專利名稱：電致發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有通過光刻法形成的發(fā)光層的電致發(fā)光(以下將電致發(fā)光簡稱為EL)元件的制造方法。
背景技術(shù)：
EL元件是指從相對向的電極注入的空穴及電子在發(fā)光層內(nèi)進(jìn)行結(jié)合，并用該能量激發(fā)發(fā)光層中的熒光物質(zhì)，從而發(fā)出對應(yīng)于熒光物質(zhì)的光的元件，目前它作為自發(fā)光的平面狀顯示元件而正倍受注目。其中，將有機(jī)物質(zhì)作為發(fā)光材料使用的有機(jī)薄膜EL顯示器，即使在外加電壓只有10V的情況下也能實(shí)現(xiàn)高輝度的發(fā)光，其發(fā)光效率較高，可以用簡單的元件結(jié)構(gòu)進(jìn)行發(fā)光，因此可望應(yīng)用于發(fā)光顯示特定圖案的廣告或其它低價的簡易顯示裝置上。
在采用這種EL元件的顯示器的制造過程中，通常進(jìn)行第1電極層或有機(jī)EL層的圖案的形成。作為該EL元件的圖案形成方法，可舉出通過障板(shadow mask)蒸鍍發(fā)光材料的方法、根據(jù)噴墨法涂布的方法、通過紫外線照射破壞特定發(fā)光色素的方法、絲網(wǎng)印刷法等。然而，用這些方法無法提供可同時實(shí)現(xiàn)高的發(fā)光效率或光的射出效率、制造工藝的簡單化、高精細(xì)圖案的形成的EL元件。
作為解決這些問題的手段，提出了根據(jù)光刻法制作布線圖案，并由此形成發(fā)光層的EL元件的制造方法。根據(jù)這種方法，與以往采用的依賴于蒸鍍的圖案形成方法相比，由于無須配備具備有高精度的調(diào)整機(jī)構(gòu)的真空設(shè)備，因此可以較容易且廉價地進(jìn)行制造。另一方面，與采用噴墨方式的圖案形成方法相比，由于沒有用于補(bǔ)助圖案形成的結(jié)構(gòu)物也無須對基板進(jìn)行前處理等，因此較為理想，進(jìn)而從與噴墨頭的噴出精度的關(guān)系考慮時，根據(jù)光刻法的制造方法具有更適合于形成高精細(xì)的圖案的優(yōu)點(diǎn)。
作為根據(jù)這種光刻法形成多個發(fā)光部的方法，已提出了如圖2所示的方法。
首先，如圖2(a)所示，在基板1上形成圖案形狀的第1電極層2，再在其上以圖案形狀形成有第1發(fā)光部3，且在該第1發(fā)光部3上，再層壓第1光致抗蝕劑層4。
接著，如圖2(b)所示，涂布第2發(fā)光層形成用涂布液，形成第2發(fā)光層5，再在第2發(fā)光層5上全面涂布正型光致抗蝕劑，形成第2光致抗蝕劑層4’。之后，如圖2(c)所示，用光掩膜6只遮住形成第1發(fā)光部3及第2發(fā)光部的部分，并用紫外線曝光除此之外的部分。
通過用光致抗蝕劑顯影液對此進(jìn)行顯影，并洗凈，如圖2(d)所示，可除去曝光部的第2光致抗蝕劑層4’。進(jìn)而，除去已除去曝光部的第2光致抗蝕劑層4’的第2發(fā)光層5中的被暴露部分，如圖2(e)所示，得到被第2光致抗蝕劑層4’所覆蓋的第2發(fā)光部5’、以及被第1光致抗蝕劑層4和第2發(fā)光層5及第2光致抗蝕劑層4’覆蓋的第1發(fā)光部3。
接著，采取與形成第2發(fā)光部5’相同的步驟，如圖2(f)所示，涂布第3發(fā)光層形成用涂布液，形成第3發(fā)光層7的膜，并在其上全面涂布正型光致抗蝕劑，形成第3光致抗蝕劑層4”。然后，如圖2(g)所示，用光掩膜6遮住形成第1發(fā)光部3、第2發(fā)光部5’以及第3發(fā)光部7’的部分，并用紫外線曝光除此以外的部分。
用光致抗蝕劑顯影液對此進(jìn)行顯影，經(jīng)洗凈后，如圖2(h)所示，形成圖案形狀的第3光致抗蝕劑層4”，接著，除去已除去第3光致抗蝕劑層4”的曝光部分的被暴露的第3發(fā)光層7。由此，如圖2(i)所示，得到由第3光致抗蝕劑層4”所覆蓋的第3發(fā)光層7’。進(jìn)而，在第2發(fā)光部5’中，在第2發(fā)光部5’上層壓有第2光致抗蝕劑層4’和第3發(fā)光層7及第3光致抗蝕劑層4”，在第1發(fā)光部3上，層壓有第1光致抗蝕劑層4、第2發(fā)光層5、第2光致抗蝕劑層4’、第3發(fā)光層7和第3光致抗蝕劑層4”。
最后，用光致抗蝕劑剝離液進(jìn)行剝離處理后，如圖2(j)所示，會暴露出第1發(fā)光部3、第2發(fā)光部5’及第3發(fā)光部7’。
之后，經(jīng)過在各發(fā)光部上形成第2電極層的工藝等，可制造出向圖中的下方發(fā)出光的EL元件。
然而，在上述的方法中，為了最終由圖2(i)的狀態(tài)變?yōu)閳D2(j)的狀態(tài)而進(jìn)行的光致抗蝕劑層的剝離處理中，很難進(jìn)行快速的剝離。這是因?yàn)楸划?dāng)作處理目標(biāo)的光致抗蝕劑層上層壓有多層發(fā)光層和光致抗蝕劑層，因此在所要實(shí)施剝離處理的光致抗蝕劑層中，與光致抗蝕劑剝離液相接觸的面積很小，使光致抗蝕劑剝離液充分作用于光致抗蝕劑層上所需要的時間非常長。另外，若將基板長時間暴露于光致抗蝕劑中，不僅在制造效率上不大有利，同時由于受光致抗蝕劑剝離液的影響，已形成圖案的層上也會發(fā)生溶脹及洗脫等不良現(xiàn)象。因此，需要提供一種在進(jìn)行剝離處理時可處于光致抗蝕劑剝離液容易作用的狀態(tài)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于以上問題而提出的，其主要目的在于，提供在采用光刻法形成發(fā)光部時，可避免在形成為圖案形狀的各發(fā)光部上還層壓有幾層多余的層的狀態(tài)，并且在該多余層的剝離工藝中，可以迅速且容易地進(jìn)行剝離處理的EL元件的處理方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供具有下述特征的EL元件的制造方法，即，在采用光刻法的EL元件的制造方法中，具有在設(shè)有表面具有光致抗蝕劑層的至少1色的發(fā)光部的基板上，涂布呈不同于所述發(fā)光部的顏色的異色發(fā)光層形成用涂布液，并形成異色發(fā)光層的工藝；在所述異色發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的工藝；對所述異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成異色發(fā)光部的部分的異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的工藝；和通過除去已除去所述異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的部分的異色發(fā)光層，形成在表面具有異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的圖案形狀的異色發(fā)光部的工藝。
當(dāng)采用根據(jù)本發(fā)明的EL元件的制造方法的光刻法在發(fā)光層上形成圖案時，在結(jié)束各發(fā)光部的圖案形成的階段里，發(fā)光部上沒有層壓呈與此不同顏色的異色發(fā)光層，進(jìn)而，光致抗蝕劑層可處于只層壓一層的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，當(dāng)最終剝離光致抗蝕劑層時，成為剝離對象的光致抗蝕劑層會位于最上層，因此光致抗蝕劑層剝離液容易作用于此，可以迅速且容易地進(jìn)行剝離處理。因此，由剝離處理所引起的對基板等的影響較少，有利于提高生產(chǎn)率。
在本發(fā)明中還提供具有下述特征的EL元件的制造方法，即，在采用光刻法的EL元件的制造方法中，具有在設(shè)有表面具有第1光致抗蝕劑層的第1發(fā)光部的基板上涂布第2發(fā)光層形成用涂布液，形成第2發(fā)光層的工藝；在所述第2發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成第2光致抗蝕劑層的工藝；對所述第2光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光之后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成第2發(fā)光部的部分的第2光致抗蝕劑層的工藝；通過除去已除去所述第2光致抗蝕劑層的部分的第2發(fā)光層，形成在表面具有第2光致抗蝕劑層的圖案形狀的第2發(fā)光部的工藝；在設(shè)有表面具有所述第1光致抗蝕劑層的所述第1發(fā)光部、和具有所述第2光致抗蝕劑層的所述第2發(fā)光部的基板上，涂布第3發(fā)光層形成用涂布液，形成第3發(fā)光層的工藝；在所述第3發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成第3光致抗蝕劑層的工藝；對所述第3光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光之后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成第3發(fā)光部的部分的第3光致抗蝕劑層的工藝；通過除去已除去所述第3光致抗蝕劑層的部分的第3發(fā)光層，形成表面具有第3光致抗蝕劑層的圖案形狀的第3發(fā)光部的工藝。
本發(fā)明中的EL元件的制造方法的特征在于，在進(jìn)行2色調(diào)的發(fā)光層的圖案形成工藝時，使光致抗蝕劑層只殘留于形成2色調(diào)的發(fā)光部的位置上。另外，在形成3色調(diào)的發(fā)光層圖案時也是如此。這樣，在結(jié)束各發(fā)光層的圖案形成的階段里，不會層壓呈與該發(fā)光層不同顏色的發(fā)光層，進(jìn)而，光致抗蝕劑層可處于只層壓1層的狀態(tài)。此時，在最終剝離光致抗蝕劑層的階段，由于光致抗蝕劑層位于最上層，因此光致抗蝕劑剝離液可以立即作用于光致抗蝕劑層，在沒有施加附加力的情況下也能迅速地剝離光致抗蝕劑層，在制造全色EL元件時，可以得到提高其制造效率的效果。另外，由于無須將基板長時間暴露于光致抗蝕劑剝離液中，因此可將該剝離液對基板等的影響控制到最小，這也有利于提高生產(chǎn)率。
此時，所述各發(fā)光層不溶于光致抗蝕劑溶劑、光致抗蝕劑顯影液、及光致抗蝕劑剝離液中且所述各光致抗蝕劑層不溶于用于所述各發(fā)光層的形成的溶劑為宜。
這也取決于光刻法的種類，是為了在層壓其它層的階段及進(jìn)行顯影的階段中，降低對已形成的層或目標(biāo)層以外的層帶來影響并由此導(dǎo)致溶脹及洗脫等不良情況發(fā)生的可能性。
另外，所述各發(fā)光部最好與過渡層一起形成圖案而形成在過渡層上。過渡層被設(shè)置在第1電極層和發(fā)光層之間，有助于向發(fā)光層注入電荷。從而，通過設(shè)置過渡層，可以提高電荷的注入效率，提高發(fā)光效率。
此外，在采用所述光刻法的EL元件的制造方法中，通過在形成圖案的各發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑并進(jìn)行曝光顯影，對各光致抗蝕劑層完成圖案形成之后，采用干蝕刻對除去各光致抗蝕劑層的部分的各發(fā)光層完成圖案形成為宜。
這是因?yàn)槿缟纤龅貙l(fā)光層形成為圖案時，通過采用干蝕刻，可以減少由于形成圖案所引起的對形成圖案為目的的發(fā)光層以外的層的影響，從而可以形成精度更高的圖案。
此時，所述干蝕刻優(yōu)選反應(yīng)性離子蝕刻。通過采用反應(yīng)性離子蝕刻，可以有效地進(jìn)行發(fā)光層或者過渡層的除去工作。
還有，在所述干蝕刻中使用氧氣單體或含氧氣的氣體為宜。
通過使用氧氣單體或含氧氣的氣體，可以有效地進(jìn)行發(fā)光層或者過渡層的除去工作，而不會給基板或ITO帶來由氧化反應(yīng)引起的影響。
另外，在所述干蝕刻中使用大氣壓等離子體為宜。這是因此通過使用大氣壓等離子體，可以消除真空工藝，由此可以以高生產(chǎn)率形成圖案。


圖1是表示本發(fā)明的EL元件的制造方法之一例的工藝圖。
圖2是表示以往EL元件的制造方法之一例的工藝圖。
具體實(shí)施例方式
下面說明本發(fā)明的EL元件的制造方法。
本發(fā)明的EL元件的制造方法的特征在于，在采用光刻法的電致發(fā)光元件的制造方法中，具有在設(shè)有表面具有光致抗蝕劑層的至少1色的發(fā)光部的基板上，涂布呈不同于所述發(fā)光部的顏色的異色發(fā)光層形成用涂布液，并形成異色發(fā)光層的工藝；在所述異色發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的工藝；對所述異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成異色發(fā)光部的部分的異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的工藝；和通過除去已除去所述異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的部分的異色發(fā)光層，形成在表面具有異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的圖案形狀的異色發(fā)光部的工藝。
在此，所述“異色發(fā)光層”表示相對已形成圖案的發(fā)光部而言呈不同顏色的發(fā)光層，例如，當(dāng)基板上已形成有紅色發(fā)光部時，是指呈綠色或藍(lán)色的發(fā)光層。進(jìn)而，當(dāng)基板上已形成有紅色及綠色的2色發(fā)光部時，是指呈藍(lán)色的發(fā)光層。還有，“異色發(fā)光層形成用涂布液”是指在形成這種異色發(fā)光層時所用的涂布液。
上述的EL元件的制造方法中，將2色調(diào)以上的發(fā)光部的圖案形成工藝表現(xiàn)為異色發(fā)光層、異色發(fā)光層形成用涂布液及異色發(fā)光部，下面作為其具體例子，按照形成順序說明在由3色發(fā)光部構(gòu)成的EL元件中各發(fā)光部的圖案形成工藝。
還有，下面說明的是將本發(fā)明的EL元件作成全色時的制造方法。因此，異色發(fā)光層說明為第2或第3發(fā)光層，異色發(fā)光層形成用涂布液說明為第2或第3發(fā)光層形成用涂布液，異色發(fā)光部說明為第2或第3發(fā)光部，異色發(fā)光層形成用光致抗蝕劑層說明為第2或第3光致抗蝕劑層。
即，這種EL元件的制造方法的特征在于，具有在設(shè)有表面具有第1光致抗蝕劑層的第1發(fā)光部的基板上涂布第2發(fā)光層形成用涂布液，形成第2發(fā)光層的工藝；在所述第2發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成第2光致抗蝕劑層的工藝；對所述第2光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光之后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成第2發(fā)光部的部分的第2光致抗蝕劑層的工藝；通過除去已除去所述第2光致抗蝕劑層的部分的第2發(fā)光層，形成在表面具有第2光致抗蝕劑層的圖案形狀的第2發(fā)光部的工藝；在設(shè)有表面具有所述第1光致抗蝕劑層的所述第1發(fā)光部、和表面具有所述第2光致抗蝕劑層的所述第2發(fā)光部的基板上，涂布第3發(fā)光層形成用涂布液，形成第3發(fā)光層的工藝；在所述第3發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成第3光致抗蝕劑層的工藝；對所述第3光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光之后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成第3發(fā)光部的部分的第3光致抗蝕劑層的工藝；通過除去已除去所述第3光致抗蝕劑層的部分的第3發(fā)光層，形成表面具有第3光致抗蝕劑層的圖案形狀的第3發(fā)光部的工藝。
這樣，在本發(fā)明中，特別是在2色調(diào)的發(fā)光部的圖案形成工藝中具有下述特征，即，在對光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光時，曝光成只有形成2色調(diào)的發(fā)光部的位置成為未曝光區(qū)域，在3色調(diào)發(fā)光部的圖案形成工藝中也是如此。
以往在進(jìn)行圖案曝光時，如圖2(c)及圖2(g)所示，除了形成作為圖案形成對象的發(fā)光部的位置之外，已以圖案形狀形成的發(fā)光部也作為遮蓋的對象。然而，在本發(fā)明中，如上所述由于在沒有用光掩膜遮住已形成圖案的發(fā)光部的狀態(tài)下進(jìn)行曝光，因此在已完成圖案形成的發(fā)光部上不會再層壓上其它沒有必要的光致抗蝕劑層。由此，在結(jié)束各發(fā)光部的圖案形成的階段里，各發(fā)光部上不會層壓呈與此不相同的顏色的發(fā)光層，還有，光致抗蝕劑層形成為只層壓1層的狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，在之后剝離光致抗蝕劑層的階段，由于需要剝離的光致抗蝕劑層位于最上層，因此可以充分確保與使用于剝離處理的光致抗蝕劑剝離液的接觸面積，從而可以迅速地剝離。
還有，本發(fā)明中的“發(fā)光層”是指涂布發(fā)光層形成用涂布液后經(jīng)干燥形成的層，“發(fā)光部”是指形成在所定位置上的發(fā)光層。
圖1表示了具有這種特征的本發(fā)明EL元件制造工藝之一例，下面用圖1進(jìn)行具體的說明。
在該例中，首先如圖1(a)所示，準(zhǔn)備設(shè)有第1電極層2、及表面具有第1光致抗蝕劑層4的第1發(fā)光部3的基板1(第1發(fā)光部準(zhǔn)備工藝)。在本發(fā)明中，關(guān)于第1發(fā)光部3的圖案形成，可以根據(jù)通常的光刻法形成。
接著，如圖1(b)所示，涂布第2發(fā)光層形成用涂布液，形成第2發(fā)光層5，再在其上全面涂布正型光致抗蝕劑，形成第2光致抗蝕劑層4’(第2光致抗蝕劑層形成工藝)。
之后，如圖1(c)所示，用光掩膜6只遮住形成第2發(fā)光部的位置，對形成第2發(fā)光部的位置以外的位置進(jìn)行紫外線曝光后，通過用光致抗蝕劑顯影液顯影第2光致抗蝕劑層4’并洗凈，如圖1(d)所示留下形成第2發(fā)光部的部分的第2光致抗蝕劑層4’(第2光致抗蝕劑層圖案形成工藝)。
進(jìn)而，除去第2光致抗蝕劑層4’，并除去被暴露的第2發(fā)光層5，如圖1(e)所示，留下被第2光致抗蝕劑層4’覆蓋的第2發(fā)光部5’、和被第1光致抗蝕劑層4覆蓋的第1發(fā)光部3(第2發(fā)光部形成工藝)。
在該例中所示的EL元件的制造方法中，由于形成3色發(fā)光部，因此需要繼續(xù)進(jìn)行制造工藝，但如果是由2色發(fā)光部構(gòu)成的EL元件，則之后通過剝離光致抗蝕劑層，再在各發(fā)光部上形成第2電極層的工藝等，可制造出EL元件。此時，如圖1(e)所示，也因?yàn)樗獎冸x的光致抗蝕劑層位于最上層，因此具有可以迅速地進(jìn)行剝離處理的優(yōu)點(diǎn)。從而，在制造2色EL元件時，也由于光致抗蝕劑層的剝離比較容易，因此可以提供制造效率優(yōu)異且基板的損傷等較少的EL元件。
接著，進(jìn)行3色調(diào)發(fā)光部的圖案形成工藝。在具有第1電極層2、表面具有第1光致抗蝕劑層4的第1發(fā)光部3、以及表面具有第2光致抗蝕劑層4’的第2發(fā)光部5’的基板1上，如圖2(f)所示，涂布第3發(fā)光層形成用涂布液，形成第3發(fā)光層7，進(jìn)而，在其上涂布正型光致抗蝕劑，形成第3光致抗蝕劑層4”(第3光致抗蝕劑層形成工藝)。
接著，如圖1(g)所示，用光掩膜6只遮住形成第3發(fā)光部3的位置，并紫外線曝光沒有被遮住的區(qū)域，之后通過用光致抗蝕劑顯影液進(jìn)行顯影并洗凈，如圖1(h)所示，除去位于形成第3發(fā)光部的區(qū)域以外的位置的第3光致抗蝕劑層4”(第3光致抗蝕劑層圖案形成工藝)。
之后，通過除去已除去第3光致抗蝕劑層4”的已被暴露的第3發(fā)光層7，如圖1(i)所示，留下表面具有第3光致抗蝕劑層4”的第3發(fā)光部7’(第3發(fā)光部形成工藝)。
在本發(fā)明的第3光致抗蝕劑層圖案形成工藝中，由于通過光掩膜進(jìn)行圖案曝光的只有形成第3發(fā)光部的部位，因此可以形成在第1發(fā)光部上層壓有一層第1光致抗蝕劑層，而在第2發(fā)光部上層壓有一層第2光致抗蝕劑的狀態(tài)。
最后，如圖1(i)所示，剝離位于最上層的各光致抗蝕劑層(剝離工藝)，在已被暴露的各發(fā)光層上形成第2電極層，可制造出向圖中下方發(fā)光的EL元件。
下面，詳細(xì)說明這種本發(fā)明EL元件的制造方法的各工藝。
1.第1發(fā)光部準(zhǔn)備工藝在本工藝中，首先，在形成有第1電極層的基板上，涂布第1發(fā)光層形成用涂布液，形成第1發(fā)光層，進(jìn)而，在其上面全面涂布光致抗蝕劑，形成第1光致抗蝕劑層。之后，用光掩膜只遮住形成第1發(fā)光部的部位，進(jìn)行圖案曝光。接著，用光致抗蝕劑顯影液顯影曝光部分的第1光致抗蝕劑層。由此，曝光部分的第1光致抗蝕劑層被予以去除，位于其下方的第1發(fā)光層被暴露在外。之后，除去被暴露的第1發(fā)光層，得到表面具有第1光致抗蝕劑層的第1發(fā)光部。
下面說明本工藝的構(gòu)成。
(基板)用于本發(fā)明的基板只要是高透明性的材料就沒有特殊的限制，可以使用玻璃等無機(jī)材料或透明樹脂等。
作為所述透明樹脂，只要可成形為薄膜狀就沒有特殊的限制，優(yōu)選透明性高且耐溶劑性、耐熱性較高的高分子材料。具有可列舉聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮(PEEK)、聚氟化乙烯(PEV)、聚丙烯酸酯(PA)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、無定形聚鏈烯烴或氟類樹脂等。
(第1電極層)如上所述，所述基板上形成有第1電極層。作為這種第1電極層，只要是用于通常的EL元件的結(jié)構(gòu)就沒有特殊的限制。
還有，第1電極層是預(yù)先設(shè)置在基板上的，在形成發(fā)光層之后，也設(shè)置第2電極層。這些電極層由陽極和陰極構(gòu)成，且陽極或陰極中的一方為透明或半透明，作為陽極，優(yōu)選功函數(shù)大的導(dǎo)電性材料，以便于注入空穴。另一方面，作為陰極，優(yōu)選功函數(shù)小的導(dǎo)電性材料，以便于注入電子。另外，也可以混合多種材料使用。不論是哪一種材料，電阻越小越好，通常采用的是金屬材料，但也可以使用有機(jī)物或無機(jī)化合物。
(第1發(fā)光層形成用涂布液)在本發(fā)明中，在至少形成所述第1電極層的基板上涂布第1發(fā)光層形成用涂布液，并經(jīng)干燥在基板上形成第1發(fā)光層。
作為這種第1發(fā)光層形成用涂布液，通常由發(fā)光材料、溶劑、及摻雜劑等添加劑構(gòu)成。還有，由于本發(fā)明是通過采用光刻法對不同種類的發(fā)光層實(shí)施圖案形成，在基板上形成多種類的發(fā)光部的EL元件的制造方法，因此可以形成多色的發(fā)光層。從而，可以使用多種類的發(fā)光層形成用涂布液。下面說明構(gòu)成這些發(fā)光層形成用涂布液的各材料。
A.發(fā)光材料作為用于本發(fā)明的發(fā)光材料，只要是含發(fā)熒光的材料且可發(fā)出光的物質(zhì)就沒有特殊的限制，可以兼?zhèn)浒l(fā)光功能和空穴輸送功能或電子輸送功能。在本發(fā)明中，如后所述，通過光刻法進(jìn)行發(fā)光層的圖案形成的角度考慮，形成發(fā)光層的材料優(yōu)選不溶于后述的光致抗蝕劑溶劑、光致抗蝕劑顯影液、及光致抗蝕劑剝離液的材料。另外此時，根據(jù)光刻法對發(fā)光層實(shí)施圖案形成時所用的光致抗蝕劑，優(yōu)選不溶于用于發(fā)光層形成的溶劑的材料。
作為這種發(fā)光材料，可舉出色素類材料、金屬配位化合物類材料以及高分子類材料。
①色素類材料作為色素類材料，可列舉甲環(huán)戊丙胺衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑喹啉(pyrazoloquinoline)衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基芳烯衍生物、silole衍生物、噻吩環(huán)化合物、吡啶環(huán)化合物、perinone衍生物、二萘嵌苯衍生物、低聚噻吩衍生物、trifumanylamine衍生物、噁二唑二聚體、吡唑啉二聚體等。
②金屬配位化合物類材料作為金屬配位化合物類材料，可以列舉鋁羥基喹啉配位化合物、苯并羥基喹啉鈹配位化合物、苯并噁唑鋅配位化合物、苯并噻唑鋅配位化合物、偶氮基甲基鋅配位化合物、卟啉鋅配位化合物、銪配位化合物等，中心金屬為Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土類金屬，配位子為噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉結(jié)構(gòu)等的金屬配位化合物。
③高分子類材料作為高分子材料，可以列舉聚對苯撐乙烯撐衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯撐衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、所述色素體、對金屬配位化合物類發(fā)光材料進(jìn)行高分子化的物質(zhì)等。
在本發(fā)明中，從采用發(fā)光層形成用涂布液根據(jù)光刻法發(fā)揮可以形成高精度的發(fā)光部的優(yōu)點(diǎn)考慮，作為發(fā)光材料優(yōu)選使用所述高分子類材料。
B.溶劑由圖1所示例可見，發(fā)光層形成用涂布液有時會涂布于光致抗蝕劑層上。因此，作為用于該發(fā)光層形成用涂布液的溶劑，優(yōu)選對光致抗蝕劑的溶解度在25℃、1大氣壓下為0.001(g/g溶劑)以下的溶劑，更優(yōu)選在0.0001(g/g溶劑)以下的溶劑。例如，當(dāng)后述的過濾層溶解于水、DMF、DMSO、醇等極性溶劑且光致抗蝕劑為一般的酚醛清漆類正型抗蝕劑時，可以列舉出以苯、甲苯、二甲苯的各異構(gòu)體及其混合物、均三甲苯、萘滿、對甲基異丙基苯、枯烯、乙苯、二乙苯、丁基苯、氯苯、二氯苯的各異構(gòu)體及其混合物為代表的芳香族類溶劑；以苯甲醚、苯乙醚、苯丁醚、四氫呋喃、2-丁酮、1，4-二噁烷、二乙醚、二異丙醚、二苯醚、二芐醚、二甘醇二甲醚等為代表的醚類溶劑；二氯甲烷、1，1-二氯乙烷、1，2-二氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烯、氯仿、 四氯化碳、1-氯萘等含氯溶劑；環(huán)己酮等，除此之外，只要是能滿足條件的溶劑就可以使用，也可以使用2種以上的混合溶劑。
另外，在本發(fā)明中，也可以設(shè)置過渡層，當(dāng)過渡層設(shè)成可溶于溶劑時，為了防止發(fā)光層成膜時的過渡層和發(fā)光層材料之間的混合或溶解，保持發(fā)光材料原有的發(fā)光特性，最好不溶解過濾層。
從這種觀點(diǎn)出發(fā)，發(fā)光層形成用涂布液用的溶劑優(yōu)選對過渡層材料的溶解度在25℃、1大氣壓下為0.001(g/g溶劑)以下的溶劑，更優(yōu)選在
0.0001(g/g溶劑)以下的溶劑。
C.添加劑在用于本發(fā)明的發(fā)光層形成用涂布液中，除了上述的發(fā)光材料及溶劑之外，還可以添加各種添加劑。例如，為了提高發(fā)光層中的發(fā)光效率、改變發(fā)光波長，有時可以添加摻雜劑材料。作為這種摻雜劑，例如可以舉出二萘嵌苯衍生物、香豆素衍生物、紅熒烯衍生物、喹吖酮衍生物、squalium衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基類色素、并四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十環(huán)烯、吩噁嗪酮等。
(第1光致抗蝕劑層)下面，說明形成于第1發(fā)光層上的第1光致抗蝕劑。還有，在本發(fā)明中，光致抗蝕劑層采用了第1、第2及第3等3種，但這些都只是為了便于區(qū)別使用而采取的措施，也可以是完全相同的光致抗蝕劑層。
這種光致抗蝕劑的涂布方法，只要是通常整面涂布涂布液的方法就沒有特殊的限制，具體可以采用旋轉(zhuǎn)涂布法、流延法、浸涂法、棒涂法、刮涂法、輥涂法、照相凹板式涂布法、苯胺印刷法、噴霧法等涂布方法。
本發(fā)明中如上所述在發(fā)光層上層壓該光致抗蝕劑層，并通過光刻法對發(fā)光層進(jìn)行圖案形成，其特征就在于該發(fā)光層的圖案形成工藝中所進(jìn)行的圖案曝光上。該光刻法是利用光照射之后膜中光照射部的溶解性發(fā)生變化的特點(diǎn)，形成相應(yīng)于光照射圖案的任意圖案的方法。
下面說明用于該工藝中的光致抗蝕劑、光致抗蝕劑溶劑及光致抗蝕劑顯影液。
A.光致抗蝕劑可用于本發(fā)明的光致抗蝕劑可以是正型的，也可以是負(fù)型的，沒有特殊的限制，優(yōu)選不溶解于發(fā)光層等有機(jī)EL層的形成中所使用的溶劑的光致抗蝕劑。
作為具體使用的光致抗蝕劑，可列舉酚醛清漆樹脂類、橡膠-雙迭氮基類等。
B.光致抗蝕劑溶劑在本發(fā)明中，作為涂布所述光致抗蝕劑時所用的光致抗蝕劑溶劑，為了在光致抗蝕劑成膜時防止發(fā)光層等有機(jī)EL層和光致抗蝕劑發(fā)生混合或溶解，以確保原有的發(fā)光特性，優(yōu)選不溶解發(fā)光層材料等有機(jī)EL材料的光致抗蝕劑。當(dāng)考慮這一點(diǎn)時，作為可用于本發(fā)明的光致抗蝕劑溶劑，優(yōu)選對發(fā)光層形成用材料等有機(jī)EL層形成用材料的溶解度在25℃、1大氣壓下為0.001(g/g溶劑)以下的溶劑，更優(yōu)選在0.0001(g/g溶劑)以下的溶劑。
例如，作為當(dāng)過渡層形成材料溶解于水類溶劑，且發(fā)光層溶解于芳香族類等無極性有機(jī)溶劑時可使用的光致抗蝕劑溶劑，可以列舉出以丙酮、丁酮為代表的酮類；以丙二醇單乙醚乙酸鹽、丙二醇單甲醚乙酸鹽、乙二醇單甲醚乙酸鹽、乙二醇單乙醚乙酸鹽為代表的溶纖劑乙酸鹽類；以丙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚為代表的溶纖劑類；以甲醇、乙醇、1-丁醇、2-丁醇、環(huán)己醇為代表的醇類；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類溶劑；環(huán)己烷、萘烷等，除此之外，只要是能滿足條件的溶劑就可以使用，也可以使用2種以上的混合溶劑。
C.光致抗蝕劑顯影液下面，說明用于形成本工藝中的光致抗蝕劑層的圖案的顯影液。
作為可用于本發(fā)明的光致抗蝕劑顯影液，只要可以溶解形成所述發(fā)光層的材料就沒有特殊的限制。具體可以使用常用的有機(jī)堿類顯影液，除此之外，也可以使用無機(jī)堿、或者可顯影光致抗蝕劑層的水溶液。進(jìn)行光致抗蝕劑層的顯影之后，最好再用水進(jìn)行清洗。
作為可用于本發(fā)明的顯影液，可以選擇對發(fā)光層形成用材料的溶解度在25℃、1大氣壓下為0.001(g/g顯影液)以下的顯影液，更優(yōu)選在0.0001(g/g顯影液)以下的顯影液。
(過渡層)在本發(fā)明中，可以在基板上設(shè)置過渡層。在本發(fā)明中所說的過渡層是指設(shè)置在陽極和發(fā)光部之間或者陰極和發(fā)光部之間，以便于向發(fā)光部注入電荷的含有有機(jī)物特別是有機(jī)導(dǎo)電對等的層。例如，可以是具有提高向發(fā)光部的空穴注入效率以使電極等的凹凸平坦化的功能的導(dǎo)電性高分子。
用于本發(fā)明中的過渡層，當(dāng)其導(dǎo)電性較高時，為了保持元件的二極管特性，防止串?dāng)_(クロスト-ク)，已制作成圖案為宜。還有，當(dāng)過渡層的電阻較高時，有時即使沒有被制作成圖案也可以，并且對可以省略過渡層的元件而言，有時也可以不設(shè)置過渡層。
在本發(fā)明中，當(dāng)過渡層也通過光刻法形成圖案時，形成過渡層的材料優(yōu)選不溶解于光致抗蝕劑溶劑及用于發(fā)光層形成的溶劑的材料，更優(yōu)選的形成過渡層的材料是不溶解于光致抗蝕劑剝離液的材料。
作為用于本發(fā)明的形成過渡層的材料，具體可列舉聚烷基噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、三苯胺等空穴輸送性物質(zhì)的聚合物、無機(jī)氧化物的溶膠凝膠膜、三氟甲烷等有機(jī)物的聚合膜、含有路易斯(Lewis)酸的有機(jī)化合物膜等，但是只要能滿足上述有關(guān)溶解性的條件就沒有特殊的限制，也可以成膜之后經(jīng)反應(yīng)、聚合或燒成等來滿足上述條件。
另外，在本發(fā)明中，作為形成過渡層時所使用的溶劑，只要能分散或溶解過渡層材料就沒有特殊的限制，但是在全色的圖案形成等中需要進(jìn)行多次的成膜時，有必要使用不溶解光致抗蝕劑材料的過渡層溶劑，更優(yōu)選不溶解發(fā)光層的過渡層溶劑。
作為可用于本發(fā)明的過渡層溶劑，可優(yōu)選抗蝕劑材料的溶解度在25℃、1大氣壓下為0.001(g/g溶劑)以下的溶劑，更優(yōu)選在0.0001(g/g溶劑)以下的溶劑。另外，作為過渡層溶劑，進(jìn)一步優(yōu)選發(fā)光層構(gòu)成材料的溶解度在25℃、1大氣壓下為0.001(g/g溶劑)以下的溶劑，特別優(yōu)選在0.0001(g/g溶劑)以下的溶劑。
具體可以列舉水、以甲醇、乙醇為代表的醇類、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮等溶劑，也可以使用除此之外的滿足條件的溶劑。另外，也可使用2種以上的混合溶劑。
還有，根據(jù)需要也可以使用采用固化性樹脂等的不溶解于溶劑的過渡層。具體可舉出溶膠凝膠反應(yīng)液、光固化性樹脂或熱固性樹脂。即，采用在未固化狀態(tài)下的溶膠凝膠反應(yīng)液、光固化性樹脂或熱固性樹脂中添加可以賦予過渡層功能的添加劑而作為過渡層形成用涂布液的物質(zhì)；或者通過對溶膠凝膠反應(yīng)液、光固化性樹脂或熱固性樹脂進(jìn)行改性使之起到過渡層的作用的過渡層形成用涂布液，通過使這樣的過渡層形成用涂布液發(fā)生固化，作為不溶于溶劑的過渡層使用。
2.第2光致抗蝕劑層形成工藝接著，在本發(fā)明中，通過對形成有所述第2發(fā)光層的基板全面涂布光致抗蝕劑，形成第2光致抗蝕劑層。
關(guān)于在本工藝中所用的光致抗蝕劑，由于與所述“第1發(fā)光部準(zhǔn)備工藝”中詳述的內(nèi)容相同，因此在此省略對它的說明。還有，構(gòu)成第1光致抗蝕劑層和第2光致抗蝕劑層的材料通常采用的是同一種材料，但是根據(jù)需要也可以使用不同的材料。
3.第2光致抗蝕劑層圖案形成工藝在本發(fā)明中第2光致抗蝕劑層圖案形成工藝是指，在整個面上形成第2光致抗蝕劑層之后，通過用光掩膜遮住形成第2發(fā)光部的部位的第2光致抗蝕劑層后進(jìn)行圖案曝光，并顯影，殘留形成第2發(fā)光部的部分的第2光致抗蝕劑層，以完成圖案形成的工藝。
本發(fā)明的特征在于，本工藝中的用光掩膜遮光的位置僅限于形成第2發(fā)光部的區(qū)域，第2光致抗蝕劑層只殘留于形成第2發(fā)光部的位置上。
因此，已形成在基板上的第1發(fā)光部上沒有殘留有第2光致抗蝕劑層，層壓在第1發(fā)光部上的光致抗蝕劑層只有第1光致抗蝕劑層。進(jìn)而，由于第2光致抗蝕劑層被除去而被暴露的第2發(fā)光層也可以由后序工藝被予以除去，因此可以避免在第1發(fā)光部上層壓第2發(fā)光層及第2光致抗蝕劑層的現(xiàn)象。
在本工藝中，首先通過光掩膜對光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光。該曝光方法等與以往常用的曝光方法相同。
另外，在圖1所示的例子中，由于光致抗蝕劑層為正型，因此采用了可以遮住相當(dāng)于第2發(fā)光部的部分的光掩膜，相反，當(dāng)使用負(fù)型光致抗蝕劑時，可以使用只曝光相當(dāng)于所述第2發(fā)光部的部分的光掩膜。
4.第2發(fā)光部形成工藝本發(fā)明中的第2發(fā)光部形成工藝，是指通過除去已由前工藝除去第2光致抗蝕劑層而被暴露的第2發(fā)光層，形成第2發(fā)光層圖案，并把它作為第2發(fā)光部的工藝。
根據(jù)前工藝，第2光致抗蝕劑層只殘留于形成第2發(fā)光部的位置上，因此由本工藝形成第2發(fā)光部時第2發(fā)光層也只殘留于形成第2發(fā)光部的區(qū)域里。因此，已完成圖案形成的第1發(fā)光部上，不會殘留第2光致抗蝕劑層及第2發(fā)光層，由此可以避免在第1發(fā)光層中層壓有多余的層的狀態(tài)。
另外，在位于第1電極層上的多余的層被除去的狀態(tài)下，可以消除由層壓多層而產(chǎn)生的膜厚不均等不良情況。進(jìn)而，在第1發(fā)光部上，作為以后剝離的光致抗蝕劑層只層壓有一層第1光致抗蝕劑層，且第1光致抗蝕劑層又位于最上層，因此可以迅速地進(jìn)行第1光致抗蝕劑層的剝離處理。
這種第2發(fā)光部形成工藝，可以采用使用溶解發(fā)光層的溶劑的濕式法、以及利用干蝕刻的干式法，在本發(fā)明中優(yōu)選使用不會引起混色等不良情況的干式法。下面分別說明各種方法。
(濕式法)此時的濕式法，是指不剝離光致抗蝕劑，而用可以溶解或剝離發(fā)光層的溶劑，溶解去除第2發(fā)光層的方法。作為此時可使用的溶劑，除了可以使用上述的發(fā)光層形成用涂布液的溶劑之外，只要能滿足上述條件也可以選擇其它的溶劑。
另外，用該溶劑去除時可以在超聲波浴中進(jìn)行。通過使用超聲波浴，可以完成不出現(xiàn)第2發(fā)光部圖案變細(xì)或第2發(fā)光部的流出等不良現(xiàn)象的高精度的圖案形成工藝，由此可以在短時間內(nèi)形成高精度的圖案，因此比較理想。
在本發(fā)明中，用于該超聲波浴的超聲波的條件是，在25℃以20～100kHz的發(fā)振頻率進(jìn)行0.1～60秒鐘為宜，采用這樣的條件，即可在短時間內(nèi)形成高精度的圖案。
(干式法)另一方面，干式法是指，利用干蝕刻除去已除去第2光致抗蝕劑層的部分的第2發(fā)光層的方法。
通常，光致抗蝕劑層的成膜厚度遠(yuǎn)厚于發(fā)光層，因此通過全面進(jìn)行干蝕刻可以除去發(fā)光層。
此時，光致抗蝕劑層的膜厚在0.1～10微米范圍內(nèi)為宜，更優(yōu)選在0.5～5微米范圍內(nèi)。通過定為這樣的膜，可以在保持光致抗蝕劑的抗蝕劑功能的狀態(tài)下完成高加工精度的干蝕刻。
這樣，采用干蝕刻時，可以使蝕刻的端部更尖一些，因此可以進(jìn)一步縮小存在于圖案端部的膜厚不均區(qū)域的寬度，其結(jié)果可以形成更高精細(xì)的圖案。
作為用于本發(fā)明中的干蝕刻法，優(yōu)選干蝕刻為反應(yīng)性離子蝕刻的方法。這是因?yàn)橥ㄟ^采用反應(yīng)性離子蝕刻，有機(jī)膜可發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而變成小分子量的化合物，由此可以經(jīng)氣化·蒸發(fā)從基板上去除，可以完成蝕刻精度高的短時間加工。
另外，在本發(fā)明中，在進(jìn)行所述干蝕刻時，使用氧氣單體或含氧氣體為宜。通過使用氧氣單體或含氧氣體，可以把有機(jī)膜由氧化反應(yīng)分解除去，從基板上去除多余的有機(jī)物，可以完成蝕刻精度高的短時間加工。此外，在該條件下，常用的ITO等氧化物透明導(dǎo)電膜不會發(fā)生蝕刻，因此也具有可以在不損傷電極特性的情況下凈化電極表面的效果。
進(jìn)而，在本發(fā)明中，將大氣壓等離子體用于所述干蝕刻為宜。通過使用大氣壓等離子體，通常需要真空裝置的干蝕刻可以在大氣壓下進(jìn)行，可以縮短處理時間并降低成本。此時，蝕刻可以利用在經(jīng)等離子體化的大氣中有機(jī)物由氧氣被氧化分解的原理，但是通過氣體的取代及循環(huán)可以任意調(diào)整反應(yīng)氣氛內(nèi)的氣體組成。
還有，在制造2色EL元件時，在第2發(fā)光部形成工藝之后，經(jīng)過剝離位于各發(fā)光部上的第1光致抗蝕劑層及第2光致抗蝕劑層，暴露出第1及第2發(fā)光部，進(jìn)而，在各發(fā)光部上形成第2電極層的工藝等，可以制造出發(fā)出2色光的EL元件。
5.第3光致抗蝕劑層形成工藝本發(fā)明中的第3光致抗蝕劑層形成工藝，是指在設(shè)有第1電極層、形成于所述第1電極層上且表面具有第1光致抗蝕劑層的第1發(fā)光部、以及同樣以圖案形狀形成于第1電極層上且表面具有第2光致抗蝕劑層的第2發(fā)光部的基板上，涂布第3發(fā)光層形成用涂布液，形成第3發(fā)光層，之后在該第3發(fā)光層上全面涂布光致抗蝕劑，形成第3光致抗蝕劑層的工藝。
還有，構(gòu)成本工藝的第3發(fā)光層形成用涂布液、第3發(fā)光層及第3光致抗蝕劑層與上述“第1發(fā)光部準(zhǔn)備工藝”中詳述的內(nèi)容相同，因此在此省略說明。
6.第3光致抗蝕劑層圖案形成工藝本發(fā)明中的第3光致抗蝕劑層圖案形成工藝，是指對于形成在第3發(fā)光層上的第3光致抗蝕劑層，用光掩膜只遮住形成第3發(fā)光部的位置并進(jìn)行曝光，之后通過用光致抗蝕劑顯影液進(jìn)行顯影，由此形成圖案，使第3光致抗蝕劑層只殘留于形成第3發(fā)光部的位置的工藝。
本發(fā)明的特征就在于，在該第3光致抗蝕劑層圖案形成工藝中，用光掩膜只遮住形成第3發(fā)光部的位置后進(jìn)行圖案曝光。
由此，第3光致抗蝕劑層只殘留于第3發(fā)光部上，可達(dá)到已形成圖案的第1及第2發(fā)光部上沒有殘留有第3光致抗蝕劑層的狀態(tài)。從而，通過在以后的第3發(fā)光部形成工藝中，除去位于第1及第2發(fā)光部上的第3發(fā)光層，可以避免在第1及第2發(fā)光部上層壓有多層多余層的狀態(tài)，以后剝離光致抗蝕劑層時，可以迅速地進(jìn)行剝離處理。
此外，關(guān)于光致抗蝕劑的內(nèi)容與所述“第1發(fā)光部準(zhǔn)備工藝”中詳述的內(nèi)容相同，因此在此省略說明。
7.第3發(fā)光部形成工藝本發(fā)明中的第3發(fā)光部形成工藝，是指除去由前工藝已除去第3光致抗蝕劑層而被暴露的第3發(fā)光層，以圖案形狀形成第3發(fā)光層，并把它作為第3發(fā)光部的工藝。
在本發(fā)明中形成第3發(fā)光部時，第3發(fā)光層只層壓于形成第3發(fā)光部的區(qū)域里。因此，已完成圖案形成的第1及第2發(fā)光部上不會殘留第3光致抗蝕劑層及第3發(fā)光層，從而可以避免層壓有多層對兩發(fā)光部而言是多余的層的狀態(tài)。在經(jīng)過本工藝之后，可以以第1發(fā)光部上形成有第1光致抗蝕劑層，在第2發(fā)光部上形成有第2光致抗蝕劑層，而在第3發(fā)光部上形成有第3光致抗蝕劑層的狀態(tài)形成各發(fā)光部。
另外，在該狀態(tài)下，由于光致抗蝕劑層可起到保護(hù)層作用，因此可保持充分的保管穩(wěn)定性。因此，可以直接以這種狀態(tài)使之流通，耐流通性優(yōu)異，且可以容易地進(jìn)行在下一工藝中的光致抗蝕劑層的剝離，因此可以提供充分適應(yīng)于市場需求的EL元件。
8.剝離工藝本發(fā)明中的剝離工藝，是指利用光致抗蝕劑剝離液剝離位于各發(fā)光部上的光致抗蝕劑層的工藝。
此時，在基板上已形成圖案的各發(fā)光部上，只形成有1層光致抗蝕劑層，且這些光致抗蝕劑層又位于最上層，因此，在本工藝中，用光致抗蝕劑剝離液剝離這些光致抗蝕劑層時，可以容易地剝離出。
本工藝中的光致抗蝕劑的剝離，可以根據(jù)將基板浸漬于光致抗蝕劑剝離液中的方法、將光致抗蝕劑剝離液以淋浴狀噴到基板上的方法等剝離光致抗蝕劑層。
作為用于本發(fā)明的光致抗蝕劑層的剝離液，只要是不溶解所述各發(fā)光部且溶解光致抗蝕劑層的溶液，就沒有特殊的限制，也可以直接使用上述的光致抗蝕劑的溶劑，并且，當(dāng)采用正型抗蝕劑時也可以在進(jìn)行紫外線曝光之后使用作為光致抗蝕劑顯影液所列舉的液體進(jìn)行剝離。
進(jìn)而，也可以使用強(qiáng)堿水溶液、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮等溶劑及其混合物、市售的光致抗蝕劑剝離液。
還有，本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施形態(tài)。所述實(shí)施形態(tài)只是其中的例子，只要具有與本發(fā)明的技術(shù)方案中所述的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成且可達(dá)到相同的作用效果的，均屬于本發(fā)明的技術(shù)所包含的范圍之內(nèi)。
以下舉出了實(shí)施例，進(jìn)一步說明本發(fā)明。
<實(shí)施例1>
(1色調(diào)的有機(jī)EL層的制作)在透明玻璃基板上作為第1電極層形成有氧化銦錫(ITO)的玻璃基板上，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布空穴注入層涂布液(聚(3，4)乙烯二羥基噻吩/聚苯乙烯磺酸酯PEDT/PSSバィェル社制的Baytron P，以下面的化學(xué)式(1)表示)，經(jīng)干燥制作成膜厚為800的第1空穴注入層。
接著，作為第1發(fā)光層制作聚對苯撐乙烯撐衍生物MEH-PPV的1wt％二甲苯溶液，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布在空穴注入層上，經(jīng)干燥制作成膜厚為1000的第1發(fā)光層，形成有機(jī)EL層。
(1色調(diào)光致抗蝕劑層的制作)接著，在第1發(fā)光層上，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布正型光致抗蝕劑(東京應(yīng)化社制OFPR-800)，經(jīng)干燥形成膜厚為1微米的第1光致抗蝕劑層。
(1色調(diào)圖案形成)接著，用制作成使相當(dāng)于第1發(fā)光部的部分成為遮光部的光掩膜(線寬(遮光部)85微米，空間(space)寬度(透過部)215微米)，利用對準(zhǔn)曝光機(jī)進(jìn)行紫外線照射之后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，基板結(jié)構(gòu)確認(rèn)為圖1(a)。
(2色調(diào)有機(jī)EL層的形成)接著，通過濕處(wet process)再形成了第2空穴注入層及第2發(fā)光層(MEH-PPV)、第2光致抗蝕劑層，而無須剝離殘留的光致抗蝕劑。
(2色調(diào)圖案形成)接著，將基板與1色調(diào)曝光時相比向橫向錯開1間距(100微米)，并采用所述光掩膜進(jìn)行紫外線曝光后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，確認(rèn)出第1發(fā)光部是在第1有機(jī)EL層上形成第1光致抗蝕劑，且第1發(fā)光部上的第2發(fā)光層及第2光致抗蝕劑已被完全除去，基板結(jié)構(gòu)確認(rèn)為圖1(e)。
(3色調(diào)有機(jī)EL層的形成)結(jié)束干蝕刻之后，根據(jù)濕處理形成第3空穴注入層及第3發(fā)光層(MEH-PPV)、第3光致抗蝕劑層，而無須剝離光致抗蝕劑。
(3色調(diào)圖案形成)將基板與1色調(diào)曝光時相比向橫向錯開2間距(200微米)，并采用所述光掩膜利用對準(zhǔn)(ァラィメント)曝光機(jī)進(jìn)行對準(zhǔn)曝光后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，確認(rèn)出第1發(fā)光部是在第1有機(jī)EL層上形成第1光致抗蝕劑，且第1發(fā)光部上的第3發(fā)光層及第3光致抗蝕劑已被完全除去。
另外，還確認(rèn)出在第2發(fā)光部形成有第2有機(jī)EL層及第2光致抗蝕劑，且第3發(fā)光部及第3光致抗蝕劑已被完全除去，基板截面結(jié)構(gòu)是圖1(i)中的結(jié)構(gòu)。
<抗蝕劑剝離>
將殘留的未曝光部分抗蝕劑在室溫下浸漬于抗蝕劑溶液中10分鐘，只把抗蝕劑完全除去，得到了形成有被制作成線寬85微米、空間寬度15微米的圖案的有機(jī)EL層的基板。
<比較例1>
(1色調(diào)有機(jī)EL層的制作)在透明玻璃基板上作為第1電極層形成有氧化銦錫(ITO)的玻璃基板上，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布與實(shí)施例1相同的空穴注入層涂布液(聚(3，4)乙烯二羥基噻吩/聚苯乙烯磺酸酯PEDT/PSSバィェル社制的Baytron P)，經(jīng)干燥制作成膜厚為800的第1空穴注入層。
接著，作為第1發(fā)光層制作聚對苯撐乙烯撐衍生物MEH-PPV的1wt％二甲苯溶液，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布在空穴注入層上，經(jīng)干燥制作成膜厚為1000的第1發(fā)光層，形成有機(jī)EL層。
(1色調(diào)光致抗蝕劑層的制作)接著，在第1發(fā)光層上，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布正型光致抗蝕劑(東京應(yīng)化社制OFPR-800)，經(jīng)干燥形成膜厚為1微米的第1光致抗蝕劑層。
接著，用制作成使相當(dāng)于第1發(fā)光部的部分成為遮光部的光掩膜(線寬(遮光部)85微米，空間(space)寬度(透過部)215微米)，利用對準(zhǔn)曝光機(jī)進(jìn)行紫外線照射之后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，基板結(jié)構(gòu)確認(rèn)為圖2(a)。
(2色調(diào)有機(jī)EL層的形成)接著，通過濕處理(wet process)再形成了第2空穴注入層及第2發(fā)光層(MEH-PPV)、第2光致抗蝕劑層，而無須剝離殘留的光致抗蝕劑。
(2色調(diào)圖案形成)接著，用制作成使相當(dāng)于第1發(fā)光部及第2發(fā)光部的部分成為遮光部的光掩膜進(jìn)行紫外線曝光之后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，確認(rèn)出第1發(fā)光部上形成有第2發(fā)光層及第2光致抗蝕劑，基板結(jié)構(gòu)如圖2(e)。
(3色調(diào)有機(jī)EL層的形成)結(jié)束干蝕刻之后，根據(jù)濕處理形成第3空穴注入層及第3發(fā)光層(MEH-PPV)、第3光致抗蝕劑層，而無須剝離光致抗蝕劑。
(3色調(diào)圖案形成)接著，用制作成使相當(dāng)于第1發(fā)光部、第2發(fā)光部及第3發(fā)光部的部分成為遮光部的光掩膜，用對準(zhǔn)曝光機(jī)進(jìn)行對準(zhǔn)曝光之后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，確認(rèn)出第1發(fā)光部上形成有第2發(fā)光部、第2光致抗蝕劑、第3發(fā)光部、及第3光致抗蝕劑，第2發(fā)光部上形成有第3發(fā)光部及第3光致抗蝕劑，基板結(jié)構(gòu)如圖2(i)。
<抗蝕劑剝離>
將殘留的未曝光部分抗蝕劑在室溫下浸漬于抗蝕劑溶液中180分鐘，確認(rèn)出多處第1發(fā)光部上殘留有第1光致抗蝕劑及第2發(fā)光部的部位；殘留有第1光致抗蝕劑、第2發(fā)光部、第2光致抗蝕劑、第3發(fā)光部的部位；在第2發(fā)光部上殘留有第3發(fā)光部的部位；或者第3發(fā)光部脫落的部位。
(EL元件的發(fā)光特性的評價)下面，在由實(shí)施例1及比較例1所得到的基板上，形成金屬電極。作為金屬電極以1000的厚度蒸鍍鈣，再作為氧化保護(hù)層蒸鍍2000厚度的銀。
將ITO電極一側(cè)連接于正極，金屬電極側(cè)連接于負(fù)極，通過源極表(source mether)外加直流電流。當(dāng)外加電壓在10V左右時觀察到了波長為580納米的發(fā)光。
另外，經(jīng)過用顯微鏡觀察發(fā)光部，確認(rèn)在實(shí)施例1中有85微米的線在均勻地發(fā)光。然而，在比較例1中，在寬85微米的線中觀察到了多處未發(fā)光部分(暗點(diǎn))。
<實(shí)施例2>
(1色調(diào)有機(jī)EL層的制作)在透明玻璃基板上作為第1電極層形成有氧化銦錫(ITO)的玻璃基板上，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布與實(shí)施例1相同的空穴注入層涂布液(聚(3，4)乙烯二羥基噻吩/聚苯乙烯磺酸酯PEDT/PSSバィェル社制的Baytron P)，經(jīng)干燥制作成膜厚為800的第1空穴注入層。
接著，作為第1發(fā)光層，在空穴注入層上，取作為紅色發(fā)光有機(jī)材料的涂布液(聚乙烯咔唑70重量份、噁二唑30重量份、二氰基亞甲基吡喃衍生物1重量份、單氯苯4900重量份)1毫升，滴到基板的中心部，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。以2000rpm保持10秒鐘，進(jìn)行了層的形成。其結(jié)果，膜厚達(dá)到了800。
(1色調(diào)光致抗蝕劑層的制作)接著，在第1發(fā)光層上根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布正型光致抗蝕劑(東京應(yīng)化社制OFPR-300)，經(jīng)干燥形成了膜厚為1微米的第1光致抗蝕劑層。
(1色調(diào)圖案形成)接著，用制作成使相當(dāng)于第1發(fā)光部的部分成為遮光部的光掩膜(線寬(遮光部)85微米，空間(space)寬度(透過部)215微米)，利用對準(zhǔn)曝光機(jī)進(jìn)行紫外線照射之后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，基板結(jié)構(gòu)確認(rèn)為圖1(a)。
(2色調(diào)有機(jī)EL層的形成)接著，再次形成第2空穴注入層，而無須剝離殘留的光致抗蝕劑。之后，作為第2發(fā)光層取1毫升作為綠色發(fā)光有機(jī)材料的涂布液(聚乙烯咔唑70重量份、噁二唑30重量份、1重量份的香豆素6、單氯苯4900重量份)，滴到基板的中心部，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。以2000rpm保持10秒鐘，進(jìn)行了層的形成。膜厚達(dá)到了800。通過濕處理在所得到的基板上形成了光致抗蝕劑層。
(2色調(diào)圖案形成)接著，將基板與1色調(diào)曝光時相比向橫向錯開1間距(100微米)，并采用所述光掩膜進(jìn)行紫外線曝光后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，確認(rèn)出第1發(fā)光部是在第1有機(jī)EL層上形成第1光致抗蝕劑，且第1發(fā)光部上的第2發(fā)光層及第2光致抗蝕劑已被完全除去，基板結(jié)構(gòu)確認(rèn)為圖1(e)。
(3色調(diào)有機(jī)EL層的形成)結(jié)束干蝕刻之后，形成第3空穴注入層，而無須剝離光致抗蝕劑。接著，作為第3發(fā)光層，將作為藍(lán)色發(fā)光有機(jī)材料的涂布液(聚乙烯咔唑70重量份、噁二唑30重量份、二萘嵌苯1重量份、單氯苯4900重量份)，滴到基板的中心部，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。以2000rpm保持10秒鐘，進(jìn)行了層的形成。其結(jié)果，膜厚達(dá)到了800。通過濕處理在所得到的基板上形成了光致抗蝕劑層。
(3色調(diào)圖案形成)將基板與1色調(diào)曝光時相比向橫向錯開2間距(200微米)，并采用所述光掩膜利用對準(zhǔn)曝光機(jī)進(jìn)行對準(zhǔn)曝光后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，確認(rèn)出第1發(fā)光部是在第1有機(jī)EL層上形成第1光致抗蝕劑，且第1發(fā)光部上的第3發(fā)光層及第3光致抗蝕劑已被完全除去。
另外，還確認(rèn)出在第2發(fā)光部形成有第2有機(jī)EL層及第2光致抗蝕劑，且第3發(fā)光部及第3光致抗蝕劑已被完全除去，基板截面結(jié)構(gòu)是圖1(i)中的結(jié)構(gòu)。
<抗蝕劑剝離>
將殘留的未曝光部分抗蝕劑在室溫下浸漬于抗蝕劑溶液中10分鐘，只把抗蝕劑完全除去，得到了形成有被制作成線寬85微米、空間寬度15微米的圖案的有機(jī)EL層的基板。
<比較例2>
(1色調(diào)有機(jī)EL層的制作)在透明玻璃基板上作為第1電極層形成有氧化銦錫(ITO)的玻璃基板上，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布與實(shí)施例1相同的空穴注入層涂布液(聚(3，4)乙烯二羥基噻吩/聚苯乙烯磺酸酯PEDT/PSSバィェル社制的Baytron P)，經(jīng)干燥制作成膜厚為800的第1空穴注入層。
接著，作為第1發(fā)光層，在空穴注入層上，取作為紅色發(fā)光有機(jī)材料的涂布液(聚乙烯咔唑70重量份、噁二唑30重量份、二氰基亞甲基吡喃衍生物1重量份、單氯苯4900重量份)1毫升，滴到基板的中心部，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。以2000rpm保持10秒鐘，進(jìn)行了層的形成。其結(jié)果，膜厚達(dá)到了800。
(1色調(diào)光致抗蝕劑層的制作)接著，在第1發(fā)光層上根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂布法全面涂布正型光致抗蝕劑(東京應(yīng)化社制OFPR-300)，經(jīng)干燥形成了膜厚為1微米的第1光致抗蝕劑層。
(1色調(diào)圖案形成)接著，用制作成使相當(dāng)于第1發(fā)光部的部分成為遮光部的光掩膜(線寬(遮光部)85微米，空間(space)寬度(透過部)215微米)，利用對準(zhǔn)曝光機(jī)進(jìn)行紫外線照射之后，用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，基板結(jié)構(gòu)確認(rèn)為圖2(a)。
(2色調(diào)有機(jī)EL層的形成)接著，再次形成第2空穴注入層，而無須剝離殘留的光致抗蝕劑。之后，作為第2發(fā)光層取1毫升作為綠色發(fā)光有機(jī)材料的涂布液(聚乙烯咔唑70重量份、噁二唑30重量份、1重量份的香豆素6、單氯苯4900重量份)，滴到基板的中心部，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。以2000rpm保持10秒鐘，進(jìn)行了層的形成。其結(jié)果，膜厚達(dá)到了800。通過濕處理在所得到的基板上形成了光致抗蝕劑層。
(2色調(diào)圖案形成)接著，用制作成使相當(dāng)于第1發(fā)光部及第2發(fā)光部的部分成為遮光部的光掩膜進(jìn)行紫外線曝光之后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，確認(rèn)出第1發(fā)光部上形成有第2發(fā)光層及第2光致抗蝕劑，基板結(jié)構(gòu)如圖2(e)。
(3色調(diào)有機(jī)EL層的形成)結(jié)束干蝕刻之后，形成了第3空穴注入層，而無須剝離光致抗蝕劑。接著，作為第3發(fā)光層，將作為藍(lán)色發(fā)光有機(jī)材料的涂布液(聚乙烯咔唑70重量份、噁二唑30重量份、二萘嵌苯1重量份、單氯苯4900重量份)，滴到基板的中心部，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布。以2000rpm保持10秒鐘，進(jìn)行了層的形成。其結(jié)果，膜厚達(dá)到了800。通過濕處理在所得到的基板上形成了光致抗蝕劑層。
(3色調(diào)圖案形成)接著，用制作成使相當(dāng)于第1發(fā)光部、第2發(fā)光部及第3發(fā)光部的部分成為遮光部的光掩膜，用對準(zhǔn)曝光機(jī)進(jìn)行對準(zhǔn)曝光之后，利用抗蝕劑顯影液(東京應(yīng)化社制NMD-3)除去了曝光部的光致抗蝕劑。之后，通過大氣壓等離子體裝置進(jìn)行干蝕刻，除去已經(jīng)除去光致抗蝕劑的部分的有機(jī)EL層。
經(jīng)對該基板進(jìn)行顯微鏡觀察、膜厚測定、及截面觀察，確認(rèn)出第1發(fā)光部上形成有第2發(fā)光部、第2光致抗蝕劑、第3發(fā)光部、及第3光致抗蝕劑，第2發(fā)光部上形成有第3發(fā)光部及第3光致抗蝕劑，基板結(jié)構(gòu)如圖2(i)。
(抗蝕劑剝離)將殘留的未曝光部分抗蝕劑在室溫下浸漬于抗蝕劑溶液中180分鐘，確認(rèn)出多處第1發(fā)光部上殘留有第1光致抗蝕劑及第2發(fā)光部的部位；殘留有第1光致抗蝕劑、第2發(fā)光部、第2光致抗蝕劑、第3發(fā)光部的部位；在第2發(fā)光部上殘留有第3發(fā)光部的部位；或者第3發(fā)光部脫落的部位。
(EL元件的發(fā)光特性的評價)下面，在由實(shí)施例2及比較例2所得到的基板上，形成金屬電極。作為金屬電極以1000的厚度蒸鍍鈣，再作為氧化保護(hù)層蒸鍍2000厚度的銀。
將ITO電極一側(cè)連接于正極，金屬電極側(cè)連接于負(fù)極，通過源極表外加直流電流。當(dāng)外加電壓在10V左右時觀察到了發(fā)光。
另外，經(jīng)過用顯微鏡觀察發(fā)光部，確認(rèn)在實(shí)施例2中有85微米的線在均勻地發(fā)光。然而，在比較例2中，在寬85微米的線中觀察到了多處未發(fā)光部分(暗點(diǎn))。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光元件的制造方法，是采用光刻法的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，具有在設(shè)有表面具有光致抗蝕劑層的至少1色的發(fā)光部的基板上，涂布呈不同于所述發(fā)光部的顏色的異色發(fā)光層形成用涂布液，并形成異色發(fā)光層的工藝；在所述異色發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的工藝；對所述異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成異色發(fā)光部的部分的異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的工藝；和通過除去已除去所述異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的部分的異色發(fā)光層，形成在表面具有異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的圖案形狀的異色發(fā)光部的工藝。
2.一種電致發(fā)光元件的制造方法，是采用光刻法的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，具有在設(shè)有表面具有第1光致抗蝕劑層的第1發(fā)光部的基板上涂布第2發(fā)光層形成用涂布液，形成第2發(fā)光層的工藝；在所述第2發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成第2光致抗蝕劑層的工藝；對所述第2光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光之后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成第2發(fā)光部的部分的第2光致抗蝕劑層的工藝；通過除去已除去所述第2光致抗蝕劑層的部分的第2發(fā)光層，形成在表面具有第2光致抗蝕劑層的圖案形狀的第2發(fā)光部的工藝；在設(shè)有表面具有所述第1光致抗蝕劑層的所述第1發(fā)光部、和具有所述第2光致抗蝕劑層的所述第2發(fā)光部的基板上，涂布第3發(fā)光層形成用涂布液，形成第3發(fā)光層的工藝；在所述第3發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成第3光致抗蝕劑層的工藝；對所述第3光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光之后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成第3發(fā)光部的部分的第3光致抗蝕劑層的工藝；通過除去已除去所述第3光致抗蝕劑層的部分的第3發(fā)光層，形成表面具有第3光致抗蝕劑層的圖案形狀的第3發(fā)光部的工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述各發(fā)光層不溶解于光致抗蝕劑溶劑、光致抗蝕劑顯影液、及光致抗蝕劑剝離液，且各光致抗蝕劑層不溶于用于形成所述各發(fā)光層的溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述各發(fā)光部與過渡層一同形成圖案，形成于過渡層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光元件的制造方法，是采用所述光刻法的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，在形成圖案的各發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，并進(jìn)行曝光、顯影，由此對各光致抗蝕劑層完成圖案形成之后，采用干蝕刻對已除去各光致抗蝕劑層的部分的各發(fā)光層完成圖案形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述干蝕刻為反應(yīng)性離子蝕刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述干蝕刻中使用氧氣單體或含氧氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述干蝕刻中使用大氣壓等離子體。
全文摘要
本發(fā)明的主要目的在于，提供一種在采用光刻法形成發(fā)光部時可以避免在已形成為圖案形狀的各發(fā)光部上層壓有多層多余的層的狀態(tài)，且在該多余層的剝離工藝中可以容易且迅速地進(jìn)行剝離處理的EL元件的制造方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供具有下述特征的EL元件的制造方法，即，在采用光刻法的EL元件的制造方法中，具有在設(shè)有表面具有光致抗蝕劑層的至少1色的發(fā)光部的基板上，涂布呈不同于所述發(fā)光部的顏色的異色發(fā)光層形成用涂布液，并形成異色發(fā)光層的工藝；在所述異色發(fā)光層上涂布光致抗蝕劑，形成異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的工藝；對所述異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案曝光后，通過進(jìn)行顯影形成圖案，留下形成異色發(fā)光部的部分的異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的工藝；和通過除去已除去所述異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的部分的異色發(fā)光層，形成在表面具有異色發(fā)光層用光致抗蝕劑層的圖案形狀的異色發(fā)光部的工藝。
文檔編號H01L51/56GK1496666SQ0380001
公開日2004年5月12日 申請日期2003年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月10日
發(fā)明者伊藤范人, 立川智之, 之 申請人:大日本印刷株式會社