l(fā)明中采用的多種無(wú)機(jī)介質(zhì)的說明性實(shí)例包括但不限于硅倍半氧烷(silsesquioxane)HOSP(由Honeywell出售)、甲基硅倍半氧烷(methylsilsesquioxane，MSQ)、氫硅倍半氧烷(hydrido silsesquioxane，HSQ)、MSQ-HSQ共聚物、原硅酸四乙酯(TEOS)、有機(jī)硅烷和任何其它包括硅的材料。在本發(fā)明中，多孔或非多孔無(wú)機(jī)介質(zhì)可用作層間介質(zhì)，多孔無(wú)機(jī)介質(zhì)更優(yōu)選。
應(yīng)認(rèn)同，可利用或不利用覆蓋層14和/或18。也應(yīng)認(rèn)同，可改變各層的材料構(gòu)成而不脫離本發(fā)明的范圍。
在圖1所示的方法中，在覆蓋層18上限定過孔開口圖形，隨后穿過頂部覆蓋層18、無(wú)機(jī)低k介質(zhì)層16和底部覆蓋層14順序蝕刻孔或溝槽，以露出下面的金屬層12，從而進(jìn)行下一步處理(所述實(shí)施例假定在孔處形成過孔的情況，然而，應(yīng)理解，本發(fā)明適用于在溝槽處或在孔和溝槽處形成過孔)。該步驟可包括首先形成掩膜結(jié)構(gòu)并進(jìn)行提供優(yōu)良互連深度控制的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。然后，參考圖2，下一步驟包括將氮離子22注入過孔開口20內(nèi)，以在金屬導(dǎo)電層12的頂部表面中形成薄氮注入層24。在一個(gè)實(shí)施例中，用于注入氮22的能量小于1keV，產(chǎn)生的注入層24的厚度小于約5nm。雖然作為注入氮的結(jié)果形成了薄CuN層24，應(yīng)理解，可由包括例如氬或氦的其它原子的混合氣體離子注入氮。應(yīng)理解，可進(jìn)行常規(guī)離子注入技術(shù)以注入氮離子，然而另外可考慮其它技術(shù)，例如通過由具有在約0瓦與約500瓦之間的RF偏置的等離子體或具有在約0瓦與約500瓦之間的RF偏置的離子增強(qiáng)等離子體進(jìn)行的離子注入，提供氮與氬或氦，或者氬和氦結(jié)合的氣體混合物的等離子體。
參考圖3，下一步包括沉積耐熔金屬襯里，其在薄氮注入層24的頂部、在蝕刻過孔開口20的側(cè)壁、以及覆蓋層18的頂部或者在沒有覆蓋層18存在時(shí)的層間介質(zhì)16的頂部，形成薄層。在一個(gè)實(shí)施例中，耐熔金屬襯里28包括利用任何公知的沉積方法，例如CVD、空心陰極磁控濺射、沉積-蝕刻(dep.-etch)方法、或這些方法的結(jié)合、或其它類似方法沉積的耐熔材料，例如鉭、氮化鉭、鉻/氧化鉻、鈦、氮化鈦、鎢、硅化鎢等。例如，襯里材料28可包括單構(gòu)造的化合物，例如TiN或TaN，并沉積至小于約400的厚度。在可選實(shí)施例中，耐熔金屬襯里28可包括兩種不同構(gòu)造的化合物，例如厚度小于約400的Ta/TaN。應(yīng)認(rèn)同，可改變金屬襯里28的材料構(gòu)成，而不脫離本發(fā)明的范圍。例如，在本發(fā)明中利用的可選襯里材料可包括任何能夠防止Cu擴(kuò)散進(jìn)入介質(zhì)層的材料。該襯里的一些實(shí)例包括但不限于TiN、TaN、Ti、Ta、W、WN、Cr、Nb和其它類似的材料。本發(fā)明也期望該襯里的多層結(jié)合。可利用對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)人員公知的沉積方法在過孔中形成襯里材料，該沉積方法包括CVD、等離子體輔助CVD、濺射、鍍敷和化學(xué)溶液沉積。并且，如技術(shù)人員公知的，形成襯里之后沉積(通常通過化學(xué)氣相沉積或電鍍)例如銅或鎢(或其合金)的導(dǎo)電材料的塞栓。
根據(jù)本發(fā)明低能量氮的注入導(dǎo)致在過孔開口20的底部形成薄CuN層。形成的薄CuN保護(hù)Cu過孔表面不受不希望的例如氧，O和碳，C的污染。另外，該薄CuN層改善了接觸過孔電阻和在過孔底部的粘附性，并且還導(dǎo)致在沒有額外的氮化物(例如TaN或TiN)阻擋層的情況下在氮化物注入的Cu表面的低電阻相α-Ta。
例如，如關(guān)于圖4(a)和4(b)所示的實(shí)例器件的俄歇化學(xué)深度分布分析所示，在金屬導(dǎo)電線12中的氮注入產(chǎn)生更清潔的金屬襯里28/金屬導(dǎo)電線12界面。圖4(a)所示的俄歇化學(xué)深度分布分析30是在沒有形成的氮注入的情況下在接觸區(qū)域的金屬襯里/金屬表面界面得到的，并分別示出了由層間接觸形成方法產(chǎn)生的C和O污染的產(chǎn)生濃度31、32。這與在具有形成的CuN層的情況下在接觸區(qū)域的金屬襯里/金屬表面界面得到的圖4(b)所示的俄歇化學(xué)深度分布分析40形成對(duì)比，俄歇化學(xué)深度分布分析40分別示出了濃度明顯降低(沒有峰示出，即污染量在俄歇探測(cè)范圍以下)的C和O污染的產(chǎn)生濃度41、42。從而，如圖5所示例，與沒有N注入的過孔接觸電阻60相比，金屬導(dǎo)電線12的氮注入表面具有明顯降低的過孔20接觸電阻50。
并且，根據(jù)本發(fā)明，鈍化金屬表面的結(jié)果是，優(yōu)選地在金屬襯里28中形成較低的電阻α相Ta(α-Ta)，該α相Ta提高了形成的互連結(jié)構(gòu)的可靠性性能。公知與具有四方晶體結(jié)構(gòu)的β相Ta即β-Ta相比，α-Ta具有體中心立方晶體結(jié)構(gòu)，并呈現(xiàn)大約十(10)倍的表面電阻率。從而，如圖6所示，示出了與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，例如實(shí)施氬濺射清洗，在具有降低的α-Ta相78的Cu金屬層表面上形成的鉭襯里相比，根據(jù)本發(fā)明在具有增大的α-Ta相75的CuN金屬層表面上形成的鉭金屬襯里的晶體結(jié)構(gòu)70。如圖6所示，富氮的金屬導(dǎo)體CuN表面使得能夠以希望的低電阻α相形成鉭層，從而使接觸電阻率最小化。
雖然已示出和說明了被視為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，當(dāng)然應(yīng)理解，只要不脫離本發(fā)明的精神，可容易地在形式上和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種修改和改變。因此本發(fā)明旨在不限于已說明和示出的具體形式，而應(yīng)視為包括落入所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)的所有修改。
權(quán)利要求
1.一種改善清洗在層間介質(zhì)(ILD)層中形成以露出下面的金屬層的過孔開口的方法，所述方法包括以下步驟蝕刻穿過所述ILD層，以形成露出所述下面的金屬層的所述過孔開口；在所述過孔的底部離子注入氮，以在所述下面的金屬層的表面聚積氮；以及沿所述蝕刻的過孔開口的底部和側(cè)壁沉積薄耐熔金屬襯里，其中所述清洗改善了包括所述金屬襯里和所述金屬層的形成接觸的電阻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述清洗改善了過孔可靠性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在低能量下進(jìn)行所述氮的離子注入。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在低于1keV的能量下進(jìn)行所述氮的離子注入。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述下面的露出的金屬層是Cu，所述注入的氮離子在所述露出的金屬層的表面形成CuN層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述形成的CuN層的厚度為小于約5nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述ILD是低k有機(jī)ILD層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述ILD是低k無(wú)機(jī)ILD層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括以下步驟用低電阻導(dǎo)體填充所述過孔；以及拋光所述導(dǎo)體的表面，以從所述過孔的頂部去除多余的導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述氮的離子注入包括使所述開口置于惰性氣體的混合物中，所述惰性氣體的混合物包括與氬或氦，或者氬和氦結(jié)合的氮。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過氮與氬或氦，或者氬和氦結(jié)合的氣體混合物的等離子體進(jìn)行所述離子注入。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中通過具有在約0瓦與約500瓦之間的RF偏置的等離子體進(jìn)行所述離子注入。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中通過具有在約0瓦與約500瓦之間的RF偏置的離子增強(qiáng)等離子體進(jìn)行所述離子注入。
14.一種通過層間介質(zhì)材料將在半導(dǎo)體器件中形成的導(dǎo)電層連接至后續(xù)導(dǎo)電層的接觸結(jié)構(gòu)，所述接觸結(jié)構(gòu)包括過孔結(jié)構(gòu)，在所述導(dǎo)電層上形成，所述導(dǎo)電層包括銅金屬，所述銅金屬具有包括一濃度的注入氮離子的表面區(qū)域；以及薄耐熔金屬襯里材料，在所述過孔結(jié)構(gòu)的底部具有所述濃度的注入氮離子的所述區(qū)域上和沿所述結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成；以及金屬塞栓，在所述過孔結(jié)構(gòu)中形成，其中所述接觸結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出改善的電阻率。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的接觸結(jié)構(gòu)，呈現(xiàn)出改善的所述薄耐熔金屬襯里材料與具有所述濃度的注入氮離子的所述銅導(dǎo)電層表面區(qū)域的粘附性，從而提高接觸可靠性。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述薄耐熔金屬襯里材料包括鉭，所述改善的電阻率由襯里的形成產(chǎn)生，所述襯里在具有所述濃度的注入氮離子的所述表面區(qū)域上具有低電阻α-Ta相。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述包括一濃度的注入氮離子的表面區(qū)域包括CuN層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述CuN層的厚度小于約5nm。
19.根據(jù)權(quán)利要求14的接觸結(jié)構(gòu)，其中在小于1keV的能量下注入所述氮離子。
全文摘要
一種具有低接觸電阻和改善的可靠性的新穎層間接觸過孔結(jié)構(gòu)，以及形成該接觸過孔的方法。所述方法包括以下步驟穿過層間介質(zhì)層蝕刻開口，以露出下面的金屬(銅)層表面；以及在所述露出的下面的金屬中進(jìn)行惰性氣體(氮)的低能量離子注入；以及在所述過孔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部中沉積耐熔襯里，由于進(jìn)行了惰性氣體注入，所述耐熔襯里將具有較低的接觸電阻。優(yōu)選地，所述惰性氮?dú)馀c所述下面露出的銅金屬反應(yīng)，以形成薄CuN層。
文檔編號(hào)H01L23/522GK1779946SQ20051010839
公開日2006年5月31日 申請(qǐng)日期2005年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月14日
發(fā)明者C·小凱波勒, L·A·克萊文格爾, T·J·達(dá)爾頓, P·W·德黑文, C·T·迪茲奧布科沃斯基, 方隼飛, T·A·斯普納, T-L·L·泰, K·H·翁, 楊智超 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司