專利名稱：可改寫的光學(xué)信息介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用激光束可擦除高速記錄的光學(xué)信息介質(zhì)，所述介質(zhì)包括載有堆積層的襯底，該堆積層順序包括第一介質(zhì)層；含由Ge、Sb、Te和O組成的化合物的相變材料記錄層；第二介質(zhì)層和金屬反射鏡層。
本發(fā)明還涉及在高存儲(chǔ)密度和高數(shù)據(jù)率應(yīng)用中這種光學(xué)記錄介質(zhì)的使用。
基于相變?cè)淼墓鈱W(xué)信息或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是引人注目的，因其兼有直接重寫(DOW)和容易與只讀系統(tǒng)兼容的高存儲(chǔ)密度的可能性。相變光學(xué)記錄包括在薄結(jié)晶膜中使用聚焦激光束形成亞微米尺寸的非晶記錄標(biāo)志。在記錄信息期間，介質(zhì)相對(duì)于聚焦激光束移動(dòng)，該聚焦激光束按照要被記錄的信息進(jìn)行調(diào)制。由此，在相變記錄層中發(fā)生猝滅(quenching)，致使在未曝光區(qū)域內(nèi)保持結(jié)晶的記錄層的曝光區(qū)域中形成非晶信息位。通過用相同的激光加熱使其再結(jié)晶可實(shí)現(xiàn)寫入的非晶標(biāo)志的擦除。非晶標(biāo)志代表數(shù)據(jù)位，用低功率的聚焦激光束可通過襯底再生該數(shù)據(jù)位。相對(duì)于結(jié)晶記錄層的非晶標(biāo)志的反射差產(chǎn)生被調(diào)制的激光束，隨后按照被編碼的、被記錄的數(shù)字信息，由檢測(cè)器將該激光束轉(zhuǎn)換為調(diào)制的光電流。
高速相變光學(xué)記錄的主要問題之一是要求的擦除(再結(jié)晶)速度。在例如盤形DVD-RAM和光帶等的高密度記錄和高數(shù)據(jù)率應(yīng)用中，特別要求高結(jié)晶速度，其中完全結(jié)晶時(shí)間(完全擦除時(shí)間CET)必須短于50ns。如果結(jié)晶速度沒有高到足以與相對(duì)于激光束的介質(zhì)的線速度匹配，那么在DOW期間，在先記錄的舊數(shù)據(jù)(非晶標(biāo)志)不能被完全去除(被再結(jié)晶)。這將引起高噪聲電平。
在開篇中所述的這種光學(xué)信息介質(zhì)披露于美國(guó)專利US5100700中。已知的該相變型介質(zhì)包括載有堆積層的襯底，該堆積層順序包括第一介質(zhì)層或保護(hù)層；氧含量在5～20原子％之間的相變Ge-Sb-Te化合物的記錄層；第二介質(zhì)層和金屬反射層。這樣的堆積層可被稱為(S)IPIM結(jié)構(gòu)，其中S表示襯底，M表示反射或反射鏡層，I表示介質(zhì)層和P表示相變記錄層。所述專利沒有公開有關(guān)CET或擦除速度的任何準(zhǔn)則。
正如下面所示的那樣，在記錄層中這種較高的氧濃度不僅對(duì)CET值有不利影響，而且對(duì)例如失穩(wěn)和可循環(huán)性等其它重要的參數(shù)也有不利影響?？裳h(huán)性表示重復(fù)的寫入(非晶化)和擦除(再結(jié)晶)操作的最大數(shù)，其中例如失穩(wěn)或記錄介質(zhì)反射的變化保持在特定值以下。
本發(fā)明的目的在于提供特別適于例如DVD-RAM和光帶等的有50ns或更短的CET值的高速光學(xué)記錄的可改寫的光學(xué)信息介質(zhì)。在本文中高速記錄被理解為相對(duì)于激光束的介質(zhì)的線速度至少為7.2m/s，該速度為按照Compact Disc標(biāo)準(zhǔn)的速度的六倍。最好，CET值應(yīng)低于45ns，這對(duì)9.6m/s的線速度是必需的，該速度相應(yīng)于CD速度的8倍，或者甚至在35ns以下，這對(duì)14.4m/s的線速度是必需的，該速度相應(yīng)于CD速度的12倍。介質(zhì)的失穩(wěn)應(yīng)該在低的恒定值。并且，介質(zhì)應(yīng)該有良好的可循環(huán)性。
按照本發(fā)明用開篇中所述的光學(xué)信息介質(zhì)可實(shí)現(xiàn)這些目的，所述光學(xué)信息介質(zhì)的特征在于，在記錄層中的化合物有的組成為(GeaSbbTec)1-dOd，其中a+b+c＝10.0001≤d≤0.035；-厚度為70～(70+λ/2n)nm的第一介質(zhì)層，其中λ為激光束的波長(zhǎng)，n為該層的折射率；-厚度為10～35nm的記錄層；-厚度為10～50nm的第二介質(zhì)層；-厚度為60～160nm的金屬反射鏡層。
已發(fā)現(xiàn)基于Ge-Sb-Te的化合物，當(dāng)將氧以0.01～3.5原子％，最好是0.1～2.0原子％的少量添加到化合物中時(shí)，CET值可急劇減小。由于獲得記錄層的工藝氣氛，例如在其中不可避免地存在氧本底壓力的惰性氣體氣氛中通過濺射來獲得記錄層時(shí)，因而幾乎不能獲得較低的氧值。氧濃度在3.5原子％以上時(shí)，記錄層的CET值上升到50ns以上，并對(duì)失穩(wěn)和DOW可循環(huán)性有不利影響。此外，在DOW期間非晶和晶體反射的最大變化變得不能被接受。并且，當(dāng)含氧量太高時(shí)，因容易形成氧化物，因而記錄的數(shù)據(jù)(非晶標(biāo)志)將變得不穩(wěn)定。
對(duì)于添加氧的Ge-Sb-Te化合物而言，可使用各種各樣的組成。例如在美國(guó)專利5289453中所披露的那些。所述專利披露了位于三角形三元Ge-Sb-Te組成相圖中的區(qū)域內(nèi)的化合物GexSbyTez，其中原子百分比x、y和z滿足45#z#55.5，0.5#y/((x+y)≤0.72和x+y+z＝100。
在由本申請(qǐng)人申請(qǐng)的未提前公開的國(guó)際專利申請(qǐng)IB97/00677(PHN15881)中描述的化合物是特別有用的。這些化合物的組成按原子百分比由下列化學(xué)式限定Ge50xSb40-40xTe60-10x，其中0.166≤x≤0.444。這些組成位于三角形Ge-Sb-Te組成相圖中連接化合物GeTe和Sb2Te3的線上，并包括化學(xué)計(jì)量化合物Ge2Sb2Te5(x＝0.445)，GeSb2Te4(x＝0.286)和GeSb4Te7(x＝0.166)。這些化合物顯示低于100ns的低CET值。
在由本申請(qǐng)人申請(qǐng)的未提前公開的申請(qǐng)?zhí)枮?7203459.9(PHN 16586)的歐洲專利申請(qǐng)中描述了優(yōu)選的化合物。這些化合物的組成按原子百分比由三元組成相圖Ge-Sb-Te中的區(qū)域所限定，所述區(qū)域?yàn)榫哂邢铝许旤c(diǎn)的五邊形區(qū)域Ge14.2Sb25.8Te60.0(P)Ge12.7Sb27.3Te60.0(Q)Ge13.4Sb29.2Te57.4(R)Ge15.1Sb27.8Te57.1(S)Ge13.2Sb26.4Te60.4(T)；用這些化合物可實(shí)現(xiàn)CET值低于50ns。
特別有用的是有下列組成的化合物(GeSb2Te4)1-xTex其中摩爾份數(shù)x滿足0.01≤x≤0.37。這些組成位于三元組成相圖中連接GeSb2Te4和Te的連線上，但處于五邊形區(qū)域PQRST內(nèi)。用這些化合物可實(shí)現(xiàn)CET值低于45ns。
當(dāng)將按照本發(fā)明范圍內(nèi)的氧添加至上述Ge-Sb-Te化合物中時(shí)，可獲得甚至更低的CET值。
第一介質(zhì)層即在襯底與相變記錄層之間的層保護(hù)記錄層免受濕氣和保護(hù)襯底免受熱損傷，并且使光學(xué)對(duì)比度最佳。從失穩(wěn)的觀點(diǎn)來看，第一介質(zhì)層的厚度至少為70nm較好。從光學(xué)對(duì)比度的觀點(diǎn)來看，該層的厚度應(yīng)限于(70+λ/2n)nm，其中λ為激光束的波長(zhǎng)，n為第一介質(zhì)層的折射率。
上述Ge-Sb-Te-O化合物的CET值取決于記錄層的層厚度。當(dāng)層厚度增加到10nm時(shí)，CET迅速減小。當(dāng)記錄層厚度大于25nm時(shí)，CET基本上與厚度無關(guān)。在35nm以上時(shí)，對(duì)介質(zhì)的可循環(huán)性有不利影響。通過在大量的DOW循環(huán)例如105之后的光學(xué)對(duì)比度的相對(duì)變化測(cè)量介質(zhì)的可循環(huán)性。在每一循環(huán)中，通過用激光束加熱實(shí)現(xiàn)的再結(jié)晶擦除寫入的非晶位，同時(shí)寫入新的非晶標(biāo)志。在理想情況下，循環(huán)后的光學(xué)對(duì)比度保持不變。其可循環(huán)性直到35nm的記錄層層厚度實(shí)際上為恒定。作為兼顧有關(guān)CET和可循環(huán)性要求的結(jié)果，記錄層的厚度應(yīng)該在10～35nm之間的范圍內(nèi)，在20～35nm之間較好，在25～35nm之間更好。具有厚度在25與35nm之間的記錄層的介質(zhì)在第一個(gè)105DOW循環(huán)期間有恒定的低失穩(wěn)。
發(fā)現(xiàn)第二介質(zhì)層即在記錄層與金屬反射鏡層之間的層的最佳厚度范圍在10～50nm之間，在20～40nm之間更好。當(dāng)該層太薄時(shí)，對(duì)在記錄層與金屬反射鏡層之間的熱絕緣有不利影響。結(jié)果，記錄層的冷卻速率增加，這導(dǎo)致結(jié)晶過程變慢和可循環(huán)性變差。通過增加第二介質(zhì)層的厚度可降低冷卻速率。
CET值對(duì)于在20～200nm范圍內(nèi)的金屬反射鏡層的厚度不敏感。但是當(dāng)金屬反射層薄于60nm時(shí)，會(huì)因冷卻速率太慢，因而對(duì)可循環(huán)性產(chǎn)生不利影響。當(dāng)金屬反射鏡層厚度為160nm或更厚時(shí)，可循環(huán)性進(jìn)一步劣化，因熱傳增加因而記錄和擦除功率必須增高。金屬反射鏡層的厚度在80～120nm之間較好。
第一和第二介質(zhì)層可以由ZnS和SiO2的混合物例如(ZnS)80(SiO2)20構(gòu)成。可采用的還有例如SiO2、TiO2、ZnS、AlN、Si3N4和Ta2O5。最好，使用象SiC、WC、TaC、ZrC或TiC之類的碳化物。相對(duì)于ZnS-SiO2混合物來說，這些材料給出了較高的結(jié)晶速度和較好的可循環(huán)性。
對(duì)于金屬反射鏡層來說，可使用諸如Al、Ti、Au、Ag、Cu、Rh、Pt、Pd、Ni、Co、Mn、Cr、Mo、W、Hf和Ta之類的金屬，并包括其合金。合適的合金實(shí)例是AlTi、AlCr和AlTa。
可以通過汽相淀積或?yàn)R射提供反射層和介質(zhì)層。
信息介質(zhì)的襯底至少對(duì)激光波長(zhǎng)是透明的，并且由例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、非晶聚烯或玻璃等構(gòu)成。在典型的實(shí)例中，襯底是盤形的并且其直徑為120mm、厚度為0.1、0.6或1.2mm。
或者，襯底也可為合成樹脂柔性帶，例如由聚酯膜制備。在這種方式中將獲得用于光帶記錄器中的光帶，例如該記錄器基于快速旋轉(zhuǎn)多邊形。在這種裝置中，反射的激光束橫向掃描過帶表面。
在記錄層側(cè)的盤形襯底表面最好配備可被光學(xué)掃描的伺服道。該伺服道常常由螺旋形凹槽構(gòu)成，在噴射鑄造或壓制期間利用模具形成于襯底中?？梢粤硪环N方法以復(fù)制工藝在例如丙烯酸酯UV光固化層的合成樹脂層中形成該凹槽，在襯底上單獨(dú)地提供該層。在高密度記錄中這種凹槽的節(jié)距例如為0.6～0.8μm，寬度為0.5μm。
還可以利用例如UV光固化聚甲基丙烯酸酯的保護(hù)層，可使堆積層的最外層不受環(huán)境的影響。
使用例如具有675nm或更短波長(zhǎng)的短波長(zhǎng)(紅-藍(lán))激光可實(shí)現(xiàn)高密度記錄和擦除。
通過真空淀積、電子束真空淀積、化學(xué)汽相淀積、離子鍍敷或?yàn)R射可將相變記錄層涂敷于襯底上。當(dāng)采用濺射時(shí)，可使用有預(yù)定含氧量的濺射靶，或使用Ge-Sb-Te靶，從而控制在濺射氣體中的氧量。實(shí)際上，在濺射氣體中的氧濃度將在幾乎為0與1％(體積)之間。作為淀積的層是非晶的并呈現(xiàn)低反射。為了構(gòu)成具有高反射的合適記錄層，該層必須首先被完全晶化，通常稱其為初始化。為此目的，可在爐中加熱記錄層達(dá)到Ge-Sb-Te-O化合物的結(jié)晶溫度之上的溫度，例如180℃。合成樹脂襯底，例如聚碳酸酯，可按另一種方法用足夠功率的激光束進(jìn)行加熱。這可例如在記錄器中實(shí)現(xiàn)，在該情況下激光束掃描移動(dòng)的記錄層。然后局部加熱非晶層達(dá)到使該層晶化所需的溫度，而不會(huì)使襯底受到不利的熱負(fù)荷。
如果需要，可在襯底與第一介質(zhì)層之間插入附加的薄金屬和介質(zhì)層，由此形成所謂的(S)IMIPIM結(jié)構(gòu)。盡管該結(jié)構(gòu)變得更復(fù)雜，但附加的金屬層增加了記錄層的泠卻速率以及光學(xué)對(duì)比度。
當(dāng)上述材料用于堆積層II+PI+IM或II+PIM中時(shí)，可進(jìn)一步地增加結(jié)晶速度，其中I+是碳化物、氮化物或氧化物。實(shí)驗(yàn)顯示II+PI+IM堆積層的CET比IPIM堆積層的CET的70％還要小。
借助示例性實(shí)施例并參照附圖將更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中

圖1表示按照本發(fā)明的光學(xué)信息介質(zhì)的示意性剖面圖，
圖2表示完全擦除時(shí)間(CET，單位ns)對(duì)記錄介質(zhì)層中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系，圖3表示成核時(shí)間t(單位ns)和CET(單位ns)對(duì)記錄介質(zhì)層中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系，圖4表示在1000 DOW循環(huán)之后，失穩(wěn)J(單位％Tc)對(duì)記錄介質(zhì)層中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系，圖5表示DOW循環(huán)數(shù)n與記錄層中[O]原子％的函數(shù)關(guān)系，圖6表示結(jié)晶溫度Tx(℃)與[O](單位原子％)的函數(shù)關(guān)系，圖7表示晶體反射R的相對(duì)變化R4000/R0與記錄介質(zhì)層中[O](原子％)的函數(shù)關(guān)系，和圖8表示成核時(shí)間t(單位ns)和CET(單位ns)與記錄層中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系。
示例性實(shí)施例1圖1示意性表示按照本發(fā)明的光學(xué)信息盤剖面的一部分。參考標(biāo)號(hào)1表示其直徑為120mm和厚度為1.2mm的聚碳酸酯盤形襯底。襯底1配有下列結(jié)構(gòu)的IPIM堆積層-厚度d2＝135nm的(ZnS)80(SiO2)20的第一介質(zhì)層2，-厚度d3＝27nm的Ge-Sb-Te-O合金的記錄層3，-厚度d4＝26nm的(ZnS)80(SiO2)20的第二介質(zhì)層4，-厚度d5＝80nm的Al金屬反射鏡層5。
用濺射法提供所有的層。通過將一定的氧添加到氬濺射氣體中來控制記錄層3中的含氧量。淀積含氧量在0.01～7.0原子％之間的記錄層。通過XRF分析和俄歇發(fā)射光譜學(xué)可確定記錄層3中的含氧量。當(dāng)濺射氣體中未添加氧時(shí)，在記錄層3中的氧量低于0.01原子％。記錄層3的組成按原子百分比為Ge13.75Sb27.40Te58.85。該組成相應(yīng)于上述未提前公開的申請(qǐng)?zhí)枮?7203459.9(PHN 16586)的歐洲專利申請(qǐng)中的實(shí)例2。當(dāng)氧被添加到記錄層中時(shí)，組成(四舍五入)變?yōu)?Ge0.14Sb0.27Te0.59)1-dOd。
在記錄器中用聚焦的激光束加熱原淀積非晶合金，獲得記錄層3的初始結(jié)晶態(tài)。
用于信息的記錄、再生和擦除的激光束通過襯底1進(jìn)入記錄層3。用箭頭6示意性地表示該光束。用功率Pw＝1.25 Pm(Pm＝熔化閾值功率)和持續(xù)時(shí)間100ns的單激光脈沖寫入非晶標(biāo)志。擦除功率為Pw/2。
圖2中的曲線A表示完全擦除時(shí)間(CET，單位ns)對(duì)記錄層3中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系。CET值被確定為靜態(tài)測(cè)量的用于使寫入結(jié)晶環(huán)境中的非晶標(biāo)志完全結(jié)晶的擦除脈沖的最小持續(xù)時(shí)間。沒有添加氧的記錄層的CET值為43ns。對(duì)記錄層附加直至2原子％的氧(d＝0.02)可使CET減小到33ns，該值對(duì)14.4m/s的線速度來說足夠低，或者為按照CD標(biāo)準(zhǔn)的速度的12倍。
圖3中的曲線C表示成核時(shí)間t(單位ns)對(duì)記錄層中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系。成核時(shí)間是可觀察到初次微晶之前經(jīng)過的時(shí)間，該時(shí)間短于完全結(jié)晶(曲線A)所需的時(shí)間。圖3中，曲線A表示CET(單位ns)，其與圖2中的曲線相同?？梢钥闯?，成核時(shí)間幾乎與[O]無關(guān)。
圖4表示對(duì)于兩種不同的記錄速度，在1000 DOW循環(huán)之后失穩(wěn)J(單位％Tc)對(duì)記錄層中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系，其中用曲線D表示以7.2m/s速度(6倍于CD速度)和用曲線E表示以9.6m/s速度(8倍于CD速度)。在DOW期間，寫入新的非晶位，同時(shí)在相同激光點(diǎn)通過期間使新的非晶位之間的區(qū)域晶化。作為在記錄標(biāo)志邊緣與相應(yīng)于被恢復(fù)的數(shù)據(jù)時(shí)鐘時(shí)間的部位之間的差的標(biāo)準(zhǔn)偏差的失穩(wěn)是用于判斷光盤可循環(huán)性的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。失穩(wěn)必須在按CD速度(1.2m/s；時(shí)鐘時(shí)間230ns)的時(shí)鐘時(shí)間Tc的13％以下，即30ns。測(cè)量標(biāo)志的前沿和后沿。對(duì)該實(shí)驗(yàn)，提供在襯底一面上有以凹槽形式的螺旋形伺服道的光盤，并在記錄器中初始化。用復(fù)制工藝在丙烯酸酯UV光固化層中設(shè)置凹槽。由圖4可知，通過大于0.5％絕對(duì)Tc，即表示可記錄較短的溝道位，從而能夠減小DOW的失穩(wěn)。對(duì)于希望實(shí)現(xiàn)較高的切線記錄密度來說，這是非常重要的。
圖5表示DOW的循環(huán)數(shù)n與記錄層中[O](原子％)的函數(shù)關(guān)系。數(shù)n被定義為當(dāng)按7.2m/s的線速度失穩(wěn)達(dá)到13％Tc時(shí)DOW的循環(huán)數(shù)。該曲線表明通過將2原子％的氧加到記錄層中可使DOW循環(huán)數(shù)提高到3倍。
在圖6中，曲線A表示結(jié)晶溫度Tx(℃)與[O](單位原子％)的函數(shù)關(guān)系。它表示Tx明顯增加，這意味著可實(shí)現(xiàn)較小的信跡節(jié)距而不會(huì)增加交叉擦除(cross-erasure)。
圖7表示晶體反射R的相對(duì)變化R4000/R0與[O](原子％)的函數(shù)關(guān)系，其中R4000是在4000次循環(huán)之后的晶體反射，R0是在0次循環(huán)的晶體反射。在每一循環(huán)中，用激光束加熱進(jìn)行再結(jié)晶來擦除已寫入的非晶位，同時(shí)寫入新的非晶標(biāo)志。在理想情況下，反射R在循環(huán)之后保持不變。由于實(shí)際的原因，相對(duì)變化最好應(yīng)該低于15％。根據(jù)該曲線由此得出，[O]應(yīng)該低于3原子％。示例性實(shí)施例2重復(fù)示例性實(shí)施例1，使用有組成為(Ge0.15Sb0.29Te0.56)1-dOd的記錄層3。由于未加氧，該組成相應(yīng)于上述未提前公開的申請(qǐng)?zhí)枮?7203459.9(PHN 16586)的歐洲專利申請(qǐng)中的實(shí)例17。
圖2中的曲線B表示完全擦除時(shí)間(CET，單位ns)對(duì)記錄層3中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系。在沒有添加氧的情況下記錄層的CET值為75ns。對(duì)記錄層添加直至2原子％的氧(d＝0.02)可使CET減小到43ns，該值對(duì)9.6m/s的線速度來說足夠低，或者為按照CD標(biāo)準(zhǔn)的速度的8倍。
在圖6中，曲線B表示結(jié)晶溫度Tx(℃)與[O](單位原子％)的函數(shù)關(guān)系。它表明當(dāng)[O]增加時(shí)Tx明顯增加，這意味著可實(shí)現(xiàn)較小的信跡節(jié)距而不會(huì)增加交叉擦除。
圖8表示成核時(shí)間t(單位ns)對(duì)記錄層中氧濃度[O](單位原子％)的依賴關(guān)系。曲線B表示CET(單位ns)，其與圖2中的曲線相同。
按照本發(fā)明，提供了可改寫的相變光學(xué)信息介質(zhì)，例如DVD-RAM或光帶，它們有50ns或更小的CET值，適于直接重寫和高速記錄，并表現(xiàn)出良好的可循環(huán)性和以7.2m/s或更大的線速度下的低失穩(wěn)。添加氧明顯地加速Ge-Sb-Te材料的結(jié)晶速率，因而這些材料可用于高數(shù)據(jù)率記錄。因此，Ge-Sb-Te的含氧量可用于調(diào)整結(jié)晶速率以達(dá)到預(yù)定值。
權(quán)利要求
1.一種利用激光束可擦除高速記錄的光學(xué)信息介質(zhì)，所述介質(zhì)包括載有堆積層的襯底，該堆積層順序包括第一介質(zhì)層；含由Ge、Sb、Te和O組成的化合物的相變材料記錄層；第二介質(zhì)層和金屬反射鏡層，其特征在于，-該化合物的組成為(GeaSbbTec)1-dOd，其中a+b+c＝10.0001≤d≤0.035-厚度為70～(70+λ/2n)nm的第一介質(zhì)層，其中λ為激光束的波長(zhǎng)，n為該層的折射率；-厚度為10～35nm的記錄層；-厚度為10～50nm的第二介質(zhì)層；-厚度為60～160nm的金屬反射鏡層。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息介質(zhì)，其特征在于，在該化合物中0.001≤d≤0.020。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息介質(zhì)，其特征在于，記錄層的厚度為20～35nm，最好是25～35nm。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息介質(zhì)，其特征在于，第二介質(zhì)層的厚度為20～40nm。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息介質(zhì)，其特征在于，金屬反射鏡層的厚度為80和120nm。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息介質(zhì)，其特征在于，金屬反射鏡層包括選自Al、Ti、Au、Ag、Cu、Rh、Pt、Pd、Ni、Co、Mn、Cr、Mo、W、Hf和Ta以及其合金中的至少一種金屬。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息介質(zhì)，其特征在于，襯底為盤或帶。
8.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息介質(zhì)在高速記錄中的應(yīng)用，其中在激光束與介質(zhì)之間的相對(duì)速度至少為7.2m/s。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種可改寫的光學(xué)信息介質(zhì),該介質(zhì)具有基于Ge－Sb－Te－O合金的相變記錄層(3),其組成為(Ge
文檔編號(hào)G11B7/258GK1252152SQ98804094
公開日2000年5月3日 申請(qǐng)日期1998年11月30日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月11日
發(fā)明者周國(guó)富, B·A·J·雅各布斯, J·C·N·里珀斯, H·J·波爾格 申請(qǐng)人:皇家菲利浦電子有限公司