磁記錄介質(zhì)基板用玻璃及磁記錄介質(zhì)基板的制作方法
【專利說明】
[00011關(guān)聯(lián)申請(qǐng)的相互參照
[0002] 本申請(qǐng)基于2013年9月11日申請(qǐng)的日本特愿2013-188315號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，在此特別 引用其全部記載作為公開。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及適合于作為硬盤等磁記錄介質(zhì)的基板材料的磁記錄介質(zhì)基板用玻璃 及使用該玻璃的磁記錄介質(zhì)基板。
【背景技術(shù)】
[0004] 伴隨著因特網(wǎng)等信息相關(guān)基礎(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)磁盤、光盤等信息記錄介質(zhì)的需求 也在快速增加。計(jì)算機(jī)等的磁存儲(chǔ)(記錄)裝置的主要構(gòu)成要素是磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生 用的磁頭。作為磁記錄介質(zhì)，已知有軟盤和硬盤。其中，作為硬盤(磁盤)用的基板材料，例如 有鋁基板、玻璃基板、陶瓷基板、碳基板等，在實(shí)用上，根據(jù)尺寸、用途而主要使用鋁基板和 玻璃基板。在筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)用硬盤驅(qū)動(dòng)器中，除了耐沖擊性以外，伴隨著磁記錄介質(zhì)的 高密度記錄化而對(duì)提高盤基板的表面平滑性的要求變得越來越嚴(yán)格，因此，用表面硬度、剛 性差的鋁基板來應(yīng)對(duì)是存在極限的。因此，玻璃基板的開發(fā)成為當(dāng)前主流(例如參照日本特 開2001-134925號(hào)公報(bào)、日本特開2011-251854號(hào)公報(bào)、日本特開2004-43295號(hào)公報(bào)或英語 同族 US2003/220183A1、美國(guó)專利第 7,309,671號(hào)、1^2008/053152六1及美國(guó)專利第7,767， 607號(hào)、日本特開2005-314159號(hào)公報(bào)或英語同族US2005/244656A1及美國(guó)專利第7，595，273 號(hào)，在此特別引用它們的全部記載作為公開）。
[0005] 另外，近年來，以謀求磁記錄介質(zhì)的更進(jìn)一步的高密度記錄化為目的，正在探討研 究使用Fe-Pt系、Co-Pt系等的磁各向異性能高的磁性材料(高Ku(磁晶各向異性常數(shù))磁性 材料）（例如參照日本特開2004-362746號(hào)公報(bào)或英語同族US2004/229006A1及美國(guó)專利第 7,189,438號(hào)，在此特別引用它們的全部記載作為公開）。雖然為了高記錄密度化需要減小 磁性粒子的粒徑，但是另一方面，當(dāng)粒徑減小時(shí)，由熱漲落造成的磁特性的劣化會(huì)成為問 題。因?yàn)楦逰u磁性材料不易受到熱漲落的影響，所以期待會(huì)有助于高密度記錄化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 但是，高Ku磁性材料為了實(shí)現(xiàn)高的Ku而需要得到特定的晶體取向狀態(tài)，因此，需要 在高溫下進(jìn)行成膜或在成膜后在高溫下進(jìn)行熱處理。因而，為了形成由這些高Ku磁性材料 構(gòu)成的磁記錄層，要求玻璃基板具有能夠承受上述高溫處理的高耐熱性，即高的玻璃化轉(zhuǎn) 變溫度。
[0007] 另一方面，構(gòu)成磁記錄介質(zhì)的玻璃基板還要求高的機(jī)械強(qiáng)度。磁記錄介質(zhì)以例如 每1分鐘數(shù)千轉(zhuǎn)~數(shù)萬轉(zhuǎn)進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)，因此要求玻璃基板具有在高速旋轉(zhuǎn)時(shí)不會(huì)引起大 的變形的高的剛性(楊氏模量）。此外，還要求優(yōu)秀的耐沖擊性，使得玻璃基板不會(huì)由于磁頭 和磁記錄介質(zhì)的沖擊或磁記錄裝置自身的沖擊而產(chǎn)生裂縫或破裂等損傷。特別是，對(duì)于像 近年來正在研究的熱輔助方式的磁記錄介質(zhì)那樣適用于極高的記錄密度的磁記錄介質(zhì)用 的玻璃基板，要求特別高的機(jī)械強(qiáng)度。
[0008] 然而，當(dāng)為了應(yīng)對(duì)磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化而進(jìn)行玻璃的組成調(diào)整使得玻璃基 板的耐熱性提高時(shí)，存在機(jī)械強(qiáng)度降低的傾向。
[0009] 本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種同時(shí)具有高耐熱性和高機(jī)械強(qiáng)度的磁記錄介質(zhì)基板 用玻璃及磁記錄介質(zhì)基板。
[0010] 本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種磁記錄介質(zhì)基板用玻璃，其中，
[0011] 作為必要成分，包含3丨〇2、1^20、恥20、及1%0，
[0012] 包含合計(jì)為6~15摩爾％的選自Li20、Na20及K20的堿金屬氧化物，
[0013] 包含合計(jì)為10~30摩爾％的選自MgO、CaO、SrO及BaO的堿土類金屬氧化物，
[0014] Li20的含量相對(duì)于上述的堿金屬氧化物的合計(jì)含量的摩爾比{Li20/(Li20+Na 20+ K20)}超過0且為0.3以下，
[0015] MgO的含量相對(duì)于上述的堿土類金屬氧化物的合計(jì)含量的摩爾比{Mg0/(Mg0+Ca0+ Sr0+Ba0)}為0.80以上，
[0016]玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為650°C以上，并且 [0017] 楊氏模量為80GPa以上。
[0018] 上述的磁記錄介質(zhì)基板用玻璃是由具有高耐熱性和高機(jī)械強(qiáng)度的玻璃組合物形 成的玻璃，同時(shí)具有高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和高楊氏模量。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種磁記錄介質(zhì)基板及包括該基板的磁記錄介質(zhì)，該磁記 錄介質(zhì)基板具有能夠承受形成由高Ku磁性材料構(gòu)成的磁記錄層時(shí)的高溫?zé)崽幚淼母吣蜔?性以及能夠承受高速旋轉(zhuǎn)和沖擊的高機(jī)械強(qiáng)度。
【附圖說明】
[0020] 圖1是化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板中的應(yīng)力分布的示意圖。
[0021] 圖2是化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板中的應(yīng)力分布的示意圖。
[0022]圖3是式（1)的說明圖。
[0023]圖4是式（1)的說明圖。
[0024]圖5是示出摩爾比{Mg0/(Mg0+Ca0+Sr0+Ba0)}與化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板的斷裂韌性值 的關(guān)系的圖。
[0025]圖6是示出摩爾比{Ca0/(Mg0+Ca0+Sr0+Ba0)}與化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板的斷裂韌性值 的關(guān)系的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]在本發(fā)明的一個(gè)方式的磁記錄介質(zhì)基板用玻璃中，作為必要成分包含Si〇2、Li2〇、 Na20、及MgO,包含合計(jì)為6~15摩爾％的選自Li20、Na20及K 20的堿金屬氧化物，包含合計(jì)為 1〇~30摩爾％的選自Mg0、Ca0、SrO及BaO的堿土類金屬氧化物，Li 20的含量相對(duì)于上述的堿 金屬氧化物的合計(jì)含量的摩爾比{Li20/(Li20+Na 20+K20)}大于0且為0.3以下，MgO的含量相 對(duì)于上述的堿土類金屬氧化物的合計(jì)含量的摩爾比{Mg0/(Mg0+Ca0+Sr0+Ba0)}為0.80以 上，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為650°C以上，且楊氏模量為80GPa以上。
[0027] 本發(fā)明的另一個(gè)方式涉及：
[0028] 由本發(fā)明的一個(gè)方式的磁記錄介質(zhì)基板用玻璃構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)基板;以及
[0029] 將本發(fā)明的一個(gè)方式的磁記錄介質(zhì)基板用玻璃化學(xué)強(qiáng)化而成的磁記錄介質(zhì)基板。
[0030] 以下，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)方式的磁記錄介質(zhì)基板用玻璃及基板的諸特性進(jìn)行說明。 只要沒有特別說明，設(shè)以下的諸特性對(duì)于化學(xué)強(qiáng)化了的基板是指化學(xué)強(qiáng)化后的值。
[0031] 1.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度
[0032]如上所述，在通過高Ku磁性材料的導(dǎo)入等來謀求磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化的情 況下，在磁性材料的高溫處理等中，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板被暴露在高溫下。此時(shí)，為了不 損害基板的極高的平坦性，要求磁記錄介質(zhì)用玻璃基板具有優(yōu)秀的耐熱性。作為耐熱性的 指標(biāo)使用玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，本發(fā)明的一個(gè)方式的玻璃具有650°C以上的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，因 此即使在高溫處理后也能夠維持優(yōu)秀的平坦性。因此，本發(fā)明的一個(gè)方式的玻璃適于制作 具有高Ku磁性材料的磁記錄介質(zhì)用基板。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的優(yōu)選的范圍為670°C以上。玻璃 化轉(zhuǎn)變溫度的上限例如為750°C左右，但玻璃化轉(zhuǎn)變溫度越高越優(yōu)選，沒有特別限定。另外， 玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是在化學(xué)強(qiáng)化前后大致固定的值。
[0033] 2.楊氏模量
[0034]作為磁記錄介質(zhì)的變形，除了 HDD的溫度變化導(dǎo)致的變形以外，還有高速旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致 的變形。為了抑制高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的變形，如上所述，要求提高磁記錄介質(zhì)基板的楊氏模量。本 發(fā)明的一個(gè)方式的玻璃具有80GPa以上的楊氏模量，因此能夠抑制高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的基板變形， 即使在具有高Ku磁性材料的高記錄密度化了的磁記錄介質(zhì)中，也能夠正確地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀 取、寫入。
[0035] 楊氏模量的優(yōu)選的范圍為81GPa以上，更優(yōu)選為82GPa以上，進(jìn)一步優(yōu)選為83GPa以 上，再進(jìn)一步優(yōu)選為84GPa以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為85GPa以上，再更進(jìn)一步優(yōu)選為86GPa以上。 楊氏模量的上限沒有特別限定，但為了使其它特性為優(yōu)選的范圍，例如可考慮將95GPa作為 上限的目標(biāo)。另外，楊氏模量也是在化學(xué)強(qiáng)化處理前后大致固定的值。
[0036] 3.熱膨脹系數(shù)
[0037]當(dāng)構(gòu)成磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的玻璃與HDD的主軸材料(例如不銹鋼等)的熱膨脹 系數(shù)的差大時(shí)，磁記錄介質(zhì)會(huì)因 HDD工作時(shí)的溫度變化而變形，產(chǎn)生記錄再生故障等而使可 靠性降低。特別是，具有由高Ku磁性材料構(gòu)成的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)的記錄密度極高，因 此即使是磁記錄介質(zhì)的微小的變形也容易引起上述故障。通常HDD的主軸材料在100~300 °C的溫度范圍內(nèi)具有55X1(T7/°C以上的平均線膨脹系數(shù)(熱膨脹系數(shù)），本發(fā)明的一個(gè)方式 的玻璃在100~300°C的溫度范圍內(nèi)的平均線膨脹系數(shù)為55 X 1(TV°C以上，因此能夠提高可 靠性，能夠提供適合于具有由高Ku磁性材料構(gòu)成的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)的基板。
[0038]上述平均線膨脹系數(shù)的優(yōu)選的范圍為60 X1(T7/°C以上，更優(yōu)選的范圍為63X10 一 7/°C以上，進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為65X1(T7/°C以上，再進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為70Xl(rV°C以 上，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為75X1(TV°C以上。如果考慮主軸材料的熱膨脹特性，則上述的平 均線膨脹系數(shù)的上限優(yōu)選為例如120X1(T 7/°C左右，更優(yōu)選為100X1(T7/°C，進(jìn)一步優(yōu)選為 88X1(TV°C。另外，熱膨脹系數(shù)是在化學(xué)強(qiáng)化前后大致固定的值。
[0039]此外，在一個(gè)方式中，優(yōu)選500~600°C的溫度范圍內(nèi)的平均線膨脹系數(shù)為60X10 一 7/°C以上。更優(yōu)選的范圍為65X10_7/°C以上，進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為70X10_ T/°C以上。上述 的平均線膨脹系數(shù)的上限優(yōu)選為例如100X10_7/°C以下，更優(yōu)選為90X1(T7/°C。通過使用 500~600°C的溫度范圍內(nèi)的平均線膨脹系數(shù)在上述范圍內(nèi)的玻璃來制作基板，從而能夠可 靠地防止在對(duì)高Ku磁性材料等的多層膜進(jìn)行成膜后在退火處理過程中或處理后多層膜從 玻璃基板剝離、在退火處理過程中基板從保持構(gòu)件掉落。
[0040] 4.比模量?比重
[0041] 為了抑制使磁記錄介質(zhì)進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的變形(基板的彎曲），作為基板材料優(yōu)選 具有高比模量的玻璃。比模量也是在化學(xué)強(qiáng)化前后大致固定的值，但本發(fā)明的一個(gè)方式的 玻璃的比模量的優(yōu)選的范圍為30.0 MNm/kg以上。比模量更優(yōu)選為超過30.0 MNm/kg，進(jìn)一步 優(yōu)選為30.5MNm/kg以上。其上限例如為40.0 MNm/kg左右，但沒有特別限定。比模量是將玻璃 的楊氏模量除以密度的量。在此，只要認(rèn)為密度是對(duì)玻璃的比重附加了 g/cm3的單位的量即 可。通過玻璃的低比重化，除了能夠使比模量增大以外，還能夠使基板輕量化。通過基板的 輕量化，可實(shí)現(xiàn)磁記錄介質(zhì)的輕量化，可減少磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)所需的功率，能夠抑制HDD 的功耗。本發(fā)明的一個(gè)方式的玻璃的比重的優(yōu)選的范圍為2.90以下，更優(yōu)選的范圍為2.80 以下，進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為不足2.70。
[0042] 5.斷裂韌性值
[0043]斷裂韌性值可用以下的方法來測(cè)定。
[0044] 使用AKASHI公司制造的裝置MVK-E，以壓入荷重P[N]將維氏壓頭壓入到加工成板 狀的試樣而在試樣中導(dǎo)入壓痕及裂縫。當(dāng)設(shè)試樣的楊氏模量為E[GPa]、壓痕對(duì)角線長(zhǎng)度為d [m]、表面裂縫的半長(zhǎng)為a[m]時(shí)，斷裂韌性值Klc；[Pa · m1/2]可用下式表示。
[0045] Kic=[0.026(EP/3i)1/2(d/2)(a)-2]/[(Jia)- 1/2]
[0046] 構(gòu)成本發(fā)明的一個(gè)方式的基板的玻璃的斷裂韌性值(荷重P = 9.81N(1000gf))優(yōu) 選為0.9MPa · m1/2以上。斷裂韌性與耐熱性有此消彼長(zhǎng)的關(guān)系，當(dāng)為了提高磁記錄介質(zhì)的記 錄密度而提高基板的耐熱性時(shí)，斷裂韌性值會(huì)降低，耐沖擊性也會(huì)降低。相對(duì)于此，根據(jù)本 發(fā)明的一個(gè)方式，能夠提供一種在提高斷裂韌性值的同時(shí)使耐熱性、剛性、熱膨脹特性平衡 的適合于對(duì)應(yīng)高記錄密度的磁記錄介質(zhì)的玻璃基板。斷裂韌性值的優(yōu)選的范圍為1 .OMPa · m1/2以上，更優(yōu)選的范圍為1. IMPa · m1/2以上，進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為1.2MPa · m1/2以上。通過 使斷裂韌性值為〇.9MPa · m1/2以上，從而能夠提供耐沖擊性優(yōu)秀、可靠性高的對(duì)應(yīng)高記錄密 度的磁記錄介質(zhì)。另外，只要沒有特別說明，在本發(fā)明中斷裂韌性值是指將荷重P設(shè)為9.81N (lOOOgf)而測(cè)定的斷裂韌性值。為了準(zhǔn)確地測(cè)定壓痕對(duì)角線長(zhǎng)度d、表面裂縫的半長(zhǎng)a，優(yōu)選 在玻璃的平滑面例如拋光了的面進(jìn)行斷裂韌性值的測(cè)定。此外，在本發(fā)明中，對(duì)于由化學(xué)強(qiáng) 化了的玻璃構(gòu)成的基板，其斷裂韌性值設(shè)為化學(xué)強(qiáng)化了的玻璃的值。上述斷裂韌性值會(huì)根 據(jù)玻璃組成而變化，還會(huì)根據(jù)化學(xué)強(qiáng)化條件而變化，因此，為了得到由化學(xué)強(qiáng)化了的玻璃構(gòu) 成的本發(fā)明的一個(gè)方式的磁記錄介質(zhì)基板，能夠通過調(diào)整組成及化學(xué)強(qiáng)化處理?xiàng)l件使上述 斷裂韌性值為所需的范圍。
[0047] 構(gòu)成本發(fā)明的一個(gè)方式的基板的玻璃的斷裂韌性值也能夠用將荷重P設(shè)為4.9N (500gf)時(shí)的斷裂韌性值來表示。該情況下，斷裂韌性值(荷重P = 4.9N(500gf))優(yōu)選為超過 0.9MPa · m1/2，更優(yōu)選為1. OMPa · m1/2以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1. IMPa · m1/2以上，再進(jìn)一步優(yōu)選 為1.2MPa ·ι?1/2以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為1.3MPa ·ι?1/2以上。
[0048] 6.耐酸性
[0049] 在生產(chǎn)磁記錄介質(zhì)用玻璃基板時(shí)，將玻璃加工成盤狀，將主表面加工為極為平坦 且平滑。然后，在上述的加工工序之后，通常對(duì)玻璃基板進(jìn)行酸洗滌來除去作為附著在表面 的污物的有機(jī)物。在此，如果玻璃基板是耐酸性差的玻璃基板，則在上述的酸洗滌時(shí)會(huì)引起 面粗糙化，平坦性、平滑性受到損害，難以作為磁記錄介質(zhì)用玻璃基板使用。特別是對(duì)于要 求玻璃基板表面的高平坦性、高平滑性的具有由高Ku磁性材料構(gòu)成的磁記錄層的高記錄密 度化的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，期望具有優(yōu)秀的耐酸性。
[0050] 另外，在酸洗滌后，能夠接著進(jìn)行堿洗滌而除去附著在表面的拋光劑等異物，得到 更清潔的狀態(tài)的基板。為了防止在堿洗滌時(shí)因面粗糙化而造成的基板表面的平坦性、平滑 性的降低，優(yōu)選玻璃基板為耐堿性優(yōu)秀的玻璃基板。從上述的低上浮量化的觀點(diǎn)出發(fā)，具有 優(yōu)秀的耐酸性和耐堿性、基板表面的平坦性、平滑性高也是有利的。在本發(fā)明的一個(gè)方式 中，通過進(jìn)行玻璃組成的調(diào)整，特別是進(jìn)行對(duì)化學(xué)耐久性有利的組成調(diào)整，從而能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu) 秀的耐酸性和耐堿性。
[0051 ] 7.液相線溫度
[0052]液相線溫度是指，在將固體的玻璃以規(guī)定范圍的速度升溫并保持在各溫度的情況 下，不析出晶體的最低的保持溫度。當(dāng)將玻璃熔融并對(duì)得到的熔融玻璃進(jìn)行成型時(shí)，如果成 型溫度低于液相線溫度，則玻璃會(huì)晶化，不能生產(chǎn)均質(zhì)的玻璃。因此，需要使玻璃成型溫度 為液相線溫度以上，但是當(dāng)成型溫度超過1300°C時(shí)，例如在對(duì)熔融玻璃進(jìn)行壓制成型時(shí)所 使用的壓制成型模會(huì)與高溫的玻璃反應(yīng)而容易受到損傷。在將熔融玻璃澆鑄到鑄模中而進(jìn) 行成型的情況下，鑄模也同樣容易受到損傷?？紤]到這一點(diǎn)，本發(fā)明的一個(gè)方式的玻璃的液 相線溫度優(yōu)選為1300°C以下。液相線溫度的更優(yōu)選的范圍是1280°C以下，進(jìn)一步優(yōu)選的范 圍是1250°C以下。在本發(fā)明的一個(gè)方式中，通過進(jìn)行上述的玻璃組成調(diào)整，從而能夠?qū)崿F(xiàn)上 述的優(yōu)選的范圍的液相線溫度。下限沒有特別限定，將800°C以上考慮為目標(biāo)即可。
[0053] 8.光譜透射率
[0054]磁記錄介質(zhì)經(jīng)過在玻璃基板上對(duì)包含磁記錄層的多層膜進(jìn)行成膜的工序進(jìn)行生 產(chǎn)。在用當(dāng)前成為主流的單片式的成膜方式在基板上形成多層膜時(shí)，例如，首先將玻璃基板 導(dǎo)入到成膜裝置的基板加熱區(qū)域，將玻璃基板加熱升溫至能夠通過濺射等進(jìn)行成膜的溫 度。在玻璃基板的溫度充分升溫后，將玻璃基板移送到第一成膜區(qū)域，在玻璃基板上成膜相 當(dāng)于多層膜的最下層的膜。接著，將玻璃基板移送到第二成膜區(qū)域，在最下層之上進(jìn)行成 膜。通過像這樣將玻璃基板依次移送到后級(jí)的成膜區(qū)域進(jìn)行成膜，從而形成多層膜。上述加 熱和成膜在利用真空栗進(jìn)行了排氣的低壓下進(jìn)行，因此玻璃基板的加熱不得不采取非接觸 方式。因此，關(guān)于玻璃基板的加熱，適合利用輻射來進(jìn)行加熱。該成膜需要在玻璃基板的溫 度不低于適合進(jìn)行成膜的溫度的期間進(jìn)行。當(dāng)各層的成膜所需的時(shí)間過長(zhǎng)時(shí)，加熱的玻璃 基板的溫度會(huì)降低，產(chǎn)生在后級(jí)的成膜區(qū)域中得不到足夠的玻璃基板溫度的問題。為了經(jīng) 長(zhǎng)時(shí)間將玻璃基板保持為可進(jìn)行成膜的溫度，可考慮將玻璃基板加熱至更高溫度，但是，當(dāng) 玻璃基板的加熱速度小時(shí)，必須使加熱時(shí)間更長(zhǎng)，也必須加長(zhǎng)玻璃基板停留在加熱區(qū)域的 時(shí)間。因此，玻璃基板在各成膜區(qū)域中的停留時(shí)間也會(huì)變長(zhǎng)，在后級(jí)的成膜區(qū)域中將不能保 持充分的玻璃基板溫度。進(jìn)而，也難以提高生產(chǎn)量。特別是在生產(chǎn)具有由高Ku磁性材料構(gòu)成 的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)的情況下，為了在規(guī)定時(shí)間內(nèi)將玻璃基板加熱為高溫，應(yīng)進(jìn)一步 提高玻璃基板的利用輻射的加熱效率。
[0055] 在包含Si02、Al2〇3的玻璃中，在包含波長(zhǎng)為2750~3700nm的區(qū)域中存在吸收峰。此 外，通過添加或作為玻璃成分導(dǎo)入后述的紅外線吸收劑，能夠提高對(duì)更短波長(zhǎng)的輻射的吸 收，能夠使其對(duì)波長(zhǎng)為700nm~3700nm的波長(zhǎng)區(qū)域進(jìn)行吸收。為了通過輻射即紅外線照射高 效地加熱玻璃基板，優(yōu)選使用在上述的波長(zhǎng)區(qū)域存在光譜的極大的紅外線。對(duì)于提高加熱 速度，可以考慮使紅外線的光譜極大波