一種sram的檢測方法及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種SRAM的檢測方法及系統(tǒng)，所述方法根據(jù)接收的檢測指令生成檢測數(shù)據(jù)，將所述檢測數(shù)據(jù)寫入待檢測SRAM中，然后讀取SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)，之后判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到表示待檢測SRAM處于何種狀態(tài)的檢測結(jié)果，相對于現(xiàn)有技術(shù)，提高了檢測效率，并減少了由于人為誤判造成的SRAM消耗，進一步的提高了排查板卡故障的工作效率。
【專利說明】
一種SRAM的檢測方法及系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及硬件檢測技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說涉及一種SRAM(Static RandomAccess Memory，靜態(tài)隨機存取存儲器)的檢測方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]硬件板卡的生產(chǎn)和調(diào)試中，若板卡出現(xiàn)故障，需要對板卡中的各個部件進行逐個檢測和排查。
[0003]SRAM(Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機存取存儲器)作為硬件板卡中重要的部件之一，在排查板卡故障時，也需要對SRAM進行檢測。
[0004]現(xiàn)有的對SRAM進行檢測的方法中，大多都是使用替代法，即，使用完好的SRAM替代故障板卡上的SRAM，如果板卡的故障消失，則判定為SRAM出現(xiàn)故障，若故障仍舊存在，則繼續(xù)排查板卡上的其它部件。
[0005]可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中對SRAM的檢測方法需要更換SRAM，工作量大，花費時間長，還可能由于人為的誤判對SRAM產(chǎn)生不必要的消耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種SRAM的檢測方法及系統(tǒng)，用于提高SRAM的檢測效率，進而提高排查板卡故障的工作效率。
[0007 ]本發(fā)明提供的一種SRAM的檢測方法，包括:
[0008]接收檢測指令；
[0009]根據(jù)所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù);所述檢測數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量與待檢測SRAM的存儲容量相匹配；
[0010]將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中；
[0011 ]讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)；
[0012]判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果;所述檢測結(jié)果用于表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)或異常狀態(tài)。
[0013]優(yōu)選的，根據(jù)所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù)，具體包括:
[0014]根據(jù)所述檢測指令讀取所述待檢測SRAM的地址線的位數(shù)和數(shù)據(jù)線的位數(shù)，得到所述待檢測SRAM的存儲單元的數(shù)量以及每個所述存儲單元的容量；
[0015]根據(jù)預(yù)設(shè)的算法生成所述檢測數(shù)據(jù)，并將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM的每個所述存儲單元中；所述檢測數(shù)據(jù)中包括多個偽隨機數(shù)據(jù)，所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)量與所述存儲單元的數(shù)量相同，且每個所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量均與所述存儲單元的容量相匹配。
[0016]優(yōu)選的，將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中，包括:
[0017]發(fā)送第一信號到所述待檢測SRAM，所述第一信號用于使所述待檢測SRAM寫使能信號有效；
[0018]按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，將每個所述偽隨機數(shù)據(jù)依次寫入到每個所述存儲單元中。
[0019]優(yōu)選的，所述讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)，包括:
[0020]發(fā)送第二信號到所述待檢測SRAM，所述第二信號用于使所述待檢測SRAM讀使能信號有效；
[0021 ]按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，--讀取每個所述存儲單元中存儲的所述存儲數(shù)據(jù)。
[0022]優(yōu)選的，所述判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果，包括:
[0023]將讀取的所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)進行比較；
[0024]若所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)相同，則得到表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)的第一結(jié)果；
[0025]否則，根據(jù)預(yù)設(shè)的規(guī)則計算得到表示所述待檢測SRAM處于故障狀態(tài)的第二結(jié)果。
[0026]本發(fā)明另一方面公開了一種SRAM的檢測系統(tǒng)，包括:
[0027]狀態(tài)機模塊，用于接收檢測指令；
[0028]數(shù)據(jù)生成模塊，用于根據(jù)所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù);所述檢測數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量與待檢測SRAM的存儲容量相匹配；
[0029]第一控制模塊，用于將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中；
[0030]第二控制模塊，用于讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)；
[0031]檢測模塊，用于判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果;所述檢測結(jié)果用于表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)或異常狀態(tài)。
[0032]優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)生成模塊具體包括:
[0033]計算單元，用于根據(jù)所述檢測指令讀取所述待檢測SRAM的地址線的位數(shù)和數(shù)據(jù)線的位數(shù)，得到所述待檢測SRAM的存儲單元的數(shù)量以及每個所述存儲單元的容量；
[0034]數(shù)據(jù)生成單元，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的算法生成所述檢測數(shù)據(jù)，并將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM的每個所述存儲單元中；所述檢測數(shù)據(jù)中包括多個偽隨機數(shù)據(jù)，所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)量與所述存儲單元的數(shù)量相同，且每個所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量均與所述存儲單元的容量相匹配。
[0035]優(yōu)選的，所述第一控制模塊包括:
[0036]第一信號單元，用于發(fā)送第一信號到所述待檢測SRAM，所述第一信號用于使所述待檢測SRAM寫使能信號有效；
[0037]寫入單元，用于按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，將每個所述偽隨機數(shù)據(jù)依次寫入到每個所述存儲單元中。
[0038]優(yōu)選的，所述第二控制模塊包括:
[0039]第二信號單元，用于發(fā)送第二信號到所述待檢測SRAM，所述第二信號用于使所述待檢測SRAM讀使能信號有效；
[0040]讀取單元，用于按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，--讀取每個所述存儲單元中存儲的所述存儲數(shù)據(jù)。
[0041 ]優(yōu)選的，所述檢測模塊包括:
[0042]比較單元，用于將讀取的所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)進行比較；
[0043]若所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)相同，則得到表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)的第一結(jié)果；
[0044]否則，根據(jù)預(yù)設(shè)的規(guī)則計算得到表示所述待檢測SRAM處于故障狀態(tài)的第二結(jié)果。
[0045]經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明公開了一種SRAM的檢測方法及系統(tǒng)，所述方法根據(jù)接收的所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù)，將所述檢測數(shù)據(jù)寫入待檢測SRAM中，然后讀取SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)，之后判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到表示待檢測SRAM處于何種狀態(tài)的檢測結(jié)果，相對于現(xiàn)有技術(shù)，提高了對待檢測SRAM的檢測效率，并減少了由于人為誤判造成的SRAM消耗，進一步的提高了排查板卡故障的工作效率。
【附圖說明】
[0046]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0047]圖1為本發(fā)明實施例公開的一種SRAM的檢測方法的流程圖；
[0048]圖2為本發(fā)明實施例公開的一種SRAM的檢測方法的另一種流程圖；
[0049]圖3為本發(fā)明實施例公開的一種SRAM的檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖4是本發(fā)明提供的一種SRAM的檢測系統(tǒng)的實際應(yīng)用的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0051]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0052]在硬件板卡的通訊系統(tǒng)中，F(xiàn)PGA(Field-Programmable Gata Array)現(xiàn)場可編程門陣列和SRAM共同組成業(yè)務(wù)處理的基本構(gòu)架。其中，F(xiàn)PGA負責(zé)對業(yè)務(wù)邏輯進行處理，SRAM存儲器提供管理或業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)的臨時存儲和緩沖。M⑶通過SPI總線對FPGA進行控制，F(xiàn)PGA與SRAM之間通過標(biāo)準(zhǔn)的并行總線讀寫數(shù)據(jù)。本發(fā)明就是基于FPGA實現(xiàn)的對SRAM檢測。
[0053]本發(fā)明的核心思路是，使用M⑶對FPGA進行控制，通過FPGA將檢測數(shù)據(jù)一次性寫滿SRAM存儲器的存儲空間后，一次性讀取出所有數(shù)據(jù)，對讀取的數(shù)據(jù)和寫入的數(shù)據(jù)進行比較，得到SRAM的運行狀態(tài)。
[0054]圖1為本發(fā)明實施例公開的一種SRAM的檢測方法的流程圖。
[0055]參見圖1所示，本發(fā)明提供了一種SRAM的檢測方法，包括:
[0056]SlOl、接收檢測指令；
[0057]本發(fā)明實施例中，首先接收檢測指令，檢測指令可以是用戶通過MCU發(fā)出的檢測指令，F(xiàn)PGA接收檢測指令。檢測指令是用來判斷SRAM處于何種狀態(tài)的檢測指令。
[0058]S102、根據(jù)所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù);所述檢測數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量與待檢測SRAM的存儲容量相匹配；
[0059]在接收到檢測指令后，使用預(yù)設(shè)的算法生成檢測數(shù)據(jù)，當(dāng)然也可以直接調(diào)用預(yù)存的檢測數(shù)據(jù)。檢測數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量與待檢測SRAM的存儲容量相對應(yīng)。本發(fā)明中的檢測數(shù)據(jù)優(yōu)選的使用偽隨機數(shù)據(jù)。
[0060]可以理解的是，在生成檢測數(shù)據(jù)后，還會將檢測數(shù)據(jù)進行保存，保存在緩存中或保存在FPGA的存儲空間中。
[0061 ] S103、將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中；
[0062]在生成檢測數(shù)據(jù)后，將檢測數(shù)據(jù)一次性寫入到待檢測SRAM的每個存儲單元中。例如存滿130171個存儲單元的數(shù)據(jù)量是128k，也就是一次性向待檢測SRAM中寫入128k數(shù)據(jù)。
[0063]S104、讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)；
[0064]當(dāng)待檢測SRAM中的存儲容量被寫滿后，一次性讀取全部數(shù)據(jù)，例如一次性讀取存儲的128k數(shù)據(jù)。
[0065]S105、判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果;所述檢測結(jié)果用于表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)或異常狀態(tài)。
[0066]最后將讀取的存儲數(shù)據(jù)與檢測數(shù)據(jù)進行比較，得到待檢測SRAM處于正常狀態(tài)或異常狀態(tài)的檢測結(jié)果。比較的具體方式是將存儲數(shù)據(jù)與檢測數(shù)據(jù)進行對比，判斷兩個數(shù)據(jù)是否完全相同，如果完全相同，則判定待檢測SRAM處于正常狀態(tài)，否則判定待檢測SRAM處于異常狀態(tài)。
[0067]可以理解的是，生成檢測結(jié)果后，還將檢測結(jié)果發(fā)送給M⑶，MCU將檢測結(jié)果發(fā)送到顯示模塊，對檢測結(jié)果進行顯示，以便于用戶可以直觀的得到待檢測SRAM處于何種狀態(tài)。
[0068]經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明公開了一種SRAM的檢測方法，所述方法包括接收檢測指令，根據(jù)接收的所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù)，將所述檢測數(shù)據(jù)寫入待檢測SRAM中，然后讀取SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)，之后判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到表示待檢測SRAM處于何種狀態(tài)的檢測結(jié)果，相對于現(xiàn)有技術(shù)，提高了對待檢測SRAM檢測時的效率，并減少了由于人為誤判造成的SRAM消耗，進一步的提高了排查板卡故障的工作效率。
[0069]圖2為本發(fā)明實施例公開的一種SRAM的檢測方法的另一種流程圖。
[0070]參見圖2所示，本發(fā)明提供了一種SRAM的檢測方法，包括:
[0071]S201、接收檢測指令；
[0072]S202、根據(jù)所述檢測指令讀取待檢測SRAM的地址線的位數(shù)和數(shù)據(jù)線的位數(shù)，得到所述待檢測SRAM的存儲單元的數(shù)量以及每個存儲單元的容量；
[0073]根據(jù)預(yù)設(shè)的算法生成檢測數(shù)據(jù)，并將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM的每個所述存儲單元中；所述檢測數(shù)據(jù)中包括多個偽隨機數(shù)據(jù)，所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)量與所述存儲單元的數(shù)量相同，且每個所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量均與所述存儲單元的容量相匹配。
[0074]本發(fā)明實施例中，如果待檢測SRAM的存儲容量是未知的，需要先計算出待檢測SRAM的存儲容量，以便于根據(jù)存儲容量，生成與之相匹配的檢測數(shù)據(jù)。
[0075]計算待檢測SRAM存儲容量的方法是根據(jù)待檢測SRAM的地址線的位數(shù)和數(shù)據(jù)線的位數(shù)計算得到待檢測SRAM存儲單元的數(shù)量，實際使用中，例如，待檢測SRAM中的地址線的位數(shù)為17，數(shù)據(jù)線的位數(shù)為8，經(jīng)過計算得到有130171個存儲單元，各個存儲單元的容量都相同。
[0076]然后根據(jù)預(yù)設(shè)的算法生成一系列八位偽隨機數(shù)據(jù)，這些偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)量與多個存儲單元的數(shù)量匹配，以便于將SRAM的所有存儲單元全部寫滿數(shù)據(jù)并便于比對。需要說明的是，生成的上述一系列偽隨機數(shù)據(jù)每一個都各不相同。
[0077]S203、將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中；
[0078]具體的，發(fā)送第一信號到所述待檢測SRAM，所述第一信號用于使所述待檢測SRAM寫使能信號有效；
[0079]按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，將每個所述偽隨機數(shù)據(jù)依次寫入到每個所述存儲單元中。
[0080]S204、讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)；
[0081]具體的，發(fā)送第二信號到所述待檢測SRAM，所述第二信號用于使所述待檢測SRAM讀使能信號有效；
[0082]按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，--讀取每個所述存儲單元中存儲的所述存儲數(shù)據(jù)；
[0083]本發(fā)明實施例中，寫入檢測數(shù)據(jù)和讀取存儲數(shù)據(jù)設(shè)置為不可以同時進行，因此，在寫入檢測數(shù)據(jù)時，讀取存儲數(shù)據(jù)不可用，相應(yīng)的，讀取存儲數(shù)據(jù)時，寫入檢測數(shù)據(jù)不可用。
[0084]在寫入檢測數(shù)據(jù)時，首先發(fā)送激活待檢測SRAM的第一信號，并使其使能信號WE有效，在待檢測SRAM的使能信號OE有效后，將生成的每個偽隨機數(shù)據(jù)按照地址順序依次寫入到每個存儲單元中，例如從存儲單元I寫到存儲單元130171。
[0085]在讀取存儲數(shù)據(jù)時，發(fā)送激活待檢測SRAM的第二信號，并使其讀使能信號OE有效，并按照存儲單元的地址順序依次讀取每個存儲單元中存儲的偽隨機數(shù)據(jù)，這樣，每個八位偽隨機數(shù)據(jù)與每個存儲單元都是一一對應(yīng)的關(guān)系，每個存儲單元中存儲的偽隨機數(shù)據(jù)各不相同。
[0086]S205、判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果;所述檢測結(jié)果用于表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)或異常狀態(tài)。
[0087]其中，所述判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果，包括:
[0088]將讀取的所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)進行比較；
[0089]若所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)相同，則得到表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)的第一結(jié)果；
[0090]否則，根據(jù)預(yù)設(shè)的規(guī)則計算得到表示所述待檢測SRAM處于故障狀態(tài)的第二結(jié)果。
[0091]本發(fā)明實施例中，將讀取的存儲數(shù)據(jù)與檢測數(shù)據(jù)進行比較，當(dāng)存儲數(shù)據(jù)與檢測數(shù)據(jù)相同時，表示待檢測SRAM處于正常狀態(tài)，得到第一結(jié)果。否則，可以得到具體的哪些存儲數(shù)據(jù)與檢測數(shù)據(jù)不同，然后根據(jù)預(yù)設(shè)的規(guī)則對不同的數(shù)據(jù)進行計算，得到待檢測SRAM具體處于何種故障狀態(tài)的第二結(jié)果。實際使用中，第二結(jié)果中具有包括有待SRAM器件損壞、待SRAM器件的某一數(shù)據(jù)線引腳虛焊或者與Vcc引腳短路、待SRAM器件的某一數(shù)據(jù)線引腳與GND引腳短路、待SRAM的某一地址總線引腳與VCC或GND引腳短路等故障信息。
[0092]這樣，在對比檢測數(shù)據(jù)和存儲數(shù)據(jù)時，如果有不同的數(shù)據(jù)，就可以清楚的得知哪一個存儲單元出現(xiàn)了問題。進而得到待檢測SRAM處于何種故障。因此，本發(fā)明實施例中，不但可以自動檢測出待檢測SRAM處于何種狀態(tài)，還可以進一步的得到待檢測SRAM處于何種故障。
[0093]圖3為本發(fā)明實施例公開的一種SRAM的檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0094]參見圖3所示，本發(fā)明提供了一種SRAM的檢測系統(tǒng)，包括:
[0095]狀態(tài)機模塊301，用于接收檢測指令；
[0096]數(shù)據(jù)生成模塊302，用于根據(jù)所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù)；
[0097]第一控制模塊303，用于將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中；所述檢測數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量與待檢測SRAM的存儲容量相匹配；
[0098]第二控制模塊304，用于讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)；
[0099]檢測模塊305，用于判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果;所述檢測結(jié)果用于表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)或異常狀態(tài)。
[0100]優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)生成模塊具體包括:
[0101 ]計算單元，用于根據(jù)所述檢測指令讀取所述待檢測SRAM的地址線的位數(shù)和數(shù)據(jù)線的位數(shù)，得到所述待檢測SRAM的存儲單元的數(shù)量以及每個所述存儲單元的容量；
[0102]數(shù)據(jù)生成單元，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的算法生成所述檢測數(shù)據(jù)，并將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM的每個所述存儲單元中；所述檢測數(shù)據(jù)中包括多個偽隨機數(shù)據(jù)，所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)量與所述存儲單元的數(shù)量相同，且每個所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量均與所述存儲單元的容量相匹配。
[0103]優(yōu)選的，所述第一控制模塊包括:
[0104]第一信號單元，用于發(fā)送第一信號到所述待檢測SRAM，所述第一信號用于使所述待檢測SRAM寫使能信號有效；
[0105]寫入單元，用于按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，將每個所述偽隨機數(shù)據(jù)依次寫入到每個所述存儲單元中。
[0106]優(yōu)選的，所述第二控制模塊包括:
[0107]第二信號單元，用于發(fā)送第二信號到所述待檢測SRAM，所述第二信號用于使所述待檢測SRAM讀使能信號有效；
[0108]讀取單元，用于按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，一一讀取每個所述存儲單元中存儲的所述存儲數(shù)據(jù)。
[0109]優(yōu)選的，所述檢測模塊包括:
[0110]比較單元，用于將讀取的所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)進行比較；
[0111]若所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)相同，則得到表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)的第一結(jié)果；
[0112]否則，根據(jù)預(yù)設(shè)的規(guī)則計算得到表示所述待檢測SRAM處于故障狀態(tài)的第二結(jié)果。
[0113]經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明公開了一種SRAM的檢測系統(tǒng)，所述系統(tǒng)根據(jù)接收的所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù)，將所述檢測數(shù)據(jù)寫入待檢測SRAM中，然后讀取SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)，之后判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到表示待檢測SRAM處于何種狀態(tài)的檢測結(jié)果，相對于現(xiàn)有技術(shù)，提高了檢測SRAM的檢測效率，并減少了由于人為誤判造成的SRAM消耗，進一步的提高了排查板卡故障的工作效率。
[0114]需要說明的是，本實施例的一種SRAM的檢測系統(tǒng)可以采用上述方法實施例中的一種SRAM的檢測方法，用于實現(xiàn)上述方法實施例中的全部技術(shù)方案，其各個模塊的功能可以根據(jù)上述方法實施例中的方法具體實現(xiàn)，其具體實現(xiàn)過程可參照上述實施例中的相關(guān)描述，此處不再贅述。
[0115]在實際使用中，如附圖4所示。系統(tǒng)由狀態(tài)機模塊、數(shù)據(jù)生成模塊(圖中表示為數(shù)據(jù)生成電路模塊I和數(shù)據(jù)生成電路模塊2)、檢測模塊(圖中表示為檢測電路模塊)、第一控制模塊和第二控制模塊(圖中簡化為控制電路模塊)和MClLInterface模塊即接口模塊構(gòu)成。
[0116]系統(tǒng)所用時鐘為50MHZ的。狀態(tài)機模塊負責(zé)為各個模塊提供所需的信號傳輸和合理分配各模塊之間的時序關(guān)系，保證SRAM檢測的順利進行;數(shù)據(jù)生成電路模塊I和數(shù)據(jù)生成電路模塊2負責(zé)為系統(tǒng)提供檢測所用的數(shù)據(jù)，它是通過移位寄存器網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成序列發(fā)生器，從而產(chǎn)生八位二進制偽隨機碼的。其中，移位寄存器網(wǎng)絡(luò)是一種基于FPGA技術(shù)實現(xiàn)的設(shè)計思想，通過VHDL可編程邏輯語言實現(xiàn)，其功能是產(chǎn)生二進制偽隨機序列數(shù)。
[0117]控制電路模塊控制SRAM的讀寫操作，負責(zé)為SRAM讀寫提供正確的時序，它主要包括讀地址產(chǎn)生器、寫地址產(chǎn)生器、讀寫時鐘信號產(chǎn)生器及讀寫控制等幾部分;檢測電路模塊負責(zé)對SRAM寫入數(shù)據(jù)和讀出數(shù)據(jù)的比對，并對比對的結(jié)果進行分析，從而做出屬于何種故障的正確判斷，是整個系統(tǒng)的核心部分;M⑶-1nterface模塊負責(zé)和FPGA外的處理器通信，提供基于地址訪問的寄存器讀寫能力，控制FPGA的操作和狀態(tài)獲取，內(nèi)嵌于FPGA中。
[0118]在實際使用中，利用FPGA實現(xiàn)移位寄存器網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生一系列八位二進制偽隨機序列；
[0119]通過FPGA把CE引腳置為低電平從而使SRAM存儲器被激活，并使其寫使能信號WE有效，執(zhí)行寫操作；
[0120]然后FPGA將特定的地址值輸入地址譯碼器，地址譯碼器是SRAM中的寄存器模塊，按順序一一寫到SRAM的存儲單元0、存儲單元I……存儲單元131071里；
[0121]將SRAM的CE引腳置為低電平從而被激活，并使其讀使能信號OE有效，執(zhí)行讀操作，
存儲單元O、存儲單元1......存儲單元131071里的八位二進制偽隨機序列按順序--被傳送到DATA總線上，讀出數(shù)據(jù)。
[0122]檢測電路模塊對SRAM的寫入數(shù)據(jù)和讀出數(shù)據(jù)作比對，并對比對的結(jié)果進行分析，從而做出屬于何種故障的正確判斷，并將結(jié)果反饋給MCU-1nterface模塊；
[0123]M⑶-1nterface模塊將檢測結(jié)果上報到M⑶，完成SRAM檢測。
[0124]為了描述的方便，描述以上系統(tǒng)時以功能分為各種模塊分別描述。當(dāng)然，在實施本申請時可以把各模塊的功能在同一個或多個軟件和/或硬件中實現(xiàn)。
[0125]本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。尤其，對于裝置或系統(tǒng)實施例而言，由于其基本相似于方法實施例，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。以上所描述的裝置及系統(tǒng)實施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上。可以根據(jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實現(xiàn)本實施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動的情況下，即可以理解并實施。
[0126]專業(yè)人員還可以進一步意識到，結(jié)合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計算機軟件或者二者的結(jié)合來實現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對每個特定的應(yīng)用來使用不同方法來實現(xiàn)所描述的功能，但是這種實現(xiàn)不應(yīng)認為超出本發(fā)明的范圍。
[0127]結(jié)合本文中所公開的實施例描述的方法或算法的步驟可以直接用硬件、處理器執(zhí)行的軟件模塊，或者二者的結(jié)合來實施。軟件模塊可以置于隨機存儲器(RAM)、內(nèi)存、只讀存儲器(R0M)、電可編程R0M、電可擦除可編程R0M、寄存器、硬盤、可移動磁盤、CD-ROM、或技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)所公知的任意其它形式的存儲介質(zhì)中。
[0128]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種SRAM的檢測方法，其特征在于，包括: 接收檢測指令； 根據(jù)所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù);所述檢測數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量與待檢測SRAM的存儲容量相匹配； 將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中； 讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)； 判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果;所述檢測結(jié)果用于表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)或異常狀態(tài)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，根據(jù)所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù)，具體包括: 根據(jù)所述檢測指令讀取所述待檢測SRAM的地址線的位數(shù)和數(shù)據(jù)線的位數(shù)，得到所述待檢測SRAM的存儲單元的數(shù)量以及每個所述存儲單元的容量； 根據(jù)預(yù)設(shè)的算法生成所述檢測數(shù)據(jù)，并將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM的每個所述存儲單元中；所述檢測數(shù)據(jù)中包括多個偽隨機數(shù)據(jù)，所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)量與所述存儲單元的數(shù)量相同，且每個所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量均與所述存儲單元的容量相匹配。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測方法，其特征在于，將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中，包括: 發(fā)送第一信號到所述待檢測SRAM，所述第一信號用于使所述待檢測SRAM寫使能信號有效； 按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，將每個所述偽隨機數(shù)據(jù)依次寫入到每個所述存儲單元中。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測方法，其特征在于，所述讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)，包括: 發(fā)送第二信號到所述待檢測SRAM，所述第二信號用于使所述待檢測SRAM讀使能信號有效； 按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，--讀取每個所述存儲單元中存儲的所述存儲數(shù)據(jù)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果，包括: 將讀取的所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)進行比較； 若所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)相同，則得到表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)的第一結(jié)果； 否則，根據(jù)預(yù)設(shè)的規(guī)則計算得到表示所述待檢測SRAM處于故障狀態(tài)的第二結(jié)果。6.一種SRAM的檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括: 狀態(tài)機模塊，用于接收檢測指令； 數(shù)據(jù)生成模塊，用于根據(jù)所述檢測指令生成檢測數(shù)據(jù);所述檢測數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量與待檢測SRAM的存儲容量相匹配； 第一控制模塊，用于將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM中； 第二控制模塊，用于讀取所述待檢測SRAM中存儲的存儲數(shù)據(jù)； 檢測模塊，用于判斷所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)的關(guān)系，得到檢測結(jié)果;所述檢測結(jié)果用于表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)或異常狀態(tài)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)生成模塊具體包括: 計算單元，用于根據(jù)所述檢測指令讀取所述待檢測SRAM的地址線的位數(shù)和數(shù)據(jù)線的位數(shù)，得到所述待檢測SRAM的存儲單元的數(shù)量以及每個所述存儲單元的容量； 數(shù)據(jù)生成單元，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的算法生成所述檢測數(shù)據(jù)，并將所述檢測數(shù)據(jù)寫入所述待檢測SRAM的每個所述存儲單元中；所述檢測數(shù)據(jù)中包括多個偽隨機數(shù)據(jù)，所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)量與所述存儲單元的數(shù)量相同，且每個所述偽隨機數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量均與所述存儲單元的容量相匹配。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述第一控制模塊包括: 第一信號單元，用于發(fā)送第一信號到所述待檢測SRAM，所述第一信號用于使所述待檢測SRAM寫使能信號有效； 寫入單元，用于按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，將每個所述偽隨機數(shù)據(jù)依次寫入到每個所述存儲單元中。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述第二控制模塊包括: 第二信號單元，用于發(fā)送第二信號到所述待檢測SRAM，所述第二信號用于使所述待檢測SRAM讀使能信號有效； 讀取單元，用于按照所述待檢測SRAM中的所述存儲單元的地址順序，一一讀取每個所述存儲單元中存儲的所述存儲數(shù)據(jù)。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測模塊包括: 比較單元，用于將讀取的所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)進行比較； 若所述存儲數(shù)據(jù)與所述檢測數(shù)據(jù)相同，則得到表示所述待檢測SRAM處于正常狀態(tài)的第一結(jié)果； 否則，根據(jù)預(yù)設(shè)的規(guī)則計算得到表示所述待檢測SRAM處于故障狀態(tài)的第二結(jié)果。
【文檔編號】G11C29/08GK106024066SQ201610298683
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月6日
【發(fā)明人】賀曉龍
【申請人】北京潤科通用技術(shù)有限公司