本實(shí)用新型涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)器及電子標(biāo)簽。

背景技術(shù)：

非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile memory）可以在沒有電源的情況下儲(chǔ)存數(shù)據(jù)而不會(huì)丟失，因此在很多集成電子器件中越來越多的被使用，尤其是集成在射頻識(shí)別芯片中的使用，可以用來存儲(chǔ)芯片序號(hào)、產(chǎn)品編碼、密鑰、操作指令、用戶數(shù)據(jù)等。而傳統(tǒng)的電可擦除存儲(chǔ)器（EEPROM）采用浮柵存儲(chǔ)場(chǎng)效應(yīng)管，這種結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器工藝復(fù)雜，無法與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容，制造成本高昂?，F(xiàn)有技術(shù)中也有單層多晶硅非易失性儲(chǔ)器，其解決了與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容的問題，但由于其傳輸管與高壓直接相連，減弱了對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的保持特性，同時(shí)輸入數(shù)據(jù)直接與控制電容相連，降低了數(shù)據(jù)輸入的抗干擾能力。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持和抗干擾能力均較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述數(shù)據(jù)保持能力較差、抗干擾能力較差的缺陷，提供一種數(shù)據(jù)保持能力較好、抗干擾能力較好的非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)器及電子標(biāo)簽。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，包括第一控制場(chǎng)效應(yīng)管、第二控制場(chǎng)效應(yīng)管、第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管、第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管、第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管和第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管；所述第一控制場(chǎng)效應(yīng)管、第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管和第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接在一起，形成第一浮柵；所述第二控制場(chǎng)效應(yīng)管、第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管和第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接在一起，形成第二浮柵；所述第一控制場(chǎng)效應(yīng)管的源極、漏極和襯底連接在一起，并與連接在一起的第二控制場(chǎng)效應(yīng)管的源極、漏極和襯底并接在數(shù)據(jù)輸入端；所述第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管的源極、漏極和襯底連接在一起，并與連接在一起的第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管的源極、漏極和襯底并接在隧穿電壓輸入端；所述第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管的源極分別連接在讀使能信號(hào)輸入端，所述第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管的漏極并接在一起后連接在數(shù)據(jù)輸出端，所述第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管的襯底分別連接在所述讀使能信號(hào)輸入端。

更進(jìn)一步地，所述第一控制場(chǎng)效應(yīng)管、第二控制場(chǎng)效應(yīng)管、第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管、第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管、第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管和第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管均為p型溝道場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底包括n阱。

本實(shí)用新型還涉及一種非易失性存儲(chǔ)單元，包括第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元、第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元、數(shù)據(jù)鎖存單元、第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管和第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管；所述數(shù)據(jù)鎖存單元將其連接的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出端上的不同的數(shù)據(jù)值鎖存在該數(shù)據(jù)輸出端上；所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管和第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管分別在地址選擇信號(hào)的作用下導(dǎo)通使得其連接的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出端上數(shù)據(jù)輸出；其中，所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元是如上述的非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。

更進(jìn)一步地，所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接在地址選擇信號(hào)輸入端，其漏極連接在第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出端，其源極輸出所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)；所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接在所述地址選擇信號(hào)輸入端，其漏極連接在第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出端，其源極輸出所述第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。

更進(jìn)一步地，所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管的襯底分別連接在所述讀使能信號(hào)輸入端。

更進(jìn)一步地，所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管均為p型溝道場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底包括n阱。

更進(jìn)一步地，所述數(shù)據(jù)鎖存單元包括第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng)效應(yīng)管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng)效應(yīng)管均為n溝道場(chǎng)效應(yīng)管；所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極、所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出端連接在一起；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極、所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和所述第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出端連接在一起；所述第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接在一起并接地。

本實(shí)用新型還涉及一種非易失性存儲(chǔ)器，包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元，所述非易失性存儲(chǔ)單元是如上述的非易失性存儲(chǔ)單元；所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元對(duì)齊排列，使得一個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元中的兩個(gè)存儲(chǔ)單元在同一行而形成存儲(chǔ)單元陣列；所述存儲(chǔ)單元陣列中每一行的讀使能信號(hào)輸入端連接在一起，每一行的隧穿電壓輸入端連接在一起，每一行的地址選擇信號(hào)輸入端連接在一起。每一列存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸入信號(hào)連接在一起，每一列存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出信號(hào)連接在一起。

本實(shí)用新型還涉及一種電子標(biāo)簽，包括用于存放該電子標(biāo)簽的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器， 所述存儲(chǔ)器是如上述的存儲(chǔ)器。

實(shí)施本實(shí)用新型的非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)器及電子標(biāo)簽，具有以下有益效果：在本實(shí)施例中，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)而言，在其數(shù)據(jù)輸入端和數(shù)據(jù)輸出端看來，該存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)浮柵是并聯(lián)的，因此其存儲(chǔ)的電荷較多，而數(shù)據(jù)在輸出時(shí)是通過將兩個(gè)浮柵場(chǎng)效應(yīng)管的漏極并聯(lián)后輸出，所以其數(shù)據(jù)保持能力較強(qiáng)，抗干擾能力也較強(qiáng)。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)器及電子標(biāo)簽實(shí)施例中非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的電路圖；

圖2是所述實(shí)施例中非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的等效圖；

圖3是所述實(shí)施例中存儲(chǔ)單元的電路圖；

圖4是所述實(shí)施例中存儲(chǔ)器中部分非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的陣列結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，在本實(shí)用新型的非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)器及電子標(biāo)簽實(shí)施例中，該非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括第一控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc1、第二控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc2、第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1、第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2、第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf1和第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2；所述第一控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc1、第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1和第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極Mf1連接在一起，形成第一浮柵fg1；所述第二控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc2、第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2和第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2的柵極連接在一起，形成第二浮柵fg2；所述第一控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc1的源極、漏極和襯底連接在一起，并與連接在一起的第二控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc2的源極、漏極和襯底并接在數(shù)據(jù)輸入端；所述第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1的源極、漏極和襯底連接在一起，并與連接在一起的第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2的源極、漏極和襯底并接在隧穿電壓輸入端（圖1中標(biāo)記為TUN）；所述第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf1和所述第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2的源極分別連接在讀使能信號(hào)輸入端（圖1中標(biāo)記為REN），所述第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf1和所述第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2的漏極并接在一起后連接在數(shù)據(jù)輸出端（圖1中標(biāo)記為S1），所述第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf1和所述第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2的襯底分別連接在上述讀使能信號(hào)輸入端REN。在本實(shí)施例中，上述第一控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc1、第二控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc2、第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1、第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2、第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf1和第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2均為p型溝道場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底包括n阱。

圖2為本實(shí)施例中上述非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的等效電路圖。由圖2中可以清楚地看到，在本實(shí)施例中，上述控制場(chǎng)效應(yīng)管和所述隧穿場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際用來作為電容使用，便于電荷在浮柵上的集聚及消除。

在本實(shí)施例中，還涉及一種由上述非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)組成的非易失性存儲(chǔ)單元。如圖3所示，該非易失性存儲(chǔ)單元包括第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1、第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2、數(shù)據(jù)鎖存單元3、第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1和第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2；所述數(shù)據(jù)鎖存單元3將其連接的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出端上的不同的數(shù)據(jù)值鎖存在該數(shù)據(jù)輸出端上；所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1和第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2分別在地址選擇信號(hào)的作用下導(dǎo)通使得其連接的上述兩個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出端上的數(shù)據(jù)輸出；其中，所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2是如上述的非易失性存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。也就是說，上述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1的柵極連接在地址選擇信號(hào)輸入端，其漏極連接在第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1的數(shù)據(jù)輸出端，其源極輸出所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1的數(shù)據(jù)；所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2的柵極連接在所述地址選擇信號(hào)輸入端，其漏極連接在第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2的數(shù)據(jù)輸出端，其源極輸出所述第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2的數(shù)據(jù)。而所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1和所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2的襯底分別連接在所述讀使能信號(hào)輸入端。在本實(shí)施例中，所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1和所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2均為p型溝道場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底包括n阱。

在本實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)鎖存單元3包括第一場(chǎng)效應(yīng)管M1和第二場(chǎng)效應(yīng)管M2，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管M1和第二場(chǎng)效應(yīng)管M2均為n溝道場(chǎng)效應(yīng)管；所述第一場(chǎng)效應(yīng)管M1的漏極、所述第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的柵極和所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1的數(shù)據(jù)輸出端連接在一起；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的漏極、所述第一場(chǎng)效應(yīng)管M1的柵極和所述第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2的數(shù)據(jù)輸出端連接在一起；所述第一場(chǎng)效應(yīng)管M1和第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的源極連接在一起并接地。

總體上來講，在本實(shí)施例中，非易失性存儲(chǔ)單元中的第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1的第一控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc1和第二控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc2的源極、漏極、n阱短接，構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)，并連接到數(shù)據(jù)輸入端口D0。第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2的第三控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc3和第四控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc4的源極、漏極、n阱短接，構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)，并連接到數(shù)據(jù)輸入端口D1。第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1的第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1和第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2的源極、漏極被簡(jiǎn)化，形成電容結(jié)構(gòu)，通過n阱與隧穿電壓輸入端TUN相連。第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2的第三隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt3和第四隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt4的源極、漏極被簡(jiǎn)化，形成電容結(jié)構(gòu)，通過n阱與高壓信號(hào)TUN相連。第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1的第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf1的源極和第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2的源極相連并連接到讀使能信號(hào)輸入端REN，第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mt1的漏極和第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mt2的漏極相連并與所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管M1的源極以及數(shù)據(jù)鎖存單元3的數(shù)據(jù)端S1相連。第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf1的柵極、第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1的柵極與第一控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc1的柵極相連，形成浮柵，用來存儲(chǔ)電荷，第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2的柵極、第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2的柵極與第二控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc2的柵極相連，形成浮柵，用來存儲(chǔ)電荷。第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2的第三浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf3的源極和第四浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf4的源極相連并連接到讀使能信號(hào)REN，第三浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf3的漏極和第四浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf4的漏極相連并與所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2的源極以及數(shù)據(jù)鎖存單元3的數(shù)據(jù)端S2相連。第三浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf3的柵極、第三隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt3的柵極與第三控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc3的柵極相連，形成浮柵，用來存儲(chǔ)電荷，第四浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf4的柵極、第四隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt4的柵極與第四控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc4的柵極相連，形成浮柵，用來存儲(chǔ)電荷。所述第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1、第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2、第三隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt3、第四隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt4、第一控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc1、第二控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc2、第三控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc3、第四控制場(chǎng)效應(yīng)管Mc4、第一浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf1、第二浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf2、第三浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf3、第四浮柵場(chǎng)效應(yīng)管Mf4、第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1、第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2均為p型溝道場(chǎng)效應(yīng)管。

而數(shù)據(jù)鎖存單元3包括第一場(chǎng)效應(yīng)管M1和第二場(chǎng)效應(yīng)管M2。所述第一場(chǎng)效應(yīng)管M1、第二場(chǎng)效應(yīng)管M2為n溝道場(chǎng)效應(yīng)管。所述第一場(chǎng)效應(yīng)管M1的柵極與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的漏極相連，構(gòu)成數(shù)據(jù)端S2，并與第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2連接，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的柵極與所述第一場(chǎng)效應(yīng)管M1的漏極相連，構(gòu)成數(shù)據(jù)端S1，并與第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1連接，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管M1的源極與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的源極相連并接地線。

所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1的漏極與第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元1和數(shù)據(jù)鎖存單元3的數(shù)據(jù)端口S1相連，漏極作為該存儲(chǔ)單元差分輸出信號(hào)輸出端口，級(jí)連到靈敏放大電路。所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2的漏極與第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元2和數(shù)據(jù)鎖存單元電路的數(shù)據(jù)端口S2相連，漏極作為該存儲(chǔ)單元差分輸出信號(hào)輸出端口，級(jí)連到靈敏放大電路。所述第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1的柵極與所述第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2的柵極相連，并接地址譯碼控制信號(hào)輸入端RSB。

在本實(shí)施例，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)而言，其隧穿場(chǎng)效應(yīng)管和控制場(chǎng)效應(yīng)管的面積比設(shè)定為1：9。

在本實(shí)施例中，非易失性存儲(chǔ)單元的工作時(shí)一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的工作過程如下：在進(jìn)行寫入數(shù)據(jù)操作時(shí)，讀使能信號(hào)REN電壓為0V，地址選擇信號(hào)RSB為高電平，使得第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1和第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2截止，當(dāng)高壓信號(hào)TUN為0V，數(shù)據(jù)信號(hào)D0為高壓10V時(shí)，由于隧穿場(chǎng)效應(yīng)管和控制場(chǎng)效應(yīng)管之間的電容耦合作用，此時(shí)浮柵上電壓升高到9V，隧穿場(chǎng)效應(yīng)管兩端電壓為9V，使得第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1和第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2發(fā)生FN隧穿效應(yīng)，電子從隧穿電壓輸入端TUN隧穿到浮柵fg1和浮柵fg2上，因此浮柵fg1和浮柵fg2上的電壓降低，隧穿場(chǎng)效應(yīng)管兩端電壓降低，直至第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1和第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2無法發(fā)生隧穿效應(yīng)，隧穿截止，從而使電子被注入到浮柵上。當(dāng)隧穿電壓輸入端TUN為高壓10V，數(shù)據(jù)信號(hào)D0為0V時(shí)，由于隧穿場(chǎng)效應(yīng)管和控制場(chǎng)效應(yīng)管之間的電容耦合作用，此時(shí)浮柵上電壓為1V，隧穿場(chǎng)效應(yīng)管兩端電壓為9V，使得第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1和第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2發(fā)生FN隧穿效應(yīng)，電子從浮柵fg1和fg2隧穿到隧穿電壓輸入端TUN端，浮柵上電壓上升，隧穿場(chǎng)效應(yīng)管兩端電壓降低，直至第一隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt1和第二隧穿場(chǎng)效應(yīng)管Mt2無法發(fā)生隧穿效應(yīng)，隧穿截止，從而使電子被從浮柵上擦除。

在進(jìn)行讀出數(shù)據(jù)操作時(shí)，隧穿電壓輸入端TUN為0V，讀使能信號(hào)輸入端REN為VDD，地址選擇信號(hào)輸入端RSB為低電平，使得第一傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms1和第二傳輸場(chǎng)效應(yīng)管Ms2導(dǎo)通，寫入的數(shù)據(jù)通過傳輸場(chǎng)效應(yīng)管漏端輸出到靈敏放大器。

在本實(shí)施例中，還涉及一種非易失性存儲(chǔ)器，包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元，所述非易失性存儲(chǔ)單元是上述的非易失性存儲(chǔ)單元；所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元對(duì)齊排列，使得一個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元中的兩個(gè)存儲(chǔ)單元在同一行而形成存儲(chǔ)單元陣列；圖4示出了一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器中的部分存儲(chǔ)單元形成的陣列。在本實(shí)施例中，該存儲(chǔ)單元陣列中每一行的讀使能信號(hào)輸入端連接在一起，每一行的隧穿電壓輸入端連接在一起，每一行的地址選擇信號(hào)輸入端連接在一起。每一列存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸入信號(hào)連接在一起，每一列存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出信號(hào)連接在一起。即每一行的信號(hào)REN連接在一起，信號(hào)TUN連接在一起，地址控制信號(hào)RSB連接在一起。每一列的數(shù)據(jù)輸入信號(hào)D0連接在一起，每一列的數(shù)據(jù)輸入信號(hào)D1連接在一起，每一列的數(shù)據(jù)輸出信號(hào)DO1連接在一起，每一列的數(shù)據(jù)輸出信號(hào)DO2連接在一起。

此外，本實(shí)施例還涉及一種電子標(biāo)簽，包括用于存放該電子標(biāo)簽的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器， 所述存儲(chǔ)器是上述的存儲(chǔ)器。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。