專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶有一個(gè)磁阻效應(yīng)(MR)頭部分的薄膜磁頭。
已經(jīng)有人提出和開(kāi)發(fā)了含有帶有磁阻效應(yīng)元件的磁阻頭(以下稱(chēng)做“MR頭”)部分的薄膜磁頭。這種普通的薄膜磁頭含有一個(gè)記錄頭部分40和一個(gè)再生頭部分50。如圖4所示，記錄頭部分40的特點(diǎn)是一個(gè)所謂的感應(yīng)型記錄頭，它通過(guò)把一個(gè)磁場(chǎng)(該磁場(chǎng)通過(guò)讓電流流過(guò)線(xiàn)包導(dǎo)線(xiàn)11而生成)會(huì)聚到記錄頭芯12和13上并利用從記錄隙14(它包含一個(gè)非磁性絕緣膜)泄漏出的磁場(chǎng)而把信息記錄到一個(gè)媒體上。再生頭部分50的特點(diǎn)是一個(gè)磁阻效應(yīng)型的再生頭，它根據(jù)由代表記錄在媒體上的信息的信號(hào)磁場(chǎng)所感應(yīng)出的MR元件部分15的磁阻變化，來(lái)讀出所記錄的信號(hào)。
如圖4所示，MR元件部分15被設(shè)置在一個(gè)屏蔽隙17內(nèi)，后者又被夾在一個(gè)基本上由一個(gè)磁性膜(同時(shí)也起著記錄頭芯13的作用)組成的上屏蔽層13和一個(gè)下屏蔽層16之間。MR元件部分15用絕緣膜18與上屏蔽層13和下屏蔽16絕緣。
由于要求屏蔽隙的長(zhǎng)度(圖4中用dsg表示)必須等于或小于所再生的最短信號(hào)波長(zhǎng)，所以隨著對(duì)記錄密度要求的日益提高，絕緣膜18和MR元件部分15的厚度必須大為減??；例如，將來(lái)很可能會(huì)要求有屏蔽隙窄于100nm的磁頭。然而，要制作厚度約為50nm或更薄但仍能提供足夠絕緣性能的絕緣膜是十分困難的，這一點(diǎn)可能將成為實(shí)現(xiàn)高密度記錄的一個(gè)瓶頸。此外，MR元件部分15被夾在兩層絕緣膜之間的上述這種結(jié)構(gòu)是有問(wèn)題的，例如，磁頭再生工作過(guò)程中MR元件部分15的充電現(xiàn)象和絕緣膜絕緣性能的喪失。如果通過(guò)采用更薄的絕緣膜硬把磁頭應(yīng)用于更高密度的記錄，則這些問(wèn)題將更加嚴(yán)重。
于是，提出了一種如圖3所示的結(jié)構(gòu)，它包含一個(gè)記錄頭部分20和一個(gè)再生部分30。MR元件部分5和上、下屏蔽層3、6互相用導(dǎo)電層10相連接，使得上、下屏蔽層3、6也能起到圖4中接電層部分19的作用(日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.8-34557)。因?yàn)閷?dǎo)電層10的厚度可以容易地做成為約20nm或更小，所以這種結(jié)構(gòu)可以用超薄膜制作。在這種結(jié)構(gòu)中排除了前述關(guān)于超窄隙中的絕緣膜的問(wèn)題，它不需要在屏蔽層部分和MR器件部分之間有一個(gè)超薄的絕緣膜。這種結(jié)構(gòu)特別適用于MR元件部分采用了具有GMR(巨磁阻效應(yīng))性質(zhì)的人造多層膜的情況，這是因?yàn)橛裳卮怪庇诒∧け砻娣较蛄鲃?dòng)的電流所產(chǎn)生的磁阻變化的比例(以下這個(gè)比例叫做“MR比”)大于沿薄膜表面方向流動(dòng)的電流所產(chǎn)生的磁阻變化比例。對(duì)于當(dāng)GMR元件中的非磁性薄膜是一種隧道型的絕緣膜的情形，這種結(jié)構(gòu)將更為有用，這是因?yàn)檎麄€(gè)器件在垂直于薄膜表面的方向上的阻抗將變大。
對(duì)于在GMR元件中采用這種非磁性膜的情況，也可以用在接電層部分和屏蔽層之間插入絕緣膜的方法來(lái)提供它們之間的絕緣性，以代替圖3中用導(dǎo)電層10來(lái)互連MR元件部分5和上、下屏蔽層3、6。這樣做的原因是，這種結(jié)構(gòu)允許圖4中的絕緣膜18在整個(gè)MR元件部分5中保持較大的厚度，而這部分則可以以較薄的膜的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。
圖2示出薄膜磁頭中采用了上述隧道型GMR膜的一種示例性MR元件部分25。在圖2中，S代表磁頭上對(duì)著(opposing)磁性記錄媒體(如磁盤(pán))的一個(gè)表面。L1和L2代表前述MR元件部分的接電層。具體地說(shuō)，接電層L1和L2連接到MR元件部分上，后者含有一個(gè)反鐵磁性膜AF，一個(gè)磁性膜M1(它與反鐵磁性膜AF有磁耦合，這里叫做“相鉚合的(pinned)”)，以及一個(gè)軟磁性膜M2；由于在膜M2和M1之間加入了一個(gè)非磁性絕緣膜T而使M2與M1隔離，所以M2的磁化(方向)可自由地轉(zhuǎn)動(dòng)。
然而，圖2所示的MR元件部分存在下述一些問(wèn)題因?yàn)樵趫D2的結(jié)構(gòu)中磁性膜M1、M2和絕緣膜T暴露在磁頭的表面，所以如果它們與磁盤(pán)相接觸，則磁性膜M1和M2(通常它們都是金屬膜)將暫時(shí)進(jìn)入“流通”狀態(tài)，從而互相間出現(xiàn)電聯(lián)系，即出現(xiàn)短路。其結(jié)果是，希望得到的基于跨越絕緣膜T的隧道效應(yīng)的磁阻效應(yīng)將受到破壞，使器件不能給出應(yīng)有的特性。此外，因?yàn)橥ǔＲ蠼^緣膜T是一個(gè)超薄膜(例如幾個(gè)納米或更薄)，所以當(dāng)它兩端被充電時(shí)很容易發(fā)生絕緣性能破壞，結(jié)果可能損壞整個(gè)器件。
根據(jù)本發(fā)明的一種薄膜磁頭含有一個(gè)屏蔽型磁阻效應(yīng)(MR)頭部分，后者包括一個(gè)位在一個(gè)屏蔽隙中的MR元件部分，該MR元件部分呈現(xiàn)有巨磁阻效應(yīng)；以及一個(gè)接電層，其設(shè)置使得電流沿垂直于MR元件部分的薄膜表面的方向流動(dòng)，其中的MR元件部分包含有第一和第二磁性膜，并且其間夾有一個(gè)非磁性絕緣膜，第一磁性膜具有軟磁性質(zhì)，設(shè)置在距薄膜磁頭對(duì)著磁記錄媒體的那個(gè)表面為第一距離的位置處，第二磁性膜設(shè)置在距薄膜磁頭對(duì)著磁記錄媒體的那個(gè)表面為第二距離的位置處，其中第二距離大于第一距離。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，薄膜磁頭包含上、下屏蔽金屬磁性膜，它們均通過(guò)一個(gè)非磁性導(dǎo)電膜與MR元件部分相連接，起著讓電流流入MR元件的部分一部分接電層的作用。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，第二磁性膜被磁耦合在一個(gè)反鐵磁性膜上。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，第二磁性膜是一個(gè)具有良好的方形磁化特性的硬磁性膜，并且要探測(cè)的磁場(chǎng)沿著平行于該硬磁性膜的易磁化軸的方面伸展。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，MR元件部分還包含一個(gè)位在第一、第二磁性膜和非磁性膜之間的至少一個(gè)界面處的界面磁性膜，該界面磁性膜含有Co(鈷)并具有約0.1nm或較大的厚度。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，界面磁性膜插入在第一磁性膜和非磁性膜之間，該界面磁性膜的厚度在約0.1nm至約1.5nm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，第一磁性膜含有NixCoyFez(鎳x鈷y鐵z)(其中x，y，z為原子成分的比例，x＝約0.6至約0.9；y＝約0至約0.4；z＝約0至約0.3)。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，第一磁性膜含有Nix’Coy’Fez’(其中x’，y’，z’為原子成分的比例，x’＝約0至0.4；y’＝約0.2至約0.95；z’＝約0至約0.5)。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，第一磁性膜是一個(gè)非晶磁性膜。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，硬磁性膜的方形特征值約為0.7或更大，其中方形特征值的定義是剩余磁化強(qiáng)度與飽和磁化強(qiáng)度之比。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，金屬反鐵磁性膜至少含有NiMn(鎳錳)、IrMn(銥猛)、PtMn(鉑猛)和CrMn(鉻猛)中的一種。
這樣，在根據(jù)本發(fā)明

圖1所示例的薄膜磁頭55中，磁性膜M1(以及反鐵磁性膜AF)不暴露在磁頭的表面上(即位在距磁頭表面為不等于零的第二距離處)。其結(jié)果是，即使磁性膜M2暫時(shí)進(jìn)入一個(gè)“流通”狀態(tài)，磁性膜M2可能會(huì)與絕緣膜T或絕緣膜I相接觸，但仍可以避免與磁性膜M1短路。軟磁性膜M2最好位在距薄膜磁頭對(duì)著磁記錄媒體的那個(gè)表面基本上為零的距離(即第一距離)處(雖然通常提供有一個(gè)厚度約為10nm的保護(hù)層以防止磨損和得到潤(rùn)滑)。其原因是軟磁性膜M2是需要根據(jù)被探測(cè)信號(hào)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)而發(fā)生磁化轉(zhuǎn)動(dòng)(反轉(zhuǎn))的，而探測(cè)離開(kāi)磁頭表面較遠(yuǎn)的信號(hào)磁場(chǎng)(記錄在磁性記錄媒體上)將導(dǎo)致較低的靈敏度和/或輸出?；蛘?，也可以使圖1中的接電層L2和絕緣膜T與磁性膜M1對(duì)齊(如虛線(xiàn)所示)，從而不暴露在磁頭表面上。對(duì)于磁性膜M1是一種比較不可能發(fā)生磁化轉(zhuǎn)動(dòng)的磁性膜，例如是一個(gè)硬磁性膜的情形，可以不要MR元件部分中的反鐵磁性膜AF。圖1中的接電層L1和L2可以直接連接到金屬屏蔽膜上(與圖3的情形相同)，或者也可以利用一個(gè)絕緣膜與屏蔽膜絕緣。對(duì)于防止由于充電現(xiàn)象所造成的問(wèn)題來(lái)說(shuō)，把接電層L1和L2直接連接在金屬屏蔽膜上是更為有效的。
在上述結(jié)構(gòu)的薄膜磁頭中，為了得到有良好線(xiàn)性性和低噪聲的輸出，待探測(cè)的磁場(chǎng)最好沿著基本上垂直于軟磁性膜M2(它通過(guò)隨著磁場(chǎng)發(fā)生磁化轉(zhuǎn)動(dòng)而呈現(xiàn)出磁阻效應(yīng))的易磁化軸并且基本上平行于磁性膜M1的易磁化軸方向伸展。
這樣，這里所描述的本發(fā)明使得下述優(yōu)點(diǎn)成為可能即提供一種用于超高密度磁記錄的薄膜磁頭，該薄膜磁頭含有一個(gè)帶有極小屏蔽隙長(zhǎng)度的高度可靠的MR再生頭。
當(dāng)閱讀并理解了下面參考附圖所做的詳細(xì)說(shuō)明之后，對(duì)于熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人們來(lái)說(shuō)本發(fā)明的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)和其他優(yōu)點(diǎn)將變得清楚明白。
圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一種薄膜磁頭中的示例性MR元件部分的圖。
圖2是說(shuō)明一種已知的薄膜磁頭中的示例性MR元件部分的圖。
圖3是說(shuō)明一種示例性的已知薄膜磁頭的圖，其中MR元件部分和屏蔽部分用導(dǎo)電層互相連接。
圖4是說(shuō)明一種示例性的普通薄膜磁頭的圖。
具有適合應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭的MR元件部分的GMR性質(zhì)的人造多層膜的例子包括下述屬于A類(lèi)和B類(lèi)的一些例子A)含有一個(gè)硬磁性膜(它具有良好方形特性的磁化化曲線(xiàn))和一個(gè)軟磁性膜以及一個(gè)夾在兩磁性膜之間以減小它們間的磁耦合的非磁性絕緣膜，使得待探測(cè)磁場(chǎng)基本上沿著平行于硬磁性膜的易磁化軸方向伸展的各種人造多層膜。在這類(lèi)GMR膜中，只有軟磁性膜才會(huì)在由待探測(cè)信號(hào)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用下發(fā)生磁化轉(zhuǎn)動(dòng)(而硬磁性膜不會(huì)有任何磁化轉(zhuǎn)動(dòng))，從而磁阻將按照軟磁性膜和硬磁性膜各自的磁化方向之間的夾角改變。
B)含有一個(gè)磁性膜(它與一個(gè)金屬反鐵磁性膜相“鉚合”，也即相磁耦合)和一個(gè)軟磁性膜以及一個(gè)夾在兩磁性膜之間以減小它們之間的磁耦合的非磁性絕緣膜2，使得待探測(cè)磁場(chǎng)基本上沿著平行于與金屬反鐵磁性膜有磁耦合的那個(gè)磁性膜有磁耦合的那個(gè)磁性膜的易磁化軸方向伸展的各種人造多層膜。在這類(lèi)GMR膜中，只有軟磁性膜才會(huì)在由待探測(cè)信號(hào)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下發(fā)生磁化轉(zhuǎn)動(dòng)(而與金屬反鐵磁性膜相耦合的那個(gè)磁性膜不會(huì)發(fā)生任何磁化轉(zhuǎn)動(dòng))，從而磁阻將按照該“鉚合的”磁性膜和軟磁性膜各自的磁化方向之間的夾角改變。
A類(lèi)GMR膜的特征在于，因?yàn)樗鼈儾恍枰磋F磁性膜，所以能夠形成膜厚十分小的MR元件部分。B類(lèi)GMR膜的特征在于，因?yàn)樗鼈儼艘粋€(gè)與反鐵磁性膜相鉚合的磁性膜，從而不需要A類(lèi)材料情形中的具有良好方形特性的磁化曲線(xiàn)的硬磁性膜，所以能夠采用許多種類(lèi)的磁性膜來(lái)作為器件的磁性膜。
此外，通過(guò)在A類(lèi)或B類(lèi)的GMR膜中的各個(gè)磁性膜和非磁性膜之間的至少一個(gè)界面上插入一個(gè)主要由Co組成的厚度為0.1nm的界面磁性膜，便可以增強(qiáng)這種界面處的自旋散射，使GMR膜呈現(xiàn)更大的MR性質(zhì)變化。對(duì)于這種界面磁性膜被插入在一個(gè)軟磁性膜和一個(gè)非磁性膜之間的情形，由于軟磁性膜的軟磁性質(zhì)在界面磁性膜的厚度超過(guò)約1.5nm時(shí)將會(huì)退化，所以該界面磁性膜的厚度最好在約0.1nm至約1.5nm的范圍之內(nèi)。
如果屏蔽隙的長(zhǎng)度允許，MR元件部分可以設(shè)置在屏蔽隙內(nèi)部，以便插入在兩絕緣膜之間。在屏蔽隙以長(zhǎng)度需要十分小的那些實(shí)施例中，MR元件部分可以通過(guò)非磁性導(dǎo)電膜與金屬屏蔽膜相耦合。
通過(guò)在上述GMR膜中使用主要由NixCoyFez(x，y，z為原子成分比例，x＝約0.6至約0.9；y＝約0至約0.4；z＝約0至約0.3)所組成的軟磁性膜，可以得到具有良好靈敏度的MR元件部分。
通過(guò)在上述GMR膜中使用主要由Nix’Coy’Fez’(其中x’，y’，z’為原子成分比例，x’＝約0至約0.4；y’＝約0.2至約0.95；z’＝約0至約0.5)所組成的軟磁性膜，可以得到呈現(xiàn)較大的MR變化率的MR元件部分。
通過(guò)把CoMnB(鈷錳硼)、CoFeB(鈷鐵硼)、或類(lèi)似材料(它們都是非晶磁性膜)用作軟磁性膜，可以得到在薄膜厚度下既具有軟磁性質(zhì)又具有GMR特性的MR元件部分。單獨(dú)使用CoNbZr(鈷鎳鋯)不會(huì)得到大約MR率，但當(dāng)把它與一個(gè)界面磁性膜相結(jié)合時(shí)，可以得到明顯地較大的MR率，同時(shí)具有極好的整體軟磁性質(zhì)。在含有NiFeCo類(lèi)型軟磁性膜的上述多層結(jié)構(gòu)中也可以使用這樣的材料。
這里，MR率由下述等式定義MR率(％)＝(R(最大)-R(最小)/R(最小)×100對(duì)于非磁性絕緣膜，可以合適地使用具有精細(xì)致密結(jié)構(gòu)的一種穩(wěn)定而有絕緣性的膜，例如薄氧化鋁膜。
至于硬磁性膜，使用主要含Co的材料將可得到大的MR變化率。為了得到具有良好線(xiàn)性性和大MR變化率的MR元件部分，硬磁性膜的方形特征值(定義為剩余磁化強(qiáng)度與飽和磁化強(qiáng)度的比值)最好為0.7或更大。
在本說(shuō)明書(shū)中，矯頑力為在100 Oe(奧斯特)或更大的磁性膜被稱(chēng)作是“硬磁性膜”，矯頑力為20 Oe或更小的磁性膜被稱(chēng)作是“軟磁性膜”。
對(duì)于反鐵磁性膜，需要的是一個(gè)導(dǎo)電金屬膜。優(yōu)選的導(dǎo)電金屬膜的例子有NiMn，IrMn，PtMn，和CrMn。FeMn因其抗銹蝕性不好而不是優(yōu)選的。氧化膜由于氧化反鐵磁性膜有高的阻抗而不適合用于本發(fā)明的磁頭結(jié)構(gòu)。
下面將通過(guò)一些具體例子來(lái)說(shuō)明本發(fā)明。
(例1)用濺射法在一個(gè)基底上形成一個(gè)由Fe-Si-Al(鐵-硅-鋁)組成的下屏蔽層。接著，在Fe-Si-Al膜上形成一個(gè)Cu(銅)導(dǎo)電膜(厚度約20nm)。然后在Cu導(dǎo)電膜上形成一個(gè)具有多層結(jié)構(gòu)的MR膜，該多層結(jié)構(gòu)為Co0.84Nb0.12Zr0.04(厚度約5nm，其中Nb為鈮)/Ni0.68Fe0.20Co0.12(厚度約10nm)/Co0.50Fe0.10(厚度約1nm)/Al2O3(厚度約2nm)/Co0.50Fe0.50(厚度約4nm)。再用濺射法在多層的MR膜上形成一個(gè)Cu導(dǎo)電膜(厚度約20nm)。在把該MR膜成形為圖1所示的MR元件部分的圖案(在本情形中，磁頭表面和磁性膜M1之間的距離約為1μm)之后，用反應(yīng)濺射法形成一個(gè)Si3N4(氮化硅)絕緣膜(厚度約100nm)。在MR元件部分中開(kāi)設(shè)了一些通孔之后，用濺射法形成由Fe-Si-Al組成的一個(gè)上屏蔽層。這樣就制成了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的MR磁頭。
延展在磁頭表面S和磁性層M1之間的絕緣膜I的厚度(圖1中用di代表)約為1μm，這個(gè)值取決于絕緣膜I的抗磨性能。對(duì)于絕緣膜I具有極好抗磨性能的情形，厚度di可以小于約1μm。
為了對(duì)比，用類(lèi)似方法制作了一個(gè)含有一個(gè)具有圖2所示結(jié)構(gòu)的普通MR元件部分的MR磁頭。
測(cè)量了用上述方法制作的兩種磁頭的再生輸出特性，結(jié)果表明，具有圖1所示本發(fā)明結(jié)構(gòu)的MR磁頭能給出穩(wěn)定的高輸出功率特性，而具有圖2所示的對(duì)比結(jié)構(gòu)的MR磁頭起初能給出高輸出功率，但其后輸出功率變得不穩(wěn)定，表明其特性發(fā)生了退化。
(例2)用濺射法在一個(gè)基底上形成一個(gè)由Fe-Si-Al組成的下屏蔽層。接著在Fe-Si-Al膜上形成一個(gè)Cu導(dǎo)電膜(厚度約20nm)。然后在Cu導(dǎo)電膜上形成一個(gè)具有多層結(jié)構(gòu)的MR膜，該多層結(jié)構(gòu)為Ni0.68Fe0.20Co0.12(厚度約10nm)/Co0.90Fe0.10(厚度約1nm)/Al2O3(厚度約2nm)/Co(厚度約5nm)/Ir0.20Mn0.80(10nm)。再用濺射法在MR膜上形成一個(gè)Cu導(dǎo)電膜(厚度約20nm)。在把該MR膜成形為圖1所示的MR元件部分的圖案后，用反應(yīng)濺射法形成一個(gè)Si3N4(厚度約100nm)的絕緣膜。在MR元件部分中開(kāi)設(shè)了一些穿孔之后，用濺射法形成一個(gè)Fe-Si-Al的上屏蔽層。這樣就制成了根據(jù)本發(fā)明的MR磁頭。
為了對(duì)比，用類(lèi)似方法制作了一個(gè)含有一個(gè)具有圖2所示的普通MR元件部分的MR磁頭。
測(cè)量了用上述方法制作的兩種磁頭的再生輸出特性，結(jié)果表明，具有圖1所示本發(fā)明結(jié)構(gòu)的MR磁頭能給出穩(wěn)定的高輸出功率特性，而具有圖2所示的對(duì)比結(jié)構(gòu)的MR磁頭起初能給出高輸出功率，但其后輸出功率變得不穩(wěn)定，表明其特性發(fā)生了退化。
如上所述，本發(fā)明提供了一種帶有極小屏蔽隙長(zhǎng)度的高度可靠的薄膜磁頭。
對(duì)于熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人們來(lái)說(shuō)，在不偏離本發(fā)明范疇和精神的情況下將可明顯地看出和容易地做到各種其他的修改。所以不希望把這里所附權(quán)利要求的范疇限制在這里所給出的說(shuō)明上，而希望能夠廣義地理解這些權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種含有一個(gè)屏蔽型磁阻效應(yīng)(MR)頭部分的薄膜磁頭，它包括一個(gè)位在一個(gè)屏蔽隙內(nèi)的MR元件部分，該MR元件部分呈現(xiàn)有巨磁阻效應(yīng)；以及一個(gè)接電層，其設(shè)置使得電流沿著垂直于MR元件部分的一個(gè)薄膜表面的方向流動(dòng)，其中MR元件部分含有第一和第二磁性膜，并且其間還夾有一個(gè)非磁性絕緣膜，第一磁性膜具有軟磁性質(zhì)，設(shè)置在距薄膜磁頭的那個(gè)對(duì)著磁記錄媒體的表面為第一距離的位置處，并且第二磁性膜設(shè)置在距薄膜磁頭的那個(gè)對(duì)著磁記錄媒體的表面為第二距離的位置處，其中第二距離大于第一距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜磁頭，它包括上、下屏蔽金屬磁性膜，這上、下屏蔽金屬磁性膜都通過(guò)一個(gè)非磁性導(dǎo)電膜連接到MR元件部分上，上、下屏蔽金屬磁性膜起著一部分讓電流流入MR元件部分的接電層的作用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜磁頭，其中第二磁性膜被磁耦合到一個(gè)鐵磁性膜上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜磁頭，其中第二磁性膜是一個(gè)硬磁性膜，其磁化曲線(xiàn)具有良好的方形特性，并且待探測(cè)磁場(chǎng)沿著一個(gè)平行于硬磁性膜的易磁化軸方向伸展。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜磁頭，其中MR元件部分還包括設(shè)置在第一、第二磁性膜和非磁性膜之間的至少一個(gè)界面上的界面磁性膜，該界面磁性膜含有Co，厚度約為0.1nm或較大。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的薄膜磁頭，其中界面磁性膜被插入在第一磁性膜和非磁性膜之間，界面磁性膜的厚度在約0.1nm至約1.5nm的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)要求1的薄膜磁頭，其中第一磁性膜含有NixCoyFez(其中x，y，z為原子成分比例，x＝約0.6至約0.9；y＝約0至約0.4；z＝約0至約0.3)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜磁頭，其中第一磁性膜含有Nix’Coy’Fez’(其中x’，y’，z’為原子成分比例，x’＝約0至約0.4；y’＝約0.2至約0.95；z’＝約0至約0.5)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜磁頭，其中第一磁性膜含有一種非晶磁性膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求4的薄膜磁頭，其中硬磁性膜的方形特征值為0.7或更大，方形特征值的定義是剩余磁化強(qiáng)度與飽和磁化強(qiáng)度的比值。
11.根據(jù)權(quán)利要求3的薄膜磁頭，其中金屬反鐵磁性膜含有NiMn、IrMn、PtMn和CrMn中的至少一種。
全文摘要
一種薄膜磁頭含有一個(gè)屏蔽型磁阻效應(yīng)(MR)頭部分,包括:位在一屏蔽隙內(nèi)的MR元件部分,其呈現(xiàn)有巨磁阻效應(yīng);及一接電層,其使得電流沿垂直于MR元件部分的一個(gè)薄膜表面的方向流動(dòng)。MR元件部分含有第一和第二磁性膜,且其間插入有一非磁性絕緣膜。第一磁性膜呈現(xiàn)軟磁性質(zhì),設(shè)置在距薄膜磁頭的那個(gè)對(duì)著磁記錄媒體的表面第一距離處。第二磁性膜設(shè)置在距薄膜磁頭的那個(gè)對(duì)著磁記錄媒體的表面第二距離處,第二距離大于第一距離。
文檔編號(hào)G11B5/39GK1199900SQ9810119
公開(kāi)日1998年11月25日 申請(qǐng)日期1998年4月14日 優(yōu)先權(quán)日1997年4月14日
發(fā)明者榊間博 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社