專利名稱：電源電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電源電路裝置，特別涉及使用從封裝主體導(dǎo)入的對(duì)導(dǎo)線形狀進(jìn)行了改良的IC封裝的電源電路裝置。
背景技術(shù)：
眾所周知，現(xiàn)在采用IC芯片和導(dǎo)線(引腳)用引線接合法等連接，用樹脂構(gòu)成的封裝主體為外裝的IC封裝。
圖2表示對(duì)現(xiàn)有的IC封裝有5根引腳的情況，圖2(A)是俯視圖，圖2(B)是圖2(A)的B-B剖面圖，圖2(C)是從箭頭方向看圖2(B)的側(cè)視圖。
包含功率MOSFET11的單塊集成電路和復(fù)合元件等，為了在功率MOSFET11上安裝IC12，一般使用5根管腳間隔(d3)相等的引腳。根據(jù)圖2(A)，該封裝主體13的一個(gè)側(cè)壁上設(shè)置5根引腳14。此時(shí)，中心的第三管腳14c與MOSFET的漏極端子、第五管腳14e與源極端子相連，第一管腳14a、第二管腳14b和第四管腳14d連接在IC的控制端子上。由于通常MOSFET11的漏極端子是高電位，源極端子GND接地，為了使這兩個(gè)端子形成非常大的電位差，使用第三管腳14c、第五管腳14e以使引腳14不鄰接。
在圖2(B)中表示安裝該封裝時(shí)的成形。如圖所示，第一管腳14a、第三管腳14c和第五管腳14e向上方彎折，得到了相鄰的第二管腳14b和第四管腳14d沿表面距離(參照?qǐng)D2(C))。這是一種方法，用于抑制將這樣構(gòu)成的IC封裝通過焊接安裝在電路基板面上時(shí)相鄰引腳彼此的短路和在印刷基板焊接連接時(shí)產(chǎn)生的焊接電橋。
一般在安裝的情況下，引腳的間隔是等間隔(d3)內(nèi)部元件的里面連接在中央的管腳上。即功率MOSFET是通過其里面的漏極電極用導(dǎo)電的粘接劑等直接粘接。功率MOSFET的封裝一般是三個(gè)管腳，成為高電位的漏極充分得到了連接的端子(中央的端子)和相鄰的其它端子沿表面距離。然而，包含所述的功率MOSFET的單塊集成電路和復(fù)合元件等，為了將IC實(shí)際安裝在功率MOSFET上，一般使用5根等間隔的引腳。該情況由于還是中央的第三管腳與功率MOSFET的漏極電極相連接，在裝載800伏等耐壓的高功率MOSFET時(shí)，用等間隔的引腳不能充分保證與相鄰的其它管腳沿表面距離。也就是用焊接方法將這種結(jié)構(gòu)的IC封裝裝在電路基板面上時(shí)，成為高電位的第三管腳和相鄰的第二、第四管腳沿表面距離小，存在容易由塵埃等引起短路的問題。而且在印刷基板上焊接連接時(shí)，由于焊料比引腳之間更寬，存在容易產(chǎn)生焊接電橋的問題。例如操作電壓為700伏時(shí)，沿表面距離必須做成1.9mm?，F(xiàn)有結(jié)構(gòu)中即使把引腳做成上下彎曲的形狀，在沿表面距離只能確保1.7mm時(shí)恐怕也不能滿足安全標(biāo)準(zhǔn)。即現(xiàn)有的引腳結(jié)構(gòu)不能充分確保沿表面距離。
而且，現(xiàn)有的封裝以與第三管腳形成一體等方式連接的頂部14h部分雖然成為800伏等的高電位的漏極連接，但也做成裸露的結(jié)構(gòu)，在產(chǎn)品操作方面存在不太安全的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于有關(guān)課題作出的。第一，本發(fā)明是包括MOSFET和密封該MOSFET的封裝及從該封裝主體的一個(gè)側(cè)壁引出的多個(gè)引腳，將所述的MOSFET的漏極端子連接在多個(gè)引腳中的中央的引腳上的電源電路裝置。通過使成為高電位的所述中央的引腳與相鄰的其它的引腳的間隔比所述其它的引腳彼此的間隔大，以設(shè)置要求的沿表面距離來解決所述問題。
所述封裝是整體模制結(jié)構(gòu)。
在所述的MOSFET上安裝IC。
第二，本發(fā)明是包括MOSFET和密封該MOSFET的封裝及從該封裝主體的一個(gè)側(cè)壁引出的多個(gè)引腳，將所述的MOSFET的漏極端子連接在多個(gè)引腳中的中央的引腳上的電源電路裝置。通過使成為高電位的所述中央的引腳與相鄰的其它的引腳的間隔比所述其它的引腳彼此的間隔大，所述多個(gè)引腳中電位最低的引腳位于下段、所述中央的引腳位于上段、其它的引腳位于上段和下段之間的中段而進(jìn)行彎折，在所述成為高電位的中央的引腳和所述成為低電位的引腳之間設(shè)置為所要求的沿表面距離來解決所述問題。
所述封裝是整體模制結(jié)構(gòu)。
在所述的MOSFET上安裝IC。
第三，本發(fā)明包括MOSFET和密封該MOSFET的封裝及從該封裝主體的一個(gè)側(cè)壁引出的5根引腳，是將所述的MOSFET的漏極端子連接在位于中央的第三引腳上的電源電路裝置，通過使成為高電位的第三引腳與相鄰的其它的引腳的間隔比所述其它的引腳彼此的間隔大，所述第三引腳和相鄰的低電位的第二及第四引腳設(shè)置為所要求的沿表面距離來解決所述問題。
從所述第三引腳到第二及第四引腳的間隔比第一和第二引腳及第四和第五引腳的間隔還分離。
在下段彎折所述第二及第四引腳，在上段彎折所述第三引腳，在上段和下段之間的中段彎折所述第一及第五引腳，在所述第三引腳和所述第二及第四引腳之間設(shè)置為所要求的沿表面距離。
所述封裝是整體模制結(jié)構(gòu)。
在所述的MOSFET上安裝IC。
即本發(fā)明通過擴(kuò)大成為高電位的第三管腳和相鄰的其它引腳的間隔而將引腳成形為上、中、下三個(gè)臺(tái)階，確保足夠安全的沿表面距離。
本發(fā)明提供一種封裝，由于通過將封裝主體做成整體模制的結(jié)構(gòu)，與第三管腳在同一工序形成的封裝里面的框架沒有露出，故作為漏極端子即使遇到高壓也可以安全地操作。


圖1(A)是說明本發(fā)明的電源電路裝置的俯視圖，圖1(B)是圖1(A)的A-A剖面圖，圖1(C)是從箭頭方向看圖1(B)的側(cè)視圖；圖2(A)是說明現(xiàn)有技術(shù)的電源電路裝置的俯視圖，圖2(B)是圖2(A)的B-B剖面圖，圖2(C)是從箭頭方向看圖2(B)的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
以5根引腳的封裝為例，參照?qǐng)D1詳細(xì)說明本發(fā)明具體實(shí)施方式
。
圖1(A)是俯視圖，圖1(B)是圖1(A)的A-A剖面圖，圖1(C)是從箭頭方向看圖1(B)的側(cè)視圖。
本發(fā)明的電源電路裝置由MOSFET1、IC2、封裝3和5根的引腳4構(gòu)成。
MOSFET1其中包含多個(gè)MOSFET的元件，里面是漏極電極，用導(dǎo)電的粘接劑固定在以與第三管腳4c形成一體等方式連接的頂部4h上(參照?qǐng)D1(B))。
IC2裝在MOSFET1上，與MOSFET1的電源電極和漏極電極連接。而且各控制端子連接在第一管腳4a、第二管腳4b和第四管腳4d上(參照?qǐng)D1(B))。
封裝3通過傳遞模塑法等，用絕緣樹脂密封MOSFET1和IC2。由于封裝3是整體模制結(jié)構(gòu)，故直到MOSFET1的漏極電極固定粘接的導(dǎo)線的頂部4h的里面都用樹脂覆蓋。由于加高電壓的頂部4h不露出，產(chǎn)品的操作非常安全。
5根中的引腳4從封裝主體3的一個(gè)側(cè)壁引出。在此，如圖，從端部的管腳假設(shè)為第一管腳4a、第二管腳4b、第三管腳4c、第四管腳4d和第五管腳4e。位于中央的第三管腳4c以與頂部4h形成一體等連接，在頂部4h中連接MOSFET1的漏極電極，使第三管腳4c成為漏極端子；第五管腳4e成為源極端子；第一管腳4a、第二管腳4b及第四管腳4d成為IC2的控制端子。電位最高的第三管腳4c和相鄰的第二管腳4b及第四管腳4d的間隔d2確保滿足安全標(biāo)準(zhǔn)的沿表面距離，比其它管腳彼此的間隔，即第一管腳4a到第二管腳4b的間隔d1及第四管腳4d到第五管腳4e的間隔d1更寬。具體地講，如假設(shè)第三管腳4c到第二管腳4b或第三管腳4c到第四管腳4d的間隔d2為2.54mm，第一管腳4a到第二管腳4b的間隔d1及第四管腳4d到第五管腳4e的間隔d1為0.5mm。例如動(dòng)作電壓為700伏時(shí)，安全的沿表面距離為1.9mm，800伏時(shí)為2.1mm，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，成為高電壓的第三管腳4c和第二管腳4b及第四管腳4d的間隔變得足夠大。
而且，如圖1(B)和圖1(C)所示，將從封裝3引出的引腳4在上下方向即相對(duì)頂部4h垂直的方向彎折、成形，使得其成為上段、下段、中段三個(gè)臺(tái)階。在此，以引出第二管腳4b和第四管腳4d的原狀作為下段，使第三管腳4c在最高位置上成形作為上段，使第一管腳4a和第五管腳4e在位于上段和下段之間的位置成形作為中段。具體地講，下段和中段的間隔h1為2.3mm，中段和上段的間隔h2為2.8mm。而且，根據(jù)成形的角度焊接的引腳4的前端部按照要求的距離可以在上下方向上加大。
本發(fā)明的特征在于引腳的配置。由于成為高電位的第三管腳和與其相鄰的第二管腳和第四管腳的間隔比第一管腳和第二管腳及第四管腳和第五管腳的間隔寬，故相對(duì)頂部4h可確保在水平方向的沿表面距離。而且，由于將第三管腳位于上段、第一和第五管腳位于中段、第二和第四管腳位于下段而進(jìn)行成形，在相對(duì)頂部4h垂直的方向上也擴(kuò)大了第三管腳和相鄰的第二和第四管腳沿表面距離。
如上所述，雖然在成形前的臺(tái)階上可以得到足夠的沿表面距離，但由于往印刷基板上安裝時(shí)焊料在印刷基板上擴(kuò)大，為了防止由焊接電橋產(chǎn)生的短路和由塵埃產(chǎn)生的短路，最好盡可能地確保沿表面距離。也就是說，通過在將引腳間隔在水平方向分開的基礎(chǔ)上進(jìn)行3段成形，使電壓最高的第三管腳位于上段、相鄰的第二、第四管腳位于下段，在垂直的方向上也擴(kuò)大了沿表面距離，防止了短路，實(shí)現(xiàn)了滿足安全要求的封裝。
由于封裝是整體模制結(jié)構(gòu)，在里面固定成為高電位的漏極電極的頂部4h的里面不外露，故容易保證產(chǎn)品的使用安全。
根據(jù)本發(fā)明，通過使成為高電位的第三管腳和與其相鄰邦的其它引腳的間隔比其它的引腳彼此的間隔擴(kuò)大，相對(duì)頂部4h可確保在水平方向上的沿表面距離。而且，由于第三管腳位于上段、第一和第五管腳位于中段、第二和第四管腳位于下段而進(jìn)行成形，在相對(duì)頂部垂直的方向上也隔離開，更擴(kuò)大了第三管腳與相鄰的第二和第四管腳的沿表面距離。只要沿表面距離加寬，就可以防止由在印刷基板上焊接電橋產(chǎn)生的短路和由塵埃等產(chǎn)生的短路。
具體地講，如800伏的情況必須有2.1mm的沿表面距離，現(xiàn)有的等間隔的5根管腳只能確保沿表面距離為1.7mm，是不夠安全的。但根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，由于第三管腳與相鄰的第二和第四管腳的間隔被擴(kuò)大到2.54mm，而且，在上段和下段得到5.8mm的距離，根據(jù)成形的角度，在引腳的前端部可以進(jìn)一步擴(kuò)大距離，故可確保足夠安全的沿表面距離。
封裝是整體模制結(jié)構(gòu)。由于在里面固定成為高電位的漏極電極的頂部的里面不外露，故容易保證產(chǎn)品的使用安全。
權(quán)利要求
1.一種電源電路裝置，其包括MOSFET、密封該MOSFET的封裝和從該封裝主體的一個(gè)側(cè)壁引出的多個(gè)引腳，并將所述MOSFET的漏極端子連接在該多個(gè)引腳中中央的引腳上，其特征在于使成為高電位的所述中央的引腳和相鄰的其它引腳的間隔作得比所述其它引腳彼此的間隔大，設(shè)置為所要求的沿表面距離。
2.如權(quán)利要求1所述的電源電路裝置，其特征在于所述封裝是整體模制結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的電源電路裝置，其特征在于IC安裝在所述MOSFET上。
4.一種電源電路裝置，其包括MOSFET、密封該MOSFET的封裝和從該封裝主體的一個(gè)側(cè)壁引出的多個(gè)引腳，并將所述MOSFET的漏極端子連接在該多個(gè)引腳中中央的引腳上，其特征在于使成為高電位的所述中央的引腳和相鄰的其它引腳的間隔比所述其它引腳彼此的間隔大，使所述多個(gè)引腳中成為最低電位的引腳位于下段，所述中央的引腳位于上段，其它的引腳位于上段和下段之間的中段而進(jìn)行彎折，在成為所述高電位的中央引腳和成為所述低電位的引腳之間設(shè)置為所要求的沿表面距離。
5.如權(quán)利要求4所述的電源電路裝置，其特征在于所述封裝是整體模制結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求4所述的電源電路裝置，其特征在于IC安裝在所述MOSFET上。
7.一種電源電路裝置，其包括MOSFET、密封該MOSFET的封裝和從該封裝主體的一個(gè)側(cè)壁引出的5根引腳，將所述MOSFET的漏極端子連接在位于中央的第三引腳上，其特征在于使成為高電位的第三引腳和相鄰的其它引腳的間隔比所述其它引腳彼此的間隔大，所述第三引腳和相鄰的低電位的第二及第四引腳設(shè)置為所要求的沿表面距離。
8.如權(quán)利要求7所述的電源電路裝置，其特征在于從所述第三引腳到第二及第四引腳的間隔比第一和第二引腳及第四和第五引腳的間隔還分開。
9.如權(quán)利要求7所述的電源電路裝置，其特征在于使所述第二和第四引腳位于下段、所述第三引腳位于上段、所述第一和第五引腳位于上段和下段之間的中段而進(jìn)行彎折，在所述第三引腳和所述第二及第四引腳之間設(shè)置為所要求的沿表面距離。
10.如權(quán)利要求7所述的電源電路裝置，其特征在于所述封裝是整體模制結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求7所述的電源電路裝置，其特征在于IC安裝在所述MOSFET上。
全文摘要
現(xiàn)有技術(shù)的功率MOSFET是單塊集成電路裝置和復(fù)合元件等的電源電路裝置，從封裝引出的引腳是等間隔的5個(gè)管腳，不能充分保證成為高電位的第三管腳與相鄰的其它管腳沿表面距離，不很安全。本發(fā)明使第三管腳與相鄰的其它管腳的距離比其它管腳彼此的距離寬，而且，使第三管腳位于上段、相鄰的其它管腳位于下段、它們以外的管腳位于中段而進(jìn)行成形。因此由于能充分確保高電位的第三管腳和相鄰的其它管腳的沿表面距離，成為非常安全的結(jié)構(gòu)。而且由于做成整體模制封裝，頂部不外露，操作也很容易。
文檔編號(hào)H01L23/495GK1462476SQ02801627
公開日2003年12月17日 申請(qǐng)日期2002年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月18日
發(fā)明者土田滿穗, 池田憲史, 西川円 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社