專利名稱：形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，特別是關(guān)于一種形成半導(dǎo)體器件的能確保電容器的耐久性及所需的充電電容的電容器的方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，隨著存儲(chǔ)產(chǎn)品的高度集成因半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展而加速，單位單元區(qū)大大地縮小，且操作電壓亦降低。然而，盡管單元區(qū)縮減，但是仍然要求操作存儲(chǔ)器件所需的充電電容充分高，且不小于25fF/單元，以足以防止軟差錯(cuò)的發(fā)生及更新時(shí)間的減少。
因此，雖然具有半球形電極表面的立體儲(chǔ)存電極已經(jīng)被用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的氧化氮(NO)電容器，該電容器使用當(dāng)前用二氯甲硅烷(DCS)沉積為電介質(zhì)的Si3N4膜，但是NO電容器的高度仍持續(xù)增高，以確保足夠的電容。
本領(lǐng)域公知，電容的充電電容與電極的表面積和電介質(zhì)材料的介電常數(shù)成正比，與電極間的間隔(即電介質(zhì)的厚度)成反比。
而且，NO電容器在確保下一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(不小于256Mbit)所需的充電電容上受到限制；因此，為了確保足夠的充電電容，使用例如Al2O3或HfO2的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)材料的電容器的發(fā)展已有顯著進(jìn)步。
然而，由于Al2O3電介質(zhì)膜的介電常數(shù)(ε＝9)只是SiO2(ε＝3.9)的兩倍，并不夠高，所以其在確保充電電容方面有限制。此外，HfO2電介質(zhì)膜及LaO2電介質(zhì)膜的介電常數(shù)分別為約20和約27，從確保充電電容的觀點(diǎn)看來(lái)，比Al2O3電介質(zhì)膜更具優(yōu)勢(shì)；然而，如果電容器的等價(jià)氧化膜Tox的介電厚度減少至約15埃，則漏電流增加且擊穿電壓的強(qiáng)度大大縮減，于是電介質(zhì)膜造成電容器耐久性的衰退，從而電容器由于反復(fù)的電沖擊而變差。
因此，目前Al2O3膜、HfO2膜及La2O3膜皆難以實(shí)際作為能在確保所需充電電容的同時(shí)確保電容器的耐久性的電介質(zhì)膜。

發(fā)明內(nèi)容
因此，作出本發(fā)明以解決現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的前述問(wèn)題，且本發(fā)明的一目的在于提供一種形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，其能確保該電容器具有足夠的耐久性及所需的充電電容。
為了達(dá)成上述目的，提供一種形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，包括步驟在一具有接觸插塞的半導(dǎo)體襯底上形成一下電極，從而該下電極連接接觸插塞；在下電極上形成LaTbO電介質(zhì)膜；及在LaTbO電介質(zhì)膜上形成一上電極。
本發(fā)明的形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，在形成上電極的步驟之后，又包含形成厚度大約為200至1000埃的氮化硅膜或摻雜多晶硅構(gòu)成的保護(hù)膜的步驟。
在此，下電極由摻雜多晶硅或選自包含TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2及Pt的組的金屬所形成。
當(dāng)下電極由摻雜多晶硅形成時(shí)，在形成LaTbO電介質(zhì)膜前進(jìn)行使用HF混合液的清洗，且在進(jìn)行使用HF混合液的清洗之前或之后進(jìn)行使用NH4OH或H2SO4的清洗。
當(dāng)下電極由摻雜多晶硅形成時(shí)，下電極的表面被氮化，以形成SiNx防止擴(kuò)散膜。氮化經(jīng)由自包括RTP(快速熱處理)、爐管處理及等離子體處理的組中選出的任一種在NH3氣氛下進(jìn)行。
形成LaTbO電介質(zhì)膜的步驟可包括步驟沉積非晶LaTbO膜，及在常態(tài)或減壓狀態(tài)在N2環(huán)境下進(jìn)行爐管退火或RTP，其中溫度在500至800℃，且其中O2/N2不超過(guò)0.1，從而LaTbO膜包含的雜質(zhì)被移除，并且引發(fā)結(jié)晶。
非晶LaTbO膜被沉積至厚度不超過(guò)100埃，其中通過(guò)使用自La(CH3)3、La(iPr-AMD)3、La(C2H5)3及其他包含La的有機(jī)金屬化合物構(gòu)成的組中選出的任何一種作為L(zhǎng)a組元的源氣體，使用Tb(OC2H5)3或Tb(CH3)3作為Tb組元的源氣體，及使用自O(shè)3、O2及H2O蒸氣選出的任何一種作為反應(yīng)氣體，進(jìn)行非晶LaTbO膜的沉積。
沉積LaTbO膜的步驟經(jīng)由自原子層沉積法(ALD)、脈沖化學(xué)氣相沉積法(pulsed-CVD)及低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)構(gòu)成的組中選出的任一種進(jìn)行。
使用原子層沉積法或脈沖化學(xué)氣相沉積法來(lái)進(jìn)行LaTbO膜的沉積，可以下列方式進(jìn)行以9∶1或更小的比例重復(fù)包含La源氣體流動(dòng)步驟、凈化步驟、反應(yīng)氣體流動(dòng)步驟及凈化步驟的LaO2膜沉積循環(huán)，及包含Tb源氣體流動(dòng)步驟、凈化步驟、反應(yīng)氣體流動(dòng)步驟及凈化步驟的TbxOy膜沉積循環(huán)；或以另一種方式進(jìn)行在包含La源氣體流動(dòng)步驟、凈化步驟、Tb源氣體流動(dòng)步驟、反應(yīng)氣體流動(dòng)步驟和凈化步驟的循環(huán)中，在以9∶1或更小的比例控制Tb源氣體流動(dòng)步驟的次數(shù)的同時(shí)進(jìn)行Tb源氣體流動(dòng)步驟。
使用低壓化學(xué)氣相沉積工藝的LaTbO膜的沉積按以下方式進(jìn)行通過(guò)流量控制器以9∶1或更小的比例控制La和Tb的有機(jī)金屬化合物，以固定量將有機(jī)金屬化合物中的每個(gè)供應(yīng)至被維持在150℃至300℃范圍內(nèi)的一恒定溫度的蒸發(fā)器或蒸發(fā)管，藉此將該有機(jī)金屬化合物蒸發(fā)，然后分別將La組元源氣體和Tb組元源氣體引入250℃至500℃的低壓化學(xué)氣相沉積室。
當(dāng)上電極由摻雜多晶硅形成時(shí)，LaTbO電介質(zhì)膜的表面在摻雜多晶硅形成前被氮化，藉此形成SiNx防止擴(kuò)散膜。
為達(dá)成上述目的，還提供一種形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，該方法包括步驟在具有接觸插塞的半導(dǎo)體襯底上形成下電極，從而該下電極連接接觸插塞；氮化下電極的表面以形成第一防止擴(kuò)散膜；氮化LaTbO電介質(zhì)膜的表面以形成第二防止擴(kuò)散膜；及形成包含摻雜多晶硅的上電極。


本發(fā)明前述及其他目標(biāo)、特征及優(yōu)點(diǎn)，在以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中將更顯而易見，其中圖1至圖3是橫截面圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的形成電容器的方法；以及圖4為示意圖，用于說(shuō)明運(yùn)用原子層沉積法或脈沖化學(xué)氣相沉積法沉積LaTbO膜的方法。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照

本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
首先，涉及本發(fā)明的技術(shù)原理，本發(fā)明使用LaTbO膜，該LaTbO膜由含有約5％鑭系元素鋱的La2O3膜形成。這樣的LaTbO電介質(zhì)膜能夠根據(jù)Tb的含量而將介電常數(shù)控制在30至50的范圍內(nèi)，且能夠限定漏電流電平特性和擊穿電壓特性。
因此，由于根據(jù)電荷儲(chǔ)存電極的類型和電容器的規(guī)格通過(guò)沉積LaTbO電介質(zhì)膜的工藝可控制介電特性，所以本發(fā)明能有效改進(jìn)現(xiàn)有Al2O3或HfO2電介質(zhì)膜帶來(lái)的介電性能的限制、及泄漏電流問(wèn)題，藉此提升存儲(chǔ)器件產(chǎn)品的容量和可靠性。
以下，將參照?qǐng)D1至圖3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的形成電容器的方法。
參照?qǐng)D1，層間電介質(zhì)膜2形成于形成有包括晶體管和位線的底圖案(未示出)的半導(dǎo)體襯底1的整個(gè)表面，從而覆蓋底圖案。然后，層間電介質(zhì)膜2被蝕刻，從而形成至少一個(gè)接觸孔，用以暴露襯底接合區(qū)或落著插塞多晶硅(landing plug polyLPP)，接著一導(dǎo)電膜被嵌于接觸孔3內(nèi)，用以形成接觸插塞4。接著，電荷儲(chǔ)存電極，即下電極10，形成為與接觸插塞4相連接。
在此，下電極10由摻雜多晶硅或自包括TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2或Pt的組中選出的金屬性材料形成。
此外，雖然附圖顯示下電極10形成為圓筒結(jié)構(gòu)，但是電極10可被形成為簡(jiǎn)單平板結(jié)構(gòu)或凹面結(jié)構(gòu)。
此外，當(dāng)下電極10由摻雜多晶硅形成時(shí)，為了確保更大的充電電容，可以在下電極10的表面上形成半球狀的晶粒。
參照?qǐng)D2，非晶LaTbO膜在包含下電極10的層間電介質(zhì)膜2上形成。接著，在常壓或減壓狀態(tài)在N2環(huán)境下進(jìn)行爐管退火或RTP，其溫度介于500℃至800℃的范圍內(nèi)，且其中O2/N2不超過(guò)0.1，以經(jīng)由去除包含于非晶LaTbO膜中的碳雜質(zhì)來(lái)強(qiáng)化介電性能并引發(fā)La2O3電介質(zhì)膜20的晶化，從而LaTbO電介質(zhì)膜20形成，其使得漏電流不超過(guò)0.5fF/單元，且擊穿電壓特性不小于7MV/cm。
在此，在沉積LaTbO膜時(shí)，La(CH3)3或La(iPr-AMD)3被用作La組元的源氣體，或者La(C2H5)3或其它含有La的有機(jī)金屬化合物被用作源氣體的前體，及O3(濃度200±50g/m3，100至1000cc)、O2(100至1000cc)或H2O蒸氣被用作反應(yīng)氣體。此外，在沉積LaTbO時(shí)，Tb(OC2H5)3或其它含有Tb的有機(jī)金屬化合物-例如Tb(CH3)3-被用作Tb組元的源氣體的前體，O3(濃度200±20g/m3)、等離子體O2或H2O蒸氣被用作反應(yīng)氣體。
LaTbO膜的沉積用ALD、脈沖化學(xué)氣相沉積法或LPCVD進(jìn)行。
如果使用ALD或脈沖化學(xué)氣相沉積法，則以9∶1或更小的比率反復(fù)進(jìn)行La2O3膜沉積循環(huán)“La源氣體流入-＞凈化-＞反應(yīng)氣體流入-＞凈化”和TbxOy膜沉積循環(huán)“Tb源氣體流入-＞凈化-＞反應(yīng)氣體流入-＞凈化”，或以9∶1或更小的比率控制Tb源氣體流入的次數(shù)，從而沉積不超過(guò)100埃的非晶LaTbO膜，然后進(jìn)行500℃至800℃的退火處理，用以去除非晶LaTbO膜中包含的雜質(zhì)并誘發(fā)晶化作用，從而形成具有混合相的合成LaTbO電介質(zhì)膜20。
如果使用LPCVD，則如上所述的La的有機(jī)金屬化合物和Tb的有機(jī)金屬化合物(前體)經(jīng)由例如質(zhì)量流控制器(MFC)的流量控制器而受到控制，以至于La與Tb的比例為9∶1或更小，接著以恒定量將每種有機(jī)金屬化合物供給到被維持在150至300℃范圍內(nèi)的一恒定溫度的蒸發(fā)器或蒸發(fā)管，使得這些有機(jī)金屬化合物被蒸發(fā)，然后將La組元的源氣體及Tb組元的源氣體分別注入250至500℃的LPCVD室，用以初步沉積不超過(guò)100埃的非晶LaTbO膜，然后進(jìn)行500至800℃的退火處理以提高介電性能并誘發(fā)晶化作用、且去除該膜中包含的碳雜質(zhì)，藉此形成合成LaTbO電介質(zhì)膜20。
同時(shí)，在下電極10由摻雜多晶硅形成的情況下，在形成該LaTbO 20前，該電極的表面用如H2O+HF或NH4F+HF的HF混合液清洗，以便在去除由摻雜多晶硅形成的下電極上的自然氧化膜同時(shí)氫化端接下電極的表面，接著下電極的表面被氮化，從而在下電極的表面上形成防止擴(kuò)散膜。
此外，在使用HF混合液進(jìn)行該清洗之前或之后，電極的表面使用例如NH4OH+H2O2+H2O的NH4OH，或例如H2SO4+H2O2或H2SO4+H2O的H2SO4混合溶液進(jìn)行清洗，從而去除摻雜多晶硅形成的下電極的表面上的無(wú)機(jī)或有機(jī)粒子及其他異物。
在此，當(dāng)下電極由摻雜多晶硅形成時(shí)，為了防止硅或摻雜劑滲入LaTbO電介質(zhì)膜20，形成SiNx防止擴(kuò)散膜；用于形成這樣的SiNx防止擴(kuò)散膜的氮化以自RTP、爐管處理及等離子體處理組成的組中選出的任一方法，在NH3氣氛下進(jìn)行。
參照?qǐng)D3，通過(guò)依據(jù)公知工藝在LaTbO電介質(zhì)膜20上形成一極板電極，即上電極30，完成本發(fā)明的電容器40。之后，硅氮化膜或摻雜多晶硅沉積在包括上電極30的所得襯底上至約200至1000埃的厚度，從而形成保護(hù)膜50，以提高電容器40的抵抗?jié)駳狻囟然螂娪绊懙慕Y(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
在此，和下電極10類似，上電極30由摻雜多晶硅或自包括TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2及Pt的組中選出的金屬性材料形成。此時(shí)，當(dāng)上電極30由摻雜多晶硅形成時(shí)，一SiNx防止擴(kuò)散膜在LaTbO電介質(zhì)膜20形成之后，通過(guò)使用自RTP、爐管處理及等離子體處理構(gòu)成的組中選出的任一方法進(jìn)行氮化，而在LaTbO電介質(zhì)膜20的表面形成，從而該SiNx防止擴(kuò)散膜防止硅或摻雜劑滲入LaTbO電介質(zhì)膜20。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)運(yùn)用LaTbO電介質(zhì)膜作為電容器電介質(zhì)，可以獲得比Al2O3、HfO2或La2O3更大的充電電容，同時(shí)獲得約10±5埃的等價(jià)氧化膜厚度。
此外，根據(jù)本發(fā)明，經(jīng)由運(yùn)用LaTbO電介質(zhì)膜，與運(yùn)用HfO2或La2O3電介質(zhì)膜構(gòu)造電容器的情形相比，可以獲得低泄漏電流特性和強(qiáng)擊穿電壓特性。
另外，由于LaTbO電介質(zhì)膜比HfO2電介質(zhì)膜具有更佳的熱穩(wěn)定性，所以即使在電容器形成后進(jìn)行整合工藝中無(wú)可避免地要使用的高溫?zé)崽幚恚膊粫?huì)造成電特性的損害。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以同時(shí)提高256Mbit或更大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中電容器的耐久性和可靠性，其中對(duì)該器件應(yīng)用具100納米或更小線寬的金屬布線工藝。
雖然本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例主要作為說(shuō)明用，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將察覺到各種修改、增加及替換，而沒(méi)有偏離揭示于所附權(quán)利要求中的范圍和精神，均有其可能性。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，包括步驟在具有接觸插塞的半導(dǎo)體襯底上形成下電極，從而該下電極與該接觸插塞相連；于該下電極上形成LaTbO電介質(zhì)膜；以及于該LaTbO電介質(zhì)膜上形成上電極。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中該下電極由摻雜多晶硅或自包含TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2及Pt的組中選出的金屬形成。
3.如權(quán)利要求2的方法，其中當(dāng)該下電極由摻雜多晶硅形成時(shí)，在形成該LaTbO電介質(zhì)膜之前，進(jìn)行使用HF混合液的清洗。
4.如權(quán)利要求3的方法，其中在進(jìn)行該使用HF混合液的清洗之前或之后，進(jìn)行使用NH4OH或H2SO4的清洗。
5.如權(quán)利要求2的方法，其中當(dāng)該下電極由摻雜多晶硅形成時(shí)，該下電極的表面被氮化，從而形成SiNx防止擴(kuò)散膜。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中該氮化經(jīng)由自包括RTP、爐管處理及等離子體處理的組中選出的任一方法，在NH3氣體環(huán)境下進(jìn)行。
7.如權(quán)利要求1的方法，其中形成LaTbO電介質(zhì)膜的步驟包括下列步驟沉積非晶LaTbO膜，以及在N2環(huán)境下在常態(tài)或減壓狀態(tài)進(jìn)行爐管退火或RTP，其溫度為500至800℃，且其中O2/N2不超過(guò)0.1，因此該LaTbO膜中包含的雜質(zhì)被移除，且晶化被引發(fā)。
8.如權(quán)利要求7的方法，其中該非晶LaTbO膜被沉積至100?；蚋〉暮穸取?br> 9.如權(quán)利要求7的方法，其中該非晶LaTbO膜的沉積，經(jīng)由使用自包括La(CH3)3、La(iPr-AMD)3、La(C2H5)3及其他包含La的有機(jī)金屬化合物的組中選出的任一種作為L(zhǎng)a組元的源氣體，使用Tb(OC2H5)3或Tb(CH3)3作為Tb組元的源氣體，及使用自O(shè)3、O2及H2O蒸氣中選出的任一種作為反應(yīng)氣體來(lái)進(jìn)行。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中該LaTbO膜經(jīng)由自包括原子層沉積、脈沖化學(xué)氣相沉積及低壓化學(xué)氣相沉積的組中選出的任一種沉積。
11.如權(quán)利要求10的方法，其中使用原子層沉積或脈沖化學(xué)氣相沉積的LaTbO膜的沉積以下列方式進(jìn)行以9∶1或更小的比例重復(fù)包含La源氣體流入步驟、凈化步驟、反應(yīng)氣體流入步驟及凈化步驟的La2O3膜沉積循環(huán)、及包含Tb源氣體流入步驟、凈化步驟、反應(yīng)氣體流入步驟、及凈化步驟的TbxOy膜沉積循環(huán)。
12.如權(quán)利要求10的方法，其中使用原子層沉積或脈沖化學(xué)氣相沉積的LaTbO膜的沉積以下列方式進(jìn)行在包含La源氣體流入步驟、凈化步驟、Tb源氣體流入步驟、反應(yīng)氣體流入步驟和凈化步驟的循環(huán)中，在以9∶1或更小的比例控制Tb源氣體流入步驟的次數(shù)的同時(shí)，進(jìn)行Tb源氣體流入步驟。
13.如權(quán)利要求10的方法，其中使用低壓化學(xué)氣相沉積的LaTbO膜的沉積以下列方式進(jìn)行通過(guò)流量控制器以9∶1或更小的比例控制La和Tb的有機(jī)金屬化合物，以恒定量將每種有機(jī)金屬化合物供給至維持在150℃至300℃范圍內(nèi)的一恒定溫度的蒸發(fā)器或蒸發(fā)管，從而將該有機(jī)金屬化合物蒸發(fā)，然后將La組元源氣體和Tb組元源氣體每一個(gè)引入250℃至500℃的一低壓化學(xué)氣相沉積室。
14.如權(quán)利要求11的方法，其中該上電極由摻雜多晶硅或自包括TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2及Pt的組中選出的金屬形成。
15.如權(quán)利要求14的方法，其中當(dāng)該上電極由摻雜多晶硅形成時(shí)，LaTbO電介質(zhì)膜的表面在摻雜多晶硅被形成前被氮化，從而形成SiNx防止擴(kuò)散膜。
16.如權(quán)利要求15的方法，其中該氮化經(jīng)由自RTP、爐管處理及等離子體處理中選出的一種方法，在NH3氣體環(huán)境下進(jìn)行。
17.如權(quán)利要求1的方法，其中在形成該上電極的步驟之后，該方法還包含形成保護(hù)膜的步驟，該保護(hù)膜包括約200至1000埃厚的氮化硅膜或摻雜多晶硅。
18.一種形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，包括步驟在具有接觸插塞的半導(dǎo)體襯底上形成下電極，從而該下電極與該接觸插塞相連；氮化該下電極的表面，從而形成第一防止擴(kuò)散膜；氮化該LaTbO電介質(zhì)膜的表面，從而形成第二防止擴(kuò)散膜；以及形成包含摻雜多晶硅的上電極。
19.如權(quán)利要求18的方法，其中在形成該下電極的步驟之后及在形成該第一防止擴(kuò)散膜的步驟之前，該方法還包含使用HF混合液清洗的步驟。
20.如權(quán)利要求19的方法，其中在進(jìn)行使用HF混合液的清洗之前或之后，進(jìn)行使用NH4OH或H2SO4的清洗。
21.如權(quán)利要求21的方法，其中形成LaTbO電介質(zhì)膜的步驟包括下列步驟沉積非晶LaTbO膜，以及在N2環(huán)境下在常態(tài)或減壓狀態(tài)進(jìn)行爐管退火或RTP，其溫度為500至800℃，且其中O2/N2不超過(guò)0.1，從而該LaTbO膜中包含的雜質(zhì)被移除，且晶化被引發(fā)。
22.如權(quán)利要求21的方法，其中該非晶LaTbO膜被沉積至不超過(guò)100埃的厚度。
23.如權(quán)利要求21的方法，其中該非晶LaTbO膜的沉積，經(jīng)由使用自包括La(CH3)3、La(iPr-AMD)3、La(C2H5)3及其他包含La的有機(jī)金屬化合物的組中選出的任一種作為L(zhǎng)a組元的源氣體，使用Tb(OC2H5)3或Tb(CH3)3作為Tb組元的源氣體，及使用自O(shè)3、O2及H2O蒸氣中選出的任一種作為反應(yīng)氣體來(lái)進(jìn)行。
24.如權(quán)利要求21的方法，其中該LaTbO膜經(jīng)由自包括原子層沉積、脈沖化學(xué)氣相沉積及低壓化學(xué)氣相沉積的組中選出的任一種沉積。
25.如權(quán)利要求24的方法，其中使用原子層沉積或脈沖化學(xué)氣相沉積的LaTbO膜的沉積以下列方式進(jìn)行以9∶1或更小的比例重復(fù)包含La源氣體流入步驟、凈化步驟、反應(yīng)氣體流入步驟及凈化步驟的La2O3膜沉積循環(huán)、及包含Tb源氣體流入步驟、凈化步驟、反應(yīng)氣體流入步驟、及凈化步驟的TbxOy膜沉積循環(huán)。
26.如權(quán)利要求24的方法，其中使用原子層沉積或脈沖化學(xué)氣相沉積的LaTbO膜的沉積以下列方式進(jìn)行在包含La源氣體流入步驟、凈化步驟、Tb源氣體流入步驟、反應(yīng)氣體流入步驟和凈化步驟的循環(huán)中，在以9∶1或更小的比例控制Tb源氣體流入步驟的次數(shù)的同時(shí)，進(jìn)行Tb源氣體流入步驟。
27.如權(quán)利要求10的方法，其中使用低壓化學(xué)氣相沉積工藝的LaTbO膜的沉積以下列方式進(jìn)行通過(guò)流量控制器以9∶1或更小的比例控制La和Tb的有機(jī)金屬化合物，以恒定量分別將有機(jī)金屬化合物供給至維持在150℃至300℃范圍內(nèi)的一恒定溫度的蒸發(fā)器或蒸發(fā)管，從而將該化合物蒸發(fā)，然后將La組元源氣體和Tb組元源氣體分別引入250℃至500℃的一低壓化學(xué)氣相沉積室。
28.如權(quán)利要求18的方法，其中用以形成該第一和第二防止擴(kuò)散膜的該氮化經(jīng)由自RTP、爐管處理及等離子體處理中選出的任一方法，在NH3氣體環(huán)境下進(jìn)行。
29.如權(quán)利要求18的方法，其中在形成該上電極的步驟之后，該方法還包含形成保護(hù)膜的步驟，該保護(hù)膜包括約200至1000埃厚的氮化硅膜或摻雜多晶硅。
全文摘要
本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法，能確保該電容器具有所需的漏電流特性及充電電容。本發(fā)明方法包括以下步驟在具有存儲(chǔ)節(jié)接觸的半導(dǎo)體襯底上形成一下電極，該下電極連接著存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸；等離子體－氮化下電極以在下電極的表面形成第一氮化膜；在包括第一氮化膜的下電極上形成一La
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1716534SQ20051007789
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2005年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者李起正 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司