專利名稱：集成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用線狀元件的集成裝置。
背景技術(shù)：
目前利用集成電路制造的各種裝置相當(dāng)普及，各界也積極致力于進(jìn)一步的高集成化與高密度化的開發(fā)。作為其中之一，正在研究開發(fā)三維的集成技術(shù)。
然而，任何器件均以晶片等硬基板作為基本構(gòu)成。既然以硬基板作為基本構(gòu)成，其制造方法會(huì)受到一定限制，集成度也會(huì)有極限。再者，器件形狀也會(huì)被限定在一些特定的形狀。
此外，已知有將棉或絹的表面用金或銅等導(dǎo)電材料電鍍或包覆的導(dǎo)電性纖維。
然而，在一根線內(nèi)形成電路元件的技術(shù)尚未公開。而且，導(dǎo)電性纖維也以棉或絹等的線自身作為基本構(gòu)成，在其中心具有線自身。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種集成裝置，形狀不受限制，具有柔軟性與可撓性，并可制造具有任意形狀的各種裝置。
本發(fā)明涉及的一種集成裝置，是將多個(gè)線狀元件捆束、或者加捻、或者織入或編入、或者接合、或者組合并進(jìn)行成形加工、或者成形為無紡狀而形成，在上述多個(gè)線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
另外，本發(fā)明涉及的另一種集成裝置，是將線狀元件捆束、或者加捻、或者織入或編入、或者接合、或者組合并進(jìn)行成形加工、或者成形為無紡狀而形成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
本發(fā)明涉及的一種布料狀物，是織入或編入多個(gè)線狀元件而形成，在上述多個(gè)線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
本發(fā)明涉及的另一種布料狀物，是織入或編入多個(gè)線狀元件而形成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
本發(fā)明涉及的一種衣服，是織入或編入多個(gè)線狀元件而形成，在上述多個(gè)線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
本發(fā)明涉及的另一種衣服，是織入或編入多個(gè)線狀元件而形成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
在此，線狀元件最好為下列的元件。
上述元件是能量轉(zhuǎn)換元件。
上述元件是電子電路元件或光電路元件。
上述元件是半導(dǎo)體元件。
上述元件是二極體、晶體管或晶閘管。
上述元件是發(fā)光二極體、半導(dǎo)體激光器或感光器件。
上述元件是DRAM、SRAM、閃存或其它存儲(chǔ)器。
上述元件是光電元件。
上述元件是圖像傳感器元件或二次電池元件。
縱向剖面形狀是圓形、多邊形、星形、新月形、花瓣?duì)睢⑽淖中螤罨蚱渌我庑螤睢?br> 在線側(cè)面具有多個(gè)露出部。
上述線狀元件的全部或一部分以壓出加工而形成。
上述線狀元件是將其一部分或全部進(jìn)行壓出加工后再進(jìn)行延伸加工而形成。
上述線狀元件是在壓出加工后再進(jìn)行拉伸加工而形成的。
上述拉伸加工后，形成環(huán)狀或螺旋狀。
上述環(huán)狀是多重環(huán)。
上述多重環(huán)由不同材料構(gòu)成。
環(huán)或螺旋的一部分是暴露部。
向上述環(huán)或螺旋的空隙部的一部分或全部填充其它材料。
外徑是10mm以下。
外徑是1mm以下。
外徑是1μm以下。
長(zhǎng)寬比是10以上。
長(zhǎng)寬比是100以上。最為線狀，最好是1000以上。
在剖面內(nèi)形成有柵電極區(qū)、絕緣區(qū)、源極及漏極區(qū)、半導(dǎo)體區(qū)。
在中心具有柵電極區(qū)，在其外側(cè)依次形成有絕緣區(qū)、源極及漏極區(qū)、半導(dǎo)體區(qū)。
在中心具有中空區(qū)或絕緣區(qū)，在其外側(cè)形成有半導(dǎo)體區(qū)，在上述半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)形成有一部份露在外方的源極及漏極區(qū)，在其外側(cè)形成有絕緣區(qū)及柵電極區(qū)。
在剖面內(nèi)形成至少具有pn接合或pin接合的區(qū)域。
形成上述電路的半導(dǎo)體區(qū)由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
上述有機(jī)半導(dǎo)體材料是聚噻吩(polythiophene)、聚苯撐(polyphenylene)。
形成上述電路的導(dǎo)電性區(qū)域由導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成。
上述導(dǎo)電性聚合物是聚乙炔、聚苯乙炔(polyphenylenevinylene)、聚吡咯(polypyrrole)。
在長(zhǎng)度方向上的任意位置形成不同的電路元件。
在長(zhǎng)度方向上的任意位置具有電路元件分隔區(qū)。
在長(zhǎng)度方向上的任意位置具有剖面的外徑形狀不同的部分。
由導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成區(qū)域的一部分，分子鏈的長(zhǎng)度方向取向率為50％以上。
由導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成區(qū)域的一部分，分子鏈的長(zhǎng)度方向取向率為70％以上。
由導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成區(qū)域的一部分，分子鏈的圓周方向取向率為50％以上。
由導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成區(qū)域的一部分，分子鏈的圓周方向取向率為70％以上。
再者，線狀元件最好以下列方法來制造。
將形成電路元件的區(qū)域的材料形成溶解、熔融或膠質(zhì)狀態(tài)，壓出上述材料成線狀，并形成所需的形狀。
上述區(qū)域的一部分系以導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成上述壓出后，再進(jìn)行延伸加工。
上述壓出加工后，再進(jìn)行拉伸加工。
上述延伸加工后，再進(jìn)行拉伸加工。
上述拉伸加工后，形成環(huán)狀。
是由中心往外側(cè)具有多層層積的線狀元件的制造方法，以壓出中心層形成線狀，作為一次線狀體，接著使上述一次線狀體進(jìn)行運(yùn)動(dòng)，并對(duì)表面射出外層的原料，而依序形成各外層。
當(dāng)導(dǎo)電性聚合物的壓出時(shí)，運(yùn)動(dòng)速度與射出速度的差值設(shè)定為20m/sec以上。
(電路元件)在此，作為電路元件，例如也可舉例能量轉(zhuǎn)換元件。能量轉(zhuǎn)換元件將光能轉(zhuǎn)換成電能、或?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換成光能，例如是電子電路、磁路或光回路元件。電路元件與只傳送信號(hào)的光纖不同，而且也與導(dǎo)線不同。
作為電路元件，例如可舉例電子電路元件或光回路元件。更具體地說，例如為半導(dǎo)體元件。
從現(xiàn)有工藝技術(shù)的差異來分類，可舉例如分立元件(半導(dǎo)體)、光電元件、存儲(chǔ)器等。
更具體地說，分離式半導(dǎo)體例如為二極管、三極管(雙極型三極管、FET、絕緣柵極型三極管)、晶閘管等。作為光電元件，可舉例發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器件、發(fā)光裝置(光電二極管、光敏三極管、圖象傳感器)等。此外，作為存儲(chǔ)器，可舉例DRAM、閃存、SRAM等。
(電路元件的形成)在本發(fā)明中，電路元件是在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔形成。
也即，在長(zhǎng)度方向的垂直剖面中具有多個(gè)區(qū)域，該多個(gè)區(qū)域配置成形成一個(gè)電路元件，上述剖面在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔形成線狀。
例如，NPN雙極型三極管的情況下，由射極N區(qū)、基極P區(qū)與集極P區(qū)三個(gè)區(qū)域構(gòu)成。因此，這些三個(gè)區(qū)域在剖面中配置成具有所需的區(qū)間接合。
作為其配置方法，例如可考慮從形成中心起以同心圓狀依次配置各區(qū)域的方法。也即，最好從中心起依次形成射極區(qū)、基極區(qū)、集極區(qū)。當(dāng)然也可考慮其他配置，例如適當(dāng)使用同一拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的配置即可。
另外，連接于各區(qū)域的電極可從線狀元件的端面連接到各區(qū)域，也可將其在開始時(shí)埋入各區(qū)域中。也即，若以上述同心圓狀配置各半導(dǎo)體區(qū)時(shí)，在長(zhǎng)度方向上，與各半導(dǎo)體區(qū)相同連續(xù)形成各半導(dǎo)體區(qū)域即可，即在射極區(qū)的中心形成射極、在基極區(qū)形成基極、在集極區(qū)外周形成集極。而且，對(duì)于基極，只要分割配置即可。
上述的NPN雙極型三極管也可利用壓出形成法一體形成。
以上，雖以NPN雙極型三極管為例，但同樣地，其他電路元件也可在剖面內(nèi)具有多個(gè)區(qū)域間的所需接合地進(jìn)行配置，并在長(zhǎng)度方向上，例如通過壓出連續(xù)形成該剖面。
(連續(xù)形成、間隔形成)當(dāng)連續(xù)形成電路元件時(shí)，不管從哪一剖面來看均為同一形狀。即俗稱的金太郎糖果狀態(tài)。
對(duì)于上述電路元件，可在線狀的長(zhǎng)度方向上連續(xù)形成同一元件，也可間隔形成。
(線狀)本發(fā)明的線狀元件的外徑較佳為小于等于10mm或10mm以下，更佳為5mm或5mm以下。又，較佳為1mm或1mm以下，更佳為10μm或10μm以下。經(jīng)由延伸加工后，可形成1μm或1μm以下，進(jìn)而0.1μm或0.1μm以下。為了將線狀元件編織成布料，外徑越小越好。
當(dāng)從模具的孔中射出并形成具有1μm或1μm以下外徑的極細(xì)線狀體時(shí)，有時(shí)產(chǎn)生孔的堵塞，或者線狀體斷裂等問題。在上述情形時(shí)，首先形成各區(qū)域的線狀體。接著，以該線狀體作為島而制造多個(gè)島，并用可溶性物質(zhì)包覆其周圍(海)，然后將其用筒狀的蓋子捆束，由小孔射出一根線狀體。當(dāng)島的成分增加，海的成分減少時(shí)，可制造出極細(xì)的線狀體元件。
作為另一方法，先形成較粗的線狀體元件，之后再再長(zhǎng)度方向上進(jìn)行延伸即可。此外，也可通過噴射氣流，對(duì)熔融的原料進(jìn)行熔體吹拉(melt blow)，而形成極細(xì)的線狀體。
再者，長(zhǎng)寬比可設(shè)定為壓出形成的任意值。利用抽絲技術(shù)時(shí)，線狀的長(zhǎng)寬比較佳為1000或1000以上。例如可為100000或100000以上。在切斷后使用時(shí)，小單位線狀體的長(zhǎng)寬比可為10～10000、10或10以下、進(jìn)一步為1或1以下、0.1或0.1以下。
(間隔形成)當(dāng)間隔形成同一元件時(shí)，可形成長(zhǎng)度方向上與相鄰接的元件不同的元件。例如，在度方向上，依次形成MOSFET(1)、元件之間分隔層(1)、MOSFET(2)、元件之間分隔層(2)......MOSFET(n)、元件之間分隔層(n)即可。
此時(shí)，MOSFET(k)(k＝1-n)與其他MOSFET的長(zhǎng)度可相同，也可不同。并且，可對(duì)應(yīng)于欲形成的電路元件來作適當(dāng)?shù)倪x擇。另外，元件之間分隔層的長(zhǎng)度也可相同樣，也可不同。
當(dāng)然，在MOSFET和元件分隔層之間，也可間隔其他層。
以上，雖以MOSFET為例進(jìn)行了說明，但當(dāng)形成其他元件時(shí)，也可間隔插入對(duì)該其他元件的用途上必需的層。
(剖面形狀)線狀元件的剖面形狀并不限定于某特定形狀。例如為圓形、多邊形、星形、新月形、花瓣?duì)罴捌渌螤?。例如，也可為多個(gè)頂角為銳角的多邊形。
而且，也可形成任意的各區(qū)域剖面。也即，例如如圖1所示的結(jié)構(gòu)時(shí)，也可將柵電極形成為星形、或?qū)⒕€狀元件的外側(cè)形狀形成為圓形。
當(dāng)增大與鄰接層的接觸面時(shí)，最好將元件形成為頂角為銳角的多邊形。
此外，在將剖面形狀形成為所需形狀時(shí)，若將所需形狀設(shè)定為壓出模的形狀，則可容易形成。
當(dāng)將最外層的剖面形成星形或頂角為銳角的形狀時(shí)，在壓出成形后，例如，可通過浸漬法，在頂角間的空隙中填入其他的任意材料，并可依據(jù)元件的用途來改變?cè)奶匦浴?br> 此外，可通過將剖面形狀為凹狀的線狀元件和剖面形狀為凸?fàn)畹木€狀元件互相嵌合，來有效取得線狀元件之間的連接。
此外，當(dāng)向半導(dǎo)體層摻雜不純物時(shí)，可在熔融原料中加入不純物，也可以在壓出形成后，使其維持線狀地通過真空室，并在真空室中例如通過離子注入法等摻雜不純物。當(dāng)半導(dǎo)體層并非形成于最外層，而形成時(shí)內(nèi)部時(shí)，可通過控制離子照射能量，來僅對(duì)內(nèi)部的半導(dǎo)體層進(jìn)行離子注入。
(制造例后加工形成)上述制造方法雖以利用壓出一體形成具有多個(gè)層的元件為例，但也可通過壓出形成元件的基本區(qū)域來形成線狀，之后，利用適當(dāng)方法對(duì)該基本區(qū)域進(jìn)行覆蓋來形成。
(原料)作為電極、半導(dǎo)體層的材料，最好使用導(dǎo)電性聚合物。例如，聚乙炔、聚烯烴(polyacene)、(寡烯烴(oligoacene))、聚噻唑(polythiazyl)、聚噻吩(polythiophene)、聚(3-烷基噻吩)、寡噻吩(oligothiophene)、聚吡咯(polypyrrole)、聚苯胺、聚苯撐(polyphenylene)等。從上述各種材料中，考慮導(dǎo)電率等進(jìn)行選擇作為電極或半導(dǎo)體層材料。
作為半導(dǎo)體材料，例如，適用聚對(duì)苯撐乙烯、聚噻吩、聚(3-甲基噻吩)等。
再者，作為源極/漏極材料，使用上述半導(dǎo)體材料中加入了摻雜劑的材料即可。為形成n型，例如混入堿金屬(Na、K、Ca)等即可。此外，有時(shí)使用AsF5/AsF3或ClO4-作為摻雜。
作為絕緣性材料使用一般的樹脂材料即可。此外，也可使用SiO2及其他無機(jī)材料。
此外，在中心部具有半導(dǎo)體區(qū)或?qū)щ娦詤^(qū)結(jié)構(gòu)的線狀元件時(shí)，中心部的區(qū)域，也可以由非晶質(zhì)材料(鋁、銅等的金屬材料，硅等的半導(dǎo)體材料)構(gòu)成。使線狀的非結(jié)晶材料通過模具的中心部而使非結(jié)晶材料移動(dòng)，并在其外周進(jìn)行射出，覆蓋其他所需的區(qū)域即可。


圖1是表示使用于實(shí)施例涉及的集成裝置中的線狀元件的立體圖。
圖2是表示線狀元件的制造裝置例子的概念正視圖。
圖3是表示在線狀元件的制造中使用的壓出機(jī)的正視圖及模具的俯視圖。
圖4(a)至圖4(b)是表示線狀元件的實(shí)施例的圖。
圖5圖是表示在線狀元件的制造中使用的模具的俯視圖。
圖6(a)至圖6(d)是表示線狀元件的制造工序例子的剖面圖。
圖7(a)至圖7(h)是表示線狀元件的制造工序例子的圖。
圖8(a)至圖8(c)是表示線狀元件的制造例子的圖。
圖9是表示用于實(shí)施例涉及的集成裝置中的線狀元件的立體圖。
圖10(a)至圖10(b)是表示用于實(shí)施例涉及的集成裝置中的線狀元件的剖面圖。
圖11(a)至圖11(h)是表示線狀元件的制造例子的工序圖。
圖12(a)至圖12(e)是表示線狀元件的制造例子的立體圖。
圖13(a)至圖13(d)是表示實(shí)施例涉及的集成電路裝置的圖。
圖14是表示實(shí)施例涉及的集成電路裝置的圖。
圖15是表示實(shí)施例涉及的集成電路裝置的圖。
圖16是表示實(shí)施例涉及的集成電路裝置的圖。
具體實(shí)施例方式(實(shí)施例1)圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例涉及的用于集成裝置中的線狀元件。
6表示線狀元件，此實(shí)施例中示出了MOSFET。
在該元件的剖面，在中心具有柵電極區(qū)1，在其外側(cè)依次形成有絕緣區(qū)2、源極區(qū)4、漏極區(qū)3與半導(dǎo)體區(qū)5。
圖2示出用于形成上述線狀元件的擠壓機(jī)的一般構(gòu)造。
擠壓機(jī)20具有原料容器21、22、23，使用于構(gòu)成多個(gè)區(qū)域的原料保持熔融狀態(tài)、或溶解狀態(tài)或凝膠狀態(tài)。圖2中所示的例中，示出了3個(gè)原料容器，但也可依據(jù)所制造的線狀元件的結(jié)構(gòu)適當(dāng)設(shè)計(jì)。
原料容器23內(nèi)的原料被運(yùn)送至模具24。模具24中具有對(duì)應(yīng)于所欲制作的線狀元件剖面的射出孔。從射出孔射出的線狀體被滾輪25卷取、或根據(jù)需要維持線狀地運(yùn)送至下一步驟。
在制造圖1所示結(jié)構(gòu)的線狀元件時(shí)，采用圖3所示的結(jié)構(gòu)。
在各原料容器內(nèi)，分別裝有柵極材料30、絕緣性材料31、源極/漏極材料32與半導(dǎo)體材料34，并保持熔融或溶解狀態(tài)、凝膠狀態(tài)。此外，模具24上形成有孔，連通各個(gè)原料容器。
即，首先，在中心部分形成有用于射出柵極材料30的多個(gè)孔30a。在其外圍形成有用于射出絕緣性材料31的多個(gè)孔30a。并且，在其外圍還形成有多個(gè)孔，這些多個(gè)孔中，僅有一部分孔32a、33a與源極/漏極材料容器32連通。其他孔34a則與半導(dǎo)體材料容器34連通。
將熔融、或溶解狀態(tài)、或凝膠狀態(tài)的原料從各原料容器送入模具24，并從模具24射出原料時(shí)，原料從各孔射出并凝結(jié)。通過拉動(dòng)該端，線狀地連續(xù)形成線狀元件。
可利用滾輪25卷起線狀的線狀元件?；蚋鶕?jù)需要維持線狀，運(yùn)送至下一步驟。
柵電極材料只要使用導(dǎo)電性聚合物，例如聚乙炔、聚苯乙炔(polyphenylenevinylene)、聚吡咯(polypyrrole)等。尤其是利用聚乙炔，可形成外徑小的線狀元件，故以聚乙炔為佳。
半導(dǎo)體材料較佳是利用聚對(duì)苯撐乙烯(Polyparaphenylene)、聚噻吩(polythiophene)、聚(3-甲基噻吩)等。
再者，作為源極/漏極材料，使用上述半導(dǎo)體材料中混入摻雜劑的材料。形成n型時(shí)例如混入堿金屬(Na、K、Ca)等的摻雜劑即可。有時(shí)將AsF5/AsF3或ClO4-作為摻雜劑使用。
絕緣性材料使用一般的樹脂材料即可。而且，也可使用SiO2之外的無機(jī)材料。
以上舉例的材料可同樣用于下列實(shí)施例中所示的線狀元件。
此外，在本實(shí)施例中，輸出電極連接在線狀元件的端面。當(dāng)然，也可以在長(zhǎng)度方向上的適當(dāng)位置的側(cè)面設(shè)置輸出口。
(實(shí)施例2)圖4表示在實(shí)施例2涉及的集成裝置中使用的線狀元件。
在本實(shí)施例中，在線狀元件的側(cè)面設(shè)置實(shí)施例1中所述的輸出電極。圖4(a)所示的輸出部41a、41b，可以設(shè)置于長(zhǎng)度方向上的所需位置。輸出部41a與輸出部41b之間的距離也可設(shè)定為所需的值。
圖4(a)示出輸出部41的A-A的剖面。此外，圖4(b)的B-B剖面如圖1所示的端面的構(gòu)造。
本實(shí)施例中，在源極4、漏極3的側(cè)面，將源電極45、漏電極46作為輸出電極分別與源極4、漏極3連接。另外，半導(dǎo)體層5與源電極45、漏電極46之間分別用絕緣膜47絕緣。
為了形成上述結(jié)構(gòu)，利用圖5所示的模具。也即，在源極/漏極材料射出口33a、34a的側(cè)面，設(shè)置絕緣膜用的孔40a與和輸出電極用的孔41a。絕緣膜用的孔40a連通到絕緣膜材料容器(未示出)，輸出電極用的孔41a則連通到輸出電極材料容器(未示出)。
此時(shí)，開始的時(shí)候，僅從30a、31a、32a、33a、34a射出原料材料。也即，關(guān)閉40a、41a的射出。此時(shí)，半導(dǎo)體層原料覆蓋對(duì)應(yīng)40a、41a的部分，從實(shí)施例1所示的剖面被壓出。此外，此時(shí)將絕緣膜47、漏電極46、源電極45的寬度設(shè)置為較小。當(dāng)關(guān)閉40a、41a的射出時(shí)，形成半導(dǎo)體層的材料覆蓋該部分。
接著，開啟40a、41a的射出。由此，剖面形狀發(fā)生變化，以圖5所示的剖面被壓出。通過適當(dāng)?shù)馗淖冮_啟40a、41a的時(shí)間和關(guān)閉40a、41a的時(shí)間，可將A-A剖面的長(zhǎng)度和B-B剖面的長(zhǎng)度調(diào)整為任意長(zhǎng)度。
此外，本實(shí)施例中剖面形狀也可間隔形成，也可形成其他剖面形狀，并且可利用其他材料來形成來形成A-A。例如，可用絕緣膜形成整個(gè)A-A部分。當(dāng)形成其他端面形狀時(shí)，也可利用同樣的方法來形成。
另外，若將漏電極45、源電極46的面積設(shè)定為較大，且關(guān)閉輸出電極用的孔41a的射出，則半導(dǎo)體層的原料或絕緣膜的原料不會(huì)完全覆蓋，而對(duì)應(yīng)于源電極/漏電極的部分產(chǎn)生空隙。在壓出后，只要在該空間填入電極材料即可。
(實(shí)施例3)圖6示出另一實(shí)施例。
實(shí)施例1、2中示出了通過壓出而一體形成線狀元件的例子，而本實(shí)施例中將示出通過壓出而形成線狀元件的局部，其他部分則通過外部加工來形成的例子。
在此，以實(shí)施例2所示的線狀元件為例進(jìn)行說明。
首先，壓出柵電極1與絕緣膜2，形成線狀的中間體(圖6(a))。
接著，在絕緣膜2的外側(cè)涂敷熔融或溶解狀態(tài)、凝膠狀態(tài)的半導(dǎo)體材料，形成半導(dǎo)體層61，作為二次中間體(圖6(b))。上述涂敷，只要使線狀的中間體通過熔融或溶解狀態(tài)、凝膠狀態(tài)的半導(dǎo)體材料的槽中即可?；蛘撸部梢圆捎谜翦兊确椒ā?br> 之后，在半導(dǎo)體層61的外側(cè)涂敷掩模材料62。掩模材料61的涂敷，只要使二次中間體通過熔融或溶解狀態(tài)、凝膠狀態(tài)的掩模材料中來形成即可。
然后，以蝕刻等方法去除特定位置(漏極源極所對(duì)應(yīng)的位置)的掩模材料62，而形成開口63(圖6(c))。
接著，使線狀的二次中間體通過減壓室的同時(shí)，控制射程距離，來進(jìn)行離子注入(圖6(d))。
之后，通過熱處理室進(jìn)行回火，形成源極區(qū)、漏極區(qū)。
如上所述，只要對(duì)應(yīng)于所形成區(qū)域的配置或材料，適當(dāng)?shù)亟Y(jié)合壓出工序和外部加工工序即可。
(實(shí)施例4)本實(shí)施例中，示出了依次形成如圖1所示的線狀元件中的各區(qū)域的例子。
其工序示于圖7中。
首先，利用紡絲技術(shù)，從模具a的孔射出柵電極原料，形成柵電極1(圖7(b))。為方便起見，在此將該柵電極1稱為中間線狀體。
接著，如圖7(a)所示，使中間線狀體插通模具b的中心而形成中間線狀體狀態(tài)的同時(shí)，從模具b中形成的孔射出絕緣膜材料，來形成絕緣膜2(圖7(c))。另外，在模具b的下游側(cè)設(shè)有加熱器。必要時(shí)可利用此加熱器對(duì)線狀體進(jìn)行加熱。通過加熱，可從絕緣膜去除絕緣膜中的溶劑成分。以下的源極/漏極層、半導(dǎo)體層的形成，也是利用相同的方法。
之后，使中間線狀體進(jìn)行移動(dòng)，形成源極/漏極層4、3(圖7(c)、(d))。此外，絕緣膜2上的源極區(qū)4和漏極區(qū)3相互分開形成。這可通過僅在模具c的一部分設(shè)置孔來形成。
然后，使中間線狀體插通模具的中心并同樣地移動(dòng)的同時(shí)，形成半導(dǎo)體層5。
如圖7(f)所示，欲在長(zhǎng)度方向的一部分設(shè)置源極/漏極用的輸出電極時(shí)，可關(guān)閉模具d上所設(shè)置的多個(gè)孔中的部分孔(對(duì)應(yīng)源極/漏電極的部分孔)的原料供給。此外，欲在整個(gè)長(zhǎng)度方向上設(shè)置輸出用的孔時(shí)，可利用如圖7(g)所示的模具d2來形成半導(dǎo)體層。
(實(shí)施例6)圖8示出實(shí)施例6。
本實(shí)施例中，示出在利用導(dǎo)電性聚合物作為半導(dǎo)體元件的形成材料時(shí)，射出導(dǎo)電性聚合物的例子。
實(shí)施例5中示出了使中間線狀體通過模具內(nèi)，并在中間線狀體的表面形成外層的例子。在本實(shí)施例中，示出了此外層為導(dǎo)電性聚合物的情況。
將原料82的(V1-V0)設(shè)定為20m/sec以上。較佳為50m/sec以上。更好為100m/sec以上。其上限是中間線狀體不會(huì)產(chǎn)生斷裂的速度。產(chǎn)生斷裂的速度根據(jù)材料的射出量、材料的粘度、射出溫度等條件而不同，具體地說，最好設(shè)定所使用的材料等條件，并預(yù)先通過實(shí)驗(yàn)求出該速度。
通過將射出速度V0與移動(dòng)速度V1設(shè)定為20m/sec，在射出的材料上產(chǎn)生加速度，作用有外力。外力的主方向即為移動(dòng)方向。導(dǎo)電性聚合物中的分子鏈一般呈圖8(c)所示的擰結(jié)狀態(tài)，其長(zhǎng)度方向朝任意方向。然而，隨著射出，外力施加到移動(dòng)方向時(shí)，分子鏈如圖8(b)所示，擰結(jié)狀態(tài)被拉直，并在長(zhǎng)度方向上呈水平排列。
在此，如圖8(b)所示，電子(或空穴)跳過能級(jí)最近的分子鏈而移動(dòng)。因此，當(dāng)分子鏈如圖8(b)所示在水平方向取向時(shí)，與如圖8(c)所示在任意方向上取向的情況相比，極容易產(chǎn)生電子的跳躍。
隨著射出，外力施加到移動(dòng)方向時(shí)，可使分子鏈如圖8(b)所示取向。而且，也可縮短分子鏈之間的距離。
除此之外，本實(shí)施例當(dāng)然也可適用于用導(dǎo)電性聚合物形成特定區(qū)域的其他情況。
可通過將分子鏈的長(zhǎng)度方向取向率設(shè)定為50％或50％以上，來提高電子的遷移率，由此可形成具有更加良好特性的線狀元件?？赏ㄟ^控制射出速度和移動(dòng)方向速度之差，來控制高取向率。此外，也可通過控制長(zhǎng)度方向的延伸率來進(jìn)行控制。
在此，所謂的取向率即為相對(duì)于長(zhǎng)度方向具有0～±5°的傾斜角的分子數(shù)占全部分子數(shù)的百分比。
通過將該百分比設(shè)定為70％或70％以上，可獲得具有更良好特性的線狀元件。
(實(shí)施例7)圖9示出依據(jù)實(shí)施例7的線狀元件。
本實(shí)施例的線狀元件在中心具有中空區(qū)域、或絕緣區(qū)70，在其外側(cè)具有半導(dǎo)體區(qū)5，在該半導(dǎo)體區(qū)5內(nèi)具有向外部露出的源極區(qū)4和漏極區(qū)3，在源極區(qū)4和漏極區(qū)3的外側(cè)具有柵極絕緣膜區(qū)2和柵電極區(qū)1。
另外，可在電極區(qū)1的外側(cè)設(shè)置由絕緣性樹脂等構(gòu)成的保護(hù)層。也可在保護(hù)層的適當(dāng)位置形成開口，作為柵電極的輸出區(qū)。
此外，本實(shí)施例也可在長(zhǎng)度方向上的任意位置、或與實(shí)施例2同樣地，在圖7所示的剖面間插入具有其他形狀的剖面。
本實(shí)施例的線狀元件中，壓出形成中空區(qū)域70和半導(dǎo)體區(qū)5之后，對(duì)源極區(qū)4、漏極區(qū)3進(jìn)行摻雜，之后，最好通過涂敷分別形成絕緣膜區(qū)、柵電極區(qū)1，絕緣膜2的材料最好使用SiO2等無機(jī)材料。
(實(shí)施例8)圖10(a)示出實(shí)施例8的線狀元件。
本實(shí)施例為具有pin結(jié)構(gòu)的線狀元件。
即，在中心具有電極區(qū)102，在其外側(cè)形成有n層區(qū)101、i層區(qū)100、p層區(qū)103、電極區(qū)104。此外，在本實(shí)施例中，還在p層區(qū)103的外側(cè)，設(shè)有由透明樹脂等形成的保護(hù)層區(qū)105。
該線狀元件的電極區(qū)102、n層區(qū)101、i層區(qū)100通過壓出而一體形成。
經(jīng)后續(xù)加工來形成p層區(qū)103、電極區(qū)104，例如，利用涂敷等方法形成?？赏ㄟ^后續(xù)加工，將P層區(qū)103的P層區(qū)103的厚度形成為較薄。因此，當(dāng)作為光電元件時(shí)，可將來自P層區(qū)103的入射光射進(jìn)空乏層。
當(dāng)然，在此也可以通過壓出而一體形成電極區(qū)102、n層區(qū)101、i層區(qū)100、p層區(qū)103、電極區(qū)104。
再者，在圖10(a)中，i層的圓周形狀雖為圓形，但最好形成星形的形狀。如此，可增大p層103與i層100間的接觸面積，提高轉(zhuǎn)換率。
圖10(a)所示的實(shí)施例中，電極104設(shè)在p層103的一部分，但也可覆蓋整個(gè)圓周而形成。
此外，也可在p層103和電極104之間設(shè)置p+層。通過設(shè)置p+層，可使p層103和電極104之間更容易產(chǎn)生歐姆接觸。而且，電子也更容易流向i層側(cè)。
用于形成p層、n層、i層的半導(dǎo)體材料較佳為有機(jī)半導(dǎo)體材料，例如，聚噻吩、聚吡咯等。為了形成p型、n型，只要進(jìn)行適當(dāng)?shù)膿诫s即可。也可采用p型聚吡咯/n型聚吡咯的組合。
另外，電極材料最好為導(dǎo)電性聚合物。
(實(shí)施例9)圖10(b)示出實(shí)施例9涉及的集成裝置中使用的線狀元件。
實(shí)施例5中的pin結(jié)構(gòu)是形成同心圓的形狀，而本實(shí)施例中，則形成四邊形的剖面。橫向排列p層區(qū)83、i層區(qū)80、n層區(qū)81。并且，在兩側(cè)面上分別形成電極82、83。
本實(shí)施例中，圖10(b)所示的剖面是在長(zhǎng)度方向上連續(xù)形成的。
該結(jié)構(gòu)的線狀元件只要通過壓出加工而一體形成即可。
(實(shí)施例10)本實(shí)施例中，在中心部具有電極區(qū)，其外圍用p型材料和n型材料的混合材料形成一個(gè)區(qū)域。并在其外圍形成電極區(qū)。
即，上述實(shí)施例中，示出了p層和n層結(jié)合的雙層結(jié)構(gòu)(或中間插入i層的3層結(jié)構(gòu))的二極管元件。但是，本實(shí)施例是以將p型材料和n型材料的混合材料所形成的單層結(jié)構(gòu)為例。
p型/n型混合材料是通過將電子施主導(dǎo)電性聚合物和電子受主導(dǎo)電性聚合物進(jìn)行混合而形成。
若用p型/n型混合材料形成元件區(qū)，則最好構(gòu)成單純結(jié)構(gòu)。
(實(shí)施例11)本實(shí)施例中，將在上述實(shí)施例中所示的線狀元件，在長(zhǎng)度方向上進(jìn)行延伸。其延伸方法，例如采用延伸銅線或銅管的技術(shù)即可。
通過延伸可使直徑變細(xì)。尤其是，當(dāng)利用導(dǎo)電性聚合物時(shí)，如上所述，可使分子鏈在長(zhǎng)度方向上平行。而且，可使平行的分子鏈之間的間隔變小。因此，電子的跳躍可更有效率地進(jìn)行。因而，能夠獲得具有更良好特性的線狀元件。
延伸縮減率較佳為10％或10％以上，更好為在10～99％的范圍?？s減率為100×(延伸前的面積-延伸后的面積)/(延伸前的面積)。
延伸步驟也可反復(fù)進(jìn)行數(shù)次。在用彈性模量不大的材料時(shí)，只要反復(fù)延伸即可。
延伸后的線狀元件的外徑較佳為1mm或1mm以下，更佳為10μm或10μm以下，更好為1μm或1μm以下，最好為0.1μm或0.1μm以下。
(實(shí)施例12)圖11示出實(shí)施例12。
本實(shí)施例中，通過以四邊形剖面形狀壓出原體材料而形成線狀，制造出中間線狀壓出體111(圖11(a))。當(dāng)然，也可壓出其他的剖面形狀。
接著，將中間線狀壓出體111以剖面的橫向、或剖面的縱向進(jìn)行拉伸，形成拉伸體112(圖11(b))。圖中所示出的是以圖式的橫向拉伸的例子。
然后，將拉伸體112在長(zhǎng)度方向上平行地切成適當(dāng)段數(shù)，以制造多個(gè)單位拉伸體113a、113b、113c、1113d。另外，也可不進(jìn)行此切斷步驟，而直接進(jìn)行下一步驟。
接著，對(duì)單位拉伸體進(jìn)行加工形成適當(dāng)?shù)男螤?。圖中所示的例子中，加工成環(huán)狀(圖11(d))、螺旋狀(圖11(e))、雙環(huán)狀(圖11(f))。
之后，將適當(dāng)材料填入中空部114a、114b、114c、114d中。當(dāng)單位拉伸體為半導(dǎo)體材料時(shí)，則填入電極材料。當(dāng)然，也可不在環(huán)狀等加工之后，而是與環(huán)狀加工同時(shí)進(jìn)行填入步驟。
此外，當(dāng)形成如圖11(f)所示的雙環(huán)結(jié)構(gòu)時(shí)，也可以使用與單位拉伸體114c和單位拉伸體114d不同的材料。
另外，也可在壓出后(圖11(a))、拉伸后(圖11(b)、切斷后(圖11(d)))，在其表面上涂敷其他材料。例如，可利用浸漬、蒸鍍、電鍍等其他方法進(jìn)行涂敷。涂敷的材料可依照制造的元件功能作適當(dāng)?shù)倪x擇。例如半導(dǎo)體材料、磁性材料、導(dǎo)電性材料、絕緣性材料中的任意材料均可。此外，也可使用無機(jī)材料或有機(jī)材料。
在本實(shí)施例中，當(dāng)利用導(dǎo)電性聚合物作為拉伸體材料時(shí)，分子鏈的長(zhǎng)度方向是按照?qǐng)D式中的拉伸方向即左右方向來進(jìn)行取向。因此，加工成環(huán)狀之后，分子鏈的長(zhǎng)度方向按照如圖11(g)所示的圓周方向來進(jìn)行取向。因此，電子在半徑方向上容易進(jìn)行跳躍。
再者，加工成環(huán)狀時(shí)，若設(shè)置開口115，則可將該開口例如作為電極等的輸出口。在將線狀元件相互編織成集成裝置時(shí)，其也可作為線狀元件間的連接部分。另外，也可用作與其他區(qū)域的接合面。
此外，在加工形成環(huán)狀之后，也可利用具有該環(huán)狀等的線狀體作為中間體，以形成具有所需的剖面區(qū)域的線狀元件。
另外，如圖11(h)所示，也可在線狀體的長(zhǎng)度方向上的適當(dāng)位置，周期性地或非周期性地設(shè)置縮頸部117(剖面的外徑形狀與其他部分不相同的部分)。當(dāng)在長(zhǎng)度方向上垂直地編入其他線狀元件時(shí)，可將該縮頸部作為定位標(biāo)記使用。該縮頸部的形成并不限于本實(shí)施例，也可適用于其他的線狀元件。
又，圓周方向的分子鏈的取向率較好是設(shè)定為50％或50％以上，更好是設(shè)定為70％以上。如此，可得到特性優(yōu)良的線狀元件。
(實(shí)施例13)上述實(shí)施例中示出了間隔形成剖面形狀的元件的制造方法例，在本實(shí)施例中則如圖12所示，示出壓出形成時(shí)的其他實(shí)施例，。
圖12僅示出了形成電路元件的區(qū)域的一部分區(qū)域。
圖12(a)示出在射出半導(dǎo)體材料時(shí)，僅在a所示的時(shí)間點(diǎn)射出半導(dǎo)體材料。在此，可連續(xù)射出導(dǎo)線材料，并間歇地射出半導(dǎo)體材料，而同時(shí)形成導(dǎo)線和半導(dǎo)體。此外，也可先形成導(dǎo)線部分，之后使導(dǎo)線移動(dòng)，而在導(dǎo)線周圍間歇地射出半導(dǎo)體材料。
圖12(b)所示的實(shí)施例中，先形成線狀的半導(dǎo)體或絕緣體，其后利用蒸鍍等方法，在長(zhǎng)度方向上間隔涂敷導(dǎo)電體，以形成在長(zhǎng)度方向上不同的剖面區(qū)域。
圖12(c)所示的實(shí)施例中，先形成線狀的有機(jī)材料。接著，在長(zhǎng)度方向上間歇地照射光，使被照射的部分產(chǎn)生光聚合反應(yīng)。
由此，可在長(zhǎng)度方向上形成不同的剖面區(qū)域。
圖12(d)中，α表示透光性導(dǎo)電聚合物，β表示由光硬化性導(dǎo)電聚合物構(gòu)成的、將兩層一體壓出而形成的中間線狀體。當(dāng)使該中間線狀體移動(dòng)的同時(shí)，對(duì)其間歇地照射光時(shí)，a部分產(chǎn)生光硬化。由此，可在長(zhǎng)度方向上形成不同的剖面區(qū)域。
圖12(e)示出利用離子照射的例子。使線狀體移動(dòng)，并在該途中設(shè)置照射裝置。通過離子照射間歇性地照射離子。離子的照射可在全方向上進(jìn)行。也可僅在某特定方向上進(jìn)行。再者，也可根據(jù)所欲形成的剖面區(qū)域來決定適當(dāng)?shù)恼丈浞较颉４送?，離子的射程距離也可設(shè)定為適當(dāng)?shù)娜我饩嚯x。
在離子照射裝置的下游設(shè)置加熱裝置，在離子照射之后，對(duì)線狀體進(jìn)行加熱。通過加熱，經(jīng)離子照射過的部分會(huì)轉(zhuǎn)變成別的組織。
在全方向上進(jìn)行照射時(shí)，整個(gè)表面轉(zhuǎn)變成別的組織。此外，僅在某特定方向上照射離子時(shí)，只有該部分轉(zhuǎn)變成別的組織。
而且，在圖12(f)所示的例中，示出了作為離子的照射對(duì)象的中間線狀體為單層結(jié)構(gòu)的例，但即使是雙層結(jié)構(gòu)，也可通過控制離子照射時(shí)的射程距離，只向內(nèi)部注入離子。經(jīng)由熱處理，可在離子所照射過的內(nèi)部形成別的組織。
中間線狀體可利用硅線狀體，若注入O離子，則可形成SiO2區(qū)域。若控制射程距離，則可形成所謂的BOX(嵌入氧化層)。另外，作為間歇地形成其他剖面區(qū)域的情況說明了BOX，但BOX也可連續(xù)形成于整個(gè)長(zhǎng)度方向上。
(實(shí)施例14)本實(shí)施例是通過織入多個(gè)線狀元件而形成集成電路的例子。
圖13示出集成電路例。
圖13所示出的集成電路為DRAM型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。DRAM存儲(chǔ)器由縱橫排列的存儲(chǔ)單元組成，其電路如圖13(a)所示。
一個(gè)存儲(chǔ)單元由MOSFET209a1和電容器207構(gòu)成。每個(gè)存儲(chǔ)單元上連接有位線S1、S2......和字符線G1、G2......。
如圖13(b)圖所示，該存儲(chǔ)單元由MOSFET線狀元件209a1和電容器線狀元件207構(gòu)成。僅準(zhǔn)備與列數(shù)相等的MOSFET線狀元件。
該MOSFET 209a1中，從中心部向外周方向，依次形成柵電極201、絕緣層202、源極/漏極204、205以及半導(dǎo)體層203。
再者，在長(zhǎng)度方向上，形成有元件分離區(qū)210。此外，柵電極201僅貫穿一個(gè)線狀體。也即，將一個(gè)柵電極作為共通的字符線，在一個(gè)線狀體上，長(zhǎng)度方向上形成多個(gè)MOSFET 209a1、209b1......。
此外，圖13(a)的MOSFET 209a2、a3......也同樣由線狀元件構(gòu)成。
該MOSFET線狀元件最好由高分子材料構(gòu)成。
另外，源極區(qū)204的輸出部如圖13(c)所示，在直徑方向上突出。這是為了使與位線S1的接觸更容易進(jìn)行。此外，如圖13(d)所示，漏極區(qū)205也在直徑方向上突出。在長(zhǎng)度方向上，源極區(qū)和漏極區(qū)的所述突出位置互相錯(cuò)開。
另一方面，電容器線狀元件207中，從中心向外側(cè)依次形成電極、絕緣層和電極。
S1為位線，形成線狀。作為其材料，較佳為導(dǎo)電性聚合物。將該位線S1206纏繞于源極部204上，使其與源極204接觸。該位線S1纏繞在分別由MOSFET 209a2、a3......構(gòu)成的MOSFET元件的源極區(qū)。
此外，漏極區(qū)205和電容器207通過線狀的導(dǎo)電性聚合物210來連接。
圖13的實(shí)施例中，用線狀元件作為電容器，但也可設(shè)置于MOSFET所形成的線狀體的適當(dāng)位置。如此，可減少所使用的線狀元件的個(gè)數(shù)，進(jìn)一步提高集成度。而且，也可不使用導(dǎo)電性聚合物210來連接電容器，而利用導(dǎo)電性接著劑等而直接與MOSFET線狀元件接合。
如上所述，將線狀元件縱橫編入之后，最好用絕緣性材料包覆整體，以防止導(dǎo)電部發(fā)生漏電。
此外，也可不使用電容器而改用二極管。
(實(shí)施例15)本實(shí)施例中，示出了通過捆束多個(gè)線狀元件來形成的集成電路。
本實(shí)施例中，示出了使用MOSFET線狀元件的例子。當(dāng)然，也可使用其他的線狀元件。
準(zhǔn)備多個(gè)MOSFET線狀元件。
在各線狀元件的端面上形成信號(hào)輸入元件，若進(jìn)行了捆束，則可檢測(cè)出各種信息。例如，若設(shè)置光傳感器、離子傳感器、壓力傳感器等，則可檢測(cè)出對(duì)應(yīng)人類五感的信息。
例如，當(dāng)用現(xiàn)有的基板型半導(dǎo)體集成電路形成與100種信號(hào)對(duì)應(yīng)的傳感器時(shí)，必須反復(fù)進(jìn)行100次光刻工序。然而，在使用線狀元件的端面時(shí)，不需要反復(fù)進(jìn)行光刻工序，而簡(jiǎn)單地形成對(duì)應(yīng)100種信號(hào)的傳感器。而且，也可獲得高密度的感測(cè)器。
(實(shí)施例16)例如，如以下所述，本發(fā)明也可作為光電集成裝置。
將具有pin結(jié)構(gòu)的線狀元件進(jìn)行捆束、加捻或編入，可作成光電裝置。pin層最好由導(dǎo)電性聚合物形成。另外，也可添加敏化劑。
例如，也可將線狀元件編織成布料，并用該布料制作衣服。此時(shí)，也將線狀元件整個(gè)作為受光區(qū)，可從360°角度接受入射光。而且，也可以三維的方式受光，形成受光效率優(yōu)良的光電元件。
此外，光的收集效率非常高。也即，沒有輸入到線狀元件而反射的光也射入布料中而反復(fù)進(jìn)行反射，這樣可輸入到其他線狀元件中。
此外，上述線狀元件最好通過壓出加工來形成。
最好將來自各元件的電極連接于集電極，并在該集電極上設(shè)置連接端子。
而且，若在衣服里面組裝蓄電池，也可在暗處使用電。
另外，若在衣服上裝設(shè)發(fā)熱器，則可制造具有暖氣效果的衣服。
而且，若用絕緣體包覆線狀發(fā)熱體，并與線狀光電元件一起織入到布料中，則可制作具有暖氣效果的衣服。
此外，也可將線狀元件植于規(guī)定形狀的基材上，來作為太陽電池。也即，將線狀元件以毛立狀態(tài)或刺猬形狀進(jìn)行植入，來可作為光收集效率非常好的太陽電池。
若用于通訊衛(wèi)星，則可望減輕整體重量。由于上述太陽電池重量非常輕，故可有效作為通訊衛(wèi)星的發(fā)電裝置。
由于具有可撓性，因此可適于任意形狀，故可用接著劑將其貼附于通訊衛(wèi)星主體的外表面。
此外，若準(zhǔn)備與人的頭部形狀相符的基材，并在其表面植入線狀的光電元件，則可制造具有發(fā)電功能的人工假發(fā)。
另外，在使用極細(xì)的線狀元件時(shí)，具有類似麂皮效果，可作為皮革的表面。也可以上述線狀元件制造皮包。也即，可作成具有發(fā)電功能的皮包。
(實(shí)施例17)圖14示出另一實(shí)施例。
在本實(shí)施例中，在用絕緣膜包覆柵電極的線狀體的適當(dāng)位置，接觸線狀源電極和漏電極。在與源電極的接觸部和漏電極的接觸部接觸的范圍內(nèi)，涂敷有機(jī)半導(dǎo)體材料。
此外，也可如圖15所示，在用絕緣膜包覆柵電極的線狀體上，卷繞一圈或數(shù)圈的線狀源電極或漏電極。通過纏繞，可獲得充分接觸。而且，若在線狀體設(shè)置縮頸區(qū)域，可方便進(jìn)行卷繞等時(shí)的定位。
如圖16所示，也可使源電極/漏電極僅接觸適當(dāng)?shù)木€狀體(A點(diǎn))。也可以用其他導(dǎo)線連接源極/漏電極之間(B點(diǎn))。
圖16中，示出列數(shù)為一列的實(shí)施例，但也可配置成多個(gè)列。此時(shí)，只要以三維方式進(jìn)行連接即可。由于線狀體、源電極、漏電極均具有可撓性，因此，可在所需的位置按所需的方向彎曲。
也可例如使用MOSFET線狀元件作為線狀體，若在所希望的位置以三維的方式相互連接，則可構(gòu)成所需的邏輯電路。在將現(xiàn)有的半導(dǎo)體基板作為基本構(gòu)成要素時(shí)，不能使電流路徑長(zhǎng)，但通過線狀元件可使電流路徑極短，構(gòu)成極高速的邏輯電路。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明提供一種線狀元件及其制造方法，其形狀不受限制，具有柔軟性與可撓性，并可作成具有任意形狀的各種裝置。
權(quán)利要求
1.一種集成裝置，其特征在于，將多個(gè)線狀元件捆束而成，在上述線狀元中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
2.一種集成裝置，其特征在于，將多個(gè)線狀元件加捻而成，在上述線狀元中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
3.一種集成裝置，其特征在于，將多個(gè)線狀元件織入或編入而成，在上述線狀元中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
4.一種集成裝置，其特征在于，將多個(gè)線狀元件接合而成，在上述線狀元中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
5.一種集成裝置，其特征在于，將多個(gè)線狀元件組合并進(jìn)行成形加工而形成，在上述線狀元中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
6.一種集成電路，其特征在于，將線狀元件成形為無紡狀，在上述線狀元中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
7.一種布料狀物，織入或編入多個(gè)線狀元件而形成，在上述線狀元中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
8.一種衣服，其特征在于，織入或編入多個(gè)線狀元件而形成，在上述線狀元中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成有電路元件。
9.一種集成裝置，其特征在于，將多個(gè)線狀元件捆束而成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
10.一種集成裝置，其特征在于，將多個(gè)線狀元件加捻而成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
11.一種集成裝置，其特征在于將多個(gè)線狀元件織入或編入而成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
12.一種集成裝置，其特征在于，將多個(gè)線狀元件接合而成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
13.一種集成裝置，其特征在于將多個(gè)線狀元件組合并進(jìn)行成形加工而形成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
14.一種集成電路，其特征在于將線狀元件成形為無紡狀而形成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
15.一種布料狀物，織入或編入多個(gè)線狀元件而形成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
16.一種衣服，其特征在于，織入或編入多個(gè)線狀元件而形成，在上述線狀元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種集成裝置，利用了具有形狀不受限制、具有柔軟性與可撓性、并可形成任意形狀的、可制作各種裝置的元件。該集成裝置是將該元件進(jìn)行捆束、或者加捻、或者織入或編入、或者接合、或者組合并進(jìn)行成形加工、或者成形為無紡狀而形成，在該元件中，在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著該電路元件，或者在長(zhǎng)度方向上連續(xù)或間隔地形成著具有形成電路的多個(gè)區(qū)域的剖面。
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1650434SQ0380996
公開日2005年8月3日 申請(qǐng)日期2003年5月2日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月2日
發(fā)明者笠間泰彥, 藤本諭, 表研次 申請(qǐng)人:理想星株式會(huì)社