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多層芯片定向耦合器的制作方法

文檔序號(hào):7213585閱讀:505來源:國知局
專利名稱:多層芯片定向耦合器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及定向耦合器,特別涉及多層芯片耦合器,其中在一個(gè)介質(zhì)層上形成了主信號(hào)線層,使得主信號(hào)線層比形成在兩個(gè)介質(zhì)層上的耦合信號(hào)線層短,于是降低了導(dǎo)電圖案的電阻并且減小了插入損耗。
用于移動(dòng)通訊設(shè)備的定向耦合器可用來以恒定的速度劃分傳輸信號(hào)。具體地說,在定向耦合器中,來自發(fā)射級(jí)放大器的一定量的輸出信號(hào)被取樣并傳輸?shù)阶詣?dòng)輸出控制器,這樣使具有恒定輸出電平的輸出信號(hào)通過天線發(fā)射。


圖1是顯示傳統(tǒng)的微帶線路耦合器的圖。參考圖1,在微帶線路耦合器中,在具有預(yù)定介電常數(shù)的介質(zhì)基片1上形成導(dǎo)電金屬層,以便形成主信號(hào)線3和耦合信號(hào)線5,它們彼此隔開。當(dāng)信號(hào)輸入到耦合器的輸入端時(shí),大部分輸入信號(hào)通過輸出端輸出。然而,一部分輸入信號(hào)被耦合到耦合信號(hào)線5,使得通過耦合信號(hào)線5產(chǎn)生耦合信號(hào),耦合信號(hào)通過耦合端和隔離端輸出。
通常,在具有上述結(jié)構(gòu)的微帶線路耦合器中,根據(jù)主信號(hào)線3和耦合信號(hào)線5之間的距離以及它們的圖案形狀來決定耦合特性。具體地說,主信號(hào)線3和耦合信號(hào)線5之間的距離是在耦合器的制造工藝中要調(diào)整的主要指標(biāo)。然而,在實(shí)際的微帶線路耦合器中,精確地保持主信號(hào)線3和耦合信號(hào)線5之間的距離是很困難的。
因此,傳統(tǒng)的微帶線路耦合器的問題在于在制造耦合器時(shí)由于主信號(hào)線和耦合信號(hào)線之間的距離的變化,難以制造具有高耦合結(jié)構(gòu)的耦合器。
為了解決上述問題,提出了圖2所示的多層芯片定向耦合器。參考圖2,通過在多個(gè)介質(zhì)層上形成電極圖案并將介質(zhì)層粘結(jié)在一起來完全制造多層芯片定向耦合器。如圖2所示,在最下面的和最上面的介質(zhì)層10a和10f上分別形成接地圖案17a和17b,在最下面的介質(zhì)層10a上面,將其上分別形成了信號(hào)線13a和13b的兩個(gè)介質(zhì)層10b和10c彼此平行設(shè)置。在介質(zhì)層10c上形成了通孔20a,使得信號(hào)線13a和13b通過通孔20a彼此連接。
此外,在介質(zhì)層10c上面,將其上分別形成了耦合信號(hào)線15a和15b的兩個(gè)介質(zhì)層10d和10e彼此平行設(shè)置。耦合信號(hào)線15a和15b通過形成在介質(zhì)層10e上的通孔20b彼此連接。在這種情況下,如圖2所示,分別形成在兩個(gè)不同的介質(zhì)層上的主信號(hào)線13a和13b以及耦合信號(hào)線15a和15b被對(duì)稱設(shè)置。其上形成了接地圖案17b的介質(zhì)層10f設(shè)置在介質(zhì)層10e上面,將由絕緣材料制成的殼體10g設(shè)置在介質(zhì)層10f上面。據(jù)此,將層10a-10g彼此粘結(jié)在一起,因此完成了多層芯片定向耦合器的制造。
在圖2的傳統(tǒng)的多層定向耦合器中,通過在具有預(yù)定厚度的介質(zhì)層10d周圍設(shè)定主信號(hào)線和耦合信號(hào)線之間的距離,可以得到所需要的耦合特性。此外,圖2的傳統(tǒng)的多層定向耦合器的優(yōu)點(diǎn)在于它可以通過對(duì)稱地制造主信號(hào)線和耦合信號(hào)線以便形成相同的主信號(hào)線和耦合信號(hào)線圖案,而容易地設(shè)定耦合特性,并且可以通過在每個(gè)介質(zhì)層上對(duì)稱地形成導(dǎo)電圖案而簡化耦合器地制造工藝。
然而,該傳統(tǒng)的多層芯片定向耦合器的問題在于,它具有大的插入損耗。該插入損耗是除了耦合器中取樣信號(hào)和通過主信號(hào)線輸出的輸出信號(hào)的量之外,在耦合器中產(chǎn)生的損耗量,對(duì)于限定定向耦合器的特性來說,插入損耗是一個(gè)重要的指標(biāo)。然而,在具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)的多層芯片定向耦合器中,由于將主信號(hào)線13a和13b制成與耦合信號(hào)線15a和15b具有相同的長度,根據(jù)主信號(hào)線13a和13b增加了電阻,從而增加了插入損耗。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種多層芯片定向耦合器,包括第一接地圖案,形成在第一介質(zhì)層的上表面上;耦合信號(hào)線,在第二介質(zhì)層的上表面上由導(dǎo)電圖案形成,上述第二介質(zhì)層形成在第一介質(zhì)層的上面;主信號(hào)線,在第三介質(zhì)層的上表面上由導(dǎo)電圖案形成,上述第三介質(zhì)層形成在第二介質(zhì)層的上面,主信號(hào)線比耦合信號(hào)線短;第二接地圖案,形成第四介質(zhì)層的上表面上,上述第四介質(zhì)層形成在第三介質(zhì)層的上面;以及形成在第一至第四介質(zhì)層的側(cè)表面上的多個(gè)端口,并且與主信號(hào)線、耦合信號(hào)線以及第一和第二接地圖案相連。
根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例,第二或第三介質(zhì)層可以由多個(gè)介質(zhì)層構(gòu)成。在這種情況下,分別形成在第二或第三介質(zhì)層的上表面上的制成耦合信號(hào)線或主信號(hào)線的導(dǎo)電圖案通過在一條線上穿透多個(gè)介質(zhì)層的通孔彼此連接。
根據(jù)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,最好將主信號(hào)線的長度設(shè)定為大約是耦合信號(hào)線的長度的一半,以減小插入損耗。
本發(fā)明多層芯片定向耦合器與傳統(tǒng)的多層芯片定向耦合器的區(qū)別在于主信號(hào)線和耦合信號(hào)線不對(duì)稱地形成,主信號(hào)線形成得比耦合信號(hào)線短。在優(yōu)選實(shí)施例中,為了縮短主信號(hào)線,在一個(gè)介質(zhì)層上形成主信號(hào)線,而在兩個(gè)介質(zhì)層上形成耦合信號(hào)線,下面將詳細(xì)描述這種結(jié)構(gòu)。
如圖3所示,在耦合器的下部中的介質(zhì)層101a上形成諸如銅(Cu)和銀(Ag)之類導(dǎo)電金屬層,以形成接地圖案117a。另外,在介質(zhì)層101a上面設(shè)置介質(zhì)層101b,在介質(zhì)層101b上通過形成與接地圖案117a類似的諸如銅(Cu)和銀(Ag)之類的導(dǎo)電金屬層,形成了耦合信號(hào)線105a。另外,在介質(zhì)層101b上面設(shè)置介質(zhì)層101c,在介質(zhì)層101c上形成通過通孔120與耦合信號(hào)線105a連接的耦合信號(hào)線105b。如上所述,耦合信號(hào)線105a和105b通過通孔120彼此連接,這樣形成了一個(gè)耦合信號(hào)線。
此外,在介質(zhì)層101c上面設(shè)置介質(zhì)層101d,在介質(zhì)層101d上通過形成典型的諸如銅(Cu)和銀(Ag)之類的導(dǎo)電金屬層,而形成主信號(hào)線103。在介質(zhì)層101d上面設(shè)置介質(zhì)層101e,在介質(zhì)層101e上形成接地圖案117b,以及在介質(zhì)層101e上設(shè)置由絕緣材料制成的殼體。
盡管圖中未顯示,在101a-101f層彼此粘結(jié)在一起之后,在粘結(jié)結(jié)構(gòu)的前部(即每個(gè)層的前側(cè))中形成輸入端、輸出端和接地端,在粘結(jié)結(jié)構(gòu)的后部(即每層的后側(cè))中形成耦合端、接地端和隔離端。因此,輸入和輸出端、接地端以及耦合和隔離端分別與形成在每個(gè)相應(yīng)層上的主信號(hào)線103、接地圖案117a、117b以及耦合信號(hào)線105a、105b相連接。
如上所述,在多層芯片定向耦合器中,耦合信號(hào)線105a、105b分別形成在兩個(gè)介電層101b、101c上,并通過通孔120彼此連接。此外,主信號(hào)線103被形成在設(shè)置在兩個(gè)介質(zhì)層101b、101c上面的介質(zhì)層101d上。因此,與其中對(duì)稱地形成主信號(hào)線和耦合信號(hào)線的傳統(tǒng)的耦合器相比較,該耦合器主信號(hào)線和耦合信號(hào)線不對(duì)稱地形成。換句話說,主信號(hào)線103甚至比耦合信號(hào)線105a、105b的總長度短。此外,主信號(hào)線103形成為單層。
這意味著可以簡化該耦合器的制造工藝,另外,與傳統(tǒng)的定向耦合器相比,降低了導(dǎo)電圖案的電阻,降低了插入損耗。表1顯示了關(guān)于具有本發(fā)明的不對(duì)稱結(jié)構(gòu)的多層芯片定向耦合器和具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)的多層芯片定向耦合器的電阻、插入損耗、耦合系數(shù)和回波損耗。
表1

如表1所示,將四個(gè)多層芯片定向耦合器制作成使得它們的回波損耗幾乎相同。這四個(gè)多層芯片定向耦合器包括相同尺寸和相同材料的介質(zhì)基片。然而,將這四個(gè)定向耦合器制作成使每個(gè)主信號(hào)線的長度彼此不同。換句話說,在根據(jù)比較例的定向耦合器中,與具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)的耦合器一樣,將主信號(hào)線和耦合信號(hào)線構(gòu)造成都具有相同的長度。另一方面,在根據(jù)第一至第三實(shí)施例的定向耦合器中,每個(gè)主信號(hào)線的長度分別設(shè)定為4.30mm、3.55mm和2.52mm,使得主信號(hào)線比耦合信號(hào)線短。然后,計(jì)算出在相同條件下的相對(duì)于比較例和第一至第三實(shí)施例的插入損耗和耦合系數(shù)。
接著,如表1所示,在第三實(shí)施例中可以看到驚人的插入損耗,其中在所有的實(shí)施例中,第三實(shí)施例的主信號(hào)線最短。換句話說,可以通過縮短主信號(hào)線來減小插入損耗。然而,表1顯示了在第三實(shí)施例中即使插入損耗可以大幅度降低,但耦合系數(shù)異常地增加。因此,由于耦合系數(shù)值,必須限制用于減小插入損耗的主信號(hào)線的縮短。為此,最好將適用本發(fā)明的主信號(hào)線的長度設(shè)定為大約是第二實(shí)施例所示的耦合信號(hào)線的長度的一半。
如上所述,本發(fā)明提供了一種多層芯片定向耦合器,其中不對(duì)稱地形成主信號(hào)線和耦合信號(hào)線,將主信號(hào)線設(shè)定得比耦合信號(hào)線短,以便減小主信號(hào)線的電阻,這樣顯著降低插入損耗。尤其是,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于當(dāng)將主信號(hào)線的長度設(shè)定為是耦合信號(hào)線的長度的一半時(shí),在保持適當(dāng)?shù)鸟詈舷禂?shù)的同時(shí),可以大幅度減小插入損耗。
盡管為了說明已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在不離開在所附的權(quán)利要求中所公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下,各種修改、添加和替換都是可能的。
權(quán)利要求
1.一種多層芯片定向耦合器,包括第一接地圖案,形成在第一介質(zhì)層的上表面上;耦合信號(hào)線,在第二介質(zhì)層的上表面上由導(dǎo)電圖案形成,上述第二介質(zhì)層形成在第一介質(zhì)層的上面;主信號(hào)線,在第三介質(zhì)層的上表面上由導(dǎo)電圖案形成,上述第三介質(zhì)層形成在第二介質(zhì)層的上面,主信號(hào)線比耦合信號(hào)線短;第二接地圖案,形成第四介質(zhì)層的上表面上,上述第四介質(zhì)層形成在第三介質(zhì)層的上面;以及形成在第一至第四介質(zhì)層的側(cè)表面上的多個(gè)端口,并且與主信號(hào)線、耦合信號(hào)線以及第一和第二接地圖案相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的定向耦合器,其中,第二和第三介質(zhì)層由多個(gè)層疊的介質(zhì)層構(gòu)成,分別形成在第二和第三介質(zhì)層上、形成耦合信號(hào)線和主信號(hào)線的導(dǎo)電圖案通過穿透多個(gè)介質(zhì)層的通孔彼此相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的定向耦合器,其中,主信號(hào)線的長度大約為耦合信號(hào)線長度的50-80%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的定向耦合器,其特征在于,主信號(hào)線設(shè)定為大約是耦合信號(hào)線長度的一半。
全文摘要
這里公開的是一種多層芯片定向耦合器。該多層芯片定向耦合器具有第一接地圖案、耦合信號(hào)線、主信號(hào)線、第二接地圖案和多個(gè)端口。第一接地圖案形成在第一介質(zhì)層的上表面上。耦合信號(hào)線由第二介質(zhì)層上表面上的導(dǎo)電圖案形成。主信號(hào)線由第三介質(zhì)層上表面上的導(dǎo)電圖案形成,第三介質(zhì)層形成在第二介質(zhì)層上面。第二接地圖案形成在第四介質(zhì)層上表面上,第四介質(zhì)層形成在第三介質(zhì)層上面。多個(gè)端口形成在第一至第四介質(zhì)層的側(cè)表面上。
文檔編號(hào)H01P5/16GK1373533SQ01140369
公開日2002年10月9日 申請(qǐng)日期2001年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月19日
發(fā)明者申知桓, 鄭勝教 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社
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