專利名稱：具有熱噪聲消除功能的mr讀出傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜磁阻(MR)讀出傳感器，特別涉及用于MR讀出傳感器的導(dǎo)線裝置，這種裝置能夠消除帶有移動(dòng)磁介質(zhì)的傳感器接觸點(diǎn)上的微粒熱噪聲(thermal asperity noise)。
MR讀出傳感器采用了一個(gè)MR條或MR層，它的電阻可對(duì)運(yùn)動(dòng)著的磁介質(zhì)，如旋轉(zhuǎn)式磁盤的磁通流產(chǎn)生響應(yīng)從而發(fā)生變化。流過MR條的傳感器電流，與MR條的電阻的變化成比例地變化。MR條的響應(yīng)是基于電阻的變化是如何跟隨著因磁介質(zhì)感應(yīng)而產(chǎn)生的磁通密度變化。
在傳統(tǒng)的讀頭配置中，MR條是一個(gè)薄膜層，它被夾在底端絕緣層G1和頂端絕緣層G2中間，絕緣層又依次夾在底端保護(hù)層S1和頂端保護(hù)層S2中間。保護(hù)層間的距離被稱為“讀間隙”。讀間隙越小，MR讀出傳感器的分辨率越高。通過采用這項(xiàng)技術(shù)，MR讀出傳感器在處理高速數(shù)據(jù)傳輸方面有很大的前途。
MR讀出傳感器遇到的問題之一是在MR條中會(huì)產(chǎn)生大的信號(hào)瞬變過程，這是因?yàn)樵诖沤橘|(zhì)上具有微粒的傳感器接觸造成的。這被稱作“微粒熱噪聲”。比如，當(dāng)傳感器接觸到旋轉(zhuǎn)磁盤上的微粒時(shí)，則在MR條內(nèi)部產(chǎn)生熱量，它改變了MR條的電阻而產(chǎn)生一個(gè)大的信號(hào)瞬變過程。在磁盤驅(qū)動(dòng)器上，當(dāng)由傳感器產(chǎn)生的讀回信號(hào)被放大時(shí)，這樣的信號(hào)瞬變過程將表現(xiàn)為噪音。
MR讀出傳感器的另一個(gè)問題是在傳感器的空氣支撐表面(ABS)和磁存貯介質(zhì)之間出現(xiàn)電短路。如果傳感器的ABS的電位和介質(zhì)的電位不相同，那么當(dāng)兩者接觸時(shí)，會(huì)有電流流過傳感器和介質(zhì)之間。和存貯介質(zhì)的接觸或幾乎接觸，會(huì)增加短路的可能性。在短路一次的情況下，MR讀出傳感器會(huì)被嚴(yán)重地?fù)p傷，使之變得無法再進(jìn)行工作。MR讀出傳感器和介質(zhì)之間的電位差越高，對(duì)傳感器的磁盤損傷也越大。
MR讀出傳感器的另一個(gè)問題是，當(dāng)由鎳鐵合金構(gòu)成屏蔽層時(shí)，在屏蔽層S1、S2和MR條之間可能發(fā)生短路。當(dāng)來自屏蔽層具有導(dǎo)電性的鎳鐵合金越過ABS被弄臟時(shí)，則在操作期間，磁盤頭接觸時(shí)，會(huì)發(fā)生短路。除非置于ABS上的MR條部分或接近等電勢(shì)，否則會(huì)使磁頭停止工作?，F(xiàn)有技術(shù)通過構(gòu)成鐵硅鋁磁合金屏蔽層克服了這個(gè)問題，此屏蔽層避免了被弄污。鐵硅鋁磁合金需要高溫處理，它表現(xiàn)在對(duì)底層需要大大地增加壓力，因此要求對(duì)MR條的磁致伸縮進(jìn)行精密的控制。在MR讀出傳感器準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試期間，鐵硅鋁合金也帶來了噪音。另一方面，鎳鐵合金僅需要相對(duì)簡(jiǎn)單的處理步驟，易于組成磁頭處理過程，且在對(duì)短路問題的處理上，此鐵硅鋁磁合金更可取。
此項(xiàng)發(fā)明提供的MR讀出傳感器解決了前面提到的現(xiàn)有技術(shù)問題的三個(gè)全部問題。即(1)微粒熱噪聲，(2)MR讀出傳感器的ABS和移動(dòng)磁介質(zhì)二間者的電短路，和(3)屏蔽層和MR條層兩者間的電短路。這項(xiàng)發(fā)明提供了與MR讀出傳感器的MR條相連接的三根導(dǎo)線。三根導(dǎo)線中的兩個(gè)以空間分隔關(guān)系沿著MR條的頂端邊緣相連接，并且第三根導(dǎo)線沿著它的底部邊緣和MR條相連接。第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線均有一個(gè)直邊，且第三根導(dǎo)線有一和第二直邊。在MR條的一個(gè)薄膜表面的邊界范圍內(nèi)，導(dǎo)線的所有的邊都相互間隔。第一條導(dǎo)線的直邊和第三條導(dǎo)線的第一直邊相對(duì)于MR條的縱軸以α角相互面對(duì)。第二條導(dǎo)線的直邊和第三條導(dǎo)線的第二垂直邊相對(duì)于MR條的縱軸以β角相互面對(duì)。角α和角β最好取相等，對(duì)于MR條的縱軸近似地為45°角。相同的電流施加到第一和第二導(dǎo)線的每一個(gè)，同時(shí)第三個(gè)沿著MR條的底邊的導(dǎo)線接地。在靜止?fàn)顟B(tài)中，電流從第一條導(dǎo)線流向第三條導(dǎo)線，并且從第二條導(dǎo)線流向第三條導(dǎo)線，這些電流彼此都相等。
通過在第一和第二導(dǎo)線間跨接一個(gè)差分前置放大器克服了微粒熱噪聲問題。當(dāng)MR條由于和磁介質(zhì)相接觸而導(dǎo)致溫度上升時(shí)，它將對(duì)兩個(gè)電流造成相同的影響，但這個(gè)影響將在差分前置放大器中被共模抑制掉。第二個(gè)問題，即MR讀出傳感器和磁介質(zhì)之間的電流短路則通過它的支持設(shè)備將磁介質(zhì)接地來克服。在磁盤驅(qū)動(dòng)設(shè)備中，可將設(shè)備的主軸接地來達(dá)到這個(gè)目的。由于MR條的底邊緣在ABS處也被接地。它將和介質(zhì)具有相同的電位，且MR讀出傳感器和磁介質(zhì)之間的接觸不會(huì)產(chǎn)生影響。第三個(gè)問題，即在ABS處的MR讀出傳感器的墊片這間的電流短路問題，是通過在MR條把底邊處把第三根導(dǎo)線和兩屏蔽層之一相連，且兩個(gè)屏蔽層均接地來克服。這使在MR讀出傳感器的ABS處的全部導(dǎo)電層處于相同的電位，使得在這兒的電流短路沒有作用。在這種安排下，屏蔽層S1和S2可用鎳鐵合金來構(gòu)成，它優(yōu)于鐵硅鋁磁合金。
其它的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)生于這個(gè)MR讀出傳感器前面所提到的安排方式中。沿著它的縱軸，MR讀出傳感器可實(shí)現(xiàn)硬偏磁(hard—biased)，從而MR條具有水平的磁化矢量。如果前面提到的角度α和β均是45°，那么當(dāng)MR條處在靜止?fàn)顟B(tài)時(shí)，兩條導(dǎo)線間的電流流動(dòng)方向都和磁化矢量成45°。這對(duì)改善MR讀出傳感器的運(yùn)行是一個(gè)理想的安排。偏磁將MR條大體上安置在一個(gè)單域狀態(tài)中，這樣可大大地消除巴克好森(Barkhansen)噪音，并且電流和磁化矢量間的45°角可提供一個(gè)橫向偏壓，使MR的運(yùn)行線性化。
本MR讀出傳感器前面提到安排的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可將MR應(yīng)用于恢復(fù)伺服信息。伺服信息來自裝載數(shù)據(jù)信息的同一個(gè)磁道。這個(gè)可以通過和差分前置放大器并行地安排一個(gè)求和前置放大器來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)MR讀出傳感器在磁道上時(shí)，求和前置放大器輸出為零，并且當(dāng)MR讀出轉(zhuǎn)換器偏離磁道時(shí)，求和前置放大器按照傳感器偏離磁道的方向?qū)a(chǎn)生一個(gè)正或負(fù)的輸出。
此項(xiàng)發(fā)明的一個(gè)目的是提供一個(gè)具有以下功能的讀出傳感器消除微粒熱噪聲，消除傳感器和磁介質(zhì)之間的電流短路而造成的損失以及消除在ABS處的MR讀出傳感器導(dǎo)電層間的電流短路而帶來的功能損失。
另一個(gè)目的是用MR讀出傳感器來實(shí)現(xiàn)前面所提出的目標(biāo)，前面所提到的目標(biāo)的這個(gè)傳感器具有高穩(wěn)定性和線性響應(yīng)性。
另一個(gè)目的是在實(shí)現(xiàn)恢復(fù)來自磁介質(zhì)的同一個(gè)磁道上的信息和伺服數(shù)據(jù)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)前面所提到的目的。
更進(jìn)一層的目的是提供一種MR讀出傳感器，在傳感器和磁介質(zhì)之間沒有電流短路問題情況下，利用共模抑制來消除微粒熱噪聲。
另一更進(jìn)一層的目的是在ABS處的MR讀出傳感器的導(dǎo)電層之間沒有電流短路的情況下，實(shí)現(xiàn)前面提到的目的。
當(dāng)考慮其它目的時(shí)，根據(jù)下面對(duì)此項(xiàng)發(fā)明的描述，這些目的將變得很清楚。


圖1是一個(gè)示例性的磁介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器，它采用了改進(jìn)的MR讀出傳感器。
圖2是在磁盤環(huán)形磁道上的一個(gè)MR條的圖解說明。
圖3是具有三根導(dǎo)線相連的MR條的圖解說明。
圖4是圖3中的MR條信號(hào)響應(yīng)的微磁道曲線圖。
圖5是為了實(shí)現(xiàn)圖3中所示的硬偏磁安排，對(duì)夾在一對(duì)永久磁體之間的MR條的圖解說明。
圖6是對(duì)在MR條中的磁化矢量和圖5中的永久磁體層的圖解說明。
圖7與圖3相似，不同之處在于在ABS處的第三條導(dǎo)線與屏蔽層中的一個(gè)相聯(lián)接且僅在兩磁道寬度的范圍內(nèi)擴(kuò)展。
圖8是圖7中MR條信號(hào)響應(yīng)的微磁道曲線圖。
圖9是圖7的一個(gè)放大的側(cè)面圖，它顯示了頂端導(dǎo)線之一連接到MR條的頂邊上，并且底端導(dǎo)線連接到MR條底邊和屏蔽層之一的情況。
圖10是一個(gè)等距圖解說明，它表示夾在具有合適的電氣連接的第一屏蔽層S1和第二屏蔽層S2間的MR條。
圖11與圖7相似，不同之處在于差分前置放大器和求和放大器相并列地連接，目的是為了恢復(fù)處在裝載數(shù)據(jù)信息的同一磁道上的伺服信息。
圖12是圖11中的MR條對(duì)數(shù)據(jù)/伺服磁道運(yùn)載的伺服信息的信號(hào)響應(yīng)的微磁道曲線圖。
圖13是當(dāng)MR條被移到數(shù)據(jù)/伺服磁道的右邊或左邊時(shí)，MR條信號(hào)響應(yīng)的一個(gè)磁道曲線圖。
圖14是與圖3相似的這個(gè)發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，不同之處在第一和第二導(dǎo)線被連接到MR條的底邊上，并且第三導(dǎo)線被連接到第一和第二導(dǎo)線之間的MR條上。
圖15是對(duì)圖14 MR條信號(hào)響應(yīng)的一個(gè)微磁道曲線圖。
圖16是圖14實(shí)施例的結(jié)構(gòu)技術(shù)的圖解說明，在重疊操作期間，這種結(jié)構(gòu)技術(shù)能保持第一和第二導(dǎo)線間的距離。
現(xiàn)在參考圖形，在圖形中，相似的參考數(shù)據(jù)指示了所有的幾個(gè)視圖中相似或類似的地方。在圖1中顯示了一個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器20，它包括一個(gè)旋轉(zhuǎn)磁盤22。磁盤22通過一個(gè)主軸24來支持，主軸24通過一個(gè)馬達(dá)26來旋轉(zhuǎn)，同時(shí)馬達(dá)26被驅(qū)動(dòng)控制28所控制。一個(gè)薄膜MR讀出傳感器30被安裝在滑動(dòng)器32上，滑動(dòng)器由支撐裝置34來支撐。典型情況下，傳感器30也包括一個(gè)寫磁頭，這樣可以從同一個(gè)滑動(dòng)器32上寫信號(hào)和讀出信號(hào)。從傳感器30中輸入和輸出的信號(hào)以及與磁盤22相關(guān)的此傳感器的運(yùn)動(dòng)由磁頭信號(hào)和控制器36來控制，當(dāng)磁盤22旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑動(dòng)器32在一層空氣緩沖墊(空氣支撐)中轉(zhuǎn)動(dòng)，空氣緩沖墊是由磁盤22的運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的。在磁盤22運(yùn)動(dòng)期間，磁頭30和圖2中38所示的循環(huán)數(shù)據(jù)磁道置成一種傳感關(guān)系?；瑒?dòng)器32和傳感器30的底部表面處在一個(gè)被稱為空氣支撐表面(ABS)的平面中。當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，ABS約以0.075μm的距離和磁盤22的表面間隔開來。以上的元件都被裝在機(jī)殼40中。
MR讀出傳感器30包括一個(gè)MR層或條42，在圖2中，在環(huán)形磁道38的上面被圖解顯示。如圖9中所示，MR條被夾在一對(duì)絕緣間隔層G1和G2之間，G1和G2又被夾在一對(duì)屏蔽層S1和S2之間。對(duì)MR讀出傳感器完整結(jié)構(gòu)更進(jìn)一步的詳細(xì)描述，參考Heim和Gill的轉(zhuǎn)讓專利申請(qǐng)，專利號(hào)為No.08/103,487，在這兒通過說明使它具體化了。MR讀出傳感器的所有層都是薄膜，它們由眾所周知的框架板和光板技術(shù)所構(gòu)成。如圖2所示的，MR條42是一個(gè)薄膜，此薄膜具有第一和第二薄膜表面44和46，它們通過頂邊48和底邊50部分地鄰接，底邊50構(gòu)成了MR讀出傳感器的ABS的一部分。
圖3所示給出本發(fā)明60的第一個(gè)實(shí)施例。實(shí)施例包括可位于一對(duì)硬偏磁層64和66之間的一個(gè)MR層或條62。MR條具有一個(gè)薄膜表面68，它部分地通過頂邊70和底邊72來鄰接，底邊70包括ABS的一部分。MR條62有一個(gè)縱軸74，它基本上平行于ABS及ABS的頂邊70和底邊72。第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2以間隔分離關(guān)系連接到MR條的薄膜表面68中，并從MR條的頂邊70向縱軸74方向擴(kuò)展。第三導(dǎo)線與MR條的薄膜表面68相連，并以MR條的底邊72向縱軸74沿伸。底部導(dǎo)線L3最好如圖3中所示的那樣接地。
第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線L2中的任一個(gè)都分別有大體上直的邊78和80，且第三條導(dǎo)線L3具有第一和第二直邊82和84。第一導(dǎo)線的直邊78和第三導(dǎo)線的第一直邊82以一種大體上平行的關(guān)系彼此分離開來，且彼此沿一條與MR條的縱軸成α角的關(guān)系相互面對(duì)。這條線與表示電流J的箭頭同向，這在下文中將有更詳細(xì)的簡(jiǎn)述。第二導(dǎo)線L2的直邊和第三導(dǎo)線L3的第二邊84以一種大體上平行的關(guān)系相互分離開來，并且彼此沿著一條與MR條的縱軸成β角的關(guān)系相互面對(duì)。這條線沿著另一電流I的箭頭方向，下文中將有更詳細(xì)的解釋。
相同的直流電流I施加到第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2上，通過MR條將傳導(dǎo)電流引導(dǎo)到第三導(dǎo)線L3中，從而電流被接地。電流I習(xí)慣上被稱作“傳感電流”。重要的是傳感電流應(yīng)在相同的電位上，彼此間沒有短路地被采用。差分前置放大器86跨接在第一第二導(dǎo)線L1和L2上，且在靜止?fàn)顟B(tài)期間(磁介質(zhì)磁通流流入前)，當(dāng)電流I通過MR條傳導(dǎo)到第三導(dǎo)線L3上時(shí)，放大器沒有輸出。如果MR條接觸到一個(gè)移動(dòng)磁介質(zhì)上，差分前置放大器86的連接可以克服微粒熱噪聲問題。當(dāng)MR讀出傳感器接觸到移動(dòng)磁介質(zhì)的微粒時(shí)，如旋轉(zhuǎn)磁盤時(shí)，它們之間的摩擦?xí)贛R條里產(chǎn)生熱量，這樣會(huì)增加MR條的電阻。這個(gè)電阻可以在兩個(gè)電流I之間出現(xiàn)，在前置放大器86中通過共模抑制可消除它。
如圖3，5和6所示，通過與硬偏磁永久磁體層64和66的連續(xù)接觸，MR條62能被硬偏磁。如果磁化矢量在每個(gè)永久磁層64和66中水平地向左，則在MR條62中的磁化矢量將通過交接和永久磁層64和66的耦合而水平地向左。在MR條62內(nèi)，磁化矢量的這個(gè)相同的方向在圖3和圖6中得到顯示。在來自磁介質(zhì)，如一個(gè)磁盤的一個(gè)北方磁流通流入時(shí)(沒有畫出)，在圖3中位于MR讀出傳感器ABS的下面，在圖3中的磁化矢量M將按順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。磁化矢量M的順時(shí)針旋轉(zhuǎn)將減小MR條中電流I從第一導(dǎo)線L1流到第三導(dǎo)線L3的電阻，并且將增加從第二導(dǎo)線L2流向第三導(dǎo)線L3的電流I的電阻。這將導(dǎo)致第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間的電勢(shì)差。這個(gè)差異加在差分前置放大器上，則可提供一個(gè)信號(hào)輸出，用以表示接收來自如圖2中所表明的數(shù)據(jù)磁道38那樣的一個(gè)磁介質(zhì)數(shù)據(jù)磁道上的信息。一組來自位于ABS之下的磁介質(zhì)的南方磁通流出現(xiàn)時(shí)，可得到帶有相反極性的相同的有用信號(hào)輸出。如果打點(diǎn)線間的MR條的寬度在一個(gè)來自磁介質(zhì)的增量磁通流(點(diǎn)源)上被掃描，則圖4表示了差分前置放大器86的信號(hào)輸出?？梢钥吹皆诘谌龑?dǎo)線L3達(dá)到峰值處，在MR條中央處的曲線圖中有一個(gè)谷點(diǎn)相對(duì)應(yīng)。這是因?yàn)殡娏髟谶@個(gè)位置與其它任一位置上相比要小。如果在打點(diǎn)線間通過積分累加曲線下面的面積，可得到差分前置放大器86的輸出，它代表通過MR條寬度上來自磁介質(zhì)的一個(gè)磁通流。
圖7中表明了這項(xiàng)發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例90。此實(shí)施例和圖3中顯示的實(shí)施例60一致，不同之處在于第三導(dǎo)線L3的寬度被限制MR條的寬度。實(shí)施例90優(yōu)于實(shí)施例60之處可以通過比較圖8和圖4中的微磁道曲線圖而看到。在圖3中，來自第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2的電流I的一部分，通過硬偏磁層64和66被傳到擴(kuò)展很寬的第三導(dǎo)線L3中。這些導(dǎo)通的路徑部分地短接了由MR的組成部分62所產(chǎn)生的信號(hào)，并削弱了合成信號(hào)。由于圖7中的實(shí)施例90的第三導(dǎo)線L3限于打點(diǎn)線間的磁道寬度范圍，因而這些導(dǎo)通的路徑大部分被取消了，從而增大了信號(hào)。
當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)線L3接地時(shí)，位于ABS處的MR讀出傳感器和磁介質(zhì)之間會(huì)發(fā)生短路，磁介質(zhì)作為和MR讀出傳感器相關(guān)的第二個(gè)問題，已在上面作了討論。這個(gè)問題可以通過如圖1所示的主軸24接地得以克服。相應(yīng)地，當(dāng)磁盤22由主軸24支撐時(shí)，它同樣地被接地。既然MR讀出傳感器在它的ABS處和地相接，而磁盤22又通過主軸24接地(它們的電位相同)，因而這些元件之間的短路沒有影響。
圖9所示了實(shí)施例90或60之一的第三導(dǎo)線L3的一種連接方式，這種連接是為了消除MR讀出傳感器在ABS處的導(dǎo)電層之間的短路，作為和MR讀出傳感器相關(guān)的第三個(gè)問題在前面已作了闡述。通過使第三導(dǎo)線L3的厚度足夠厚以使MR條和屏蔽層S1或S2之一進(jìn)行電連接而得以完成。第一屏蔽層S1和第二屏蔽層S2如圖9所述那樣接地。在這種安排下，所有的導(dǎo)電層在ABS處都具有相同的電位，且它們之間的任何電路均不會(huì)有影響。這種安排還可以保持這些導(dǎo)電元件均接地，這對(duì)阻止這些導(dǎo)電層和位于ABS之下的磁介質(zhì)之間的電短路是很重要的。這種安排還進(jìn)一步地使得屏蔽層S1和S2由鎳鐵合金構(gòu)成，這比選擇鐵硅鋁磁合金更佳。所示的第二導(dǎo)線L2連接于MR條的頂部邊緣。第一導(dǎo)線L1也應(yīng)以同樣方式進(jìn)行連接。MR讀出傳感器的全部電路框圖如圖10所示。第三導(dǎo)線L3連接在MR條和第二屏蔽層S2之間，且第一屏蔽層S1和第二屏蔽層S2均接地，第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2在同一電位接收同樣的電流I，并都接到差分前置放大器86上。
第一導(dǎo)線L1，第二導(dǎo)線L2和第三導(dǎo)線L3的唯一安排，可以使MR讀出傳感器除了從同一個(gè)磁介質(zhì)的磁道上獲得數(shù)據(jù)信息外，還可以得到伺服信息。這由圖11所示的實(shí)施例100來實(shí)現(xiàn)。求和前置放大器102和差分前置放大器86并列地連在第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2這間。求和前置放大器102的微磁道曲線如圖12所示。這是一個(gè)輸出，如果MR條經(jīng)過來自磁介質(zhì)磁道的增量或磁通流而被掃描，則這個(gè)輸出可由前置放大器102實(shí)現(xiàn)。由圖13表示了當(dāng)MR條從中央磁道位置移到右邊或左邊時(shí)，求和前置放大器102對(duì)經(jīng)過MR條寬度的磁通量流的信號(hào)響應(yīng)。這可以提供位置錯(cuò)誤信息(PES)，這個(gè)信號(hào)用于使MR讀出傳感器回到磁道上。從圖13可以得到，當(dāng)MR讀出傳感器位于磁道中央位置時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)零位置錯(cuò)誤信號(hào)響應(yīng)。
圖14表示了關(guān)于MR條的第一導(dǎo)線L1。第二導(dǎo)線L2和第三導(dǎo)線L3的另一種不同安排。實(shí)施例110以如在112處所示的一種間隔分離關(guān)系，將第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2連接于MR條的底部邊緣72上。第一導(dǎo)線L1有一條直邊緣114，且第二導(dǎo)線L2有一條直邊緣116。位于第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間的是第三導(dǎo)線L3，它和第一導(dǎo)線L1及第二導(dǎo)線L2之間是一種空間分離關(guān)系。第三導(dǎo)線L3具有第一直邊緣118和第二直邊緣120。第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2通過電感器122和124接地。第三導(dǎo)線L3由電流源一2I供電。電流I會(huì)從第一導(dǎo)線L1的直邊緣114流到第三導(dǎo)線L3的第一直邊118，且另一支電流I會(huì)從第二導(dǎo)線L2的直邊緣116流入第三導(dǎo)線L3的第二直邊緣120。這兩支電流I當(dāng)傳感器處于靜態(tài)(即當(dāng)從磁介質(zhì)中接收不到磁通量流時(shí))時(shí)大小是相等的。差分前置放大器86跨接在第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間，當(dāng)在ABS底部的磁介質(zhì)(未顯示)產(chǎn)生磁通量流時(shí)，這個(gè)放大器會(huì)檢測(cè)到電位差。這會(huì)導(dǎo)致MR條里面的磁向量M旋轉(zhuǎn)。雖然實(shí)施例110顯示導(dǎo)線的安排可以與原來相反，但這種與原來安排相反的實(shí)施例對(duì)于當(dāng)有交流信號(hào)通過時(shí)，在ABS處的間隔112處產(chǎn)生的第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間的短路不會(huì)不受影響。基于這個(gè)原因，應(yīng)采用前一種實(shí)施例。構(gòu)成實(shí)施例110的安排如圖16所示。第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2以與ABS垂直的關(guān)系122和124而構(gòu)造。相應(yīng)地，當(dāng)傳感器的搭接沒超過連線126時(shí)，在ABS處第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間的距離可得以保持。
顯然，根據(jù)以上的方法，這頂發(fā)明會(huì)有多種改進(jìn)形式和其它形式。因而可以理解，在附加權(quán)利要求的范圍內(nèi)，這項(xiàng)發(fā)明可以用多于詳細(xì)說明中所述的方式而實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.MR讀出傳感器，其特征在于包括一個(gè)延長(zhǎng)的MR條，它具有一個(gè)縱向軸，該軸位于頂邊和底邊之間；第一和第二導(dǎo)線，沿MR條的一條邊緣，以一種間隔分離出的關(guān)系和MR條相連，以及第三導(dǎo)線，它沿MR條的另一邊緣和它相邊；第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線均具有一條邊緣，第三導(dǎo)線具有第一和第二邊緣，所有邊緣之間均彼此被隔開；第一導(dǎo)線的邊緣和第三導(dǎo)線的第一邊緣，它們彼此之間以和MR條的縱向軸成α角而相互間隔開來；和第二導(dǎo)線的邊緣和第三導(dǎo)線的第二邊緣，它們彼此之間以和MR條的縱向軸成β角而相互間隔開來。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器包括MR讀出傳感器，磁盤驅(qū)動(dòng)器其特征在于包括用于轉(zhuǎn)動(dòng)磁盤的主軸；和主軸被接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由鎳鐵合金構(gòu)成的第一和第二屏蔽層；位于第一和第二屏蔽層之間的MR條；沿底部邊緣和MR條相連的任何一個(gè)導(dǎo)線被連接到一個(gè)屏蔽層；和被接地的第一和第二屏蔽層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括大體相等的角度α和β。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括角度α和β大體均為45°角；和第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線的邊緣延長(zhǎng)線大體成90°角；第三導(dǎo)線的第一和第二邊緣延長(zhǎng)線大體成90°角。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括具有第一和第二薄膜層的MR條，薄膜層之間通過頂部和底部邊緣部分鄰接；和扁平狀的導(dǎo)線，被置于第一薄膜層上面，導(dǎo)線的邊緣在第一薄膜層的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括傳感電路器件，和第一、第二、第三導(dǎo)線相連，用于在第一和第三導(dǎo)線這間傳感電流及在第二和第三導(dǎo)線之間傳感電流；和在第一和第三導(dǎo)線之間的電流與在第二和第三導(dǎo)線之間的電流大致相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括傳感電路器件，包括一個(gè)差分前置放器器，跨接在第一和第二導(dǎo)線上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括伺服電路器件，包括一個(gè)求和前置放大器，跨接在第一和第二導(dǎo)線上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器包括MR讀出傳感器，其特征在于包括一個(gè)受MR條的底部邊緣支撐的磁盤；和具有環(huán)形磁道的磁盤，用于運(yùn)載信息和伺服數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括具有第一和第二間隔分離的邊緣的磁道；和伺服數(shù)據(jù)，包括一個(gè)由磁道的第一邊緣擴(kuò)展到其第二邊緣的脈沖。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)線，沿MR條的頂部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)線，沿MR條的底部邊緣和MR條相連；和MR的底部邊緣，沿MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)線，沿MR條的底部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)線，沿MR條的頂部邊緣和MR條相連；和MR條的底部邊緣，沿MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括MR條，沿著它的縱向軸被偏磁。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括用于使MR條沿著它的縱向軸發(fā)生硬偏磁的器件。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括任何沿MR條被接地的底部邊緣和MR條相連的導(dǎo)線。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由鎳鐵合金構(gòu)成的第一和第二屏蔽層；MR條，位于第一和第二屏蔽層中間；沿著底部邊緣，與MR條相連的任何導(dǎo)線，其中底部邊緣被連接到一個(gè)屏蔽層上；和被接地的第一和第二屏蔽層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括角α和β大體相同。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括角α和β均大致45°角；第一和第二導(dǎo)線的邊緣的延長(zhǎng)線大致成90°角；和第三導(dǎo)線的第一和第二邊緣的延長(zhǎng)線大致成90°角。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括傳感電路器件，連接在第一和第二、第三導(dǎo)線上，用于傳送第一和第三導(dǎo)線間的感應(yīng)電流，且傳送第二和第三導(dǎo)線間的感應(yīng)電流；和第一和第三導(dǎo)線中的電流與第二和第三導(dǎo)線中的電流大致相同。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由包括下列內(nèi)容而表明其特征MR條，具有第一和第二薄膜層，薄膜層限制在底部和頂部邊緣之間；和扁平條狀導(dǎo)線，被置于第一薄膜層口，且導(dǎo)線的邊緣在第一薄膜層的范圍內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括傳感電路裝置，包括一個(gè)差分前置放大器，它跨接在第一和第二導(dǎo)線上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括伺服電路裝置，包括一個(gè)求和前置放大器，它跨接在第一和第二導(dǎo)線上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由MR條的底部邊緣所支撐的磁盤；和具有環(huán)形磁道的磁盤，用于運(yùn)載信息和伺服數(shù)據(jù)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括具有第一和第二間隔分離邊緣的磁盤；和伺服數(shù)據(jù)，包括由磁道的第一邊緣擴(kuò)展到第二邊緣的一個(gè)脈沖。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)線，沿MR條的頂部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)線，沿著MR條的底部邊緣和MR條相連；和MR條的底部邊緣，沿著MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
27.MR讀出傳感器，其特征在于包括延長(zhǎng)的MR條，它有一個(gè)縱向的軸；MR條，具有第一和第二薄膜層，且薄膜層限于頂部和底部邊緣之間；第一和第二導(dǎo)電帶，和第一薄膜層以一種間隔分離關(guān)系方式相連，并從MR條的邊緣之一擴(kuò)展到所述的縱向軸；第三導(dǎo)電帶，和第一薄膜層相連，并從MR條的另一邊緣擴(kuò)展到所述的縱向軸；任何一個(gè)沿所述的接地的底部邊緣和MR條相連的導(dǎo)電帶；第一和第二導(dǎo)電帶均有一條大致直的邊緣，且第三導(dǎo)通帶有第一和第二直邊緣；第一導(dǎo)電帶的直邊緣和第三導(dǎo)電帶的第一直邊緣，它們以大體平行的關(guān)系彼此間隔開來，并且沿一條和MR條的縱向軸成α角彼此相對(duì)；第二導(dǎo)通帶的直邊緣和第三導(dǎo)通帶的第二邊緣，它們以大體平行的關(guān)系彼此間隔開來，并且沿一條和MR條的縱向軸成β角彼此相對(duì)；和用于使MR條沿著其縱向軸進(jìn)行硬偏磁的器件。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器包括MR讀出傳感器，磁盤驅(qū)動(dòng)器其特征在于包括用于旋轉(zhuǎn)磁盤的主軸；和主軸被接地。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由鎳鐵合金構(gòu)成的第一和第二屏蔽層；MR條，位于第一和第二屏蔽層中間；沿MR條的底部邊緣和MR條相連的任意導(dǎo)線，且底部邊緣被連接到MR條的一個(gè)屏蔽層上；和第一和第二屏蔽層被接地。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括大致相等的角α和β；傳感電路裝置，和第一、第二、第三導(dǎo)線相連，用于傳送第一和第三導(dǎo)線間的感應(yīng)電流，且傳送第二和第三導(dǎo)線之間的感應(yīng)電流；知第一和第二導(dǎo)線中的電流與第二和第三導(dǎo)線中的電流大致相等。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器包括MR讀出傳感器，磁盤驅(qū)動(dòng)器其特征在于包括傳感電路裝置，包括一個(gè)差分前置放大器，跨接在第一和第二導(dǎo)線之間；伺服電路裝置，包括一個(gè)求和前置放大器，跨接在第一和第二導(dǎo)線之間；由MR條的底部邊緣支撐的磁盤；這個(gè)磁盤具有一個(gè)環(huán)形信息磁道；磁道也包括伺服數(shù)據(jù)；磁道有第一和第二間隔分離邊緣；和伺服數(shù)據(jù)，包括由磁道第一邊緣擴(kuò)展到磁道第二邊緣的一個(gè)脈沖。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括角α和β大體上均為45°角；第一和第二導(dǎo)電帶邊緣的延長(zhǎng)線大體上相交成90°角；和第三導(dǎo)電帶的第一和第二邊緣延長(zhǎng)線大體上相交成90°角。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)電帶，沿著MR條的頂部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)電帶，沿著MR條的底部邊緣和MR條相連；和MR條的底部邊緣，沿著MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)線，沿著MR條的底部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)線，沿著MR條的頂部邊緣和MR條相連；和MR條的底部邊緣，沿著MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
全文摘要
和MR讀出傳感器的MR條相連的三根導(dǎo)線L1、L2、L3被安排在一個(gè)電路中。分別實(shí)施到第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2上的等量電流從各自本身以一定角度流向第三導(dǎo)線L3，這個(gè)角度的大小應(yīng)和縱向軸或MR條的ABS成45°角。一個(gè)差分前置放大器，跨接在第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2上。第三導(dǎo)線L3和磁介質(zhì)的支持器件均接地。第三導(dǎo)線使MR條與屏蔽層S1和S2之一內(nèi)部互聯(lián)，且兩個(gè)保護(hù)層均接地，以防止因這些導(dǎo)電層在ABS處短路而造成的信號(hào)損失。
文檔編號(hào)G11B5/48GK1127914SQ9411953
公開日1996年7月31日 申請(qǐng)日期1994年12月20日 優(yōu)先權(quán)日1994年4月15日
發(fā)明者大衛(wèi)·E·海姆, 鮑-康·王 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司