專利名稱：用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的工件保持架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的來(lái)說涉及應(yīng)用在半導(dǎo)體制造設(shè)備中的工件保持架，尤其涉及這樣的半導(dǎo)體制造設(shè)備工件保持架其適用于熱固涂膠機(jī)/顯影機(jī)中的光刻膠，及加熱/烘低介電常數(shù)，也就是低k，的絕緣膜中。
對(duì)于鋁或者銅電路，互連圖案由光刻技術(shù)形成。例如，將樹脂均勻的涂在鋁膜上，從而在鋁互連膜上形成負(fù)圖案光刻膠，其后，用被稱為分檔器(stepper)的曝光設(shè)備將圖案印到光刻膠上，并熱固光刻膠以去除不需要的區(qū)域。沿負(fù)圖案區(qū)域用蝕刻設(shè)備蝕刻鋁膜和去除光刻膠，就獲得了圖形化的鋁互連。
因?yàn)榛ミB線越來(lái)越靠近導(dǎo)致線中的信號(hào)之間相互干擾，必須在互連之間和薄片層之間填充低介電常數(shù)的絕緣材料消除互連線之間的相互干擾。為了這個(gè)目的，傳統(tǒng)上使用二氧化硅作為絕緣材料，低k電介質(zhì)的材料也漸漸被用作低介電常數(shù)的絕緣膜。
用一種方法形成低k絕緣膜，根據(jù)此方法，將膜的原材料溶化成漿，旋轉(zhuǎn)涂漿產(chǎn)生均勻的層，用上述的光刻技術(shù)使圖案形成在所述層上，其后在加熱器中烘使其變硬。
以?shī)A在石英晶體片中的不銹鋼薄片做電阻加熱元件的加熱器是應(yīng)用于前述的熱固光刻膜中和烘低介電常數(shù)絕緣膜中的加熱器的例子。此外，由于加熱器的等溫性和耐用性問題，就希望有等溫性能好且耐用性高的加熱設(shè)備。
同時(shí)，陶瓷制成的其中鉬線圈嵌入高熱導(dǎo)性、高抗腐蝕的AlN或者Si3N4中的加熱器用在形成各種薄膜的電容分壓器(CVD)中。這樣陶瓷制造的加熱器在基片保持表面的背面連接到管狀鋁支撐部件的一端，支撐部件的另一端由密封在室中的O形圈支撐。此外，抗腐蝕性差的電極端子和電極供電引線容納在管狀鋁支撐部件的內(nèi)部，以便使其不暴露在室中的腐蝕氣體中。
在半導(dǎo)體制造中，為了減少成本，要縮小硅片的尺寸，最新的變化范圍是從8英寸到12英寸。因此，要求增強(qiáng)應(yīng)用在熱固光刻抗蝕膜中和烘低k電介質(zhì)絕緣膜中的加熱器的等溫性。特別是要求加熱器的基片保持表面中的等溫率在±1.0％之內(nèi)，更期望在±0.5％之內(nèi)。
為了穩(wěn)定基片保持架和保護(hù)電極端子不接觸室中的空氣，大多數(shù)情況下，陶瓷制成的加熱器中基片保持架與支撐部件連接在一起。如果在基片保持架和支撐部件的熱膨脹系數(shù)不同的情況下，在溫度升高和冷卻過程中，由于材料間熱膨脹系數(shù)的不同將會(huì)產(chǎn)生熱應(yīng)力，從而會(huì)使較脆的陶瓷材料產(chǎn)生裂縫。因此，使用相同材料的基片保持架和支撐部件連接在一起。
然而，如果將具有高熱傳導(dǎo)率的材料用在基片保持架中以提高基片保持表面的等溫性，則由于支撐部件也必須是有相同高熱傳導(dǎo)率的材料，所以基片保持架中電阻加熱元件產(chǎn)生的熱可以通過具有高熱傳導(dǎo)率的支撐部件極其有效地發(fā)散?；３旨芘c支撐部件連接的區(qū)域的溫度就會(huì)顯著降低，這迫使基片保持架的等溫性降低。
若基片保持架與具有低熱傳導(dǎo)率且與其熱膨脹系數(shù)不同的支撐部件連接——為了保持其等溫屬性不因熱發(fā)散到與其連接的支撐物上而惡化——由于不同的熱膨脹系數(shù)產(chǎn)生的熱應(yīng)力會(huì)使易碎材料陶瓷制成的基片保持架上出現(xiàn)裂紋。
此外，為了降低支撐部件所在位置的溫度并防止室末端上材料的熱損失，在室中安裝支撐部件的附近用水或者類似的東西冷卻。如果在支撐部件短的情況下，溫度梯度會(huì)很陡，因而使支撐部件很容易在熱沖擊下斷裂。為了防止熱沖擊帶來(lái)的斷裂，要加長(zhǎng)支撐部件到300毫米或者通常所必須的長(zhǎng)度，由此，放支撐部件的室的長(zhǎng)度就不得不很大，這對(duì)設(shè)備的微型化是個(gè)約束。
為了實(shí)現(xiàn)前述目標(biāo)，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的用在半導(dǎo)體制造設(shè)備中的保持部件由陶瓷制成的基片保持架和支撐部件組成，其中基片保持架有電阻加熱元件，而支撐部件用來(lái)支撐基片保持架；其特征在于支撐部件的熱傳導(dǎo)率比基片保持架的熱傳導(dǎo)率低。
根據(jù)上述本發(fā)明的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于基片保持架和支撐部件或者不連接，或者基片保持架和支撐部件連接且兩者的熱膨脹系數(shù)是2.0×10-6/℃或者更小。
此外，根據(jù)前述本發(fā)明的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于從AlN，Al2O3，SiC，Si3N4中選出的至少一種陶瓷類型是基片保持架的主要成分。
根據(jù)上述本發(fā)明的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于高鋁紅柱石是支撐部件的主要成分，特別地支撐部件最好是高鋁紅柱石和鋁的合成物。
此外，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了使用任何前述半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件的半導(dǎo)體制造設(shè)備。同樣的，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備用在熱固光刻樹脂膜中，或者烘低介電常數(shù)的絕緣膜中。
如本發(fā)明確定的，對(duì)于半導(dǎo)體制造設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)工件保持表面的等溫率在±1.0％之內(nèi)，更好的在±0.5％之內(nèi)，從而可使整個(gè)設(shè)備微型化的工件保持架。所述半導(dǎo)體制造設(shè)備工件保持架適用于在涂膠機(jī)和顯影機(jī)中熱固光刻膠中，和烘低介電常數(shù)，也就是低k，的絕緣膜中。
參照附圖，通過以下詳細(xì)的描述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，本發(fā)明的前述和其他的目的，特性，方面內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚和易于理解。
附圖簡(jiǎn)述

圖1為示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的基片保持架，其固定在室的內(nèi)部。
由此，用使用非腐蝕氣體的半導(dǎo)體制造設(shè)備，支撐部件不必是管狀的以將加熱器電極端子和為基片保持架提供的引線放入其中，也不需要完全密封與室內(nèi)的氣體隔離。因此就不必在基片保持架和支撐主體之間形成不漏氣的連接，例如只是將基片保持架放在支撐主體頂上來(lái)支撐它。
在基片保持架和支撐部件不連接的情況下，基片保持架中電阻加熱元件產(chǎn)生的熱可以得到控制而不會(huì)經(jīng)過支撐部件發(fā)散出去，在本發(fā)明中這意味著結(jié)合支撐部件的熱傳導(dǎo)率低于基片保持架的熱傳導(dǎo)率，從而使基片保持架的等溫屬性顯著提高。此外，因?yàn)榛３旨芎椭尾考贿B接，它們絲毫不受熱應(yīng)力，因此沒有陶瓷制造的基片保持架斷裂的危險(xiǎn)。
考慮到通過支撐部件控制熱的發(fā)散，基片保持架和支撐部件最好不連接，而只是簡(jiǎn)單的擺放在一起，例如，如上所述，一個(gè)放在另一個(gè)上。然而，為了穩(wěn)定基片保持架和保護(hù)基片保持架中的電極端子不要暴露在室中的氣體中，有些情況下，基片保持架和支撐部件最好連接在一起被固定。
如果在基片保持架和支撐部件的熱膨脹系數(shù)顯著不同的情況下，將在其連接處產(chǎn)生由于其熱膨脹量的差產(chǎn)生的熱應(yīng)力和收縮，使易受影響的陶瓷材料產(chǎn)生裂紋。為了在基片保持架和支撐部件連接的情況下防止這樣，基片保持架和支撐部件間的熱膨脹系數(shù)的差值可以是2.0×10-6/℃或者更小，以控制由熱膨脹/收縮量的差引起的熱應(yīng)力，從而在加熱循環(huán)中控制由于熱應(yīng)力引起的斷裂。
基片保持架和支撐物不連接或者基片保持架和支撐連接，在上述的任何一種情況下，為了提高基片保持架的等溫率并縮短支撐部件的長(zhǎng)度，最好使用熱傳導(dǎo)率盡可能高的材料制造基片保持架——其熱傳導(dǎo)率至少高于支撐部件的熱傳導(dǎo)率；同時(shí)，用熱傳導(dǎo)率盡可能低的材料制作支撐部件。
從高熱膨脹系數(shù)，耐熱性，和絕緣性來(lái)看，基片保持架材料最好使用從AlN，Al2O3，SiC，Si3N4中選出的至少一種陶瓷類型。在這些材料中，具有特別高熱傳導(dǎo)率和好的耐熱耐腐蝕性的AlN尤其好。
在AlN用在基片保持架中的情況中，主要成分是高鋁紅柱石(3Al2O3·2SiO2)——有4.0×10-6/℃的熱膨脹系數(shù)，接近AlN的4.5×10-6/℃的熱膨脹系數(shù)——的材料最好用做支撐部件的材料。事實(shí)上，具有4W/mK的極低的熱傳導(dǎo)率的高鋁紅柱石對(duì)于控制熱發(fā)散非常有效，而且能提高基片保持架的等溫性。此外，雖然支撐部件的長(zhǎng)度縮短了，但是伴隨基片保持架的溫度梯度，支撐部件和基片保持架的污染安裝沒有變嚴(yán)重，及支撐部件中由于熱沖擊產(chǎn)生的斷裂可以控制的事實(shí)，支撐部件的可靠性增加了。
此外，將氧化鋁(Al2O3)加到高鋁紅柱石中可以調(diào)節(jié)支撐部件的熱膨脹系數(shù)，使其近似于構(gòu)成基片保持架的AlN的熱膨脹系數(shù)。加氧化鋁到高鋁紅柱石中將支撐部件的熱膨脹系數(shù)調(diào)整到例如4.5×10-6/℃，使用這樣的支撐部件顯著的減少了基片保持架和支撐部件連接處的熱應(yīng)力，其中，雖然連接后要冷卻及經(jīng)過熱循環(huán)過程的升降溫度，熱應(yīng)力能急劇減少，而可靠性顯著提高。
實(shí)施例用鎢漿將電阻加熱元件電路印到AlN燒結(jié)材料板上，其中所述鎢漿是加了助燒結(jié)劑和乙基纖維素粘合劑的鎢粉末的攪拌混合物。然后，將印制的AlN板放入氮?dú)饬髦性?00℃下脫脂，在1850℃下加熱1小時(shí)顯影。用于粘合的攪拌混合玻璃漿，其中加了乙基纖維素粘合劑，展開到保持燒結(jié)部件上，其在氮?dú)饬髦?00℃下脫脂。
AlN燒結(jié)材料制成的這兩個(gè)板的粘合玻璃表面和電阻加熱元件表面是堆疊的，同時(shí)放在50g/cm2的負(fù)載下以防止不對(duì)準(zhǔn)，所述兩個(gè)表面通過在1800℃下加熱2小時(shí)被連接，由此制造出AlN制成的其內(nèi)部嵌有電阻加熱元件2的基片保持架1，如圖1所示。連接到內(nèi)部電阻加熱元件2的電極端子(未示出)連接到所述基片保持架1的背面，且該背面與電氣連接到系統(tǒng)外部電源的供電引線3連接。
100mm外徑×90mm內(nèi)徑×100mm長(zhǎng)且由高鋁紅柱石(3Al2O3·2SiO2)制成的圓柱體支撐部件作為支撐部件支撐基片保持架。這個(gè)高鋁紅柱石制成的支撐部件的熱傳導(dǎo)率是4W/mK。如圖1所示，這個(gè)支撐部件4的一個(gè)末端夾在室5上，基片保持架1放在支撐物4上，但并未連接。在此，放在支撐部件4中的由基片保持架1引出的引線3被O形圈6密封在O形圈6和室5之間。
室5內(nèi)部氮?dú)鈮毫p少到0.1托，從系統(tǒng)外面供電到電阻加熱元件2上將室5加熱到500℃，同時(shí)用水冷卻固定在室5上的支撐部件4的另一端，測(cè)量保持基片7的基片保持架1的全部表面的等溫率，其在500℃±0.39％內(nèi)。制造10個(gè)同樣的基片保持架，經(jīng)過熱循環(huán)測(cè)試，在室溫和500℃之間升高和降低溫度500次，經(jīng)過加熱循環(huán)的10個(gè)保持架仍然沒有問題。
此外，傳統(tǒng)的具有300mm長(zhǎng)度的支撐部件必須要有450mm高的室來(lái)容納它。相反地，在實(shí)施例1中，即使其長(zhǎng)度縮減到100mm，支撐部件4也沒有任何問題，且可以使高為250mm的室5緊湊。
用加有助燒結(jié)劑和乙基纖維素的鎢粉末的攪拌混合物，將電阻加熱元件電路印到上述注模的部件中的一個(gè)部件上。然后，被印的注模的部件在700℃空氣流中脫脂，并將其在1600℃下加熱3小時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。從而產(chǎn)生的Al2O3的燒結(jié)部件的熱傳導(dǎo)率是20W/mK。用金剛砂對(duì)燒結(jié)部件做表面拋光。
以上述同樣的方式燒結(jié)保持模制部件，用來(lái)粘合的加有乙基纖維素粘合劑的攪拌混合玻璃漿展開到燒結(jié)的保持模制部件上，所述保持模制部件在900℃空氣流里脫脂。堆疊燒結(jié)材料的這兩個(gè)板的粘合玻璃表面和電阻加熱元件表面，并以實(shí)施例1中同樣的方式連接產(chǎn)生基片保持架。電極端子以實(shí)施例1中同樣的方式連接到基片保持架的背面，引線也連接在該背面上。
Al2O3制造的基片保持架放在與實(shí)施例1中相同的高鋁紅柱石制造的支撐部件頂部。高鋁紅柱石支撐部件的一個(gè)末端夾在室上。在與實(shí)施例1相同的條件下，測(cè)量保持基片的基片保持架表面的全部表面的等溫率，其在500℃±0.7％中。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。
用加有助燒結(jié)劑和乙基纖維素的鎢粉末的攪拌混合物，將電阻加熱元件電路印到上述模制材料片中的一個(gè)片上。然后，印制的注模模制部件在900℃氮?dú)饬髦忻撝?，并將其?900℃下加熱5小時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。從而產(chǎn)生的SiC燒結(jié)部件的熱傳導(dǎo)率是150W/mK。用金剛砂對(duì)燒結(jié)部件做表面拋光。
以上述同樣的方式燒結(jié)保持模制部件，用來(lái)粘合的加有乙基纖維素粘合劑的攪拌混合玻璃漿展開到燒結(jié)的保持模制部件上，所述保持模制部件在900℃氮?dú)饬骼锩撝?。堆疊燒結(jié)材料的這兩個(gè)板的粘合玻璃表面和電阻加熱元件表面，并以實(shí)施例1中同樣的方式連接產(chǎn)生基片保持架。電極端子以實(shí)施例1中同樣的方式連接到基片保持架的背面，引線也連接在該背面上。
SiC制造的基片保持架放在與實(shí)施例1中相同的高鋁紅柱石制造的支撐部件頂部。高鋁紅柱石支撐部件的一個(gè)末端夾在室上。在與實(shí)施例1相同的條件下，測(cè)量保持基片的基片保持架表面的全部表面的等溫率，其在500℃±0.5％中。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。
用加有助燒結(jié)劑和乙基纖維素的鎢粉末的攪拌混合物，將電阻加熱元件電路印到上述模制的材料片中的一個(gè)片上。然后，印制的注模模制部件在900℃氮?dú)饬髦忻撝?，并將其?900℃下加熱5小時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。從而產(chǎn)生的Si3N4的燒結(jié)部件的熱傳導(dǎo)率是20W/mK。用金剛砂對(duì)燒結(jié)部件做表面拋光。
以上述同樣的方式燒結(jié)保持模制部件，用來(lái)粘合的加有乙基纖維素粘合劑的攪拌混合玻璃漿展開到燒結(jié)的保持模制部件上，所述保持模制部件在900℃氮?dú)饬骼锩撝?。堆疊燒結(jié)材料的這兩個(gè)板的粘合玻璃表面和電阻加熱元件表面，并以實(shí)施例1中同樣的方式連接產(chǎn)生基片保持架。電極端子以實(shí)施例1中同樣的方式連接到基片保持架的背面，引線也連接在該背面上。
Si3N4制造的基片保持架放在與實(shí)施例1中相同的高鋁紅柱石制造的支撐部件頂部。高鋁紅柱石支撐部件的一個(gè)末端夾在室上。在與實(shí)施例1相同的條件下，測(cè)量保持基片的基片保持架表面的全部表面的等溫率，其在500℃±0.8％中。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。
對(duì)這個(gè)基片保持架做了與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其中基片保持架表面的等溫率是500℃±0.42％。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。
將AB-Si玻璃展開到AlN制造的這個(gè)支撐部件的一個(gè)末端，其在800℃下連接到與實(shí)施例1相同的AlN制造的基片保持架上(熱傳導(dǎo)率170W/mK；熱膨脹系數(shù)4.5×10-6℃)。對(duì)這樣產(chǎn)生的基片保持架做與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其中等溫率是500℃±0.5％。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。
對(duì)這樣產(chǎn)生的基片保持架做與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其中等溫率是500℃±0.43％。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。
對(duì)這樣產(chǎn)生的基片保持架做與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其中等溫率是500℃±0.41％。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。
支撐部件a和支撐部件b各自的兩個(gè)末端均經(jīng)過拋光處理，每個(gè)部件的一個(gè)末端是由B-Si玻璃展開而成，且其在800℃下在氮?dú)庵羞B接到各自的由AlN制成的基片保持架。然而，支撐部件a連接到其基片保持架背面的中間，而兩個(gè)支撐部件b每一個(gè)連接到它們基片保持架背面，以便覆蓋電極端子。
對(duì)這樣產(chǎn)生的基片保持架做與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其使用支撐部件a的基片保持架的等溫率是500℃±0.44％，而使用兩個(gè)支撐部件b的基片保持架的等溫率是500℃±0.40％。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。對(duì)比例子1用與實(shí)施例1相同的方法制造AIN制成的基片保持架。支撐部件由與基片保持架相同的AlN制成，其具有100mm外徑×90mm內(nèi)徑×300mm長(zhǎng)度?；３旨芎椭尾考臒醾鲗?dǎo)率均是180W/mK。支撐部件的兩個(gè)末端均做了拋光處理，其一個(gè)末端由B-Si玻璃展開形成，且在800℃下連接到基片保持架。
對(duì)這樣產(chǎn)生的基片保持架做與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其中等溫率是500℃±1.5％。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。對(duì)比例子2用與對(duì)比例子1相同的方法制造基片保持架和支撐部件，除了支撐部件的長(zhǎng)度縮短到100mm?；３旨芎椭尾考葾lN制成，它們的熱傳導(dǎo)率是180W/mK。基片保持架和支撐部件以與對(duì)比例子1相同的方式連接。
對(duì)這樣產(chǎn)生的基片保持架做與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其中等溫率是500℃±2.0％。此外，相同的基片保持架在500℃下保持1小時(shí)，于是由于水冷卻保持末端產(chǎn)生的熱沖擊使所述的基片保持架斷裂。對(duì)比例子3用與對(duì)比例子1相同的方法制造基片保持架和支撐部件?；３旨芎椭尾考葾lN制成，它們的熱傳導(dǎo)率是180W/mK?；３旨芊旁谥尾考捻敳浚⒉慌c支撐部件連接。
對(duì)這樣產(chǎn)生的基片保持架做與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其中等溫率是500℃±1.2％。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。對(duì)比例子4使用與實(shí)施例1相同的方法制造AlN制成的基片保持架。對(duì)于支撐部件，a 100mm外徑×90mm內(nèi)徑×300mm長(zhǎng)度的支撐部件由銅制成?；３旨艿臒醾鲗?dǎo)率使180W/mK，而支撐部件的熱傳導(dǎo)率是393W/mK。支撐部件的兩個(gè)末端均經(jīng)過拋光處理，基片保持架放在其頂部但并不連接。
對(duì)這樣產(chǎn)生的基片保持架做與實(shí)施例1相同的評(píng)測(cè)，其中等溫率是500℃±2.5％。此外，制造10個(gè)相同的基片保持架，以與實(shí)施例1中相同的方法經(jīng)過加熱循環(huán)測(cè)試，它們中任何一個(gè)也沒有產(chǎn)生問題。
僅僅選擇了被選的實(shí)施對(duì)本發(fā)明做了解釋。但本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解在不偏離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行改變，其范圍也落入本發(fā)明的權(quán)利要求及其等同物所限定的范圍內(nèi)。此外，根據(jù)本發(fā)明前述的實(shí)施例只是用來(lái)解釋，并不是對(duì)權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明做限制。
權(quán)利要求
1.一種用在半導(dǎo)體制造設(shè)備中的保持部件，包括由陶瓷制成的基片保持架，其中嵌有電阻加熱元件；和用來(lái)支撐所述基片保持架的支撐部件，所述支撐物的熱傳導(dǎo)率低于所述基片保持架的熱傳導(dǎo)率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于所述基片保持架和所述支撐部件或者不連接，或者所述基片保持架和所述支撐部件連接且兩者的熱膨脹系數(shù)是2.0×10-6/℃或者更小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于選自AlN，Al2O3，SiC，Si3N4中的至少一種陶瓷類型作為所述基片保持架的主要成分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于選自AlN，Al2O3，SiC，Si3N4中的至少一種陶瓷類型作為所述基片保持架的主要成分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于所述基片保持架是AlN。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于高鋁紅柱石是所述支撐部件的主要成分。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于高鋁紅柱石是所述支撐部件的主要成分。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于高鋁紅柱石是所述支撐部件的主要成分。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于高鋁紅柱石是所述支撐部件的主要成分。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件，其特征在于所述支撐部件是高鋁紅柱石和鋁的合成物。
11.一種使用如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件的半導(dǎo)體制造設(shè)備。
12.一種使用如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件的半導(dǎo)體制造設(shè)備。
13.一種使用如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件的半導(dǎo)體制造設(shè)備。
14.一種使用如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件的半導(dǎo)體制造設(shè)備。
15.一種使用如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件的半導(dǎo)體制造設(shè)備。
16.一種使用如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備保持部件的半導(dǎo)體制造設(shè)備。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其是用在熱固光刻樹脂膜，或者烘低介電常數(shù)絕緣膜中的設(shè)備。
全文摘要
本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體制造設(shè)備工件保持架，其基片保持表面具有優(yōu)良的等溫屬性，其適用于在涂膠機(jī)/顯影機(jī)中熱固光刻膠，和烘低介電常數(shù)，即低k的絕緣膜。工件保持架由基片保持架1和支撐基片保持架1的支撐部件4組成，其特點(diǎn)是支撐部件4的熱傳導(dǎo)率低于基片保持架1的熱傳導(dǎo)率?；３旨?和支撐部件4或者不連接，或者如果連接，則兩者具有相同的熱膨脹系數(shù)2.0×10
文檔編號(hào)H01L21/027GK1452233SQ03109539
公開日2003年10月29日 申請(qǐng)日期2003年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月15日
發(fā)明者柊平啟, 夏原益宏, 仲田博彥 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社