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包括近場(chǎng)換能器和粘合層的器件的制作方法

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包括近場(chǎng)換能器和粘合層的器件的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】包括近場(chǎng)換能器和粘合層的器件 背景
[0001] 熱輔助磁記錄(在這里也稱(chēng)"HAMR")技術(shù)是用于使存儲(chǔ)密度增加至IT位/英寸 2以上的一種有前途的方法。HAMR頭可利用近場(chǎng)換能器(NFT)來(lái)加熱磁記錄層。NFT的材 料和HAMR頭中的周?chē)Y(jié)構(gòu)之間差劣的粘合性可能在加工或使用期間導(dǎo)致故障。因此,有需 要減少這種故障。 概述
[0002] 披露了一些器件,其包括近場(chǎng)換能器(NFT)、寫(xiě)入極、位于NFT和寫(xiě)入極之間的至 少一個(gè)介電材料;以及位于NFT和至少一個(gè)介電材料之間的粘合層。
[0003] 另外披露了一些器件,其包括能量源;被配置成從能量源接收能量的NFT ;寫(xiě)入 極;位于NFT和寫(xiě)入極之間的至少一個(gè)介電材料;以及位于NFT和至少一個(gè)介電材料之間 的粘合層。
[0004] 另外披露了一些器件,其包括能量源;被配置成從能量源接收能量并將其耦合入 NFT的波導(dǎo);被配置成從波導(dǎo)接收能量的NFT ;寫(xiě)入極、位于NFT和寫(xiě)入極之間的至少一個(gè) 介電材料;以及位于NFT和至少一個(gè)介電材料之間的粘合層。 附圖簡(jiǎn)述
[0005] 圖1是能夠包括HAMR器件的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的立體圖。
[0006] 圖2是垂直HAMR磁記錄頭和關(guān)聯(lián)記錄介質(zhì)的橫截面圖。
[0007] 圖3A、3B和3C是包括所披露的頂粘合層的磁性器件的至少一部分的圖,其中圖3A 是從ABS觀察的圖,圖3B是側(cè)視圖而圖3C是立體圖。
[0008] 圖4A、4B和4C是包括所披露的頂部和底粘合層的至少一部分的磁性器件的至少 一部分的圖,其中圖4A是從ABS觀察的圖,圖4B是側(cè)視圖而圖4C是立體圖。
[0009] 圖5A、5B和5C是包括所披露的頂部、底部和側(cè)粘合層的磁性器件的至少一部分的 圖,其中圖5A是從ABS觀察的圖,圖5B是側(cè)視圖而圖5C是立體圖。
[0010] 圖6A、6B和6C是包括所披露的頂部和側(cè)粘合層的磁性器件的至少一部分的圖,其 中圖6A是從ABS觀察的圖,圖6B是側(cè)視圖而圖6C是立體圖。
[0011] 圖7A、7B和7C是包括所披露的底部和側(cè)粘合層的磁性器件的至少一部分的圖,其 中圖7A是從ABS觀察的圖,圖7B是側(cè)視圖而圖7C是立體圖。
[0012] 圖8示出被利用以執(zhí)行所披露的例子的示例性疊層的側(cè)視圖。
[0013] 這些附圖不一定按比例示出。附圖中使用的相同附圖標(biāo)記表示相同部件。然而, 將理解在給定附圖中使用數(shù)字來(lái)指代部件不旨在限制用另一附圖中同一數(shù)字標(biāo)記的部件。 詳細(xì)描述
[0014] 在以下描述中,參照形成本說(shuō)明書(shū)一部分的附圖集,其中通過(guò)圖示示出了若干特 定實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是,可構(gòu)想和作出其他實(shí)施例而不背離本公開(kāi)內(nèi)容的范圍或精神。因 此,以下詳細(xì)描述不應(yīng)按照限制的意義來(lái)理解。
[0015] 通過(guò)術(shù)語(yǔ)"大約",在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求中使用的表示部件大小、量以及物理性質(zhì) 的所有數(shù)字應(yīng)被理解為在任何情況下被修改,除非另外指明。因此,除非相反地指明,否則 在上述說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求中陳述的數(shù)值參數(shù)是近似值,這些近似值可根據(jù)利用本文中 公開(kāi)的示教的本領(lǐng)域技術(shù)人員所尋求的性質(zhì)而變化。
[0016] 通過(guò)端點(diǎn)對(duì)數(shù)值范圍的陳述包括包含在該范圍內(nèi)的所有數(shù)值(例如1到5包括1、 I. 5、2、2. 75、3、3. 80、4以及5)以及該范圍內(nèi)的任何范圍。
[0017] 如說(shuō)明書(shū)以及所附權(quán)利要求書(shū)中所使用地,單數(shù)形式的"一"、"一個(gè)"以及"該"包 括具有復(fù)數(shù)引用的實(shí)施例,除非該內(nèi)容另外明確地指出。如本說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求書(shū)中 使用地,術(shù)語(yǔ)"或"一般以包括"和/或"的意思來(lái)使用,除非該內(nèi)容明確地指出相反情形。"
[0018] "包括"、"包含"或類(lèi)似術(shù)語(yǔ)表示涵蓋但不限于,即包括并且非排他的。應(yīng)當(dāng)注意, "頂"和"底"(或者類(lèi)似于"高"和"低")被嚴(yán)格地利用于相對(duì)描述并且不音示著所述要素 被定位在其中的物品的任何總?cè)∠颉?br>[0019] 圖1是包括用于將滑塊12定位在磁性介質(zhì)16的軌道14上的致動(dòng)系統(tǒng)的盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 10的立體圖。盤(pán)驅(qū)動(dòng)器10的具體配置被示出以易于描述但不旨在以任何方式限定本公開(kāi) 的范圍。盤(pán)驅(qū)動(dòng)器10包括被布置成繞軸22轉(zhuǎn)動(dòng)主軸上的致動(dòng)器臂20的音圈馬達(dá)(voice coil motor) 18。負(fù)載梁24在頭安裝塊26處連接至致動(dòng)器臂20。懸架(suspension) 28 連接至負(fù)載梁24的端部而滑塊12附連至懸架28。磁性介質(zhì)16繞軸30轉(zhuǎn)動(dòng),以使氣阻 (windage)與滑塊12相遇以保持其在磁性介質(zhì)16的表面上懸空一小距離。磁性介質(zhì)16的 每個(gè)軌道14被格式化成具有用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元陣列?;瑝K12承載磁性器件或 換能器(圖1中未示出),以在磁性介質(zhì)16的軌道14上讀取和/或?qū)懭霐?shù)據(jù)。磁性換能器 利用額外的電磁能加熱介質(zhì)16的表面以利于通過(guò)被命名為熱輔助磁記錄(HAMR)的過(guò)程進(jìn) 行記錄。
[0020] HAMR換能器包括用于產(chǎn)生磁場(chǎng)以對(duì)磁性介質(zhì)(例如磁性介質(zhì)16)進(jìn)行寫(xiě)入的磁 寫(xiě)入器以及用于加熱寫(xiě)場(chǎng)附近的磁性介質(zhì)的一部分的光學(xué)器件。圖2是例如HAMR磁性器 件40磁性介質(zhì)的一部分以及關(guān)聯(lián)的磁存儲(chǔ)介質(zhì)42的一部分的橫截面圖。HAMR磁性器件 40包括寫(xiě)入極44和返回極46,它們通過(guò)基座48耦合。包括導(dǎo)體52、54的線圈50環(huán)繞住 基座并由絕緣體56支承。如圖所示,磁記錄介質(zhì)42是包括硬磁存儲(chǔ)層62和軟磁下層64 的垂直磁性介質(zhì)但可以是其它形式的介質(zhì),例如圖案化介質(zhì)。線圈中的電流在基座和極內(nèi) 感應(yīng)出磁場(chǎng)。磁通58在空氣承載表面(ABS)60離開(kāi)記錄頭并被用來(lái)改變被包圍在區(qū)域58 內(nèi)的存儲(chǔ)介質(zhì)42的硬磁層62的一些部分的磁化。近場(chǎng)換能器66被定位在空氣承載表面 60的寫(xiě)入極44附近。近場(chǎng)換能器66被耦合至波導(dǎo)68,該波導(dǎo)68從諸如激光器之類(lèi)的能 量源接收電磁波。在近場(chǎng)換能器66端部處的電場(chǎng)被用來(lái)加熱硬磁層62的一部分69以降 低矯頑性以使來(lái)自寫(xiě)入極的磁場(chǎng)可以影響存儲(chǔ)介質(zhì)的磁化。
[0021] 本文披露的磁性器件也可包括其它結(jié)構(gòu)。本文披露的磁性器件也可納入到較大的 器件中。例如,滑塊可包括本文披露的磁性器件。示例性滑塊可包括滑塊本體,該滑塊本體 具有前緣、后緣和空氣承載表面。寫(xiě)入極、讀取極、光近場(chǎng)換能器和接觸焊盤(pán)(以及可選擇 的散熱器)可隨后被設(shè)置在滑塊本體之上(或之內(nèi))。這些示例性滑塊可附連至懸架,該懸 架可被整合到例如盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中。
[0022] 圖3A示出磁性器件的一部分的簡(jiǎn)化空氣承載表面(ABS)圖。磁性器件300可包 括寫(xiě)入極305 (它可以具有如前所述的特征)和近場(chǎng)換能器(NFT) 310。寫(xiě)入極305和NFT 310總體由介電材料316包圍。在一些實(shí)施例中,寫(xiě)入極305和NFT 310之間的層可被稱(chēng)為 NFT-極間隔(NPS)層而NFT和芯(圖3A中未示出)之間的層可被稱(chēng)為芯-NFT間隔(CNS) 層。介電材料316也可被描述為包覆材料(cladding material)或包覆層。NPS層和CNS 層的材料不需要一樣并且例如可以是氧化物。
[0023] 圖3中描述的NFT 310可被描述為具有兩部分結(jié)構(gòu),但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到所描述的實(shí)施 例可與任何類(lèi)型或結(jié)構(gòu)的NFT -起利用(例如等離子體間隙式NFT或粧(peg)式和盤(pán)式 NFT,它也可被稱(chēng)為"棒棒糖(lollipop)"式NFT)。典型地
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