專利名稱：橫向磊晶形成磊晶層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體發(fā)光元件(semiconductor light emittingdevice)，特別是有關(guān)于一種橫向磊晶成長(zhǎng)ELOG(epitaxial lateral overgrowth)形成半導(dǎo)體發(fā)光元件的磊晶層的方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光元件是由各種不同材質(zhì)層所構(gòu)成，在磊晶(epitaxial)制作各層材質(zhì)時(shí)，晶體結(jié)構(gòu)中難免會(huì)有缺陷產(chǎn)生，進(jìn)而對(duì)發(fā)光元件產(chǎn)生以下影響1、降低發(fā)光效率；2、降低電子活動(dòng)率；3、增加摻雜離子擴(kuò)散的途徑；4、導(dǎo)致活性層的量子井中會(huì)有V型凹槽出現(xiàn)，而這些V型凹槽是差排的起源；5、增加起始反向偏壓電流。
另外，若結(jié)晶不完整，而出現(xiàn)裂縫(crack)或空隙(gap)，則在裂縫或空隙上方不宜成長(zhǎng)發(fā)光元件，因?yàn)樵诖藚^(qū)成長(zhǎng)的發(fā)光元件的壽命將較短及發(fā)光效率低。因此，如何制作出結(jié)晶完美的磊晶層，是提升發(fā)光元件性能的一大課題。
另一方面，目前發(fā)光元件的發(fā)展中，GaN是非常重要的寬能隙(widebandgap)半導(dǎo)體材料，可以通過其發(fā)出綠光、藍(lán)光到紫外線。但是因?yàn)閴K材(bulk)GaN的成長(zhǎng)一直有困難，所以目前GaN大多成長(zhǎng)在以藍(lán)寶石(sapphire)GaP、InP、GaAs或SiC構(gòu)成的基板上。由于這些基板皆與GaN的晶格常數(shù)(latticeconstant)不匹配，所以，直接成長(zhǎng)在這些基板上的GaN品質(zhì)不佳，因此，引用一緩沖層(buffer layer)于基板與GaN之間，該緩沖層又稱晶核形成層(nucleation layer)，晶格常數(shù)與基板相近的緩沖層可以提供成核(nucleation)位置，以利于GaN成核及成長(zhǎng)，以形成相同的晶體結(jié)構(gòu)，以提升GaN的結(jié)晶度。因此，緩沖層品質(zhì)的優(yōu)劣對(duì)后續(xù)束縛層(cladding layer)與活性層(active layer)的磊晶有關(guān)鍵性的影響，也間接影響到發(fā)光元件的性質(zhì)。其主要缺陷在于由于藍(lán)寶石等基板價(jià)格昂貴，導(dǎo)致發(fā)光元件的成本一直高居不下。因此，找尋新的價(jià)格便宜的基底是目前急待解決的另一項(xiàng)重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，達(dá)到降低磊晶層中差排缺陷的產(chǎn)生，形成完美晶體結(jié)構(gòu)的目的。
本發(fā)明的第二目的是提供一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，將該磊晶層應(yīng)用于發(fā)光元件，達(dá)到提高發(fā)光元件的發(fā)光效率和使用壽命的目的。
本發(fā)明的第三目的是提供一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，是以硅作為基板，達(dá)到降低發(fā)光元件的成本的目的。
本發(fā)明的第四目的是提供一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，引用磷化硼作為緩沖層，達(dá)到降低硅基底與磊晶層之間的晶格不匹配的目的。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征之一是在硅基底與磊晶層之間采用磷化硼作為緩沖層，以降低硅基底與磊晶層之間的晶格不匹配的問題。
本發(fā)明的特征之二是采用材質(zhì)例如為二氧化硅的圖案化磊晶罩幕層，使磊晶層先于圖案化磊晶罩幕層的兩側(cè)垂直成長(zhǎng)，等到磊晶層厚度與圖案化磊晶罩幕層厚度一致，便開始橫向成長(zhǎng)于圖案化磊晶罩幕層上方。橫向磊晶成長(zhǎng)(ELOG)形成結(jié)晶完美，且具有低差排密度的磊晶層，以該區(qū)域的磊晶層制作發(fā)光元件，可大大提升元件特性。
本發(fā)明提出的一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，主要包括如下步驟
首先，提供一硅基底；接著，形成一磊晶罩幕層于硅基底表面。接著，圖案化磊晶罩幕層，以形成多數(shù)視窗區(qū)于相鄰圖案化磊晶罩幕層之間，露出部分硅基底表面。然后，磊晶一磷化硼，先垂直磊晶磷化硼于視窗區(qū)內(nèi)的硅基底表面，直到磷北硼的厚度大于圖案化磊晶罩幕層的厚度，使橫向磊晶磷化硼于圖案化磊晶罩幕層上方。
磊晶罩幕層不僅可以形成于硅基底表面，用以使磷化硼緩沖層橫向磊晶于其上方，磊晶罩幕層亦可以形成于磷化硼緩沖層表面，用以使一束縛層橫向磊晶于其上方。另外，還可以形成于束縛層表面，用以使一活性層橫向磊晶于其上方。
總而言之，本發(fā)明利用磊晶罩幕層，可使發(fā)光元件的各磊晶層經(jīng)由橫向磊晶形成于磊晶罩幕層上方，而橫向磊晶所形成的磊晶層具有完美結(jié)晶，不易產(chǎn)生差排。
磊晶罩幕層的材質(zhì)包括二氧化硅(SiO2)，其厚度約為1500-15000。磊晶罩幕層是利用一氫氟酸蝕刻以進(jìn)行圖案化。磊晶罩幕層兩側(cè)的磷化硼橫向磊晶于磊晶罩幕層上方相接合，接合處形成一裂縫。
本發(fā)明更包括取下圖案化磊晶罩幕層上方的磷化硼，沿裂縫可自然形成發(fā)光元件制作時(shí)的劈裂面。
下面結(jié)合較佳實(shí)施例和附圖進(jìn)一步說明。


圖1-圖5是本發(fā)明實(shí)施例1的橫向磊晶制程的剖面示意圖。
圖6-圖10是本發(fā)明實(shí)施例2的橫向磊晶制程的剖面示意圖。
圖11-圖15是本發(fā)明實(shí)施例3的橫向磊晶制程的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1
參閱圖1-圖5所示，本發(fā)明的較佳實(shí)施例1的橫向磊晶制程包括如下步驟參閱圖1-圖2所示，提供一硅基底100。接著，在硅基底100表面，例如{100}結(jié)晶面表面，形成一材質(zhì)例如為二氧化硅的磊晶罩幕層102。磊晶罩幕層102的形成方法例如為熱氧化法(thermal oxidize)S200，在含氧環(huán)境氣氛、溫度約1000℃之下，使硅基底100發(fā)生氧化反應(yīng)，形成厚度約1500-15000的二氧化硅層102，如圖2所示；參閱圖3所示，例如以氫氟酸(HF)類的蝕刻劑移除部份二氧化硅磊晶罩幕層102，例如以等間隔去除特定面積的磊晶罩幕層102，以露出部分硅基底100表面，做為視窗區(qū)(window area)I。得到面積相等，且具相等間距的多數(shù)圖案化磊晶罩幕層102a。相鄰圖案化磊晶罩幕層102a之間的視窗區(qū)面積約為50μm×4000μm。
參閱圖4-圖5，磊晶一磷化硼。先垂直磊晶磷化硼104a于視窗區(qū)I內(nèi)的硅基底100表面，直到磷化硼104a的厚度大于圖案化磊晶罩幕層102a的厚度，如圖4所示。
接著，磷化硼104a開始橫向磊晶成長(zhǎng)于圖案化磊晶罩幕層102a上方，位于同一圖案化磊晶罩幕層102a兩側(cè)的磷化硼104a橫向磊晶于磊晶罩幕層102a上方相接合后，繼續(xù)成長(zhǎng)至所需的厚度，以形成一橫向磊晶磷化硼104b，且在接合處形成一裂縫106，如圖5所示。
磷化硼104磊晶于硅基板100的較佳實(shí)施例是，先將反應(yīng)室溫度升高至溫度約900-1180℃，保持約數(shù)分鐘。接著，使反應(yīng)室溫度降至約300℃上下，再開始供應(yīng)PCl3或PH3至反應(yīng)室內(nèi)部，經(jīng)過約3分鐘后，再進(jìn)行第一次BCl3供應(yīng)約40分鐘。接著，先停止BCl3供應(yīng)，于相同溫度(約300℃)上下保持一段時(shí)間，例如5分鐘，再將反應(yīng)室溫度升高至約1000℃上下。期間繼續(xù)保持PCl3或PH3供應(yīng)。然后，于溫度約1000℃上下再進(jìn)行第二次BCl3供應(yīng)約60分鐘。期間繼續(xù)保持PCl3或PH3供應(yīng)。接著，先停止供應(yīng)PCl3或PH3與BCl3，再于溫度約1000℃上下，經(jīng)過一段時(shí)間，例如約10分鐘，便完成BP緩沖層的形成，可將反應(yīng)室溫度降至室溫后取出。BP緩沖層的形成過程中，始終持續(xù)供應(yīng)H2氣體至反應(yīng)室內(nèi)部。
在視窗區(qū)I所磊晶出的磷化硼104a具有相當(dāng)高的差排密度，不適合用來制作發(fā)光元件。而在圖案化磊晶罩幕層102a上方所磊晶出的磷化硼104b的晶體結(jié)構(gòu)完整，幾乎不會(huì)有差排產(chǎn)生，唯接合處具有裂縫106，因此，取下圖案化磊晶罩幕層102a上方的磷化硼104b，沿裂縫106可自然形成發(fā)光元件制作時(shí)的劈裂面。如此一來，磊晶層的缺陷密度低，且以磷化硼材質(zhì)作為硅基底100表面的緩沖層，又可降低后續(xù)磊晶層的晶格不匹配，將該磊晶層應(yīng)用于發(fā)光元件，可提高發(fā)光元件的發(fā)光效率及使用壽命。
實(shí)施例2參閱圖6-圖10所示，本發(fā)明的較佳實(shí)施例2的橫向磊晶制程包括如下步驟參閱圖6所示，提供一硅基底200。接著，在硅基底200表面，例如{100}結(jié)晶面表面，形成一磷化硼(BP)緩沖層202于硅基底200表面。
磷化硼202磊晶于硅基板200的較佳實(shí)施例是。先將反應(yīng)室溫度升高至900-1180℃，保持?jǐn)?shù)分鐘。接著，使反應(yīng)室溫度降至約300℃上下，再開始供應(yīng)PCl3或PH3至反應(yīng)室內(nèi)部，經(jīng)過約3分鐘后，再進(jìn)行第一次BCl3供應(yīng)，約40分鐘，接著，先停止BCl3供應(yīng)，于相同溫度(約300℃)上下保持一段時(shí)間，例如5分鐘，再將反應(yīng)室溫度升高至約1000℃上下，期間繼續(xù)保持PCl3或PH3供應(yīng)。然后，于溫度1000℃上下再進(jìn)行第二次BCl3供應(yīng)約60分鐘，期間繼續(xù)保持PCl3或PH3供應(yīng)。接著，先停止供應(yīng)PCl3或PH3與BCl3，再于溫度約1000℃上下，經(jīng)過一段時(shí)間，例如約10分鐘，便完成BP緩沖層202的形成，可將反應(yīng)室溫度降至室溫后取出。BP緩沖層202的形成過程中，始終持續(xù)供應(yīng)H2氣體至反應(yīng)室內(nèi)部。
接著，參閱圖7所示，可利用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)氣相沉積法(CVD)形成一磊晶罩幕層204于磷化硼緩沖層202表面，其材質(zhì)可為二氧化硅，厚度約1500-15000。
接著，參閱圖8所示，例如以氫氟酸類的蝕刻劑移除部份二氧化硅磊晶罩幕層204，例如以等間隔去除特定面積的磊晶罩幕層204，以露出部分磷化硼緩沖層202表面，做為視窗區(qū)(window area)II。得到面積相等，且具相等間距的多數(shù)圖案化磊晶罩幕層204a。相鄰圖案化磊晶罩幕層204a之間的視窗區(qū)面積約為50μm×4000μm。
參閱圖9-圖10所示，然后，磊晶一束縛層206a、206b。方法是先垂直磊晶束縛層206a于視窗區(qū)II內(nèi)的磷化硼緩沖層202表面，直到束縛層206a的厚度大于圖案化磊晶罩幕層204a的厚度，如圖9所示。
接著，束縛層206a開始橫向磊晶成長(zhǎng)于圖案化磊晶罩幕層204a上方，位于同一圖案化磊晶罩幕層204a兩側(cè)的束縛層206a橫向磊晶于磊晶罩幕層204a上方相接合后，繼續(xù)成長(zhǎng)至所需的厚度，以形成一橫向磊晶束縛層206b，且在接合處形成一裂縫208，如圖10所示。
束縛層206a、206b的材質(zhì)可以為Alxln1-xGayN1-y(＜x＜1，0＜y＜1＝或是AlxGa1-xNyP1-y(0＜x＜1，0＜y＜1)，例如氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或磷氮化鎵(GaNP)，且前驅(qū)物為甲基聯(lián)胺系或是氨；以氮化鎵(GaN)為例，其前驅(qū)物可包括一甲基聯(lián)胺(monomethyl hydrazine；MMH)與三甲基鎵(trimethyl galliun；TMG)，通過MOVPE法在磷化硼緩沖層202表面形成，可以降低與硅基底200的晶格不匹配，減少缺陷產(chǎn)生。
其中，以氮化鎵束縛層206a，206b為例的磊晶方法如下所述首先，供應(yīng)氫與氮?dú)怏w，溫度例如約為350-500℃下，開始供應(yīng)MMH。再經(jīng)過一段時(shí)間，例如3分鐘后，開始進(jìn)行第一次TMG供應(yīng)，時(shí)間約為20分鐘。接著，停止TMG供應(yīng)，經(jīng)過一段時(shí)間，例如5分鐘，將反應(yīng)室溫度升高至約為800℃上下，期間保持MMH供應(yīng)。接著，于相同溫度(約800℃)上下進(jìn)行第二次TMG供應(yīng)，時(shí)間約為60分鐘，期間保持MMH供應(yīng)。最后，先停止MMH與TMG的供應(yīng)，于相同溫度(約800℃)上下保持一段時(shí)間，例如30分鐘。再將溫度降至室溫，完成GaN磊晶，GaN磊晶期間持續(xù)供應(yīng)氫與氮?dú)怏w。
繼續(xù)參閱圖10所示，在視窗區(qū)II所磊晶出的束縛層206a具有相當(dāng)高的差排密度，不適合用來制作發(fā)光元件，而在圖案化磊晶罩幕層204a上方所磊晶出的束縛層206b的晶體結(jié)構(gòu)完整，幾乎不會(huì)有差排產(chǎn)生，唯接合處具有裂縫208，因此，取下圖案化磊晶罩幕層204a上方的束縛層206b，沿裂縫208可自然形成發(fā)光元件制作時(shí)的劈裂面。如此一來，磊晶層的缺陷密度低，且以磷化硼材質(zhì)作為硅基底200表面的緩沖層，又可降低束縛層與硅基底的晶格不匹配，將該些磊晶層應(yīng)用于發(fā)光元件，可提高發(fā)光元件的發(fā)光效率及用壽命。
實(shí)施例3參閱圖11-圖15所示，本發(fā)明的較佳實(shí)施例3的橫向磊晶制程包括如下步驟參閱圖11所示，提供一硅基底300。接著，在硅基底300表面，例如{100}結(jié)晶面表面，形成一磷化硼(BP)緩沖層302于硅基底300表面。然后，形成一氮化鎵束縛層304于磷化硼緩沖層302表面。
磷化硼緩沖層302磊晶于硅基板300的一較佳實(shí)施例是先將反應(yīng)室溫度升高至溫度900-1180℃，保持?jǐn)?shù)分鐘。接著，使反應(yīng)室溫度降至約300℃上下，再開始供應(yīng)PCl3或PH3至反應(yīng)室內(nèi)部，經(jīng)過約3分鐘后，再進(jìn)行第一次BCl3供應(yīng)約40分鐘。接著，先停止BCl3供應(yīng)，于相同溫度(約300℃)上下保持一段時(shí)間，例如5分鐘，再將反應(yīng)室溫度升高至約1000℃上下，期間繼續(xù)保持PCl3或PH3供應(yīng)。然后于溫度約1000℃上下再進(jìn)行第BCl3供應(yīng)約60分鐘，期間繼續(xù)保持PCl3或PH3供應(yīng)。接著，先停止供應(yīng)PCl3或PH3及BCl3，再于溫度約1000℃上下，經(jīng)過一段時(shí)間，例如約10分鐘，便完成BP緩沖層302的形成，可將反應(yīng)室溫度降至室溫后取出。BP緩沖層302的形成過程中，始終持續(xù)供應(yīng)氫氣體至反應(yīng)室內(nèi)部。
束縛層304可以通過MOVPE法在磷化硼緩沖層302表面形成，以降低與硅基底300的晶格不匹配，減少缺陷產(chǎn)生。其中，氮化鎵束縛層304磊晶于硅基板300的一較佳實(shí)施例如下首先，供應(yīng)氫與氮?dú)怏w，溫度例如約為350-500℃下，開始供應(yīng)MMH。再經(jīng)過一段時(shí)間，例如3分鐘后，開始進(jìn)行第一次TMG供應(yīng)，時(shí)間約為20分鐘。接著，停止TMG供應(yīng)，經(jīng)過一段時(shí)間，例如5分鐘，將反應(yīng)室溫度升高至溫度約為800℃上下。期間保持MMH供應(yīng)。接著，于相同溫度(約800℃)上下進(jìn)行第二次TMG供應(yīng)，時(shí)間約為60分鐘。期間保持MMH供應(yīng)。最后，先停止MMH與TMG的供應(yīng)，于相同溫度(約800℃)上下保持一段時(shí)間例如30分鐘。再將溫度降至室溫，完成GaN304磊晶，GaN304磊晶期間，持續(xù)供應(yīng)氫與氮?dú)怏w。
接著，參閱圖12所示，利用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)氣相沉積法(CVD)形成一磊晶罩幕層306于氮化鎵束縛層304表面，其材質(zhì)可為二氧化硅，厚度約1500-15000。
參閱圖13所示，例如以氫氟酸(HF)類的蝕刻劑移除部份二氧化硅磊晶罩幕層306，例如以等間隔去除特定面積的磊晶罩幕層306，以露出部分氮化鎵束縛層304表面，做為視窗區(qū)(window area)III。得到面積相等，且具相等間距的多數(shù)圖案化磊晶罩幕層306a。相鄰圖案化磊晶罩幕層306a之間的視窗區(qū)面積約為50μm×4000μm。
參閱圖14-圖15，磊晶一活性層308a、308b。先垂直磊晶活性層308a于視窗區(qū)III內(nèi)的氮化鎵束縛層304表面，直到活性層308a的厚度大于圖案化磊晶罩幕層306a的厚度，如圖14所示。
接著，活性層308a開始橫向磊晶成長(zhǎng)于圖案化磊晶罩幕層306a上方，位于同一圖案化磊晶罩幕層306a兩側(cè)的活性層308a橫向磊晶于磊晶罩幕層306a上方相接合后，繼續(xù)成長(zhǎng)至所需的厚度，以形成一橫向磊晶活性層308b，且在接合處形成一裂縫310，如圖15所示。
繼續(xù)參閱圖15所示，在視窗區(qū)III所磊晶出的活性層308a具有相當(dāng)高的差排密度，不適合用來制作發(fā)光元件。而在圖案化磊晶罩幕層306a上方所磊晶出的活性層308b的晶體結(jié)構(gòu)完整，幾乎不會(huì)有差排產(chǎn)生，唯接合處具有裂縫310，因此，取下圖案化磊晶罩幕層306a上方的活性層308b，沿裂縫310可自然形成發(fā)光元件制作時(shí)的劈裂面。此外，磊晶層的缺陷密度低，且以磷化硼材質(zhì)作為硅基底300表面的緩沖層，又可降低束縛層與基板的晶格不匹配，將該磊晶層應(yīng)用于發(fā)光元件，可提高發(fā)光元件的發(fā)光效率及使用壽命。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟習(xí)此項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所做各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是它包括如下步驟(1)提供一硅基底；(2)形成一磊晶罩幕層于該硅基底表面；(3)圖案化該磊晶罩幕層，以形成多數(shù)視窗區(qū)于相鄰圖案化磊晶罩幕層之間，露出部分硅基底表面；(4)磊晶一磷化硼，先垂直磊晶該磷化硼于該視窗區(qū)內(nèi)的硅基底表面，直到該磷化硼的厚度大于該圖案化磊晶罩幕層的厚度，使橫向磊晶該磷化硼于圖案化磊晶罩幕層上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是該磊晶罩幕層的材質(zhì)包括二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是該磊晶罩幕層兩側(cè)的磷化硼橫向磊晶于該磊晶罩幕層上方相接合，接合處形成一裂縫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是它還包括取下該圖案化磊晶罩幕層上方的磷化硼，沿該裂縫自然形成發(fā)光元件制作時(shí)的劈裂面。
5.一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是它包括如下步驟(1)提供一硅基底；(2)形成磷化硼緩沖層于該硅基底表面；(3)形成一磊晶罩幕層于該磷化硼緩沖層表面；(4)圖案化該磊晶罩幕層，以形成多數(shù)視窗區(qū)于相鄰圖案化磊晶罩幕層之間，露出部分該磷化硼緩沖層表面；(5)磊晶一束縛層，先垂直磊晶該束縛層于該視窗區(qū)內(nèi)的磷化硼表面，直到該束縛層的厚度大于該圖案化磊晶罩幕層的厚度，使橫向磊晶該束縛層于該圖案化磊晶罩幕層上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是該磊晶罩幕層的材質(zhì)包括二氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是該磊晶罩幕層兩側(cè)的束縛層橫向磊晶于該磊晶罩幕層上方相接合，接合處形成一裂縫。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是它還包括取下該圖案化磊晶罩幕層上方的束縛層，沿該裂縫自然形成發(fā)光元件制作時(shí)的劈裂面。
9.一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是它包括如下步驟(1)提供一硅基底；(2)形成一磷化硼緩沖層于該硅基底表面；(3)形成一氮化鎵束縛層于該磷化硼緩沖層表面；(4)形成一磊晶罩幕層于該氮化鎵束縛層表面；(5)圖案化該磊晶罩幕層，以形成多數(shù)視窗區(qū)于相鄰圖案化磊晶罩幕層之間，露出部分該氮化鎵束縛層表面；(6)磊晶一活性層。先垂直磊晶該活性層于該視窗區(qū)內(nèi)的氮化鎵束縛層表面，直到該活性層的厚度大于該圖案化磊晶罩幕層的厚度，使橫向磊晶該活性層于該圖案化磊晶罩幕層上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是該磊晶罩幕層的材質(zhì)包括二氧化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是該磊晶罩幕層兩側(cè)的活性層橫向磊晶于該磊晶罩幕層上方相接合，接合處形成一裂縫。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的橫向磊晶形成磊晶層的方法，其特征是它還包括取下該圖案化磊晶罩幕層上方的活性層，沿該裂縫自然形成發(fā)光元件制作時(shí)的劈裂面。
全文摘要
一種橫向磊晶形成磊晶層的方法，包括提供一硅基底；形成一磊晶罩幕層于硅基底表面；圖案化磊晶罩幕層，以形成多數(shù)視窗區(qū)于相鄰圖案化磊晶罩幕層之間，露出部分硅基底表面；磊晶一磷化硼，先垂直磊晶磷化硼于視窗區(qū)內(nèi)，直到磷化硼的厚度大于圖案化磊晶罩慕層的厚度，使橫向磊晶磷化硼于圖案化磊晶罩幕層上方。磊晶罩幕層不僅可以形成于硅基底表面，用以使磷化硼緩沖層橫向磊晶于其上方，磊晶罩幕層亦可以形成于磷化硼緩沖層表面，使一束縛層橫向磊晶于其上方，還可以形成于束縛層表面，用以使一活性層橫向磊晶于其上方。具有提高發(fā)光元件的發(fā)光效率和使用壽命，降低發(fā)光元件的成本及使磊晶層的結(jié)晶完美，以降低差排缺陷密度的功效。
文檔編號(hào)H01S5/00GK1501517SQ0214896
公開日2004年6月2日 申請(qǐng)日期2002年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月14日
發(fā)明者寺嶋一高, 章烱煜, 賴穆人, 寺 一高 申請(qǐng)人:威凱科技股份有限公司