本申請涉及非易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置的操作。
背景技術(shù):
1、本節(jié)段提供與本公開相關(guān)聯(lián)的技術(shù)相關(guān)的背景信息,并且由此不一定為現(xiàn)有技術(shù)。
2、半導(dǎo)體存儲器廣泛用于各種電子設(shè)備,諸如蜂窩電話、數(shù)碼相機、個人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動計算設(shè)備、服務(wù)器、固態(tài)驅(qū)動器、非移動計算設(shè)備和其他設(shè)備。半導(dǎo)體存儲器可以包括非易失性存儲器或易失性存儲器。即使當非易失性存儲器未連接至電源(例如,電池)時,非易失性存儲器也允許存儲和保留信息。
3、希望減小此類存儲器裝置的尺寸,然而,在減小存儲器裝置的某些部件的尺寸方面存在各種限制。因此,需要一種改進的存儲器裝置和操作方法,其在維持合適的操作和速度的同時提供尺寸的減小。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本節(jié)段提供了本公開的一般概述,并且不是其全部范圍或其所有特征和優(yōu)點的全面公開。
2、本公開的目的是提供解決和克服上述缺點的存儲器裝置和操作該存儲器裝置的方法。
3、因此,本公開的一個方面是提供一種包括存儲器單元的存儲器裝置,該存儲器單元各自連接到多個字線中的一者??刂蒲b置耦接到多個字線,并且被配置為在編程操作的多個編程循環(huán)期間,將量值以編程步長量增加的編程電壓的多個脈沖施加到多個字線中的選定字線,同時將至少一個通過電壓施加到多個字線中的未選定字線??刂蒲b置還被配置為基于編程電壓調(diào)整至少一個通過電壓。
4、根據(jù)本公開的另一方面,還提供了一種與包括存儲器單元的存儲器裝置通信的控制器,該存儲器單元各自連接到多個字線中的一者??刂破鞅慌渲脼橹甘敬鎯ζ餮b置在編程操作的多個編程循環(huán)期間,將量值以編程步長量增加的編程電壓的多個脈沖施加到多個字線中的選定字線,同時將至少一個通過電壓施加到多個字線中的未選定字線。控制器還還被配置為基于編程電壓調(diào)整至少一個通過電壓。
5、根據(jù)本公開的附加方面,提供了一種操作存儲器裝置的方法。存儲器裝置包括各自連接到多個字線中的一者的存儲器單元。該方法包括以下步驟:在編程操作的多個編程循環(huán)期間將量值以編程步長量增加的編程電壓的多個脈沖施加到多個字線中的選定字線,同時將至少一個通過電壓施加到多個字線中的未選定字線。該方法還包括基于編程電壓調(diào)整至少一個通過電壓的步驟。
6、根據(jù)本文提供的描述,另外的適用領(lǐng)域?qū)⒆兊蔑@而易見。本
技術(shù)實現(xiàn)要素:
中的描述和具體示例僅旨在用于例證的目的,并非旨在限制本發(fā)明的范圍。
1.一種存儲器裝置,所述存儲器裝置包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置,其中所述多個字線和多個介電層水平延伸并且在堆疊中以交替方式彼此重疊,所述存儲器單元設(shè)置在豎直延伸穿過所述堆疊的存儲器孔中,并且被配置為保持與多個數(shù)據(jù)狀態(tài)中的一者對應(yīng)的閾值電壓,所述存儲器單元串聯(lián)連接在每個所述存儲器孔的漏極側(cè)上的漏極側(cè)選擇柵極晶體管與每個所述存儲器孔的源極側(cè)上的源極側(cè)選擇柵極晶體管之間,每個所述存儲器孔的所述漏極側(cè)選擇柵極晶體管連接到多個位線中的一者,并且每個所述存儲器孔的所述源極側(cè)選擇柵極晶體管連接到源極線,第一相鄰字線緊鄰所述堆疊中的所述多個字線中的每個選定字線并且豎直地設(shè)置在每個選定字線上方,并且第二相鄰字線緊鄰所述堆疊中的所述多個字線中的每個選定字線并且豎直地設(shè)置在每個選定字線下方,所述至少一個通過電壓包括第一通過電壓和第二通過電壓,并且所述控制裝置還被配置為在所述編程操作期間將所述第一通過電壓施加到所述第一相鄰字線并且將所述第二通過電壓施加到所述第二相鄰字線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置,其中所述控制裝置還被配置為響應(yīng)于所述編程電壓達到預(yù)定最大編程電壓而使施加到所述第一相鄰字線的所述第一通過電壓以增量通過電壓斜線上升。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器裝置,其中所述增量通過電壓等于所述編程步長量。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置,其中所述控制裝置還被配置為響應(yīng)于所述編程電壓等于預(yù)定最大編程電壓減去兩倍的所述編程步長量或等于所述預(yù)定最大編程電壓減去所述編程步長量而使施加到所述第一相鄰字線的所述第一通過電壓以增量通過電壓斜線上升。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器裝置,其中所述增量通過電壓等于所述編程步長量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置,所述存儲器裝置還包括耦接到所述多個字線的字線開關(guān),其中所述字線開關(guān)各自被配置為保持開關(guān)閾值電壓,并且選擇性地將所述多個字線中的一者或多者連接到公共驅(qū)動器,以用于在所述編程操作期間將電壓供應(yīng)到所述多個字線中的所述一者或多者,所述字線開關(guān)通過用于提供電隔離的淺溝槽隔離間距彼此分離,并且所述至少一個通過電壓被選擇為降低跨所述淺溝槽隔離間距的電場。
8.一種與存儲器裝置通信的控制器,所述存儲器裝置包括存儲器單元,所述存儲器單元各自連接到多個字線中的一者,所述控制器被配置為:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制器,其中所述多個字線和多個介電層水平延伸并且在堆疊中以交替方式彼此重疊,所述存儲器單元設(shè)置在豎直延伸穿過所述堆疊的存儲器孔中,并且被配置為保持與多個數(shù)據(jù)狀態(tài)中的一者對應(yīng)的閾值電壓,所述存儲器單元串聯(lián)連接在每個所述存儲器孔的漏極側(cè)上的漏極側(cè)選擇柵極晶體管與每個所述存儲器孔的源極側(cè)上的源極側(cè)選擇柵極晶體管之間,每個所述存儲器孔的所述漏極側(cè)選擇柵極晶體管連接到多個位線中的一者,并且每個所述存儲器孔的所述源極側(cè)選擇柵極晶體管連接到源極線,第一相鄰字線緊鄰所述堆疊中的所述多個字線中的每個選定字線并且豎直地設(shè)置在每個選定字線上方,并且第二相鄰字線緊鄰所述堆疊中的所述多個字線中的每個選定字線并且豎直地設(shè)置在每個選定字線下方,所述至少一個通過電壓包括第一通過電壓和第二通過電壓,并且所述控制器還被配置為指示所述存儲器裝置在所述編程操作期間將所述第一通過電壓施加到所述第一相鄰字線并且將所述第二通過電壓施加到所述第二相鄰字線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的控制器,其中所述控制器還被配置為響應(yīng)于所述編程電壓達到預(yù)定最大編程電壓而使施加到所述第一相鄰字線的所述第一通過電壓以增量通過電壓斜線上升。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的控制器,其中所述增量通過電壓等于所述編程步長量。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的控制器,其中所述控制器還被配置為指示所述存儲器裝置響應(yīng)于所述編程電壓等于預(yù)定最大編程電壓減去兩倍的所述編程步長量或等于所述預(yù)定最大編程電壓減去所述編程步長量而使施加到所述第一相鄰字線的所述第一通過電壓以增量通過電壓斜線上升。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制器,其中所述存儲器裝置還包括耦接到所述多個字線的字線開關(guān),所述字線開關(guān)各自被配置為保持開關(guān)閾值電壓,并且選擇性地將所述多個字線中的一者或多者連接到公共驅(qū)動器,以用于在所述編程操作期間將電壓供應(yīng)到所述多個字線中的所述一者或多者,所述字線開關(guān)通過用于提供電隔離的淺溝槽隔離間距彼此分離,并且所述至少一個通過電壓被選擇為降低跨所述淺溝槽隔離間距的電場。
14.一種操作存儲器裝置的方法,所述存儲器裝置包括存儲器單元,所述存儲器單元各自連接到多個字線中的一者,所述方法包括以下步驟:
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述多個字線和多個介電層水平延伸并且在堆疊中以交替方式彼此重疊,所述存儲器單元設(shè)置在豎直延伸穿過所述堆疊的存儲器孔中,并且被配置為保持與多個數(shù)據(jù)狀態(tài)中的一者對應(yīng)的閾值電壓,所述存儲器單元串聯(lián)連接在每個所述存儲器孔的漏極側(cè)上的漏極側(cè)選擇柵極晶體管與每個所述存儲器孔的源極側(cè)上的源極側(cè)選擇柵極晶體管之間,每個所述存儲器孔的所述漏極側(cè)選擇柵極晶體管連接到多個位線中的一者,并且每個所述存儲器孔的所述源極側(cè)選擇柵極晶體管連接到源極線,第一相鄰字線緊鄰所述堆疊中的所述多個字線中的每個選定字線并且豎直地設(shè)置在每個選定字線上方,并且第二相鄰字線緊鄰所述堆疊中的所述多個字線中的每個選定字線并且豎直地設(shè)置在每個選定字線下方,所述至少一個通過電壓包括第一通過電壓和第二通過電壓,并且所述方法還包括在所述編程操作期間將所述第一通過電壓施加到所述第一相鄰字線并且將所述第二通過電壓施加到所述第二相鄰字線的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,所述方法還包括響應(yīng)于所述編程電壓達到預(yù)定最大編程電壓而使施加到所述第一相鄰字線的所述第一通過電壓以增量通過電壓斜線上升的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述增量通過電壓等于所述編程步長量。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,所述方法還包括響應(yīng)于所述編程電壓等于預(yù)定最大編程電壓減去兩倍的所述編程步長量或等于所述預(yù)定最大編程電壓減去所述編程步長量而使施加到所述第一相鄰字線的所述第一通過電壓以增量通過電壓斜線上升的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其中所述增量通過電壓等于所述編程步長量。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述存儲器裝置還包括耦接到所述多個字線的字線開關(guān),所述字線開關(guān)各自被配置為保持開關(guān)閾值電壓,并且選擇性地將所述多個字線中的一者或多者連接到公共驅(qū)動器,以用于在所述編程操作期間將電壓供應(yīng)到所述多個字線中的所述一者或多者,所述字線開關(guān)通過用于提供電隔離的淺溝槽隔離間距彼此分離,并且所述方法還包括選擇所述至少一個通過電壓以降低跨所述淺溝槽隔離間距的電場的步驟。