專利名稱：濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中用的晶片夾具，特別涉及濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置。
背景技術(shù)：
當(dāng)前的半導(dǎo)體器件制造工藝中，在濕腐蝕工藝步驟中，晶片直接放在晶舟上，沒(méi)有固定裝置，因而，在濕式化學(xué)腐蝕過(guò)程中在化學(xué)反應(yīng)時(shí)，晶片容易位移，造成相鄰的兩個(gè)晶片粘連到一起。相鄰晶片之間的粘連使粘連晶片不能繼續(xù)進(jìn)行化學(xué)腐蝕，達(dá)不到化學(xué)腐蝕效果，影響產(chǎn)品質(zhì)量。此外，在濕式化學(xué)腐蝕過(guò)程中晶片直接放在晶舟上，沒(méi)有固定裝置，有可能造成晶片移出化學(xué)腐蝕槽，造成晶片損壞，造成廢品率高。
為了防止出現(xiàn)上述的濕式化學(xué)腐蝕過(guò)程中晶片位移使相鄰晶片粘連和晶片移出化學(xué)腐蝕槽等缺點(diǎn)，提出本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是，提供一種濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置。
本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案，濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置，設(shè)置于腐蝕槽上；該固定裝置包括腐蝕槽頂蓋，活動(dòng)連接于腐蝕槽，腐蝕槽頂蓋樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，至少兩個(gè)固定桿，連接固定在腐蝕槽頂蓋件上，沿著腐蝕槽頂蓋的長(zhǎng)度方向相互平行設(shè)置；至少兩個(gè)橫梁，固定于固定桿下端；腐蝕槽頂蓋蓋到腐蝕槽上時(shí)，橫梁與放在腐蝕槽內(nèi)的晶舟上的晶片接觸，橫梁與其接觸的晶片的圓周邊緣上的接觸點(diǎn)形成面接觸。
進(jìn)一步，所述的兩個(gè)橫梁與放在腐蝕槽內(nèi)的晶舟上的晶片接觸的接觸面為弧形，兩個(gè)弧形的頂點(diǎn)A之間的距離L1是要進(jìn)行化學(xué)腐蝕的晶片的直徑D的1/3～2/3。
所述的橫梁弧形接觸面是半圓形。
又，本發(fā)明的另一技術(shù)方案，腐蝕槽頂蓋由結(jié)構(gòu)和形狀相同的兩個(gè)部件構(gòu)成，每個(gè)腐蝕槽蓋部件活動(dòng)連接于腐蝕槽上，該兩個(gè)固定桿分別固定在兩個(gè)腐蝕槽蓋部件上，兩個(gè)固定桿在腐蝕槽蓋部件上的位置可以按腐蝕槽蓋部件的寬度方向調(diào)節(jié)，以調(diào)節(jié)兩個(gè)固定桿上的橫梁弧形的頂點(diǎn)A與晶片邊緣接觸的相對(duì)位置，適應(yīng)不同直徑的晶片腐蝕需求。
所述的兩個(gè)固定桿在腐蝕槽頂蓋件上上下活動(dòng)可調(diào)。
腐蝕槽頂蓋絞鏈連接于腐蝕槽上。
所述的兩個(gè)橫梁與晶片的圓周邊緣接觸的接觸點(diǎn)B之間的距離L2是晶片的直徑D的1/3～4/5。
所述的兩個(gè)橫梁弧形的頂點(diǎn)A與放在腐蝕槽內(nèi)的晶舟上的晶片底端之間的距離L3＝2/3D-4/5D+(0.1～0.9)cm。
按本發(fā)明的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置，用防止化學(xué)腐蝕的材料構(gòu)成，例如含氟塑料。
本發(fā)明的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置，在晶片化學(xué)腐蝕過(guò)程中，晶片可以在腐蝕槽中在晶舟中上下移動(dòng)，但是不會(huì)跳出晶舟上設(shè)置的擋板，從而防止相鄰放置的晶片之間粘連；當(dāng)化學(xué)腐蝕過(guò)程中晶片跳動(dòng)的高度超過(guò)晶舟上的擋板高度時(shí)，會(huì)受到橫梁的阻擋，因而晶片不會(huì)跳出晶舟，不會(huì)造成晶片損壞。


圖1是本發(fā)明的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置安裝在腐蝕槽上但腐蝕槽蓋沒(méi)有關(guān)閉前的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置的立體圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明按本發(fā)明的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置。
實(shí)施例1
按本實(shí)施例的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置包括腐蝕槽頂蓋1、兩個(gè)固定桿2、兩個(gè)橫梁4；腐蝕槽頂蓋1以絞鏈結(jié)構(gòu)8連接于腐蝕槽7上，腐蝕槽頂蓋1可以樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，兩個(gè)固定桿2固定在腐蝕槽頂蓋件1上，并由螺母3固定，沿著腐蝕槽頂蓋1的長(zhǎng)度方向相互平行設(shè)置；兩個(gè)橫梁4，固定于固定桿2下端；腐蝕槽頂蓋1蓋到腐蝕槽6上時(shí)，橫梁4與放在腐蝕槽7內(nèi)的晶舟6上的晶片5接觸，橫梁4與其接觸的晶片5的圓周邊緣上的接觸點(diǎn)形成面接觸。
按本發(fā)明的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置，用防止化學(xué)腐蝕的材料構(gòu)成，例如含氟塑料。
實(shí)施例2按本實(shí)施例的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置與實(shí)施例1中的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置結(jié)構(gòu)基本相同，只是腐蝕槽頂蓋1由結(jié)構(gòu)和形狀相同的兩個(gè)部件1a和1b構(gòu)成，每個(gè)腐蝕槽蓋部件1a和1b以絞鏈結(jié)構(gòu)8固定在腐蝕槽7上，每個(gè)腐蝕槽蓋部件1a和1b可以在樞軸上轉(zhuǎn)動(dòng)。兩個(gè)半圓形的固定桿2分別固定在兩個(gè)腐蝕槽蓋部件1a和1b上，兩個(gè)固定桿2在腐蝕槽蓋部件1a和1b上的位置可以按腐蝕槽蓋部件的寬度方向調(diào)節(jié)，以調(diào)節(jié)兩個(gè)固定桿上的橫梁弧形的頂點(diǎn)A與晶片邊緣接觸的相對(duì)位置，適應(yīng)不同直徑的晶片腐蝕需求。
實(shí)施例3按本實(shí)施例的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置與實(shí)施例1中的濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置結(jié)構(gòu)基本相同，只是腐蝕槽頂蓋1上可以設(shè)置多對(duì)固定桿2，每對(duì)固定桿2對(duì)應(yīng)一個(gè)晶舟6上放置的多個(gè)晶片5，每對(duì)固定桿2上的橫梁4半圓頂點(diǎn)A對(duì)應(yīng)晶片圓周邊緣上的接觸點(diǎn)B。
以上詳細(xì)描述了按本發(fā)明濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置。但是本發(fā)明不限于本文中的詳細(xì)描述。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)了解，本發(fā)明能以其他的形式實(shí)施，例如，固定桿的形狀可以是根據(jù)需要而選擇的任何形狀。因此，按本發(fā)明的全部技術(shù)方案，所列舉的實(shí)施方式只是用于說(shuō)明本發(fā)明而不是限制本發(fā)明，并且，本發(fā)明不局限于本文中描述的細(xì)節(jié)。本發(fā)明要求保護(hù)的范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)界定。
權(quán)利要求
1.濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置，設(shè)置于腐蝕槽上；其特征是，該固定裝置包括腐蝕槽頂蓋，活動(dòng)連接于腐蝕槽，腐蝕槽頂蓋樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，至少兩個(gè)固定桿，連接固定在腐蝕槽頂蓋件上，沿著腐蝕槽頂蓋的長(zhǎng)度方向相互平行設(shè)置；至少兩個(gè)橫梁，固定于固定桿下端；腐蝕槽頂蓋蓋到腐蝕槽上時(shí)，橫梁與放在腐蝕槽內(nèi)的晶舟上的晶片接觸，橫梁與其接觸的晶片的圓周邊緣上的接觸點(diǎn)形成面接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的固定裝置，其特征是，所述的兩個(gè)橫梁與放在腐蝕槽內(nèi)的晶舟上的晶片接觸的接觸面為弧形，兩個(gè)弧形的頂點(diǎn)A之間的距離L1是要進(jìn)行化學(xué)腐蝕的晶片的直徑D的1/3～2/3。
3.如權(quán)利要求2所述的固定裝置，其特征是，所述的橫梁弧形接觸面是半圓形。
4.如權(quán)利要求1所述的固定裝置，其特征是，腐蝕槽頂蓋由結(jié)構(gòu)和形狀相同的兩個(gè)部件構(gòu)成，每個(gè)腐蝕槽蓋部件活動(dòng)連接于腐蝕槽上，該兩個(gè)固定桿分別固定在兩個(gè)腐蝕槽蓋部件上，兩個(gè)固定桿在腐蝕槽蓋部件上的位置可以按腐蝕槽蓋部件的寬度方向調(diào)節(jié)，以調(diào)節(jié)兩個(gè)固定桿上的橫梁弧形的頂點(diǎn)與晶片邊緣接觸的相對(duì)位置，適應(yīng)不同直徑的晶片腐蝕需求。
5.如權(quán)利要求1或4所述的固定裝置，其特征是，所述的兩個(gè)固定桿在腐蝕槽頂蓋件上上下活動(dòng)可調(diào)。
6.如權(quán)利要求1或4所述的固定裝置，其特征是，腐蝕槽頂蓋絞鏈連接于腐蝕槽上。
7.如權(quán)利要求1所述的固定裝置，其特征是，所述的兩個(gè)橫梁與晶片的圓周邊緣接觸的接觸點(diǎn)之間的距離L2是晶片的直徑D的1/3～4/5。
8.如權(quán)利要求2所述的固定裝置，其特征是，所述的兩個(gè)橫梁弧形的頂點(diǎn)與放在腐蝕槽內(nèi)的晶舟上的晶片底端之間的距離L3＝2/3D-4/5D+(0.1～0.9)cm。
9.如前面的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的固定裝置，其特征是，固定裝置用防止化學(xué)腐蝕的材料構(gòu)成。
10.如前面的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的固定裝置，其特征是，固定裝置用含氟塑料構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位的固定裝置，其設(shè)置于腐蝕槽上；該固定裝置包括腐蝕槽頂蓋，活動(dòng)連接于腐蝕槽，腐蝕槽頂蓋樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，至少兩個(gè)固定桿，連接固定在腐蝕槽頂蓋件上，沿著腐蝕槽頂蓋的長(zhǎng)度方向相互平行設(shè)置；至少兩個(gè)橫梁，固定于固定桿下端；腐蝕槽頂蓋蓋到腐蝕槽上時(shí)，橫梁與放在腐蝕槽內(nèi)的晶舟上的晶片接觸，橫梁與其接觸的晶片的圓周邊緣上的接觸點(diǎn)形成面接觸。本發(fā)明在濕腐蝕過(guò)程中防止晶片移位。
文檔編號(hào)H01L21/67GK1949471SQ200510030380
公開(kāi)日2007年4月18日 申請(qǐng)日期2005年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月11日
發(fā)明者許峰嘉 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司