一種電壓切換方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)，特別是涉及一種電壓切換方法和一種電壓切換裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲器(Memory)是一種用來存放程序和數(shù)據(jù)等內(nèi)容的記憶設(shè)備。如在計算機系統(tǒng)中，其全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
[0003]因此，可以對存儲器進行編程，編程結(jié)束后還要進行編程校驗以確定編程成功與否，因此在存儲器執(zhí)行編程指令時，存在編程校驗(Program Verify, PV)和編程(Programmable, PGM)兩個狀態(tài)。
[0004]其中，PV和PGM過程都需要在存儲單元加載相應(yīng)的電壓，而這兩個狀態(tài)下所需要的電壓是不同的。因此存儲器中提供電壓的電壓生成器(Charge Pump)需要根據(jù)不同狀態(tài)加載不同的電壓。
[0005]上述在PV和PGM進行電壓切換的過程中，Charge Pump為了加載兩種不同的電壓，每次切換電壓前都需要重新建立，且該過程需要比較長的建立時間，影響芯片完成編程操作指令的時間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供一種電壓切換方法，以解決由電壓生成器提供不同電壓切換、建立時間比較長的問題。
[0007]相應(yīng)的，本發(fā)明實施例還提供了一種電壓切換裝置，用以保證上述方法的實現(xiàn)及應(yīng)用。
[0008]為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種電壓切換方法，包括:依據(jù)操作指令判斷當前的存儲器狀態(tài)，其中，所述存儲器狀態(tài)包括編程狀態(tài)和校驗狀態(tài)；當所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)時，由切換器控制通路連接輸出由電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓；當所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)時，由所述切換器控制通路連接輸出第二電壓，其中，所述第二電壓是所述電壓調(diào)整器對所述電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓調(diào)整后生成的。
[0009]可選的，所述依據(jù)操作指令判斷當前的存儲器狀態(tài)，包括:對接收的所述操作指令進行檢測；當所述操作指令為執(zhí)行編程的指令時，確定所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)；當所述操作指令為執(zhí)行編程校驗的指令時，確定所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)。
[0010]可選的，當所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)時，由切換器控制通路連接輸出由電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓，包括:當所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)時，將切換器連接由電壓生成器構(gòu)成的第一通路；輸出由所述電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓給所述操作指令對應(yīng)存儲單元的柵極。
[0011]可選的，當所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)時，由所述切換器控制通路連接輸出第二電壓，包括:當所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)時，將所述切換器連接由所述電壓生成器和電壓調(diào)整器構(gòu)成的第二通路；輸出經(jīng)由所述電壓調(diào)整器對所述第一電壓調(diào)整后生成的第二電壓，給所述操作指令對應(yīng)存儲單元的柵極。
[0012]可選的，依據(jù)操作指令判斷當前的存儲器狀態(tài)之前，還包括:接收所述操作指令，并解析所述操作指令獲取執(zhí)行編程或編程校驗的存儲單元；開啟所述執(zhí)行編程或編程校驗的存儲單元的開關(guān)。
[0013]相應(yīng)的，本發(fā)明還公開了一種電壓切換裝置，包括:切換模塊，用于依據(jù)操作指令判斷當前的存儲器狀態(tài)，其中，所述存儲器狀態(tài)包括編程狀態(tài)和校驗狀態(tài)；以及依據(jù)存儲器狀態(tài)控制通路連接；電壓輸出模塊，用于當所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)時，由切換器控制通路連接輸出由電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓；當所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)時，由所述切換器控制通路連接輸出第二電壓，其中，所述第二電壓是所述電壓調(diào)整器對所述電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓調(diào)整后生成的。
[0014]可選的，所述切換模塊，用于接收的所述操作指令進行檢測；當所述操作指令為執(zhí)行編程的指令時，確定所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)；當所述操作指令為執(zhí)行編程校驗的指令時，確定所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)。
[0015]可選的，所述電壓輸出模塊，用于當所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)時，將切換器連接由電壓生成器構(gòu)成的第一通路；輸出由所述電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓給所述操作指令對應(yīng)存儲單元的柵極。
[0016]可選的，所述電壓輸出模塊，用于當所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)時，將所述切換器連接由所述電壓生成器和電壓調(diào)整器構(gòu)成的第二通路；輸出經(jīng)由所述電壓調(diào)整器對所述第一電壓調(diào)整后生成的第二電壓，給所述操作指令對應(yīng)存儲單元的柵極。
[0017]可選的，還包括:接收模塊，用于接收所述操作指令，并解析所述操作指令獲取執(zhí)行編程或編程校驗的存儲單元；開啟所述執(zhí)行編程或編程校驗的存儲單元的開關(guān)。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例包括以下優(yōu)點:
[0019]依據(jù)操作指令判斷出當前的存儲器狀態(tài)，從而依據(jù)不同的存儲器狀態(tài)切換不同的通路提供不同的電壓，其中，電壓生成器僅生成第一電壓，并采用電壓調(diào)整器對電壓生成器生成的第一電壓進行調(diào)整得到第二電壓，當所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)時，由切換器控制通路連接輸出由電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓，當所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)時，由所述切換器控制通路連接輸出電壓調(diào)整器調(diào)整后產(chǎn)生的第二電壓。編程和編程校驗的供電切換過程中無需電壓生成器自主切換，使得電壓切換過程更加順暢、快速，減少了電壓切換，提高了操作指令的執(zhí)行效率。
【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明的一種電壓切換方法實施例的步驟流程圖；
[0021]圖2是本發(fā)明實施例中電壓切換的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3是本發(fā)明的一種電壓切換方法可選實施例的步驟流程圖；
[0023]圖4是本發(fā)明實施例中存儲單元開關(guān)信號示意圖；
[0024]圖5是【背景技術(shù)】中PV/PGM的電壓切換過程的電壓波形圖；
[0025]圖6是本發(fā)明實施例中PV/PGM的電壓切換過程的電壓波形圖；
[0026]圖7是本發(fā)明一種電壓切換裝置實施例的結(jié)構(gòu)框圖；
[0027]圖8是發(fā)明一種電壓切換裝置可選實施例的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實施方式】
[0028]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0029]本發(fā)明實施例的核心構(gòu)思之一在于，提出一種電壓切換方法，以解決由電壓生成器提供不同電壓切換、建立時間比較長的問題。其中電壓生成器僅生成第一電壓，采用電壓調(diào)整器對電壓生成器生成的第一電壓進行調(diào)整得到第二電壓，從而在依據(jù)操作指令判斷出當前的存儲器狀態(tài)后，當所述存儲器狀態(tài)為編程狀態(tài)時，由切換器控制通路連接輸出由電壓生成器產(chǎn)生的第一電壓，當所述存儲器狀態(tài)為校驗狀態(tài)時，由所述切換器控制通路連接輸出電壓調(diào)整器調(diào)整后產(chǎn)生的第二電壓。編程和編程校驗的供電切換過程中無需電壓生成器自主切換，使得電壓切換過程更加順暢、快速，減少了電壓切換，提高了操作指令的執(zhí)行效率。
[0030]實施例一
[0031]存儲器是一種用來存放程序和數(shù)據(jù)等內(nèi)容的記憶設(shè)備。以快閃存儲器為例，快閃存儲器是一種非易失類存儲器，它通過改變浮柵中電子的數(shù)量來存儲信息。其中，將電子注入到存儲單元的浮柵時，存儲單元的閾值電壓增加，這時存儲單元處于已編程狀態(tài)；當將浮柵中俘獲的電子去除后，存儲單元的閾值電壓降低，這時存儲單元處于已擦除狀態(tài)。
[0032]其中，快閃存儲器編程機制為溝道熱電子注入效應(yīng)(Channel hot electroninject1n，CHE)。在編程時，漏極和柵極上加高電壓，溝道中電子在橫向電場的加速下獲得很高的能量，成為熱電子。熱電子在柵極附近碰撞形成電子空穴對，部分能量較高的電子在柵極電場的吸引下越過勢壘，注入到浮柵中。
[0033]并且，為保證編程的準確性，在對存儲單元進行編程操作之后，還要執(zhí)行編程校驗的步驟，以保證存儲單元已經(jīng)成功置為已編程狀態(tài)。編程校驗的一般步驟為在存儲單元的柵極上加預(yù)定的電壓，讀取流經(jīng)存儲單元的電流值。如果電流值小于某個預(yù)先設(shè)定的值，則認為該單元已經(jīng)處于已編程狀態(tài)，編程校驗成功。如果電流值大于設(shè)定值，則重新對該單元進行編程操作，直到編程校驗通過。
[0034]參照圖1，示出了本發(fā)明的一種電壓切換方法實施例的步驟流程圖，具體可以包括如下步驟:
[0035]步驟102，依據(jù)操作指令判斷當前的存儲器狀態(tài)。
[0036]通過上述論述可知，在對存儲器進行編程時，不但要執(zhí)行編程的操作步驟，還要執(zhí)行編程校驗的操作步驟。因此需要對接收的操作指令進行檢測，以判斷當前的存儲器狀態(tài)。
[0037]其中，操作執(zhí)行指的是用于對存儲器執(zhí)行編程或編程校驗等過程的執(zhí)行信息。存儲器狀態(tài)包括編程狀態(tài)和校驗狀態(tài)。編程狀態(tài)指的是存儲器執(zhí)行編程操作時的狀態(tài)，相對的，校驗狀態(tài)指的是存儲器執(zhí)行編程校驗操作時的狀態(tài)。
[0038]因此，當所述存儲器狀